JP2013016650A - サンプルドグレーティングの形成方法及び半導体レーザの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】サンプルドグレーティング21Pの形成方法は、複数の凹部3を含むパターン面1Pを有するナノインプリント用のモールド1を準備する工程と、周期的に設けられた光透過部7Tを有するマスク7を準備する工程と、半導体層21上に、フォトレジスト層27と、樹脂部29とをこの順に形成する工程と、熱ナノインプリント法によってモールド1の複数の凹部3の形状を樹脂部29に転写する工程と、マスク7を介してフォトレジスト層27に露光光LEを照射する工程と、フォトレジスト層27を現像する工程と、フォトレジスト層27の形状を半導体層21に転写する工程と、を備える。
【選択図】図14
Description
第1実施形態に係る半導体レーザの製造方法は、半導体基板上に半導体積層を堆積する半導体積層堆積工程と、半導体積層内の半導体層に第1実施形態に係るサンプルドグレーティングの形成方法によってサンプルドグレーティングを形成する工程と、メサ部形成工程と、電極形成工程と、を備えている。また、第1実施形態に係るサンプルドグレーティングの形成方法は、モールド準備工程と、マスク準備工程と、樹脂部形成工程と、ナノインプリント工程と、部分露光工程と、現像工程と、フォトレジスト層転写工程と、を備えている。以下、これらの各工程について詳細に説明する。
初めに、モールドを準備するモールド準備工程が行われる。図1は、モールド準備工程で準備されるモールドを示す平面図であり、図2は、図1に示すモールドの領域1Aを拡大して示す平面図であり、図3は、図2のモールドのIII−III線に沿った端面図である。
次に、マスク準備工程が行われる。図4は、マスク準備工程で準備されるマスクを示す平面図であり、図5は、図4に示すモールドの領域7Aを拡大して示す平面図である。
次に、半導体積層堆積工程が行われる。図6は、半導体積層堆積工程及び次の樹脂部形成工程を説明するための端面図である。半導体積層堆積工程では、まず、半導体基板11の主面上に、半導体レーザのための半導体積層23を堆積する。具体的には、図6に示すように、例えば有機金属気相成長法等のエピタキシャル成長法によって、半導体基板11上に、下部クラッド層13、下部光閉じ込め層15、活性層17、上部光閉じ込め層19、及び、半導体層21をこの順に堆積する。半導体基板11、下部クラッド層13、下部光閉じ込め層15、活性層17、上部光閉じ込め層19、及び、半導体層21で半導体積層23となる。
次に、樹脂部形成工程が行われる。本工程では、図6に示すように、半導体層21上に、転写層25と、フォトレジスト層27と、樹脂部29と、をこの順に形成する。
続いて、ナノインプリント工程が行われる。図7〜図9は、ナノインプリント工程を説明するための端面図であり、図10は、ナノインプリント工程を説明するための平面図である。
次に、部分露光工程が行われる。図11及び図14は、部分露光工程を説明するための端面図であり、図12及び図13は、部分露光工程で行うことができる調節工程を説明するための平面図である。
続いて、現像工程が行われる。図15は、現像工程を説明するための端面図である。本工程では、図15に示すように、アルカリ現像液によってフォトレジスト層27を現像する。これにより、フォトレジスト層27の第2領域27Bに、複数の凹部27Dを形成する。その結果、フォトレジスト層27の第2領域27Bには、樹脂部29の形状の非反転パターンが転写され、当該第2領域27Bには、複数の凹部27Dが形成される。これらの複数の凹部27Dは、当該第2領域27Bにおけるラインアンドスペースパターンを規定する。フォトレジスト層27の第1領域27Aには、凹部等によって規定されるパターンは形成されない。
次に、フォトレジスト層転写工程が行われる。図16〜図18は、フォトレジスト層転写工程を説明するための端面図である。本工程では、フォトレジスト層27の第1領域27A及び第2領域27Bの形状を半導体層21に転写する。
次に、メサ部形成工程及び電極形成工程が行われる。これらの工程では、まず、図19に示すように、例えば有機金属気相成長法によって、サンプルドグレーティング21Pを形成した半導体層21上に埋め込み層31を形成する。埋め込み層31はサンプルドグレーティング21Pを埋め込んでいる。また、埋め込み層31は、第2導電型の例えばInP等のIII−V族化合物半導体からなる。埋め込み層31は、半導体層21と同様の材料から構成されていてもよいし、異なる材料から構成されていてもよい。埋め込み層31は、第1上部クラッドとして機能する。
次に、第2実施形態に係るサンプルドグレーティングの形成方法及び半導体レーザの製造方法について説明する。第2実施形態のサンプルドグレーティングの形成方法及び半導体レーザの製造方法は、光非透過層エッチング工程をさらに備えている点、及び、樹脂部形成工程と、ナノインプリント工程と、部分露光工程と、フォトレジスト層転写工程の内容において、第1実施形態のサンプルドグレーティングの形成方法及び半導体レーザの製造方法と異なる。以下、主に第1実施形態との相違部分について説明し、特に説明されていない部分については、第1実施形態における場合と同様である。
図20は、第2実施形態の樹脂部形成工程を説明するための端面図であり、第1実施形態の図6に対応する。第2実施形態の樹脂部形成工程においては、図20に示すように、半導体層21上に、転写層25と、フォトレジスト層27と、光非透過層28と、樹脂部29と、をこの順に形成する。第1実施形態の転写層25及びフォトレジスト層27は、第1実施形態の転写層25及びフォトレジスト層27とそれぞれ同様の材料からなる。光非透過層28は、後述の紫外線UVを反射及び/又は吸収する材料、例えば、アルミニウム(Al)、ニッケル(Ni)、クロム(Cr)等の金属材料や、TiO2等の金属酸化材料からなる。第2実施形態の樹脂部29は、プレポリマー、モノマー、光重合開始剤、添加剤などを含む、紫外線のエネルギーによる光重合反応を利用して硬化する樹脂(紫外線硬化樹脂)からなる。紫外線硬化樹脂の代表的な種類として、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂がある。
図21及び図22は、第2実施形態のナノインプリント工程を説明するための端面図であり、第1実施形態の図7及び図9にそれぞれ対応する。第2実施形態のナノインプリント工程においては、光ナノインプリント法によってモールド1の複数の凹部3の形状を樹脂部29に転写する。具体的には、まず、図21に示すように、樹脂部29にモールド1のパターン面1Pを押し付けた状態で、モールド1の上方からモールド1を経由して樹脂部29に紫外線UVを照射することにより、樹脂部29を硬化させる。この際、光非透過層28は紫外線UVを反射及び/又は吸収するため、光非透過層28の下のフォトレジスト層27は露光されない。
続いて、光非透過層エッチング工程が行われる。図23は、第2実施形態の光非透過層エッチング工程を説明するための端面図である。本工程では、図23に示すように、例えば、Cl2ガスを用いた反応性イオンエッチング法によって、樹脂部29をマスクとして光非透過層28をエッチングすることにより、樹脂部29の形状を光非透過層28に転写する。これにより、光非透過層28に複数の凹部28Dが形成される。
光非透過層エッチング工程の後に、部分露光工程が行われる。図24は、第2実施形態の部分露光工程を説明するための端面図であり、第1実施形態の図14に対応する。第2実施形態の部分露光工程では、まず、図24に示すように、樹脂部29及び光非透過層28を介してフォトレジスト層27とマスク7の表面とを対向させる。その後、第1実施形態における場合と同様に調節工程を行うことができる。
次に、現像工程が行われる。図25は、第2実施形態の現像工程を説明するための端面図であり、第1実施形態の図15に対応する。第2実施形態の現像工程は、第1実施形態の現像工程と同様である。即ち、アルカリ現像液によってフォトレジスト層27を現像することにより、フォトレジスト層27の第2領域27Bに、複数の凹部27Dを形成する。
続いて、フォトレジスト層転写工程が行われる。図26〜図28は、第2実施形態のフォトレジスト層転写工程を説明するための端面図であり、第1実施形態の図16〜図18にそれぞれ対応する。本工程では、フォトレジスト層27の第1領域27A及び第2領域27Bの形状を半導体層21に転写する。具体的には、まず、図26に示すように、第1実施形態における場合と同様に、フォトレジスト層27をマスクとして転写層25を選択的にエッチングし、フォトレジスト層27の形状を転写層25に転写することにより、転写層25に複数の凹部25Dを形成する。
Claims (4)
- 交互に周期的に設けられた回折格子部と非回折格子部からなるサンプルドグレーティングの形成方法であって、
周期的に設けられた複数の凹部を含むパターン面を有するナノインプリント用のモールドを準備するモールド準備工程と、
光遮光部に周期的に設けられた光透過部を有するマスクを準備するマスク準備工程と、
前記サンプルドグレーティングの形成対象層上に、フォトレジスト層と、熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂からなる樹脂部と、をこの順に形成する樹脂部形成工程と、
熱ナノインプリント法によって前記モールドの前記複数の凹部の形状を前記樹脂部に転写することにより、前記樹脂部に複数の凹部を形成するナノインプリント工程と、
前記ナノインプリント工程の後に、前記マスクを介して前記フォトレジスト層に露光光を照射することにより、前記フォトレジスト層の一部を露光する部分露光工程と、
前記部分露光工程の後に、前記フォトレジスト層を現像する現像工程と、
前記現像工程の後に、前記フォトレジスト層の形状を前記形成対象層に転写することにより、前記形成対象層に前記サンプルドグレーティングを形成するフォトレジスト層転写工程と、
を備え、
前記部分露光工程では、前記フォトレジスト層は、前記光遮光部に対応する複数の第1領域と、前記光透過部に対応する複数の第2領域と、を有し、前記複数の第1領域は露光されず、前記複数の第2領域のうち、前記樹脂部の前記複数の凹部下の領域が露光され、
前記現像工程では、前記フォトレジスト層の前記複数の第2領域に、複数の凹部が形成され、
前記フォトレジスト層転写工程では、前記形成対象層に、前記フォトレジスト層の前記複数の第1領域に対応する形状を有する前記非回折格子部を形成すると共に、前記フォトレジスト層の前記複数の第2領域に対応する形状を有する前記回折格子部を形成することを特徴とするサンプルドグレーティングの形成方法。 - 交互に周期的に設けられた回折格子部と非回折格子部からなるサンプルドグレーティングの形成方法であって、
周期的に設けられた複数の凹部を含むパターン面を有するナノインプリント用のモールドを準備するモールド準備工程と、
光遮光部に周期的に設けられた光透過部を有するマスクを準備するマスク準備工程と、
前記サンプルドグレーティングの形成対象層上に、フォトレジスト層と、光非透過層と、紫外線硬化樹脂からなる樹脂部と、をこの順に形成する樹脂部形成工程と、
光ナノインプリント法によって前記モールドの前記複数の凹部の形状を前記樹脂部に転写することにより、前記樹脂部に複数の凹部を形成するナノインプリント工程と、
前記ナノインプリント工程後に、前記樹脂部をマスクとして前記光非透過層をエッチングすることにより、前記樹脂部の形状を前記光非透過層に転写し、これにより前記光非透過層に複数の凹部を形成する光非透過層エッチング工程と、
前記光非透過層エッチング工程の後に、前記マスクを介して前記フォトレジスト層に露光光を照射することにより、前記フォトレジスト層の一部を露光する部分露光工程と、
前記部分露光工程の後に、前記フォトレジスト層を現像する現像工程と、
前記現像工程の後に、前記フォトレジスト層の形状を前記形成対象層に転写することにより、前記形成対象層に前記サンプルドグレーティングを形成するフォトレジスト層転写工程と、
を備え、
前記部分露光工程では、前記フォトレジスト層は、前記光遮光部に対応する複数の第1領域と、前記光透過部に対応する複数の第2領域と、を有し、前記複数の第1領域は露光されず、前記複数の第2領域のうち、前記樹脂部の前記複数の凹部下の領域が露光され、
前記現像工程では、前記フォトレジスト層の前記複数の第2領域に、複数の凹部が形成され、
前記フォトレジスト層転写工程では、前記形成対象層に、前記フォトレジスト層の前記複数の第1領域に対応する形状を有する前記非回折格子部を形成すると共に、前記フォトレジスト層の前記複数の第2領域に対応する形状を有する前記回折格子部を形成することを特徴とするサンプルドグレーティングの形成方法。 - 前記部分露光工程は、前記フォトレジスト層と前記マスクとを対向させた後に、前記マスクの前記光透過部の周期方向が、前記樹脂部の前記複数の凹部の周期方向に対して平行になるように、又は、平行に近づくように、前記マスクと前記樹脂部との相対位置を調節する調節工程をさらに含むことを特徴とする請求項1又は2に記載のサンプルドグレーティングの形成方法。
- 半導体基板上に、活性層と前記形成対象層とを含む半導体レーザのための半導体積層を堆積する半導体積層堆積工程と、
請求項1〜3のいずれか一項に記載のサンプルドグレーティングの形成方法によって前記形成対象層に前記サンプルドグレーティングを形成する工程と、
を備える半導体レーザの製造方法。
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