JP2011071383A - パターン形成方法、パターン形成体 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 63
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 90
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 42
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 36
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 19
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 17
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 108
- 239000010408 film Substances 0.000 description 57
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 16
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 12
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000002558 medical inspection Methods 0.000 description 1
- 238000010339 medical test Methods 0.000 description 1
- 238000002039 particle-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
【解決手段】基板上に第1層目のハードマスク層を形成し、基板上の第1層目のハードマスク層を備えた面に、順に、第2層目から第N層目までのハードマスク層を形成し、第N層目のハードマスク層のパターニング処理し、順に、第(N−1)層目から第1層目までのハードマスク層のパターニング処理し、パターニングされた第1層目から第N層目までのハードマスク層をエッチングマスクとして基板に第1段目の異方性エッチングしてパターニング処理することを特徴とするパターン形成方法。
【選択図】図1
Description
まず、基板11上に第1層目のハードマスク層12を形成する。第1層目のハードマスク層12の形成方法としては、第1層目のハードマスク層12に選択した材料に応じて、適宜公知の薄膜形成技術を用いて形成して良い。例えば、スパッタリング法などを用いて良い。
次に、第2層目のハードマスク層13のパターニングを行う。第2層目のハードマスク層13のパターニングを行う方法としては、第1のレジスト膜14を用いたリソグラフィを用いる。例えば、第2層目のハードマスク層13のパターニングは、第2層目のハードマスク層13上に第1のレジスト膜14を形成する。次に、第1のレジスト膜14をパターニングし、第1のレジスト膜パターン15を形成する。次に、第1のレジスト膜パターン15をマスクとしてエッチングを行うことにより、第2層目のハードマスク層13のパターニングを行い、第2層目のハードマスク層13のパターンを形成する。第2層目のハードマスク層13のパターニングを行った後は、レジストパターン15を洗浄して剥離する。
次に、第1層目のハードマスク層12のパターニングを行う。第1層目のハードマスク層12のパターニングを行う方法としては、第2のレジスト膜14’を用いたリソグラフィ法を用いる。例えば、第1層目のハードマスク層12のパターニングは、第2層目のハードマスク層13のパターン16を含む基板11上に第2のレジスト膜14’を形成する。次に、第2のレジスト膜14’をパターニングし、第2のレジスト膜パターン15’を形成する。次に、第2のレジスト膜パターン15’をマスクとしてエッチングを行うことにより、第1層目のハードマスク層12のパターニングを行い、第1層目のハードマスク層12のパターンを形成する。第1層目のハードマスク層12のパターニングを行った後は、レジストパターン15’を洗浄して剥離する。
次に、基板11上の第1層目のハードマスク層12のパターンが形成された側から、基板11に異方性エッチングを行う。エッチングとしては、適宜公知のエッチング方法を用いて良く、例えば、ドライエッチング、ウェットエッチングなどを用いて行っても良い。また、エッチングの条件は、用いた第1層目のハードマスク層12、第2層目のハードマスク層13及び基板11に応じて、適宜調節して良い。
次に、第2層目のハードマスク層13のパターン16をエッチングマスクとして、第1層目のハードマスク層12のパターン17の異方性エッチングを行う。エッチングとしては、適宜公知のエッチング方法を用いて良く、例えば、ドライエッチング、ウェットエッチングなどを行っても良い。また、エッチングの条件は、用いた第1層目のハードマスク層12、第2層目のハードマスク層13及び基板11に応じて、適宜調節して良い。
次に、基板11上の第1層目のハードマスク層12のパターンが形成された側から、1段のパターンが形成された基板18に異方性エッチングを行う。エッチングとしては、適宜公知のエッチング方法を用いて良く、例えば、ドライエッチング、ウェットエッチングなどを用いて行っても良い。また、エッチングの条件は、用いた第1層目のハードマスク層12、第2層目のハードマスク層13及び基板11に応じて、適宜調節して良い。
Claims (5)
- 基板上に第1層目のハードマスク層を形成し、
前記基板上の前記第1層目のハードマスク層を備えた面に、順に、第2層目から第N層目までのハードマスク層を形成し、
前記第N層目のハードマスク層のパターニング処理し、
順に、第(N−1)層目から前記第1層目までのハードマスク層のパターニング処理し、
前記パターニングされた前記第1層目から前記第N層目までのハードマスク層をエッチングマスクとして前記基板に第1段目の異方性エッチングしてパターニング処理することを特徴とするパターン形成方法。 - 前記第(N−1)層目の前記ハードマスク層に形成するパターンの線幅は前記第N層目のハードマスク層に形成するパターンの線幅よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記基板の前記第1段目のパターンが形成された側に、順に、第2段目から第N段目までのパターニング処理する工程と、を備え、
前記第N段目のパターンの線幅は第(N−1)段目のパターンの線幅よりも小さいことを特徴とする請求項1または2に記載のパターン形成方法。 - 前記基板は、石英基板であり、
前記第1層目のハードマスク層は、シリコンからなる層であり、
前記第2層目のハードマスク層は、クロムからなる層であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のパターン形成方法。 - 請求項1乃至請求項4のいずれかに記載のパターン形成方法を用いて形成されたことを特徴とするパターン形成体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009222036A JP5440071B2 (ja) | 2009-09-28 | 2009-09-28 | パターン形成方法、パターン形成体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009222036A JP5440071B2 (ja) | 2009-09-28 | 2009-09-28 | パターン形成方法、パターン形成体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2011071383A true JP2011071383A (ja) | 2011-04-07 |
JP5440071B2 JP5440071B2 (ja) | 2014-03-12 |
Family
ID=44016348
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2009222036A Active JP5440071B2 (ja) | 2009-09-28 | 2009-09-28 | パターン形成方法、パターン形成体 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP5440071B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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A621 | Written request for application examination |
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