JP5774536B2 - 近接場露光用マスクおよびパターン形成方法 - Google Patents
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Description
第1実施形態による近接場露光用マスク(以下、近接場光発生部材ともいう)について図1(a)乃至図2(d)を参照して説明する。図1(a)乃至図2(d)は、第1実施形態による近接場露光用マスクの製造工程を示す断面図である。
第2実施形態による近接場露光用マスクについて図3(a)乃至図4(d)を参照して説明する。図3(a)乃至図4(d)は、第2実施形態による近接場露光用マスクの製造工程を示す断面図である。
第3実施形態による近接場露光用マスクについて図5(a)乃至図6(d)を参照して説明する。図5(a)乃至図6(d)は、第3実施形態による近接場露光用マスクの製造工程を示す断面図である。
第4実施形態による近接場露光用マスクについて図7(a)乃至図7(f)を参照して説明する。図7(a)乃至図7(f)は、第4実施形態による近接場露光用マスクの製造工程を示す断面図である。
第5実施形態による近接場露光用マスクについて図8(a)乃至図8(f)を参照して説明する。図8(a)乃至図8(f)は、第5実施形態による近接場露光用マスクの製造工程を示す断面図である。
第6実施形態による近接場露光用マスクについて図9(a)乃至図9(f)を参照して説明する。図9(a)乃至図9(f)は、第6実施形態による近接場露光用マスクの製造工程を示す断面図である。
第7実施形態による近接場露光用マスクについて図10(a)乃至図10(f)を参照して説明する。図10(a)乃至図10(f)は、第7実施形態による近接場露光用マスクの製造工程を示す断面図である。
第8実施形態による近接場露光用マスクについて図11(a)乃至図11(f)を参照して説明する。図11(a)乃至図11(f)は、第8実施形態による近接場露光用マスクの製造工程を示す断面図である。
第9実施形態による近接場光リソグラフィ方法について図12を参照して説明する。
第10実施形態による近接場露光装置について図14(a)、14(b)を参照して説明する。この第10実施形態の近接場露光装置20は、例えば図7に示す第4実施形態の近接場露光用マスク1を用いて露光するものであって、レジスト14が塗布された被加工基板12が設置される載置台22aと、近接場露光用マスク1の近接場光発生膜パターン6aが形成された側の面を支持する支持台22bと、光源26からの光が近接場露光用マスク1の近接場光発生膜パターン6aが形成された領域を照射するマスク24とを備えている。図14(a)、14(b)に示すように、近接場露光用マスク1のシリコン基板2側から光源からの光が照射され、近接場光発生膜パターン6aと、被加工基板12上に塗布されたレジスト14が対向するように、配置される。なお、第10実施形態の近接場露光装置20は、第1乃至第3実施形態のいずれかの近接場露光用マスク1、または第5乃至第8実施形態のいずれかの近接場露光用マスク1を用いる露光してもよい。
第9実施形態では、近接場露光用マスク100の裏面(近接場光発生膜パターンが形成された側と反対側のSi基板102の面)から光を照射して露光するパターン形成方法であったが、第11実施形態による近接場露光方法は、近接場露光用マスク1の表側、すなわち近接場光発生膜パターン6aが形成された側の面から光を照射するパターン形成方法である。この第11実施形態のパターン形成方法について図15(a)乃至図15(d)を参照して説明する。
第12実施形態によるレジストパターンの形成方法およびデバイスの製造方法について図16(a)乃至16(d)を参照して説明する。
(1)半導体デバイス。
(3)50nmサイズの円錐状のSiO2部材をSiO2基板上に50nm間隔で2次元に並べた構造を有する、光反射防止機能を備えたサブ波長素子(SWS)。
(4)GaNや金属からなる100nmサイズの部材を100nm間隔で2次元に周期的に並べた構造を有するフォトニック結晶光学デバイス、プラズモン光学デバイス。
(5)50nmサイズのAu微粒子をプラスティック基板上50nm間隔で2次元に並べた構造を有する、局在プラズモン共鳴(LPR)や表面増強ラマン分光(SERS)を利用したバイオセンサやマイクロトータル解析システム(μTAS)素子。
(6)トンネル顕微鏡、原子間力顕微鏡、近接場光学顕微鏡等の走査型プローブ顕微鏡(SPM)に用いられる50nm以下のサイズの尖鋭な構造を有するSPMプローブ等のナノエレクトロメカニカルシステム(NEMS)素子。
第12実施形態の実施例を以下に説明する。
第13実施形態によるパターン形成方法について図17(a)乃至図18(c)を参照して説明する。この第13実施形態のパターン形成方法は、押し付け位置を制御したナノインプリント法を用いた方法である。
2 Si基板
4 レジスト層
4a レジストパターン
6 近接場光発生膜
6a 近接場光発生膜パターン
12 被加工基板
14 レジスト層
14a レジストパターン
15 第1レジスト層
15a レジストパターン
16 第2レジスト層
16a レジストパターン
20 近接場露光装置
22a 載置台
22b 支持台
24 マスク
26 光源
28 位置決め機構
52 Si基板
54 レジスト層
54a 近接場光露光領域
54b レジストパターン
61 近接場露光用マスク
62 Si基板
66a 近接場光発生膜パターン
100 近接場光発生部材(近接場露光用マスク)
102 透明基板
104 凸構造
104a 先端部
104b 側部
106 近接場光発生膜
106a 第1の層
106b 第2の層
106c 第3の層
120 基板
122 感光性樹脂
Claims (10)
- シリコン基板と、
前記シリコン基板の一方の面に設けられ、表面に凸部および凹部を有し、Au、Al、Ag、Cu、Cr、Sb、W、Ni、In、Ge、Sn、Pb、Zn、Pd、およびCの群から選択された少なくとも1つの元素を含む層、もしくはこれらの層の積層膜である近接場光発生膜と、
前記凹部に埋め込まれた樹脂と、
を備えた近接場露光用マスク。 - 前記近接場光発生膜の少なくとも1つの高さが50nm以下である請求項1記載の近接場露光用マスク。
- 表面に凸部および凹部を有するシリコン基板と、
前記凸部の少なくとも先端部に設けられ、Au、Al、Ag、Cu、Cr、Sb、W、Ni、In、Ge、Sn、Pb、Zn、Pd、およびCの群から選択された少なくとも1つの元素を含む層、もしくはこれらの層の積層膜である近接場光発生膜と、
前記凹部に埋め込まれた樹脂と、
を備えた近接場露光用マスク。 - 前記近接場光発生膜は、前記凸部の頂面と、この頂面に接続する前記凸部の側面の少なくとも一部とを覆っている請求項3記載の近接場露光用マスク。
- 前記凹部に埋め込まれた前記樹脂がシリコン樹脂またはエポキシ樹脂である請求項1乃至4のいずかに記載の近接場露光用マスク。
- 第1シリコン基板と、前記第1シリコン基板の一方の面に設けられ、表面に凸部および凹部を有し、Au、Al、Ag、Cu、Cr、Sb、W、Ni、In、Ge、Sn、Pb、Zn、Pd、およびCの群から選択された少なくとも1つの元素を含む層、もしくはこれらの層の積層膜である近接場光発生膜と、を備えた近接場露光用マスクを用いてパターン形成を行うパターン形成方法であって、
前記近接場光発生膜が、第2シリコン基板上に塗布された光硬化樹脂の表面に接するように前記近接場露光用マスクを位置決めするステップと、
前記第1シリコン基板および第2シリコン基板の一方のシリコン基板側から光を照射するステップと、
前記近接場露光用マスクを前記第2シリコン基板から剥離させるステップと、
を備えたパターン形成方法。 - 表面に凸部および凹部を有する第1シリコン基板と、前記凸部の少なくとも先端部に設けられ、Au、Al、Ag、Cu、Cr、Sb、W、Ni、In、Ge、Sn、Pb、Zn、Pd、およびCの群から選択された少なくとも1つの元素を含む層、もしくはこれらの層の積層膜である近接場光発生膜と、を備えた近接場露光用マスクを用いてパターン形成を行うパターン形成方法であって、
前記先端部に設けられた前記近接場光発生膜が、第2シリコン基板上に塗布された光硬化樹脂の表面に接するように前記近接場露光用マスクを位置決めするステップと、
前記第1シリコン基板および第2シリコン基板の一方のシリコン基板側から光を照射するステップと、
前記近接場露光用マスクを前記第2シリコン基板から剥離させるステップと、
を備えたパターン形成方法。 - 前記近接場光発生膜は、前記凸部の頂面と、この頂面に接続する前記凸部の側面の少なくとも一部とを覆っている請求項7記載のパターン形成方法。
- 前記近接場露光用マスクは、前記凹凸構造の凹部に樹脂が埋め込まれている請求項6乃至8のいずれかに記載のパターン形成方法。
- 前記第1シリコン基板側から前記光が照射される請求項6乃至9のいずれかに記載のパターン形成方法。
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