JP6264727B2 - パターン形成体の製造方法 - Google Patents
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また、光の回折現象による光コントラストの低下や、装置が複雑な機構を必要とするため高価であることも、問題となる。
微細なパターンの他の形成方法としては、電子線リソグラフィや集束イオンビームリソグラフィ等がある。
まず、図1(a)に示すように、ハードマスク層12を備えた基板11上にレジストをコーティングしてレジスト膜13を形成する。
次に、図1(b)に示すように、レジスト膜13のパターニングを行ってレジストパターン14を形成する。
次に、図1(c)に示すように、レジストパターン14をエッチングマスクとしてハードマスク層12をエッチングし、ハードマスクパターン15を形成する。
次に、図1(d)に示すように、ハードマスクパターン15をエッチングマスクとして基板11をエッチングし、図1(e)に示すように、洗浄してハードマスクパターン15を剥離する。これにより、パターニングされた基板16が得られる。
そこで、近年、インプリント法と呼ばれる、簡便でありながら従来の方法よりも微細なパターンを忠実に転写可能な技術が提案されている(非特許文献1)。
まず、図2(a)に示すように、ハードマスク層22を備えた基板21上にUV硬化樹脂をコーティングして樹脂膜23を形成する。
次に、図2(b)に示すように、モールド20のパターンが形成された面を樹脂膜23に押し当て、モールド20の背面からUV光を照射して樹脂膜23を硬化させる。
次に、図2(c)に示すように、モールド20を剥離し、樹脂パターン24が形成される。
次に、図2(e)に示すように、樹脂パターン24をエッチングマスクとしてハードマスク層22をエッチングし、ハードマスクパターン25を形成する。
次に、図2(f)に示すように、ハードマスクパターン25をエッチングマスクとして基板21をエッチングし、図2(g)に示すように、洗浄してハードマスクパターン25を剥離する。これにより、パターニングされた基板26が得られる。
光学素子などの製造に用いる基板(例えばニオブ酸リチウム基板、サファイア基板など)には、一般的なエッチング条件においてエッチングレートが低いものが多く、エッチングレートが低い基板21はハードマスク層22とのエッチング選択比を高く設定することが困難である。このような基板21をエッチングして所望の深さのパターンを形成するためには、エッチング中にハードマスク層22の一部または全部が消失することを防ぐために、ハードマスク層22を厚くする方法がある。
第1のハードマスク層321の形成方法としては、第1のハードマスク層321に選択した材料に応じて、適宜公知の薄膜形成技術を用いて形成して良い。例えば、スパッタリング法などを用いて良い。
また、基板31は、用途に応じて適宜選択して良い。基板31としては、例えば、シリコン基板、石英基板、サファイア基板、ニオブ酸リチウム基板、SOI基板などを好適に用いて良い。第1のハードマスク層321は、基板31とのエッチング選択比が高い材料であれば良い。
ただし、第1のハードマスク層の厚さが50nm未満の場合は、後述する基板に異方性エッチングを行う工程において、基板のエッチング中に第1のハードマスク層の一部または全部が消失して、基板に精度よくパターンを形成できなくなる不具合がある。また、100nmを上回る場合は、後述する第1のハードマスク層に異方性エッチングを行う工程において、第1のハードマスク層に形成されるパターンの矩形性が低下して寸法精度が劣化したり、第1のハードマスク層が、基板表面が露出するまでエッチングされる前に第2のハードマスク層の一部または全部が消失して、第1のハードマスク層にパターンを精度よく形成できなくなる不具合がある。
第2のハードマスク層322の形成方法としては、第2のハードマスク層322に選択した材料に応じて、適宜公知の薄膜形成技術を用いて形成して良い。例えば、スパッタリング法などを用いて良い。
また、第2のハードマスク層322は、第1のハードマスク層321とのエッチング選択比が高い材料であれば良い。
ニオブ酸リチウムは非線形光学効果、圧電性、焦電性を持ち、レーザー素子、圧電素子、表面弾性波素子、電気工学素子などの製造工程に、本発明のパターン形成方法を用いる場合に好適である。
第1のハードマスク層321にクロムからなる層を用いることで、後述する基板31をエッチングする工程において、一般的なエッチング条件において、エッチング選択比を高く設定することができる。
第2のハードマスク層322にシリコンからなる層を用いることで、後述する第1のハードマスク層321をエッチングする工程において、一般的なエッチング条件において、エッチング選択比を高く設定することができ、第2のハードマスク層322の厚さを非常に薄く(10nm程度)することができる。
ただし、第2のハードマスク層の厚さが3nm未満の場合は、後述する第1のハードマスク層に異方性エッチングを行う工程において、第1のハードマスク層が、基板表面が露出するまでエッチングされる前に第2のハードマスク層の一部または全部が消失して、第1のハードマスク層にパターンを精度よく形成できなくなる問題がある。また、第2のハードマスク層の厚さが15nmを上回る場合は、後述する第2のハードマスク層に異方性エッチングを行う工程において、第2のハードマスク層が、第1のハードマスク層の表面が露出するまでエッチングされる前に樹脂層の一部または全部が消失して、第2のハードマスク層にパターンを精度よく形成できなくなる問題がある。
なお、樹脂膜33の厚さは、50〜150nmの範囲であることが望ましい。ただし、樹脂膜の厚さが50nmを下回る場合は、後述する第2のハードマスク層に異方性エッチングを行う工程において、第2のハードマスク層が、第1のハードマスク層の表面が露出するまでエッチングされる前に樹脂層の一部または全部が消失して、第2のハードマスク層にパターンを精度よく形成できなくなる問題がある。また、樹脂膜の厚さが150nmを上回る場合は、樹脂膜に形成される樹脂パターンのアスペクト比が高くなり、樹脂パターンが倒壊し易くなる問題がある。
なお、樹脂膜33に形成される樹脂パターン34のアスペクト比は、2以下であることが望ましい。ただし、アスペクト比が2を上回る場合は、樹脂パターンが倒壊し易くなる不具合が生じる。
残膜37の除去としては、適宜公知の方法を用いてよく、例えばO2プラズマエッチング法などを用いて行っても良い。また、残膜除去の条件は、用いた樹脂に応じて、適宜調節して良い。
第2のハードマスク層322のエッチングとしては、適宜公知のエッチング方法を用いて良く、例えば、ドライエッチングなどを用いて行っても良い。また、エッチングの条件は、用いた樹脂及び第2のハードマスク層322に応じて、適宜調節して良い。
第1のハードマスク層321のエッチングとしては、適宜公知のエッチング方法を用いて良く、例えば、ドライエッチングなどを用いて行っても良い。また、エッチングの条件は、用いた第1のハードマスク層321及び第2のハードマスク層322に応じて、適宜調節して良い。
なお、第2のハードマスク層322に対する第1のハードマスク層321のエッチング選択比が5以上であることが望ましい。ただし、エッチング選択比が5を下回る場合は、第1のハードマスク層に異方性エッチングを行う工程において、第1のハードマスク層が、基板の表面が露出するまでエッチングされる前に第2のハードマスク層の一部または全部が消失して、第1のハードマスク層にパターンを精度よく形成できなくなる不具合が生じる。したがって、第2のハードマスク層は、第2のハードマスク層からなる第2のハードマスクパターンを第1のハードマスク層のエッチングマスクとして第1のハードマスク層を基板の表面が露出するまでエッチングできるエッチング選択比を有するものであればよい。
基板31のエッチングとしては、適宜公知のエッチング方法を用いて良く、例えば、ドライエッチングなどを用いて行っても良い。また、エッチングの条件は、用いた基板31及び第1のハードマスク層351に応じて、適宜調節して良い。
ここで、第1のハードマスク層は、第1のハードマスク層に対する基板のエッチング選択比が2以上であることが望ましい。ただし、エッチング選択比が2を下回る場合は、基板に異方性エッチングを行う工程において、基板が、所定の深さにエッチングされる前に第1のハードマスク層の一部または全部が消失して、基板にパターンを精度よく形成できなくなる不具合が生じる。したがって、第1のハードマスク層は、該第1のハードマスク層からなる第1のハードマスクパターンを基板のエッチングマスクとして基板を所定の深さまでエッチングできるエッチング選択比を有するものであればよい。
基板31に異方性エッチングを行った後は、図5(j)に示すように、洗浄して第1のハードマスクパターン351を剥離する。これにより、パターニングされた基板36を得る。
図6(a)に示すように、石英基板41上にハードマスク層としてクロム膜30nmを製膜したクロム層42を形成し、クロム層42上にポジ型レジストFEP−171(富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ社製)を200nmの厚さにコーティングしてレジスト膜43とした。
以上より、石英モールド20を得ることができた。
まず、図7(a)に示すように、ニオブ酸リチウム基板51上に第1のハードマスク層としてクロムを200nmの厚さに製膜してクロム層521を形成し、このクロム層521上に第2のハードマスクとしてシリコンを10nmの厚さに製膜してシリコン層522を形成した。
この工程で、残膜57が確実に除去され、露出したシリコン層522をエッチングすることができた。また、このとき、シリコン層の厚さは10nmと非常に薄いため、エッチング中に樹脂パターンの高さが減少しても、シリコン層のエッチングされるべきでない箇所が露出することなく、シリコンパターン552を形成することができた。
12…ハードマスク層
13…レジスト膜
14…レジストパターン
15…ハードマスクパターン
16…パターニングされた基板
20…モールド
21…基板
22…ハードマスク層
221…厚いハードマスク層
222…エッチングされた厚いハードマスク層
223…寸法精度と矩形性が悪いハードマスクパターン
23…樹脂膜
24…樹脂パターン
241…変形した樹脂パターン
242…倒壊した樹脂パターン
25…ハードマスクパターン
26…パターニングされた基板
27…残膜
30…モールド
31…基板
321…第1のハードマスク層
322…第2のハードマスク層
33…樹脂膜
34…樹脂パターン
351…第1のハードマスクパターン
352…第2のハードマスクパターン
36…パターニングされた基板
37…残膜
41…石英基板
42…クロム層
43…レジスト膜
44…レジストパターン
45…クロムパターン
51…ニオブ酸リチウム基板
521…クロム層
522…シリコン層
53…樹脂層
54…樹脂パターン
551…クロムパターン
552…シリコンパターン
56…パターニングされたニオブ酸リチウム基板
57…残膜
Claims (7)
- 基板の表面に微細なパターンを形成してなるパターン形成体の製造方法であって、
前記基板の表面に第1のハードマスク層を形成する工程と、
前記第1のハードマスク層上に第2のハードマスク層を形成する工程と、
前記第2のハードマスク層上に樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層にインプリント法によりパターニングを行って樹脂パターンを形成する工程と、
前記樹脂パターンの形成時に生じた前記樹脂層の残膜を除去した後、前記樹脂パターンをエッチングマスクとして前記第2のハードマスク層をエッチングし第2のハードマスクパターンを形成する工程と、
前記第2のハードマスクパターンをエッチングマスクとして前記第1のハードマスク層をエッチングし第1のハードマスクパターンを形成する工程と、
前記第2のハードマスクパターンを除去した後、前記第1のハードマスクパターンをエッチングマスクとして前記基板をエッチングし、さらに前記基板のエッチング後に前記第1のハードマスクパターンを剥離して、パターニングされた基板を得る工程とを備え、
前記基板はニオブ酸リチウムからなり、前記第1のハードマスク層はクロムからなり、
前記第2のハードマスク層はシリコンからなる
ことを特徴とするパターン形成体の製造方法。 - 前記第2のハードマスク層は、前記樹脂層の残膜を除去する条件と同一の条件でエッチングされることを特徴とする請求項1記載のパターン形成体の製造方法。
- 前記第2のハードマスク層は、該第2のハードマスク層からなる前記第2のハードマスクパターンを前記第1のハードマスク層のエッチングマスクとして前記第1のハードマスク層を前記基板の表面が露出するまでエッチングできるエッチング選択比を有することを特徴とする請求項1または2記載のパターン形成体の製造方法。
- 前記第1のハードマスク層は、該第1のハードマスク層からなる前記第1のハードマスクパターンを前記基板のエッチングマスクとして前記基板を所定の深さまでエッチングできるエッチング選択比を有することを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載のパターン形成体の製造方法。
- 前記第2のハードマスク層は、前記基板をエッチングするエッチング条件において、エッチングされて消失することを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項に記載のパターン形成体の製造方法。
- 前記樹脂層のパターニングには、光インプリント法を用いることを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項に記載のパターン形成体の製造方法。
- 前記樹脂層のパターニングには、熱インプリント法を用いることを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項に記載のパターン形成体の製造方法。
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