JP2005530338A5 - - Google Patents

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  1. 多段リソグラフィックテンプレートの製造方法であって、
    表面を有する第1レリーフ構造を形成するステップと、
    前記第1レリーフ構造の表面上に、表面を有する第2レリーフ構造を形成することによって多段リソグラフィックテンプレートを規定するステップとを備える方法。
  2. 多段リソグラフィックテンプレートの製造方法であって、
    表面を有する透明基板を提供するステップと、
    前記基板の表面上に硬質マスク層を堆積させるステップと、
    前記硬質マスク層の表面上にパターンレジスト層を形成するステップと、
    前記硬質マスク層と前記基板をエッチングし、そのことによって前記基板材料内に第1パターンレリーフ構造を規定するステップと、
    前記パターンレジスト層と前記硬質マスク層を除去するステップと、
    前記第1パターンレリーフ構造の最上面の上に少なくとも一つの追加パターンレリーフ構造を形成するステップとを備える方法。
  3. 多段リソグラフィックテンプレートを形成する方法であって、
    表面を有する透明基板を提供するステップと、
    前記基板の表面上に、表面を有する第1パターン層を形成することによってレリーフ構造を規定するステップと、
    前記第1パターン層の表面上に、レリーフ構造を規定する第2パターン層を形成するステップとを備える方法。
  4. 多段リソグラフィックテンプレートの製造方法であって、
    表面を有する透明基板を提供するステップと、
    前記基板の上に第1エッチング停止層を形成するステップと、
    前記第1エッチング停止層の上に第1パターニング層を形成するステップと、
    前記第1パターニング層の表面上にパターンレジスト層を形成するステップと、
    前記第1パターニング層をエッチングし、そのことによって第1パターン層を規定するステップと、
    前記パターンレジスト層を除去するステップと、
    前記第1パターン層の表面上に第2エッチング停止層を形成するステップと、
    前記第2エッチング停止層の上に第2パターニング層を形成するステップと、
    前記第2パターニング層の表面上にパターンレジスト層を形成するステップと、
    前記第2パターニング層をエッチングし、そのことによって第2パターン層を規定するステップと、
    前記パターンレジスト層を除去するステップとを備える方法。
  5. 多段リソグラフィックテンプレートの製造方法であって、
    最上面を有する基板を提供するステップと、
    前記基板によって支持される第1パターニング層を提供するステップと、
    放射源で前記第1パターニング層をパターン化することによってレリーフ構造を有する第1パターン層を形成するステップと、
    前記第1パターン層によって支持される第2パターニング層を提供するステップと、
    放射源で前記第2パターニング層をパターン化することによってレリーフ構造を有する第1パターン層を形成するステップとを備える方法。
  6. 表面を有する基板と、
    該基板の上に形成された寸法xの第1パターン層と、該第1パターン層の上に形成された寸法yの第2パターン層とを備え、寸法xは寸法yよりも大きく、前記第1パターン層と前記第2パターン層はその中にレリーフイメージを規定していることを特徴とする多段リソグラフィックテンプレート。
  7. デバイスを作成する方法であって、
    基板を提供するステップと、
    前記基板に放射線感知材料層を塗布するステップと、
    多段リソグラフィックテンプレートであって、表面を有する基板と、該基板の上に形成された寸法xの第1パターン層と、該第1パターン層の上に形成された寸法yの第2パターン層とを備え、寸法xは寸法yよりも大きく、前記第1パターン層と前記第2パターン層はその中にレリーフイメージを規定しているリソグラフィックテンプレートを製造するステップと、
    前記リソグラフィックテンプレートを前記放射線感知材料層と接触させて、前記放射線感知材料層を前記テンプレートと前記基板の間に位置付けるステップと、
    前記テンプレートに圧力を加えることによって前記放射線感知材料が前記テンプレート上のレリーフパターンに流入するステップと、
    前記リソグラフィックテンプレートを通って放射線を伝送して、前記基板上の前記放射線感知材料層の少なくとも一部分を露出させることによって前記放射線感知材料層内のパターンに更に変化を生じさせるステップと、
    前記基板から前記テンプレートを除去するステップとを備える方法。
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Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1303793B1 (en) * 2000-07-17 2015-01-28 Board Of Regents, The University Of Texas System Method and system of automatic fluid dispensing for imprint lithography processes
US20060005657A1 (en) * 2004-06-01 2006-01-12 Molecular Imprints, Inc. Method and system to control movement of a body for nano-scale manufacturing
US7179079B2 (en) * 2002-07-08 2007-02-20 Molecular Imprints, Inc. Conforming template for patterning liquids disposed on substrates
US20080160129A1 (en) * 2006-05-11 2008-07-03 Molecular Imprints, Inc. Template Having a Varying Thickness to Facilitate Expelling a Gas Positioned Between a Substrate and the Template
US6908861B2 (en) * 2002-07-11 2005-06-21 Molecular Imprints, Inc. Method for imprint lithography using an electric field
US20040224261A1 (en) * 2003-05-08 2004-11-11 Resnick Douglas J. Unitary dual damascene process using imprint lithography
US20050018296A1 (en) * 2003-07-24 2005-01-27 Asml Holding Nv Diffractive optical element and method of making same
JP2007505747A (ja) * 2003-09-17 2007-03-15 ナノコムス・パテンツ・リミテッド マイクロ構造デバイス及びその製造方法
US7785526B2 (en) * 2004-07-20 2010-08-31 Molecular Imprints, Inc. Imprint alignment method, system, and template
US7939131B2 (en) 2004-08-16 2011-05-10 Molecular Imprints, Inc. Method to provide a layer with uniform etch characteristics
US7161730B2 (en) * 2004-09-27 2007-01-09 Idc, Llc System and method for providing thermal compensation for an interferometric modulator display
CN100395121C (zh) * 2004-11-19 2008-06-18 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 热压印方法
TWI307419B (en) * 2004-12-27 2009-03-11 Au Optronics Corp Method of preparing reflective substrate and liquid crystal display device comprising the reflective substrate preparing by the same
US20060177535A1 (en) * 2005-02-04 2006-08-10 Molecular Imprints, Inc. Imprint lithography template to facilitate control of liquid movement
US20060266916A1 (en) * 2005-05-25 2006-11-30 Molecular Imprints, Inc. Imprint lithography template having a coating to reflect and/or absorb actinic energy
CN101505974A (zh) * 2005-09-07 2009-08-12 凸版光掩膜公司 用来制作双波纹结构的光掩模及其形成方法
JP4889316B2 (ja) * 2005-09-12 2012-03-07 学校法人東京理科大学 3次元構造物の製造方法、3次元構造物、光学素子、ステンシルマスク、微細加工物の製造方法、及び微細パターン成形品の製造方法。
US20100215909A1 (en) * 2005-09-15 2010-08-26 Macdonald Susan S Photomask for the Fabrication of a Dual Damascene Structure and Method for Forming the Same
US7630114B2 (en) * 2005-10-28 2009-12-08 Idc, Llc Diffusion barrier layer for MEMS devices
US20070148558A1 (en) * 2005-12-27 2007-06-28 Shahzad Akbar Double metal collimated photo masks, diffraction gratings, optics system, and method related thereto
JP2007266193A (ja) * 2006-03-28 2007-10-11 Dainippon Printing Co Ltd インプリント用の型部材とその作製方法、およびこれらに用いられる積層基板
DE102006030267B4 (de) * 2006-06-30 2009-04-16 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Nano-Einprägetechnik mit erhöhter Flexibilität in Bezug auf die Justierung und die Formung von Strukturelementen
WO2008097278A2 (en) * 2006-09-19 2008-08-14 Molecular Imprints, Inc. Etch-enhanced technique for lift-off patterning
JP5009649B2 (ja) 2007-02-28 2012-08-22 Hoya株式会社 マスクブランク、露光用マスクの製造方法、反射型マスクの製造方法、及びインプリント用テンプレートの製造方法
US8142702B2 (en) * 2007-06-18 2012-03-27 Molecular Imprints, Inc. Solvent-assisted layer formation for imprint lithography
US8753974B2 (en) * 2007-06-20 2014-06-17 Micron Technology, Inc. Charge dissipation of cavities
CN101802985A (zh) * 2007-09-14 2010-08-11 高通Mems科技公司 用于微机电系统生产的蚀刻工艺
TWI437358B (zh) 2007-09-27 2014-05-11 Hoya Corp 空白光罩、空白光罩之製造方法及壓印用模型之製造方法
DE102007048807A1 (de) * 2007-10-10 2009-04-16 Micronas Gmbh Brennstoffzelle und Verfahren zum Herstellen einer Brennstoffzelle
US7836420B2 (en) * 2007-10-22 2010-11-16 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Integrated circuit system with assist feature
TWI493598B (zh) * 2007-10-26 2015-07-21 Applied Materials Inc 利用光阻模板遮罩的倍頻方法
JP5343345B2 (ja) * 2007-10-31 2013-11-13 凸版印刷株式会社 パターン形成方法、インプリントモールド、フォトマスク
US7906274B2 (en) * 2007-11-21 2011-03-15 Molecular Imprints, Inc. Method of creating a template employing a lift-off process
US8114331B2 (en) 2008-01-02 2012-02-14 International Business Machines Corporation Amorphous oxide release layers for imprint lithography, and method of use
US8029716B2 (en) * 2008-02-01 2011-10-04 International Business Machines Corporation Amorphous nitride release layers for imprint lithography, and method of use
US20090212012A1 (en) * 2008-02-27 2009-08-27 Molecular Imprints, Inc. Critical dimension control during template formation
JP5453616B2 (ja) * 2010-04-16 2014-03-26 Hoya株式会社 インプリント用モールドの製造方法
US9586811B2 (en) * 2011-06-10 2017-03-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor devices with moving members and methods for making the same
US8906583B2 (en) * 2012-12-20 2014-12-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Stacked mask
JP5619939B2 (ja) * 2013-03-01 2014-11-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ パターン転写方法
JP5626613B2 (ja) * 2013-12-12 2014-11-19 Hoya株式会社 インプリントモールド用マスクブランク
CN106415222B (zh) 2014-04-03 2018-06-08 台湾超微光学股份有限公司 光谱仪、光谱仪的波导片的制造方法及其结构
US9941389B2 (en) * 2015-04-20 2018-04-10 Board Of Regents, The University Of Texas System Fabricating large area multi-tier nanostructures
JP6638493B2 (ja) * 2016-03-17 2020-01-29 大日本印刷株式会社 多段構造体を有するテンプレートの製造方法
JP6802969B2 (ja) * 2016-09-21 2020-12-23 大日本印刷株式会社 テンプレートの製造方法、及び、テンプレート
US10606170B2 (en) 2017-09-14 2020-03-31 Canon Kabushiki Kaisha Template for imprint lithography and methods of making and using the same
JP7127931B2 (ja) * 2017-10-24 2022-08-30 エルジー・ケム・リミテッド 回折導光板および回折導光板の製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4124473A (en) 1977-06-17 1978-11-07 Rca Corporation Fabrication of multi-level relief patterns in a substrate
JPS57130430A (en) 1981-02-06 1982-08-12 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Pattern formation
US4591547A (en) 1982-10-20 1986-05-27 General Instrument Corporation Dual layer positive photoresist process and devices
US5126006A (en) 1990-10-30 1992-06-30 International Business Machines Corp. Plural level chip masking
US5667940A (en) 1994-05-11 1997-09-16 United Microelectronics Corporation Process for creating high density integrated circuits utilizing double coating photoresist mask
DE4432725C1 (de) 1994-09-14 1996-01-11 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Herstellung eines dreidimensionalen Bauteils oder einer Bauteilgruppe
US6013417A (en) 1998-04-02 2000-01-11 International Business Machines Corporation Process for fabricating circuitry on substrates having plated through-holes
US6387787B1 (en) * 2001-03-02 2002-05-14 Motorola, Inc. Lithographic template and method of formation and use
US6653030B2 (en) * 2002-01-23 2003-11-25 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Optical-mechanical feature fabrication during manufacture of semiconductors and other micro-devices and nano-devices that include micron and sub-micron features
US6737202B2 (en) * 2002-02-22 2004-05-18 Motorola, Inc. Method of fabricating a tiered structure using a multi-layered resist stack and use
US7063919B2 (en) * 2002-07-31 2006-06-20 Mancini David P Lithographic template having a repaired gap defect method of repair and use
US7083880B2 (en) * 2002-08-15 2006-08-01 Freescale Semiconductor, Inc. Lithographic template and method of formation and use

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