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  1. 基板を提供するステップと、
    前記基板上に複数のパターン化されたフィールドを作ることによって前記基板上に所望の長さ及び幅のグレーティングを有するパターン化層を形成するステップであって、前記作られたパターン化されたフィールドは、10nm未満のフィールド配置精度で光学スキャナーと、光学リソグラフィーステップによって各フィールドを作る暗視野マスクを使用するステップとを更に含み、前記暗視野マスクは光学的作用を修正する所望の長さ及び幅より大きい長さおよび幅を有する1つ以上のグレーティングを更に含み、隣接するフィールドパターンのインタフェース上のいずれのシームは10μm未満であるように、1つ又は複数のパターン化されたフィールドは光学的作用を修正するx及び/またはyの方向にオフセットし、
    前記基板上にパターン化されたフィーチャー領域を形成するために、前記基板にパターンを転写し、残ったパターン化層のいずれも除去するステップとを備えることを特徴とするインプリントリソブラフィーテンプレートを形成する方法。
  2. 前記光学スキャナーは193nmの浸漬スキャナーであることを特徴とする請求項1に記載の方法。
  3. 前記基板は、酸化物層を有し、
    前記パターンは前記酸化物層へ転写されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
  4. 前記基板は、前記酸化物層上に抗反射コーティング層をさらに有することを特徴とする請求項3に記載の方法。
  5. 前記基板は、前記酸化物層上にハードマスクをさらに有することを特徴とする請求項3に記載の方法。
  6. 前記パターン化されたフィーチャー領域が配置されるメサを基板上に設けるステップをさらに有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
  7. 前記パターン化されたフィーチャー領域の上に層を形成し、メサを形成するように酸化物と、及び前記基板の一部とをエッチングして取り除くステップをさらに有することを特徴とする請求項6に記載の方法。
  8. 請求項1〜7のいずれか1つに記載の方法に従って形成される大面積テンプレート。
  9. 請求項8に記載のテンプレートからパターンを第2の基板へ転写するステップを備え、
    前記パターン化された第2の基板が、レプリカテンプレートを形成することを特徴とする大面積レプリカテンプレートを形成する方法。
  10. 請求項9に記載の方法に従って形成される大面積レプリカテンプレート。
  11. 請求項8又は10に記載のテンプレートを使用してインプリントリソグラフィーによって大面積光学デバイスを形成する方法。
  12. 前記大面積光学デバイスは、ワイヤーグリッド偏光器(WGP)であることを特徴とする請求項11に記載の方法。
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