JP5440071B2 - パターン形成方法、パターン形成体 - Google Patents
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Description
まず、基板11上に第1層目のハードマスク層12を形成する。第1層目のハードマスク層12の形成方法としては、第1層目のハードマスク層12に選択した材料に応じて、適宜公知の薄膜形成技術を用いて形成して良い。例えば、スパッタリング法などを用いて良い。
次に、第2層目のハードマスク層13のパターニングを行う。第2層目のハードマスク層13のパターニングを行う方法としては、第1のレジスト膜14を用いたリソグラフィを用いる。例えば、第2層目のハードマスク層13のパターニングは、第2層目のハードマスク層13上に第1のレジスト膜14を形成する。次に、第1のレジスト膜14をパターニングし、第1のレジスト膜パターン15を形成する。次に、第1のレジスト膜パターン15をマスクとしてエッチングを行うことにより、第2層目のハードマスク層13のパターニングを行い、第2層目のハードマスク層13のパターンを形成する。第2層目のハードマスク層13のパターニングを行った後は、レジストパターン15を洗浄して剥離する。
次に、第1層目のハードマスク層12のパターニングを行う。第1層目のハードマスク層12のパターニングを行う方法としては、第2のレジスト膜14’を用いたリソグラフィ法を用いる。例えば、第1層目のハードマスク層12のパターニングは、第2層目のハードマスク層13のパターン16を含む基板11上に第2のレジスト膜14’を形成する。次に、第2のレジスト膜14’をパターニングし、第2のレジスト膜パターン15’を形成する。次に、第2のレジスト膜パターン15’をマスクとしてエッチングを行うことにより、第1層目のハードマスク層12のパターニングを行い、第1層目のハードマスク層12のパターンを形成する。第1層目のハードマスク層12のパターニングを行った後は、レジストパターン15’を洗浄して剥離する。
次に、基板11上の第1層目のハードマスク層12のパターンが形成された側から、基板11に異方性エッチングを行う。エッチングとしては、適宜公知のエッチング方法を用いて良く、例えば、ドライエッチング、ウェットエッチングなどを用いて行っても良い。また、エッチングの条件は、用いた第1層目のハードマスク層12、第2層目のハードマスク層13及び基板11に応じて、適宜調節して良い。
次に、第2層目のハードマスク層13のパターン16をエッチングマスクとして、第1層目のハードマスク層12のパターン17の異方性エッチングを行う。エッチングとしては、適宜公知のエッチング方法を用いて良く、例えば、ドライエッチング、ウェットエッチングなどを行っても良い。また、エッチングの条件は、用いた第1層目のハードマスク層12、第2層目のハードマスク層13及び基板11に応じて、適宜調節して良い。
次に、基板11上の第1層目のハードマスク層12のパターンが形成された側から、1段のパターンが形成された基板18に異方性エッチングを行う。エッチングとしては、適宜公知のエッチング方法を用いて良く、例えば、ドライエッチング、ウェットエッチングなどを用いて行っても良い。また、エッチングの条件は、用いた第1層目のハードマスク層12、第2層目のハードマスク層13及び基板11に応じて、適宜調節して良い。
Claims (4)
- 基板上に第1層目のハードマスク層を形成し、
前記基板上の前記第1層目のハードマスク層を備えた面に、順に、第2層目から第N層目までのハードマスク層を形成し、
前記第N層目のハードマスク層のパターニング処理し、
順に、第(N−1)層目から前記第1層目までのハードマスク層のパターニング処理し、
前記パターニングされた前記第1層目のハードマスク層をエッチングマスクとして前記基板を第1段目の異方性エッチングによってパターニング処理し、
前記パターニングされた前記第2層目のハードマスク層をエッチングマスクとして前記第1層目のハードマスク層をエッチングし、前記パターニングされた前記第2層目のハードマスク層をエッチングマスクとして前記基板を第2段目の異方性エッチングによってパターニング処理し、
前記Nは2以上の自然数であることを特徴とするパターン形成方法。 - 前記第(N−1)層目のハードマスク層のパターニング処理によるパターンの線幅は前記第N層目のハードマスク層のパターニング処理によるパターンの線幅よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記Nは3以上の自然数であり、
前記基板の前記第1段目のパターンと前記第2段目のパターンが形成された側に、順に、第3段目から第N段目までのパターニング処理する工程と、を備え、
前記第3段目から第N段目までのパターニング処理は、それぞれ第3段目から第N段目までのハードマスクパターンをエッチングマスクとして、基板に異方性エッチングすることによって行い、
前記第N段目のパターンの線幅は第(N−1)段目のパターンの線幅よりも小さいことを特徴とする請求項2に記載のパターン形成方法。 - 請求項2または3に記載のパターン形成方法を用いて形成されたパターン形成体であって、
前記基板は、石英基板であり、
前記第1層目のハードマスク層は、シリコンからなる層であり、
前記第2層目のハードマスク層は、クロムからなる層である、
ことを特徴とするパターン形成体。
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