CN111522206B - 一种基于反射式光场增强的微纳光印制造方法 - Google Patents
一种基于反射式光场增强的微纳光印制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111522206B CN111522206B CN202010354559.XA CN202010354559A CN111522206B CN 111522206 B CN111522206 B CN 111522206B CN 202010354559 A CN202010354559 A CN 202010354559A CN 111522206 B CN111522206 B CN 111522206B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- micro
- nano
- polymer material
- reflecting layer
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/7035—Proximity or contact printers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
本发明公开了一种基于反射式光场增强的微纳光印制造方法,包括:1)在基片表面沉积一层低损耗的反射层;2)将高分辨力的流体聚合物材料旋涂在反射层表面;3)在微纳米掩模版表面制作一层抗粘接层;4)通过机械装置将在反射层表面旋涂有高分辨力流体聚合物材料的基片与微纳米掩模版图形面调平并接触;5)通过精密压力传递方法将高分辨力的流体聚合物材料表面浅层挤压进入掩模版图形透光区;6)曝光,在反射层的作用下使穿过掩模版图形的光场局域在透光区,使挤压进入掩模版图形透光区及到反射层之间的局部流体聚合物材料感光及固化;7)脱模后将基片放入显影液中显影,去掉未感光及固化的聚合物材料,得到复制后的图形。适用于高深宽比结构加工。
Description
技术领域
本发明涉及微纳米制造技术领域,具体涉及一种基于反射式光场增强的微纳光印制造方法,特别是用于精细结构图形的加工。
背景技术
近年来,大量的研究报道表明具有微纳米特征尺度的人工结构可以极大的增强微纳光子器件、微纳电子器件、微纳机电系统、微纳米能源及显示器件的性能。而作为这些微纳米尺度结构和器件制造的基础,低成本、高分辨力、高产出、大面积的新型纳米加工技术/方法的需求极为迫切。
传统微纳制造技术主要分为三类:直写类、光刻类和压印类。直写类微纳制造技术虽然具有高的分辨力,但加工效率较低,不适用于大规模批量生产。光刻类微纳制造技术在效率、材料和工艺的兼容性等方面具有较强的技术优势,但受瑞利准则的理论限制,要提高曝光分辨力,需要采用更短的曝光波长和更高数值孔径的物镜,但是不断的缩小曝光波长及提高物镜数值孔径伴随着的是成本的不断激增。压印类微纳制造技术是近年来发展到一种低成本的加工技术,由于不涉及曝光过程,图形形状和质量直接由压模决定,因此加工分辨力没有物理极限及邻近效应;但由于高分辨力的压模制造成本高昂,且复制图形存在缺陷多,对准和套刻精度不高,不能加工多层微纳结构图形,制约了其大规模推广应用。
发明内容
本发明的技术解决问题是:克服上述现有技术的不足,提出一种基于反射式光场增强的微纳光印制造方法。
本发明的技术解决方案:一种基于反射式光场增强的微纳光印制造方法,步骤如下:
步骤(1)、在基片表面沉积一层低损耗的反射层;
步骤(2)、将高分辨力的流体聚合物材料旋涂在反射层表面;
步骤(3)、在微纳米掩模版表面制作一层抗粘接层;
步骤(4)、通过机械装置将在反射层表面旋涂有高分辨力流体聚合物材料的基片与微纳米掩模版图形面调平并接触;
步骤(5)、通过精密压力传递方法将高分辨力的流体聚合物材料表面浅层挤压进入掩模版图形透光区;
步骤(6)、曝光,在反射层的作用下使穿过掩模版图形的光场局域在透光区,使挤压进入掩模版图形透光区及到反射层之间的局部流体聚合物材料感光及固化;
步骤(7)、脱模后将基片放入显影液中显影,去掉未感光及固化的聚合物材料,得到复制后的图形。
进一步地,所述步骤(1)中低损耗的反射层制备方法为分子束外延结合低温退火、共溅射、高温溅射法。
进一步地,所述步骤(2)中高分辨力的流体聚合物材料为氟掺杂硅基共聚物或衍生物、乙烯醚基共聚物、丙烯酸基共聚物、杯芳烃基分子玻璃、高酸解活性缩醛聚合物、聚对羟基苯乙烯基共聚物等。
进一步地,所述步骤(3)中抗粘接层为类金刚石薄膜、掺氟硅烷等。
进一步地,所述步骤(5)中精密压力传递方法为活塞类机械传递、压电执行机构传递、气膜传递、气压传递等。
进一步地,所述步骤(5)中压力传递方法为活塞类机械传递、压电执行机构传递、气膜传递、气压传递等。
本发明与现有技术相比的优点在于:
(1)相比于传统直写类微纳制造技术,虽然本方法也需采用直写方法制作掩模,但通过该掩模可以低成本批量复制微纳结构,加工效率远远高于传统直写类微纳制造技术。
(2)相比于传统光刻类微纳制造技术,本方法解决了衍射受限的问题,通过反射式光场增强降低倏逝波的传输损耗,提高了加工分辨力,不需要缩短曝光波长和提高物镜的数值孔径。
(3)相比于传统的压印类微纳制造技术,压印过程中是将压印胶挤压进入模板中,再通过热固化或紫外固化形成图形,图形的深度由压模决定,因而压模的制造难度及成本较高;而本方法是采用浅压结合曝光的方法,图形的深度主要由曝光的深度决定,降低了掩模加工难度及成本。其次由于压印图形需要保证一定的深宽比,在脱模的过程中图形结构不可避免的由于受力原因,未中压模上分离,造成图形缺陷;而本方法挤压进入掩模的图形深度较浅,主要通过曝光提高图形的深度,因而极大程度的降低了图形缺陷。
附图说明
图1为基于反射式光场增强的微纳光印制造方法示意图。图中:1表示紫外照明光源,2表示掩模基底,3表示微纳米掩模图形,4表示抗粘接层,5表示局域光场,6表示高分辨力的流体聚合物材料,7表示低损耗的反射层,8表示基片。
图2为在基片表面沉积低损耗的反射层并旋涂高分辨力的流体聚合物材料后的剖面结构示意图。
图3为在在微纳米掩模版表面制作抗粘接层后的剖面结构示意图。
图4为通过机械装置将在反射层表面旋涂有高分辨力流体聚合物材料的基片与微纳米掩模版图形面调平并接触后的剖面结构示意图。
图5为将高分辨力的流体聚合物材料表面浅层挤压进入掩模版图形透光区后的剖面结构示意图。
图6为曝光完成后脱模的剖面结构示意图。
图7为显影后得到复制后的图形剖面结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图及具体实施方式详细介绍本发明。但以下的实施例仅限于解释本发明,本发明的保护范围应包括权利要求的全部内容,而且通过以下实施例对领域的技术人员即可以实现本发明权利要求的全部内容。
实施例1:制作200nm线宽分辨力、300nm深度的光印图形,其具体的制作过程如下:
(1)选择厚度为0.35mm厚度的石英基片作为衬底;采用分子束外延结合低温退火镀膜方式在基片表面沉积一层50nm厚度的低损耗银反射层。
(2)在银反射层表面旋涂一层300nm厚度的高分辨力流体聚合物材料。
(3)通过加热蒸发的方式在200nm线宽分辨力的铬掩模版表面形成一层均匀的单分子抗粘剂层。
(4)采用被动调平机械结构将旋涂有高分辨力流体聚合物材料的基片与在200nm线宽分辨力的铬掩模版图形面调平并接触。
(5)通过在基片背面施加0.2MPa的气压方式,将厚度为100nm的高分辨力流体聚合物材料表面挤压进入掩模版图形透光区。
(6)打开中心波长为365nm的紫外曝光光源,在功率为0.2mW/cm2的条件下,曝光20s;在反射层的作用下使穿过掩模版图形的光场局域在透光区,使挤压进入掩模版图形透光区及到反射层之间的局部流体聚合物材料感光及固化。
(7)曝光完成后,将基片与掩模分离,实现脱模;并将基片放入显影液中在22℃温度条件下显影20s,以去掉未感光及固化的聚合物材料,得到200nm分辨力、300nm深度的光印图形。
实施例2:制作30nm线宽分辨力、50nm深度的光印图形,其具体的制作过程如下:
(1)选择厚度为0.21mm厚度的硅片作为衬底;采用铝和铜共溅射的镀膜方式在基片表面沉积一层60nm厚度的低损耗铝反射层。
(2)在铝反射层表面旋涂一层50nm厚度的高分辨力流体聚合物材料。
(3)通过加热蒸发的方式在30nm线宽分辨力的钼掩模版表面形成一层均匀的单分子抗粘剂层。
(4)采用三点主动调平系统将旋涂有高分辨力流体聚合物材料的基片与在30nm线宽分辨力的钼掩模版图形面调平并接触。调平过程实时监测并调整三点的间隙值。
(5)通过压电执行机构在基片背面施加200N的压力,将厚度为20nm的高分辨力流体聚合物材料表面挤压进入掩模版图形透光区。
(6)打开中心波长为365nm的紫外曝光光源,在功率为0.2mW/cm2的条件下,曝光10s;在反射层的作用下使穿过掩模版图形的光场局域在透光区,使挤压进入掩模版图形透光区及到反射层之间的局部流体聚合物材料感光及固化。
(7)曝光完成后,将基片与掩模分离,实现脱模;并将基片放入显影液中在0℃温度条件下显影40s,以去掉未感光及固化的聚合物材料,得到30nm分辨力、50nm深度的光印图形。
Claims (5)
1.一种基于反射式光场增强的微纳光印制造方法,其特征在于,步骤如下:
步骤(1)、在基片表面沉积一层低损耗的反射层;
步骤(2)、将高分辨力的流体聚合物材料旋涂在反射层表面;
步骤(3)、在微纳米掩模版表面制作一层抗粘接层;所述步骤(3)中抗粘接层为类金刚石薄膜、掺氟硅烷;
步骤(4)、通过机械装置将在反射层表面旋涂有高分辨力流体聚合物材料的基片与微纳米掩模版图形面调平并接触;
步骤(5)、通过精密压力传递方法将高分辨力的流体聚合物材料表面浅层挤压进入掩模版图形透光区;
步骤(6)、曝光,在反射层的作用下使穿过掩模版图形的光场局域在透光区,使挤压进入掩模版图形透光区及到反射层之间的局部流体聚合物材料感光及固化;所述浅层挤压进入掩模的图形深度较浅;
步骤(7)、脱模后将基片放入显影液中显影,去掉未感光及固化的聚合物材料,得到复制后的图形。
2.根据权利要求1所述的一种基于反射式光场增强的微纳光印制造方法,其特征在于:所述步骤(1)中低损耗的反射层制备方法为分子束外延结合低温退火、共溅射、高温溅射法。
3.根据权利要求1所述的一种基于反射式光场增强的微纳光印制造方法,其特征在于:所述步骤(2)中高分辨力的流体聚合物材料为氟掺杂硅基共聚物或衍生物、乙烯醚基共聚物、丙烯酸基共聚物、杯芳烃基分子玻璃、高酸解活性缩醛聚合物、聚对羟基苯乙烯基共聚物。
4.根据权利要求1所述的一种基于反射式光场增强的微纳光印制造方法,其特征在于:所述步骤(5)中精密压力传递方法为活塞类机械传递、压电执行机构传递、气膜传递、气压传递。
5.根据权利要求1所述的一种基于反射式光场增强的微纳光印制造方法,其特征在于:所述步骤(5)中压力传递方法为活塞类机械传递、压电执行机构传递、气膜传递、气压传递。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010354559.XA CN111522206B (zh) | 2020-04-29 | 2020-04-29 | 一种基于反射式光场增强的微纳光印制造方法 |
US17/997,102 US11675273B2 (en) | 2020-04-29 | 2021-04-28 | Method of fabricating micro-nano structure |
JP2022551796A JP7333676B2 (ja) | 2020-04-29 | 2021-04-28 | マイクロナノ構造の製造方法 |
EP21795876.8A EP4134743A4 (en) | 2020-04-29 | 2021-04-28 | METHOD FOR PRODUCING A MICRO-NANO STRUCTURE |
PCT/CN2021/090554 WO2021219005A1 (zh) | 2020-04-29 | 2021-04-28 | 一种微纳结构的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010354559.XA CN111522206B (zh) | 2020-04-29 | 2020-04-29 | 一种基于反射式光场增强的微纳光印制造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111522206A CN111522206A (zh) | 2020-08-11 |
CN111522206B true CN111522206B (zh) | 2021-09-21 |
Family
ID=71903753
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010354559.XA Active CN111522206B (zh) | 2020-04-29 | 2020-04-29 | 一种基于反射式光场增强的微纳光印制造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11675273B2 (zh) |
EP (1) | EP4134743A4 (zh) |
JP (1) | JP7333676B2 (zh) |
CN (1) | CN111522206B (zh) |
WO (1) | WO2021219005A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111522206B (zh) | 2020-04-29 | 2021-09-21 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种基于反射式光场增强的微纳光印制造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008044237A (ja) * | 2006-08-16 | 2008-02-28 | Bridgestone Corp | 離型剤、これを用いた凹凸パターンの形成方法及び光情報記録媒体の製造方法、並びに光情報記録媒体 |
WO2013096459A1 (en) * | 2011-12-19 | 2013-06-27 | Molecular Imprints, Inc. | Fabrication of seamless large area master templates for imprint lithography |
CN107561857A (zh) * | 2017-09-20 | 2018-01-09 | 南方科技大学 | 一种基于纳米压印制备光学超构表面的方法 |
CN109283788A (zh) * | 2018-10-11 | 2019-01-29 | 中国石油大学(华东) | 一种用于旋转式近场光刻的纳米图形加工系统及方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8728380B2 (en) * | 1995-11-15 | 2014-05-20 | Regents Of The University Of Minnesota | Lithographic method for forming a pattern |
US6653030B2 (en) * | 2002-01-23 | 2003-11-25 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Optical-mechanical feature fabrication during manufacture of semiconductors and other micro-devices and nano-devices that include micron and sub-micron features |
JP4183245B2 (ja) * | 2003-05-12 | 2008-11-19 | キヤノン株式会社 | アライメント方法、該アライメント方法を用いた露光方法 |
US7654816B2 (en) * | 2004-10-07 | 2010-02-02 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Lithographic mask alignment |
US8092959B2 (en) | 2005-04-27 | 2012-01-10 | Obducat Ab | Means for transferring a pattern to an object |
KR100843342B1 (ko) * | 2007-02-12 | 2008-07-03 | 삼성전자주식회사 | Uv 나노 임프린트 리소그래피 수행 공정 및 장치 |
JP5570688B2 (ja) | 2007-06-28 | 2014-08-13 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル | 微細レジストパターン形成方法及びナノインプリントモールド構造 |
CN101131537B (zh) * | 2007-09-13 | 2011-04-20 | 苏州苏大维格数码光学有限公司 | 一种精密数字化微纳米压印的方法 |
CN102211441B (zh) * | 2010-02-23 | 2014-02-12 | 乐金显示有限公司 | 辊模、制造辊模的方法及采用辊模形成薄膜图案的方法 |
JP2013069921A (ja) * | 2011-09-22 | 2013-04-18 | Toshiba Corp | インプリント方法 |
JP5774536B2 (ja) * | 2012-03-30 | 2015-09-09 | 株式会社東芝 | 近接場露光用マスクおよびパターン形成方法 |
CN103488046B (zh) * | 2013-09-26 | 2019-10-22 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种纳米压印光刻装置及其方法 |
CN103631089B (zh) * | 2013-12-08 | 2016-08-17 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种紫外光固化纳米压印聚合物模板的制备方法 |
JP2015169803A (ja) | 2014-03-07 | 2015-09-28 | 株式会社東芝 | マスク及びパターン形成方法 |
JP6750188B2 (ja) * | 2014-12-25 | 2020-09-02 | デクセリアルズ株式会社 | マスターフィルム付きナノ構造フィルム及びその製造方法 |
US10468249B2 (en) * | 2015-09-28 | 2019-11-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Patterning process of a semiconductor structure with a middle layer |
US10497564B1 (en) * | 2017-07-17 | 2019-12-03 | Northrop Grumman Systems Corporation | Nano-imprinting using high-pressure crystal phase transformations |
JP7023744B2 (ja) * | 2018-02-28 | 2022-02-22 | キヤノン株式会社 | インプリント方法及び製造方法 |
CN111522206B (zh) * | 2020-04-29 | 2021-09-21 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种基于反射式光场增强的微纳光印制造方法 |
-
2020
- 2020-04-29 CN CN202010354559.XA patent/CN111522206B/zh active Active
-
2021
- 2021-04-28 US US17/997,102 patent/US11675273B2/en active Active
- 2021-04-28 JP JP2022551796A patent/JP7333676B2/ja active Active
- 2021-04-28 EP EP21795876.8A patent/EP4134743A4/en active Pending
- 2021-04-28 WO PCT/CN2021/090554 patent/WO2021219005A1/zh unknown
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008044237A (ja) * | 2006-08-16 | 2008-02-28 | Bridgestone Corp | 離型剤、これを用いた凹凸パターンの形成方法及び光情報記録媒体の製造方法、並びに光情報記録媒体 |
WO2013096459A1 (en) * | 2011-12-19 | 2013-06-27 | Molecular Imprints, Inc. | Fabrication of seamless large area master templates for imprint lithography |
CN107561857A (zh) * | 2017-09-20 | 2018-01-09 | 南方科技大学 | 一种基于纳米压印制备光学超构表面的方法 |
CN109283788A (zh) * | 2018-10-11 | 2019-01-29 | 中国石油大学(华东) | 一种用于旋转式近场光刻的纳米图形加工系统及方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2023522560A (ja) | 2023-05-31 |
US11675273B2 (en) | 2023-06-13 |
CN111522206A (zh) | 2020-08-11 |
EP4134743A1 (en) | 2023-02-15 |
EP4134743A4 (en) | 2023-09-27 |
US20230132100A1 (en) | 2023-04-27 |
WO2021219005A1 (zh) | 2021-11-04 |
JP7333676B2 (ja) | 2023-08-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20210216009A1 (en) | Method for preparing optical metasurfaces | |
WO2021017077A1 (zh) | 一种近眼显示器衍射光栅波导的制备方法 | |
CN108761600B (zh) | 一种预应力辅助纳米压印制作高密度衍射光栅的方法 | |
CN101900936A (zh) | 压印模具及其制作方法 | |
CN111606300A (zh) | 一种高深宽比纳米光栅的制作方法 | |
CN101823690A (zh) | Su-8纳米流体系统的制作方法 | |
CN111522206B (zh) | 一种基于反射式光场增强的微纳光印制造方法 | |
CN113484945A (zh) | 一种基于pdms/pua相互复制的可变线密度光栅制作方法 | |
CN111158073A (zh) | 利用电子束光刻技术进行光栅纳米压印模板制作方法 | |
JP2004106320A (ja) | 微細表面構造をもつ物品の製造方法 | |
CN101131538A (zh) | 应用热压印技术制作微光学元件的方法 | |
JPH05228946A (ja) | 光学部品の製造法および光学部品複製用母型 | |
US7344990B2 (en) | Method of manufacturing micro-structure element by utilizing molding glass | |
CN111302298A (zh) | 一种转移金属薄膜的方法及其应用 | |
Chen et al. | Direct metal transfer lithography for fabricating wire-grid polarizer on flexible plastic substrate | |
KR101542142B1 (ko) | 나노리소그래피용 마이크로팁 어레이, 이의 제조방법 및 이를 이용한 나노리소그래피 방법 | |
CN1996141A (zh) | 一种零留膜的压印模板及压印光刻图形转移方法 | |
CN114236659A (zh) | 光栅及其制备方法、光波导 | |
CN112363367A (zh) | 一种多阶图形纳米压印的方法 | |
CN101231463A (zh) | 基于紫外压印的多相位与连续浮雕结构光学元件制作方法 | |
CN111061124A (zh) | 带切割道的紫外固化纳米压印模具及方法 | |
KR102389546B1 (ko) | 노광 각도가 조절된 근접장 패터닝을 이용한 나노구조의 조절 및 제작 | |
CN113759451B (zh) | 一种曲面光栅的加工装置及制备方法 | |
Kärkkäinen et al. | Fabrication of micro-optical structures by applying negative tone hybrid glass materials and greyscale lithography | |
CN1272671C (zh) | 基于厚胶光刻的三维微结构加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |