JP2015502668A5 - - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 8
- 230000003287 optical Effects 0.000 claims 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims 2
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims 1
Claims (12)
- 基板を提供するステップと、
前記基板上に複数のパターン化されたフィールドを作ることによって前記基板上に所望の長さ及び幅のグレーティングを有するパターン化層を形成するステップであって、前記作られたパターン化されたフィールドは、10nm未満のフィールド配置精度で光学スキャナーと、光学リソグラフィーステップによって各フィールドを作る暗視野マスクを使用するステップとを更に含み、前記暗視野マスクは光学的作用を修正する所望の長さ及び幅より大きい長さおよび幅を有する1つ以上のグレーティングを更に含み、隣接するフィールドパターンのインタフェース上のいずれのシームは10μm未満であるように、1つ又は複数のパターン化されたフィールドは光学的作用を修正するx及び/またはyの方向にオフセットし、
前記基板上にパターン化されたフィーチャー領域を形成するために、前記基板にパターンを転写し、残ったパターン化層のいずれも除去するステップとを備えることを特徴とするインプリントリソブラフィーテンプレートを形成する方法。 - 前記光学スキャナーは193nmの浸漬スキャナーであることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記基板は、酸化物層を有し、
前記パターンは前記酸化物層へ転写されることを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記基板は、前記酸化物層上に抗反射コーティング層をさらに有することを特徴とする請求項3に記載の方法。
- 前記基板は、前記酸化物層上にハードマスクをさらに有することを特徴とする請求項3に記載の方法。
- 前記パターン化されたフィーチャー領域が配置されるメサを基板上に設けるステップをさらに有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記パターン化されたフィーチャー領域の上に層を形成し、メサを形成するように酸化物と、及び前記基板の一部とをエッチングして取り除くステップをさらに有することを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 請求項1〜7のいずれか1つに記載の方法に従って形成される大面積テンプレート。
- 請求項8に記載のテンプレートからパターンを第2の基板へ転写するステップを備え、
前記パターン化された第2の基板が、レプリカテンプレートを形成することを特徴とする大面積レプリカテンプレートを形成する方法。 - 請求項9に記載の方法に従って形成される大面積レプリカテンプレート。
- 請求項8又は10に記載のテンプレートを使用してインプリントリソグラフィーによって大面積光学デバイスを形成する方法。
- 前記大面積光学デバイスは、ワイヤーグリッド偏光器(WGP)であることを特徴とする請求項11に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161577135P | 2011-12-19 | 2011-12-19 | |
US61/577,135 | 2011-12-19 | ||
PCT/US2012/070639 WO2013096459A1 (en) | 2011-12-19 | 2012-12-19 | Fabrication of seamless large area master templates for imprint lithography |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015502668A JP2015502668A (ja) | 2015-01-22 |
JP2015502668A5 true JP2015502668A5 (ja) | 2016-02-12 |
JP6324318B2 JP6324318B2 (ja) | 2018-05-16 |
Family
ID=48609072
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014547570A Active JP6324318B2 (ja) | 2011-12-19 | 2012-12-19 | インプリントリソグラフィー用のシームレスな大面積マスターテンプレートの製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9452574B2 (ja) |
JP (1) | JP6324318B2 (ja) |
KR (2) | KR102044771B1 (ja) |
CN (2) | CN107015433B (ja) |
SG (2) | SG11201403060WA (ja) |
TW (1) | TWI570771B (ja) |
WO (1) | WO2013096459A1 (ja) |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9632223B2 (en) | 2013-10-24 | 2017-04-25 | Moxtek, Inc. | Wire grid polarizer with side region |
WO2015060941A1 (en) * | 2013-10-24 | 2015-04-30 | Moxtek, Inc. | Polarizer with wire pair over rib |
CN103576221B (zh) * | 2013-10-25 | 2015-11-18 | 中国科学院半导体研究所 | 一种提高光栅结构均匀度的电子束曝光方法 |
KR102214830B1 (ko) | 2014-05-02 | 2021-02-10 | 삼성전자주식회사 | 마스터 몰드 제조 방법 |
KR102219703B1 (ko) | 2014-05-07 | 2021-02-24 | 삼성전자주식회사 | 임프린트를 이용한 패터닝 방법, 이를 이용하여 제작된 패턴 구조체 및 임프린팅 시스템 |
KR102176591B1 (ko) | 2014-05-07 | 2020-11-09 | 삼성전자주식회사 | 와이어 그리드 편광자, 이를 포함한 액정 표시 장치 및 와이어 그리드 편광자 제조 방법 |
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KR102446872B1 (ko) | 2015-04-24 | 2022-09-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 |
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CN108885289B (zh) * | 2016-03-04 | 2021-09-03 | 应用材料公司 | 线栅偏振器制造方法 |
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KR102526936B1 (ko) * | 2016-04-26 | 2023-04-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 표시 패널용 모기판 |
KR102535820B1 (ko) | 2016-05-19 | 2023-05-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 임프린트 리소그래피 방법, 임프린트용 마스터 템플릿, 이를 이용하여 제조된 와이어 그리드 편광소자 및 이를 포함하는 표시 기판 |
KR102607657B1 (ko) | 2016-06-07 | 2023-11-28 | 티씨엘 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 | 미세패턴 형성 방법 |
KR20180023102A (ko) | 2016-08-23 | 2018-03-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 와이어 그리드 패턴 및 이의 제조방법 |
KR102697540B1 (ko) * | 2016-09-27 | 2024-08-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 임프린트 마스터 템플릿의 제조 방법 |
KR20180039228A (ko) | 2016-10-07 | 2018-04-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 제조 방법 |
KR20180044744A (ko) | 2016-10-24 | 2018-05-03 | 삼성전자주식회사 | 패턴 구조체 및 그 제조방법 |
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-
2012
- 2012-12-19 WO PCT/US2012/070639 patent/WO2013096459A1/en active Application Filing
- 2012-12-19 TW TW101148378A patent/TWI570771B/zh active
- 2012-12-19 US US13/720,315 patent/US9452574B2/en active Active
- 2012-12-19 SG SG11201403060WA patent/SG11201403060WA/en unknown
- 2012-12-19 CN CN201710168787.6A patent/CN107015433B/zh active Active
- 2012-12-19 SG SG10201608504SA patent/SG10201608504SA/en unknown
- 2012-12-19 KR KR1020147020172A patent/KR102044771B1/ko active IP Right Grant
- 2012-12-19 KR KR1020197033103A patent/KR102149669B1/ko active IP Right Grant
- 2012-12-19 JP JP2014547570A patent/JP6324318B2/ja active Active
- 2012-12-19 CN CN201280062807.7A patent/CN104221127B/zh active Active
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