JP2009226762A - インプリントモールド、インプリントモールド製造方法、微細構造体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明によれば、凹凸パターン幅が小さくなるに従って凹部の側壁角度が傾斜が大きくなることにより、硬化収縮による傾斜変化とインプリントモールドの凹部の傾斜形状とが互いに相殺されるため、凹凸パターン幅の異なる凹凸パターンが転写された微細構造体の側壁角度のバラツキを抑制することが出来る。よって、側壁角度のバラツキを抑制されることから、転写された微細構造体と設計寸法との間を好適に見積もることが可能となる。
【選択図】 図2
Description
例えば、半導体デバイス、光学素子、配線回路、記録デバイス(ハードディスクやDVDなど)、医療検査用チップ(DNA分析用途など)、ディスプレイパネル、マイクロ流路、マイクロリアクタ、MEMSデバイス、などが挙げられる。
まず、基板上に、凹凸パターン100を有するインプリントモールド101を製造する(図1(a))。
次に、転写基板102上に樹脂103を塗布する(図1(b))。
次に、インプリントモールド101を樹脂103に圧着させる(図1(c))。
次に、圧着した状態で、樹脂103を硬化させる(図1(d))。
次に、インプリントモールド101を離型する(図1(e))。
このような樹脂収縮は、どのような樹脂でも一般的に発生するが、光硬化性樹脂の場合、特に顕著に見られる。
よって、凹凸パターン幅によって転写された微細構造体の側壁角度が異なり、転写された微細構造体と設計寸法との間の差における線形性が悪くなってしまう。
本発明のインプリントモールドでは、基板は、凹凸パターンを形成するのに充分な加工特性/機械強度を備えていればそれで足るものであり、特に限定されるものではない。
例えば、(1)石英、ガラス、などSiO2を含む基板、(2)サファイア基板、(3)シリコン基板、(4)負膨張性マンガン窒化物を含む基板、などを用いても良い。また、複数の材料が積層された積層基板であってもよい。
光インプリント法に用いるインプリントモールドの場合、基板は露光光に対し透光性を備えることが求められるため、一般的な露光光に対し透光性を備えた石英基板、サファイア基板などを用いることが好ましい。
本発明のインプリントモールドでは、凹凸パターンは、凹凸パターン幅が小さくなるに従って凹部の側壁角度の傾斜が大きくなる。
凹凸パターン幅が小さくなるに従って凹部の側壁角度が傾斜が大きくなることにより、硬化収縮による傾斜変化とインプリントモールドの凹部の傾斜形状とが互いに相殺されるため、凹凸パターン幅の異なる凹凸パターンが転写された微細構造体の側壁角度のバラツキを抑制することが出来る。よって、側壁角度のバラツキを抑制されることから、転写された微細構造体と設計寸法との間を好適に見積もることが可能となる。
例えば、具体的には、図2に示すように、あらかじめ凹凸パターン幅の設計寸法が大きい凹凸パターンで樹脂の硬化収縮後の傾斜角度θを見積もり、凹凸パターン幅の設計寸法が小さいパターンの設計寸法との差が等しくなるように、凹部1A、1Cの傾斜角度θを決定しても良い。
また、このような傾斜角度の算定を、計算機を用いたシミュレーション(モンテカルロ法など)により、行っても良い。
一般的に、インプリント法に用いられる樹脂は3%〜20%の硬化収縮率を持っている。一例として、硬化収縮率14%とした場合における転写パターンの収縮シミュレーション結果を、図4に示す。
なお、下記実施の形態において示すインプリントモールド製造方法は、本発明のインプリントモールドの製造に好適なインプリントモールド製造方法の一例であり、本発明のインプリントモールドは下記インプリントモールド製造方法にて製造されたものに限定されるものではない。
まず、基板に電子線レジストを塗布する。
また、本発明のインプリントモールド製造方法に用いる電子線レジストとしては、非化学増幅型電子線レジストであることが好ましい。本発明者らの検討によれば、非化学増幅型電子線レジストを用いることにより、プロセス条件によりレジストパターン断面の傾斜形状に変化が生じやすいため、後述するレジストパターン形成において好適にレジストパターンの側壁に傾斜を形成することが出来る。
次に、電子線レジストを露光し、レジストパターンを形成する。
このとき、レジストパターンの幅により電子線露光の焦点深度を変更させて露光を行う。電子線露光の焦点深度を変更することにより。電子線レジストの塗布水平方向において露光量が分布する。このため、現像することにより、好適にレジストパターンの側壁を傾斜させることが出来る。
このとき、描画フォーカス値の範囲は、−1μmから−100μmの範囲が好ましく、−60μmから−100μmの範囲であることがより好ましい。
次に、側壁が傾斜したレジストパターンをエッチングマスクとして、基板にエッチングを行う。レジストパターンの傾斜に応じて、エッチング後のモールドの凹部の傾斜も変化するため、パターン幅に応じて傾斜が変化した凹凸パターンを好適に形成することが出来る。
このとき、ドライエッチングに用いるドライエッチング装置としては、プラズマ発生方法に依存せず、任意のドライエッチング装置を用いて良い。例えば、ICP型ドライエッチング装置、RIE型ドライエッチング装置、ECR型ドライエッチング装置、マイクロ波型ドライエッチング装置、並行平板型ドライエッチング装置、ヘリコン派型ドライエッチング装置、などを用いても良い。
例えば、微細構造体をエッチングマスクとして用いる場合、このような微細構造体は転写基板垂直方向におけるエッチングマスクの分布が一様であるため、好適に転写基板に対するエッチングマスクとして作用する。
本発明のインプリントモールドにあって、光インプリント法に用いるのに好適なインプリントモールドを製造した。
このとき、電子線ポジ型レジストに対して100nm〜10μmのラインパターンを描画した。
また、描画条件は、描画時のドーズを100μC/cm2、描画フォーカス値を−100μmとした。
このとき、現像条件は、現像液はZED−N50を使用し、現像時間を2分、温度を23.5度とした。
このとき、エッチング条件は、CF4の流量を30cm3/s(30sccm)、O2の流量を30cm3/s(30sccm)、Arの流量を50cm3/s(50sccm)、圧力を2Pa、ICPパワーを500W、RIEパワーを500Wとした。
上記製造したインプリントモールドを用いて、光インプリント装置にて光インプリント法を実施し、微細構造体を形成した。
このとき、光インプリントの条件は、プリベークなし(室温)、プレス圧力2MPa、UV露光量40mJ/cm2とした。
1a、6a…パターン面
1b…パターン裏面
1A、1C…凹部
1B…凸部
2、103…樹脂
3、102…転写基板
7…電子線レジスト
8A、8C、104、105…微細構造体
10…凹凸パターン
11…電子線
Claims (4)
- 微細凹凸パターンの形成に用いるインプリントモールドであって、
基板と、
前記基板に設けられた凹凸パターンと、を備え、
前記凹凸パターンは、凹凸パターン幅が小さくなるに従って凹部の側壁角度の傾斜が大きくなる凹凸パターンであること
を特徴とするインプリントモールド。 - 請求項1に記載のインプリントモールドであって、
凹凸パターンは、凹凸パターン幅が一番大きい部位の凹部の側壁角度は垂直であること
を特徴とするインプリントモールド。 - 微細凹凸パターンの形成に用いるインプリントモールド製造方法であって、基板に電子線レジストを塗布する工程と、
前記電子線レジストを露光し、レジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとしてエッチングを行う工程と、を備え、
前記電子線レジストを露光し、レジストパターンを形成する工程は、レジストパターンの幅により電子線露光の焦点深度を変更させて露光を行う工程であること
を特徴とするインプリントモールド製造方法。 - インプリントモールドを用いて形成された微細凹凸パターンを有する微細構造体であって、
幅が異なる凸部を複数有する凹凸パターンを備え、
微細構造体の垂直断面にあって、前記凸部の左側面の側壁角度が、微細凹凸パターン内部で同じであり、
前記凸部の右側面の側壁角度が、微細凹凸パターン内部で同じであること
を特徴とする微細構造体。
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