JP2009053271A - モールドの形成方法、回折格子の形成方法、および分布帰還型半導体レーザの製造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 119
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 57
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 75
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 57
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims abstract description 27
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 59
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 37
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 37
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 3
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 claims description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 16
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000001127 nanoimprint lithography Methods 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/1225—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers with a varying coupling constant along the optical axis
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
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- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
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Abstract
【解決手段】回折格子を形成するためのパターン部10Aを有するモールド10を形成する方法は、仮基板101上に電子ビーム露光用のレジスト102を塗布する工程と、レジスト102の表面102aに加速電圧を変化させながら電子ビームEBを露光する工程と、露光されたレジスト102を現像してレジストパターン103を形成する工程と、レジストパターン103上にSOG膜104を塗布する工程と、SOG膜を硬化させた後に、SOG膜上に石英基板106を接着するとともに、仮基板およびレジストパターンを剥離する工程と、を備える。この方法により形成したモールド10を用いてナノインプリント法により回折格子25および分布帰還型半導体レーザ40を形成する。
【選択図】図1
Description
図1および図2は、本実施形態にかかるモールド10の形成方法の各工程を模式的に示す工程断面図である。
図4および図5は、本実施形態にかかるモールド11の形成方法の各工程を模式的に示す工程断面図である。
図6は、本実施形態にかかるモールド12の形成方法の各工程を模式的に示す工程断面図である。
引き続き、本実施形態にかかる回折格子を形成する方法について説明する。図7および図8は、本実施形態にかかる回折格子25の形成方法の各工程を模式的に示す工程断面図である。
引き続き、本実施形態にかかる分布帰還型半導体レーザ40を製造する方法について説明する。図9は、本実施形態にかかる分布帰還型半導体レーザ40の製造方法の各工程を模式的に示す工程断面図である。図10は、上記製造方法により製造される分布帰還型半導体レーザ40を一部破断して示す斜視図である。
Claims (10)
- 回折格子を形成するためのパターン部を有するモールドの形成方法であって、
基板上に電子ビーム露光用のレジストを塗布する工程と、
加速電圧を変化させながら前記レジストの表面に電子ビーム露光を行う工程と、
前記電子ビーム露光の後に、前記レジストを現像してレジストパターンを形成する工程と、
前記モールドの前記パターン部のための膜を前記レジストパターン上に塗布する工程と、
前記膜を硬化させた後に、前記基板および前記レジストパターンを剥離することにより、前記パターン部を形成する工程と、
を備えることを特徴とするモールドの形成方法。 - 前記膜はSOG膜であることを特徴とする請求項1記載のモールドの形成方法。
- 回折格子を形成するためのパターン部を有するモールドの形成方法であって、
基板上に電子ビーム露光用のレジストを塗布する工程と、
当該レジストの表面の一部の領域に電子ビーム露光を行う工程と、
前記電子ビーム露光の後に、前記レジストを現像して第1のレジストパターンを形成する工程と、
前記第1のレジストパターンを用いて前記基板に対する第1のエッチングを行った後に、前記第1のレジストパターンを剥離することにより、第1の深さを有する第1のパターン部を形成する工程と、
前記第1のパターン部が形成された基板上に電子ビーム露光用のレジストを塗布する工程と、
当該レジストの表面の前記一部の領域以外の他の一部の領域に電子ビーム露光を行う工程と、
前記電子ビーム露光の後に、前記レジストを現像して第2のレジストパターンを形成する工程と、
前記第2のレジストパターンを用いて前記第1のエッチングと異なる条件で前記基板に対する第2のエッチングを行った後に、前記第2のレジストパターンを剥離することにより、第2の深さを有する第2のパターン部を形成する工程と、
を備え、
前記第1のパターン部と第2のパターン部とは前記モールドの前記パターン部の少なくとも一部を構成することを特徴とするモールドの形成方法。 - 前記第1のエッチングと前記第2のエッチングとはエッチング時間が異なることを特徴とする請求項3記載のモールドの形成方法。
- 回折格子を形成するためのパターン部を有するモールドの形成方法であって、
基板上に、前記モールドの前記パターン部のための感光性の膜を塗布する工程と、
加速電圧を変化させながら前記膜の表面に電子ビーム露光を行う工程と、
前記電子ビーム露光の後に、前記膜を現像することにより、前記パターン部を形成する工程と、
を備えることを特徴とするモールドの形成方法。 - 前記膜はSOG膜であり、前記SOG膜はバッファードフッ酸により現像されることを特徴とする請求項5記載のモールドの形成方法。
- 基板上に形成された樹脂体を用いて回折格子を形成する方法であって、
請求項1、請求項3、請求項5の何れか1項に記載のモールドの形成方法により形成され、前記回折格子を形成するためのパターン部を有するモールドを準備する工程と、
前記モールドの前記パターン部を前記樹脂体に押し付ける工程と、
前記パターン部を前記樹脂体に押し付けた状態で前記樹脂体を硬化させることによって、当該硬化した樹脂体に前記回折格子のためのパターンを形成する工程と、
前記回折格子のためのパターンを用いて前記基板をエッチングすることにより、前記回折格子を形成する工程と、
を備えることを特徴とする回折格子の形成方法。 - 前記樹脂体はUV光により硬化され、
前記モールドは石英を含み、
前記樹脂体はUV硬化樹脂からなる、
ことを特徴とする請求項7記載の回折格子の形成方法。 - 前記樹脂体は熱により硬化され、
前記モールドは金属材料を含み、
前記樹脂体は熱可塑性樹脂からなる、
ことを特徴とする請求項7記載の回折格子の形成方法。 - 活性層を含む基板上に樹脂体を形成する工程と、
請求項1、請求項3、請求項5の何れか1項に記載のモールドの形成方法により形成され、回折格子を形成するためのパターン部を有するモールドを準備する工程と、
前記モールドの前記パターン部を前記樹脂体に押し付ける工程と、
前記パターン部を前記樹脂体に押し付けた状態で前記樹脂体を硬化させることによって、当該硬化した樹脂体に前記回折格子のためのパターンを形成する工程と、
前記回折格子のためのパターンを用いて前記基板をエッチングすることにより、前記回折格子を形成する工程と、
を備えることを特徴とする分布帰還型半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007217512A JP5205866B2 (ja) | 2007-08-23 | 2007-08-23 | モールドの形成方法、回折格子の形成方法、および分布帰還型半導体レーザの製造方法 |
US12/222,671 US20090053656A1 (en) | 2007-08-23 | 2008-08-13 | Process to form a mold of nanoimprint technique for making diffraction grating for DFB-LD |
US13/105,494 US8679392B2 (en) | 2007-08-23 | 2011-05-11 | Process to form a mold of nanoimprint technique for making diffraction grating for DFB-LD |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007217512A JP5205866B2 (ja) | 2007-08-23 | 2007-08-23 | モールドの形成方法、回折格子の形成方法、および分布帰還型半導体レーザの製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012139993A Division JP5403116B2 (ja) | 2012-06-21 | 2012-06-21 | モールドの形成方法、回折格子の形成方法、および分布帰還型半導体レーザの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009053271A true JP2009053271A (ja) | 2009-03-12 |
JP5205866B2 JP5205866B2 (ja) | 2013-06-05 |
Family
ID=40382516
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007217512A Active JP5205866B2 (ja) | 2007-08-23 | 2007-08-23 | モールドの形成方法、回折格子の形成方法、および分布帰還型半導体レーザの製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20090053656A1 (ja) |
JP (1) | JP5205866B2 (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010272752A (ja) * | 2009-05-22 | 2010-12-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光素子を作製する方法 |
JP2010272694A (ja) * | 2009-05-21 | 2010-12-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光素子を作製する方法 |
JP2011159824A (ja) * | 2010-02-01 | 2011-08-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ナノインプリント法による樹脂パターン形成方法及び回折格子の形成方法 |
KR101188278B1 (ko) | 2009-05-26 | 2012-10-08 | 한국과학기술원 | 몰드 제조 방법 및 그 몰드를 이용한 광기전력 장치의 제조 방법 |
WO2012164781A1 (ja) * | 2011-05-30 | 2012-12-06 | パナソニック株式会社 | 回折光学素子およびその製造方法 |
JP2013016650A (ja) * | 2011-07-04 | 2013-01-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | サンプルドグレーティングの形成方法及び半導体レーザの製造方法 |
US8617912B2 (en) | 2011-07-01 | 2013-12-31 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor laser |
US20170149210A1 (en) * | 2015-06-10 | 2017-05-25 | Beijing University Of Technology | Method for preparing organic polymer thin film laser |
JP2019532513A (ja) * | 2016-10-18 | 2019-11-07 | モレキュラー インプリンツ, インコーポレイテッドMolecular Imprints,Inc. | 構造のマイクロリソグラフィ加工 |
JP2022513850A (ja) * | 2018-12-17 | 2022-02-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 格子を形成する方法 |
KR20230023072A (ko) * | 2015-03-05 | 2023-02-16 | 매직 립, 인코포레이티드 | 가상 및 증강 현실 시스템들 및 컴포넌트들을 위한 개선된 제조 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010111701A1 (en) * | 2009-03-27 | 2010-09-30 | Yale University | Carbon molds for use in the fabrication of bulk metallic glass parts and molds |
DE102009023355A1 (de) | 2009-05-29 | 2010-12-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils |
JP5771120B2 (ja) * | 2011-10-28 | 2015-08-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | 量子カスケードレーザの製造方法 |
KR101354516B1 (ko) * | 2012-03-07 | 2014-01-23 | 가부시키가이샤 알박 | 장치의 제조 방법 |
US10677969B2 (en) * | 2013-11-27 | 2020-06-09 | Magic Leap, Inc. | Manufacturing for virtual and augmented reality systems and components |
CN108075352B (zh) * | 2017-12-11 | 2020-01-24 | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 | 激光器及其制备方法 |
US11067726B2 (en) * | 2018-04-23 | 2021-07-20 | Facebook Technologies, Llc | Gratings with variable depths for waveguide displays |
US10732351B2 (en) | 2018-04-23 | 2020-08-04 | Facebook Technologies, Llc | Gratings with variable depths formed using planarization for waveguide displays |
US10649141B1 (en) | 2018-04-23 | 2020-05-12 | Facebook Technologies, Llc | Gratings with variable etch heights for waveguide displays |
US10809448B1 (en) | 2019-04-18 | 2020-10-20 | Facebook Technologies, Llc | Reducing demolding stress at edges of gratings in nanoimprint lithography |
CN115367698B (zh) * | 2022-06-01 | 2023-09-26 | 华南理工大学 | 一种新型InP纳米线阵列及其制备方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004106320A (ja) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Ricoh Opt Ind Co Ltd | 微細表面構造をもつ物品の製造方法 |
JP2007156384A (ja) * | 2005-02-21 | 2007-06-21 | Tokyo Univ Of Science | 3次元モールドの製造方法、微細加工物の製造方法、微細パターン成形品の製造方法、3次元モールド、微細加工物、微細パターン成形品及び光学部品。 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SE515962C2 (sv) * | 2000-03-15 | 2001-11-05 | Obducat Ab | Anordning för överföring av mönster till objekt |
US7629596B2 (en) * | 2005-02-21 | 2009-12-08 | Tokyo University Of Science Educational Foundation Administrative Organization | Method of producing 3-D mold, method of producing finely processed product, method of producing fine-pattern molded product, 3-D mold, finely processed product, fine-pattern molded product and optical component |
JP4735280B2 (ja) * | 2006-01-18 | 2011-07-27 | 株式会社日立製作所 | パターン形成方法 |
-
2007
- 2007-08-23 JP JP2007217512A patent/JP5205866B2/ja active Active
-
2008
- 2008-08-13 US US12/222,671 patent/US20090053656A1/en not_active Abandoned
-
2011
- 2011-05-11 US US13/105,494 patent/US8679392B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004106320A (ja) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Ricoh Opt Ind Co Ltd | 微細表面構造をもつ物品の製造方法 |
JP2007156384A (ja) * | 2005-02-21 | 2007-06-21 | Tokyo Univ Of Science | 3次元モールドの製造方法、微細加工物の製造方法、微細パターン成形品の製造方法、3次元モールド、微細加工物、微細パターン成形品及び光学部品。 |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010272694A (ja) * | 2009-05-21 | 2010-12-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光素子を作製する方法 |
JP2010272752A (ja) * | 2009-05-22 | 2010-12-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光素子を作製する方法 |
KR101188278B1 (ko) | 2009-05-26 | 2012-10-08 | 한국과학기술원 | 몰드 제조 방법 및 그 몰드를 이용한 광기전력 장치의 제조 방법 |
JP2011159824A (ja) * | 2010-02-01 | 2011-08-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ナノインプリント法による樹脂パターン形成方法及び回折格子の形成方法 |
WO2012164781A1 (ja) * | 2011-05-30 | 2012-12-06 | パナソニック株式会社 | 回折光学素子およびその製造方法 |
US9291753B2 (en) | 2011-05-30 | 2016-03-22 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Diffraction optical element and production method therefor |
CN102918432A (zh) * | 2011-05-30 | 2013-02-06 | 松下电器产业株式会社 | 衍射光学元件及其制造方法 |
JP5180411B2 (ja) * | 2011-05-30 | 2013-04-10 | パナソニック株式会社 | 回折光学素子およびその製造方法 |
US8617912B2 (en) | 2011-07-01 | 2013-12-31 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor laser |
US8921133B2 (en) | 2011-07-04 | 2014-12-30 | Sumitomo Electric Industries, Ltd | Method of forming a sampled grating and method of producing a laser diode |
JP2013016650A (ja) * | 2011-07-04 | 2013-01-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | サンプルドグレーティングの形成方法及び半導体レーザの製造方法 |
KR20230023072A (ko) * | 2015-03-05 | 2023-02-16 | 매직 립, 인코포레이티드 | 가상 및 증강 현실 시스템들 및 컴포넌트들을 위한 개선된 제조 |
KR102617948B1 (ko) * | 2015-03-05 | 2023-12-22 | 매직 립, 인코포레이티드 | 가상 및 증강 현실 시스템들 및 컴포넌트들을 위한 개선된 제조 |
US20170149210A1 (en) * | 2015-06-10 | 2017-05-25 | Beijing University Of Technology | Method for preparing organic polymer thin film laser |
US9667035B1 (en) * | 2015-06-10 | 2017-05-30 | Beijing University Of Technology | Method for preparing organic polymer thin film laser |
JP2019532513A (ja) * | 2016-10-18 | 2019-11-07 | モレキュラー インプリンツ, インコーポレイテッドMolecular Imprints,Inc. | 構造のマイクロリソグラフィ加工 |
US11307493B2 (en) | 2016-10-18 | 2022-04-19 | Molecular Imprints, Inc. | Microlithographic fabrication of structures |
JP2022513850A (ja) * | 2018-12-17 | 2022-02-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 格子を形成する方法 |
JP7483711B2 (ja) | 2018-12-17 | 2024-05-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 格子を形成する方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8679392B2 (en) | 2014-03-25 |
JP5205866B2 (ja) | 2013-06-05 |
US20110212556A1 (en) | 2011-09-01 |
US20090053656A1 (en) | 2009-02-26 |
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