JP2008500727A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. ウェハ（１０２）に第１層（１０６）を設ける工程と、
   第１層（１０６）上に、パターニングされていない第１ハードマスク（１１０）を形成する工程と、
   パターニングされていない第１ハードマスク（１１０）上に、第２ハードマスク積層構造（１１２）を形成する工程と、
   第２ハードマスク積層構造（１１２）を第１パターン（６０２）に従ってパターニングする工程であって、第２ハードマスク積層構造（１１２）の内の第１の厚さに相当する部分（１１８）に第１の部分エッチングを行うことを含む工程と、
   第２ハードマスク積層構造（１１２）を第２パターン（１００２）に従って第２の時間に亘ってパターニングする工程であって、第２の時間に亘ってパターニングする工程は第２ハードマスク積層構造（１１２）の内の第２の厚さに相当する部分（１１６）に第２の部分エッチングを行うことを含む工程と、
   第２の時間に亘ってパターニングする工程の後に、第２ハードマスク積層構造（１１２）を一様にエッチングして、第１の複数のパターン構造（１８０２）を形成する工程であって、一様にエッチングする工程はその一様にエッチングする工程により露出される第１ハードマスクの一部を部分エッチングする工程と、
   第１の複数のパターン構造（１８０２）を用いて、第１ハードマスク（１１０）をエッチングして、第１ハードマスク（１１０）の第２の複数のパターン構造（１８０４）を形成する工程であって、第１ハードマスクのエッチングにより露出される第１層の部分は実質的にエッチングされない工程と、
   第２の複数のパターン構造（１８０４）を用いて、第１層（１０６）をエッチングして、第１層（１０６）の第３の複数のパターン構造（２６０２）を形成する工程であって、第１層のエッチングにより露出されるウェハの部分は、第１層のエッチング工程の間実質的に損傷を受けない工程と、を有し、
   第１ハードマスク（１１０）は第１材料を含み、第２ハードマスク積層構造（１１２）は第２材料を含み、第１材料は第２材料に対して選択的にエッチング可能であり、かつ第２材料は第１材料に対して選択的にエッチング可能であり、
   第１材料は第１層（１０６）の材料に対して選択的にエッチング可能であり、これにより、第３の複数のパターン構造（２６０２）を第１層（１０６）に形成する前に、第１ハードマスク（１１０）の第２の複数のパターン構造（１８０４）におけるエッチング深さの差を低減することが可能である、半導体素子（１００）を形成する方法。
2. 第２ハードマスク積層構造（１１２）は、第１層部分（１１４）と、第１層部分上に位置する第２層部分（１１６）と、第２層部分上に位置する第３層部分（１１８）とを備え、
   第１の部分エッチングを行う工程は、第３層部分（１１８）の一部をエッチングすることを更に含む、請求項１記載の方法。
3. 第２の部分エッチングを行う工程は第３層部分（１１８）の一部をエッチングすることにより露出される第２層部分（１１６）の一部をエッチングすることを含み、
   第２の部分エッチングを行う工程は、第２ハードマスク積層構造（１１２）を第１パターンに従ってパターニングしている間にエッチングされなかった第３層の選択位置において第３層の一部をエッチングすることを含む、請求項２記載の方法。
4. 第２ハードマスク積層構造（１１２）を第１パターン（６０２）に従ってパターニングする工程では、第２ハードマスク積層構造（１１２）の上に第４の複数のパターン構造（２０２）を形成し、第４の複数のパターン構造（２０２）に従って第２ハードマスク積層構造をエッチングすることを含み、
   第２の時間に亘ってパターニングする工程の前に、第４の複数のパターン構造（１００２）を除去することを更に含む、請求項１記載の方法。
5. 第２ハードマスク積層構造（１１２）を第２パターンに従って第２の時間に亘ってパターニングする工程は、第２ハードマスク積層構造の上に第４の複数のパターン構造（１００２）を形成し、第４の複数のパターン構造（２０２）に従って第２ハードマスク積層構造をエッチングし、
   第２ハードマスク積層構造（１１２）のエッチングの前に、第４の複数のパターン構造（１００２）を除去して、第２ハードマスク積層構造の第１の複数のパターン構造（１８０２）を形成することを更に含む、請求項１記載の方法。