JPH11237745A - フォトレジスト膜及びそのパターン形成方法 - Google Patents
フォトレジスト膜及びそのパターン形成方法Info
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- JPH11237745A JPH11237745A JP10040012A JP4001298A JPH11237745A JP H11237745 A JPH11237745 A JP H11237745A JP 10040012 A JP10040012 A JP 10040012A JP 4001298 A JP4001298 A JP 4001298A JP H11237745 A JPH11237745 A JP H11237745A
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- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
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- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 膜厚起因の解像度の低下を克服するフォトレ
ジスト膜は未だ開発されていない。 【解決手段】 最下層３がｉ線で、且つ、最上層５がＫ
ｒＦエキシマレーザーで感光する、又は、最下層３がＫ
ｒＦエキシマレーザーで、且つ、最上層５がＡｒＦエキ
シマレーザーで感光する、又は、最下層３がｉ線で、且
つ、最上層５がＡｒＦエキシマレーザーで感光する３層
構造のフォトレジスト膜であって、中間層４がｉ線、Ｋ
ｒＦエキシマレーザー及びＡｒＦエキシマレーザーに対
して透過率が５０％以下の有機質膜からなる。
ジスト膜は未だ開発されていない。 【解決手段】 最下層３がｉ線で、且つ、最上層５がＫ
ｒＦエキシマレーザーで感光する、又は、最下層３がＫ
ｒＦエキシマレーザーで、且つ、最上層５がＡｒＦエキ
シマレーザーで感光する、又は、最下層３がｉ線で、且
つ、最上層５がＡｒＦエキシマレーザーで感光する３層
構造のフォトレジスト膜であって、中間層４がｉ線、Ｋ
ｒＦエキシマレーザー及びＡｒＦエキシマレーザーに対
して透過率が５０％以下の有機質膜からなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトレジスト膜
及びそのフォトレジスト膜のパターン形成方法に関する
ものである。
及びそのフォトレジスト膜のパターン形成方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路（以下、「ＬＳＩ」とす
る。）は、年々高集積化が進み、そのデザインルールよ
りも微細化が要求されるようになった。そして、フォト
リソグラフィ工程で使用される光源もｉ線（３６５ｎ
ｍ）又はＫｒＦ（２４８ｎｍ）エキシマレーザーが主流
となってきている。しかしながら、今後予想されるデザ
インルール（０．２μｍ以下）は、これらの光源の波長
以下のパターニングを要求するため、新たな方法を開発
する必要がある。
る。）は、年々高集積化が進み、そのデザインルールよ
りも微細化が要求されるようになった。そして、フォト
リソグラフィ工程で使用される光源もｉ線（３６５ｎ
ｍ）又はＫｒＦ（２４８ｎｍ）エキシマレーザーが主流
となってきている。しかしながら、今後予想されるデザ
インルール（０．２μｍ以下）は、これらの光源の波長
以下のパターニングを要求するため、新たな方法を開発
する必要がある。
【０００３】この要求に対する、単層レジストを用いた
アプローチは以下の流れに従い検討されている。即ち、
第１の方法として、ＫｒＦエキシマレーザーに加え、変
形照明法或いは位相シフト法を併用する方法が第１に検
討されている。この手法を用いれば、膜厚１０００Åの
解像度は０．１４μｍである。また、第２の方法とし
て、新たな光源であるＡｒＦ（１９３ｎｍ）エキシマレ
ーザーの採用も検討されている。このＡｒＦエキシマレ
ーザーを用いた場合、膜厚１０００Åの解像度は０．１
２μｍである。更に、第３の方法として、先進的には、
ＡｒＦエキシマレーザーに変形照明法或いは位相シフト
法を併用することが検討されている。この方法によれ
ば、膜厚１０００Åでの解像度は０．１μｍである。
アプローチは以下の流れに従い検討されている。即ち、
第１の方法として、ＫｒＦエキシマレーザーに加え、変
形照明法或いは位相シフト法を併用する方法が第１に検
討されている。この手法を用いれば、膜厚１０００Åの
解像度は０．１４μｍである。また、第２の方法とし
て、新たな光源であるＡｒＦ（１９３ｎｍ）エキシマレ
ーザーの採用も検討されている。このＡｒＦエキシマレ
ーザーを用いた場合、膜厚１０００Åの解像度は０．１
２μｍである。更に、第３の方法として、先進的には、
ＡｒＦエキシマレーザーに変形照明法或いは位相シフト
法を併用することが検討されている。この方法によれ
ば、膜厚１０００Åでの解像度は０．１μｍである。
【０００４】これらの方法を用いた場合、膜厚を考慮に
入れなければ解像度０．１５μｍ以下の非常に細かなパ
ターニングまで可能であるが、実際には、フォトレジス
トパターニング後、エッチング工程が不可避で、レジス
トの膜厚は最低でも５０００Å程度必要である。この５
０００Åの膜厚に対する解像度は、第１の方法で０．１
８μｍ、第２の方法で０．１６μｍ、第３の方法で０．
１４μｍである。したがって、フォトレジストの膜厚が
厚くなるに従い、解像度は０．０４μｍ程度、本来の解
像度（膜厚１０００Å）より悪化する。つまり、従来通
りの単層レジストを用い、パターニングする限りにおい
ては、次工程のエッチングでの耐性を考慮し、膜厚を設
定しているため、解像度としての性能を十分に引き出し
ているとは言えない。
入れなければ解像度０．１５μｍ以下の非常に細かなパ
ターニングまで可能であるが、実際には、フォトレジス
トパターニング後、エッチング工程が不可避で、レジス
トの膜厚は最低でも５０００Å程度必要である。この５
０００Åの膜厚に対する解像度は、第１の方法で０．１
８μｍ、第２の方法で０．１６μｍ、第３の方法で０．
１４μｍである。したがって、フォトレジストの膜厚が
厚くなるに従い、解像度は０．０４μｍ程度、本来の解
像度（膜厚１０００Å）より悪化する。つまり、従来通
りの単層レジストを用い、パターニングする限りにおい
ては、次工程のエッチングでの耐性を考慮し、膜厚を設
定しているため、解像度としての性能を十分に引き出し
ているとは言えない。
【０００５】一方、露光後レジスト表面をシリル化し、
その後、ドライ現像を施し、高解像度且つ、ドライエッ
チング耐性に優れたパターン法、いわゆる表面修飾法が
検討されている。この手法によれば、レジスト表面の１
０００Å程度の領域に初期パターンが形成されるので、
解像度は従来の方法に比べ高く、また、表面に形成され
たシリル化層が強固に下層のレジストを保護するため、
ドライエッチング耐性に優れたパターン形成が可能とな
る。しかしながら、ドライ現像時にプラズマがシリル化
層下のレジストの側壁を削り、断面形状はテーパー状に
なる。また、シリル化が物質内拡散で進行するという性
格上、パターン寸法安定性は乏しく実用化に耐えられな
い。
その後、ドライ現像を施し、高解像度且つ、ドライエッ
チング耐性に優れたパターン法、いわゆる表面修飾法が
検討されている。この手法によれば、レジスト表面の１
０００Å程度の領域に初期パターンが形成されるので、
解像度は従来の方法に比べ高く、また、表面に形成され
たシリル化層が強固に下層のレジストを保護するため、
ドライエッチング耐性に優れたパターン形成が可能とな
る。しかしながら、ドライ現像時にプラズマがシリル化
層下のレジストの側壁を削り、断面形状はテーパー状に
なる。また、シリル化が物質内拡散で進行するという性
格上、パターン寸法安定性は乏しく実用化に耐えられな
い。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】そこで、多層レジスト
を用いたパターニング法が開発されている。例えば、特
開平７−１４２３６５号公報に開示されている方法は、
まず、ｉ線に感光する下層レジスト４３を被エッチング
膜４２上に形成し、ＫｒＦエキシマレーザーに感光する
上層レジスト４４を下層レジスト４３上に設置する（図
５（ａ））。次いで、ＫｒＦエキシマレーザーをマスク
を介して照射し、現像して上層レジスト４４のみをパタ
ーニングする（図５（ｂ））。次いで、ｉ線を全面に照
射し、現像する。しかしながらこの方法によれば、原理
的にはパターニング可能であるが、ｉ線による第２露光
時に放射線を上層レジスト４４にて遮光しきれず、その
結果、下層レジスト４３すべてが感光され、図５（ｃ）
に見られるように下層レジスト４３の線幅は不均一とな
り、良好なパターン形成が困難となる。尚、図５におい
て、４１はウエハ基板である。
を用いたパターニング法が開発されている。例えば、特
開平７−１４２３６５号公報に開示されている方法は、
まず、ｉ線に感光する下層レジスト４３を被エッチング
膜４２上に形成し、ＫｒＦエキシマレーザーに感光する
上層レジスト４４を下層レジスト４３上に設置する（図
５（ａ））。次いで、ＫｒＦエキシマレーザーをマスク
を介して照射し、現像して上層レジスト４４のみをパタ
ーニングする（図５（ｂ））。次いで、ｉ線を全面に照
射し、現像する。しかしながらこの方法によれば、原理
的にはパターニング可能であるが、ｉ線による第２露光
時に放射線を上層レジスト４４にて遮光しきれず、その
結果、下層レジスト４３すべてが感光され、図５（ｃ）
に見られるように下層レジスト４３の線幅は不均一とな
り、良好なパターン形成が困難となる。尚、図５におい
て、４１はウエハ基板である。
【０００７】したがって、膜厚起因の解像度の低下を克
服するフォトレジスト膜は未だ開発されていないのが現
状である。
服するフォトレジスト膜は未だ開発されていないのが現
状である。
【０００８】本発明の目的は、ＫｒＦ又はＡｒＦエキシ
マレーザーを用いてパターン形成する際、レジストの膜
厚起因の解像度の低下を招く事なく、また、ドライエッ
チング耐性を劣化させることなく、パターニングできる
フォトレジスト膜及びそのパターン形成方法を提供する
こと目的とする。
マレーザーを用いてパターン形成する際、レジストの膜
厚起因の解像度の低下を招く事なく、また、ドライエッ
チング耐性を劣化させることなく、パターニングできる
フォトレジスト膜及びそのパターン形成方法を提供する
こと目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の本発明
のフォトレジスト膜は、最下層、中間層及び最上層の３
層構造であって、最下層がｉ線で、且つ、最上層がＫｒ
Ｆエキシマレーザーで感光する、又は、最下層がＫｒＦ
エキシマレーザーで、且つ、最上層がＡｒＦエキシマレ
ーザーで感光する、又は、最下層がｉ線で、且つ、最上
層がＡｒＦエキシマレーザーで感光するフォトレジスト
膜であり、中間層が上記ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザー
及びＡｒＦエキシマレーザーに対して所定の透過率を有
する有機質の遮光膜であることを特徴とするものであ
る。
のフォトレジスト膜は、最下層、中間層及び最上層の３
層構造であって、最下層がｉ線で、且つ、最上層がＫｒ
Ｆエキシマレーザーで感光する、又は、最下層がＫｒＦ
エキシマレーザーで、且つ、最上層がＡｒＦエキシマレ
ーザーで感光する、又は、最下層がｉ線で、且つ、最上
層がＡｒＦエキシマレーザーで感光するフォトレジスト
膜であり、中間層が上記ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザー
及びＡｒＦエキシマレーザーに対して所定の透過率を有
する有機質の遮光膜であることを特徴とするものであ
る。
【００１０】また、請求項２に記載の本発明のフォトレ
ジスト膜は、上記最下層が少なくともベンゼン環を主鎖
または側鎖に成分要素として含んでいることを特徴とす
る、請求項１記載のフォトレジスト膜である。
ジスト膜は、上記最下層が少なくともベンゼン環を主鎖
または側鎖に成分要素として含んでいることを特徴とす
る、請求項１記載のフォトレジスト膜である。
【００１１】また、請求項３に記載の本発明のフォトレ
ジスト膜は、上記中間層の透過率が５０％以下であるこ
とを特徴とする、請求項１又は請求項２に記載のフォト
レジスト膜である。
ジスト膜は、上記中間層の透過率が５０％以下であるこ
とを特徴とする、請求項１又は請求項２に記載のフォト
レジスト膜である。
【００１２】また、請求項４に記載の本発明のフォトレ
ジスト膜は、上記最下層の膜厚が３０００Å以上、且
つ、７０００Å以下であることを特徴とする、請求項１
乃至請求項３のいずれかに記載のフォトレジスト膜であ
る。
ジスト膜は、上記最下層の膜厚が３０００Å以上、且
つ、７０００Å以下であることを特徴とする、請求項１
乃至請求項３のいずれかに記載のフォトレジスト膜であ
る。
【００１３】また、請求項５に記載の本発明のフォトレ
ジスト膜は、上記中間層の膜厚が２００Å以上、且つ、
２０００Å以下であることを特徴とする、請求項１乃至
請求項４のいずれかに記載のフォトレジスト膜である。
ジスト膜は、上記中間層の膜厚が２００Å以上、且つ、
２０００Å以下であることを特徴とする、請求項１乃至
請求項４のいずれかに記載のフォトレジスト膜である。
【００１４】また、請求項６に記載の本発明のフォトレ
ジスト膜は、上記最上層の膜厚が５００Å以上、且つ、
３０００Å以下であることを特徴とする、請求項１乃至
請求項５のいずれかに記載のフォトレジスト膜である。
ジスト膜は、上記最上層の膜厚が５００Å以上、且つ、
３０００Å以下であることを特徴とする、請求項１乃至
請求項５のいずれかに記載のフォトレジスト膜である。
【００１５】また、請求項７に記載のフォトレジスト膜
のパターン形成方法は、請求項１乃至請求項６のいずれ
かに記載のフォトレジスト膜を被エッチング層上に形成
する工程と、所定の形状のマスクを用いて、ＫｒＦエキ
シマレーザ−又はＡｒＦエキシマレーザ−を照射し、上
記最上層のみをパターニングする工程と、上記パターニ
ングにより露出した中間層を酸素プラズマにより、上記
最下層表面が露出するまでエッチングする工程と、上記
最下層がｉ線で感光するレジストを形成した場合はｉ線
を、また、上記最下層がＫｒＦエキシマレーザーで感光
するレジストを形成した場合はＫｒＦエキシマレーザ−
を、全面に照射することにより、上記最下層をパターニ
ングする工程とを有することを特徴とするものである。
のパターン形成方法は、請求項１乃至請求項６のいずれ
かに記載のフォトレジスト膜を被エッチング層上に形成
する工程と、所定の形状のマスクを用いて、ＫｒＦエキ
シマレーザ−又はＡｒＦエキシマレーザ−を照射し、上
記最上層のみをパターニングする工程と、上記パターニ
ングにより露出した中間層を酸素プラズマにより、上記
最下層表面が露出するまでエッチングする工程と、上記
最下層がｉ線で感光するレジストを形成した場合はｉ線
を、また、上記最下層がＫｒＦエキシマレーザーで感光
するレジストを形成した場合はＫｒＦエキシマレーザ−
を、全面に照射することにより、上記最下層をパターニ
ングする工程とを有することを特徴とするものである。
【００１６】また、請求項８に記載の本発明のフォトレ
ジスト膜のパターン形成方法は、上記最上層への照射後
に加熱処理を施すことを特徴とする、請求項７に記載の
フォトレジスト膜のパターン形成方法である。
ジスト膜のパターン形成方法は、上記最上層への照射後
に加熱処理を施すことを特徴とする、請求項７に記載の
フォトレジスト膜のパターン形成方法である。
【００１７】更に、請求項９に記載の本発明のフォトレ
ジスト膜のパターン形成方法は、上記最下層への照射後
に加熱処理を施すことを特徴とする、請求項７又は請求
項８に記載のフォトレジスト膜のパターン形成方法であ
る。
ジスト膜のパターン形成方法は、上記最下層への照射後
に加熱処理を施すことを特徴とする、請求項７又は請求
項８に記載のフォトレジスト膜のパターン形成方法であ
る。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、実施の形態に基づいて、本
発明を詳細に説明する。
発明を詳細に説明する。
【００１９】図１は本発明のフォトレジスト膜が被エッ
チング膜上に形成された状態を示す図、図２乃至図４は
本発明のフォトレジスト膜のパターン形成工程の一部断
面図である。図１乃至図４において、１はウエハ基板、
２は被エッチング膜、３は最下層、４は中間層、５は最
上層、６はマスクである。
チング膜上に形成された状態を示す図、図２乃至図４は
本発明のフォトレジスト膜のパターン形成工程の一部断
面図である。図１乃至図４において、１はウエハ基板、
２は被エッチング膜、３は最下層、４は中間層、５は最
上層、６はマスクである。
【００２０】まず、図１に示すように、本発明のフォト
レジスト膜は、最下層３、中間層４及び最上層５の３層
構造を有し、最下層３はｉ線またはＫｒＦエキシマレー
ザーに感光するフォトレジスト、中間層４はｉ線、Ｋｒ
Ｆエキシマレーザー及びＡｒＦエキシマレーザーに対す
る透過率が所定の値以下、好ましくは５０％以下の有機
質の遮光膜、最上層５はＫｒＦエキシマレーザーまたは
ＡｒＦエキシマレーザーに対して感光するフォトレジス
ト膜である。
レジスト膜は、最下層３、中間層４及び最上層５の３層
構造を有し、最下層３はｉ線またはＫｒＦエキシマレー
ザーに感光するフォトレジスト、中間層４はｉ線、Ｋｒ
Ｆエキシマレーザー及びＡｒＦエキシマレーザーに対す
る透過率が所定の値以下、好ましくは５０％以下の有機
質の遮光膜、最上層５はＫｒＦエキシマレーザーまたは
ＡｒＦエキシマレーザーに対して感光するフォトレジス
ト膜である。
【００２１】尚、中間層４は、形成の容易さ、最下層に
対するダメージ、ドライエッチング耐性の観点から有機
質が望ましい。無機質とした場合、膜厚の制御が難し
く、また、形成時に最下層を傷めやすく、さらに、ドラ
イエッチング耐性についても、エッチングレートが遅
く、本発明のフォトレジスト膜の中間層としては不向き
である。
対するダメージ、ドライエッチング耐性の観点から有機
質が望ましい。無機質とした場合、膜厚の制御が難し
く、また、形成時に最下層を傷めやすく、さらに、ドラ
イエッチング耐性についても、エッチングレートが遅
く、本発明のフォトレジスト膜の中間層としては不向き
である。
【００２２】本発明のフォトレジスト膜のパターン形成
方法を用いる場合、まず、図２（ａ）に示すように、フ
ォトレジスト膜を被エッチング膜２の上に形成後、フォ
トレジスト膜の最上層５に対し、マスク６を介して、Ｋ
ｒＦエキシマレーザー又はＡｒＦエキシマレーザーを用
いて露光（以下、「第１露光」という。）する（図２
（ｂ））。その後、現像し、最上層５のみをパターニン
グ（以下、「第１パターニング」という。）する（図３
（ｃ））。最上層５のみがパターニングされ、すなわ
ち、最上層５が除去され、中間層４が露出した部分と、
最上層５がそのまま残存している部分に分けられ、最下
層３及び中間層４は全くパターニングされない。
方法を用いる場合、まず、図２（ａ）に示すように、フ
ォトレジスト膜を被エッチング膜２の上に形成後、フォ
トレジスト膜の最上層５に対し、マスク６を介して、Ｋ
ｒＦエキシマレーザー又はＡｒＦエキシマレーザーを用
いて露光（以下、「第１露光」という。）する（図２
（ｂ））。その後、現像し、最上層５のみをパターニン
グ（以下、「第１パターニング」という。）する（図３
（ｃ））。最上層５のみがパターニングされ、すなわ
ち、最上層５が除去され、中間層４が露出した部分と、
最上層５がそのまま残存している部分に分けられ、最下
層３及び中間層４は全くパターニングされない。
【００２３】したがって、本発明のフォトレジスト膜の
最上層５は、ＫｒＦエキシマレーザーまたはＡｒＦエキ
シマレーザーに対して感光するフォトレジストである。
このレジストはポジ型、ネガ型のいずれのタイプでもよ
い。一方、中間層４は第１露光時に最下層３が感光され
ないように遮光する必要がある。
最上層５は、ＫｒＦエキシマレーザーまたはＡｒＦエキ
シマレーザーに対して感光するフォトレジストである。
このレジストはポジ型、ネガ型のいずれのタイプでもよ
い。一方、中間層４は第１露光時に最下層３が感光され
ないように遮光する必要がある。
【００２４】次いで、酸素プラズマ発生装置を用いて、
全面にエッチング処理する（図３（ａ））。エッチング
は、第１パターニング後の露出した中間層が完全に除去
され、且つ、最上層５の残存部の下の中間層４が完全に
は除去されない状態までの範囲で実施される（図３
（ｂ））。以下、この条件下でのエッチングをハーフエ
ッチングと記す。
全面にエッチング処理する（図３（ａ））。エッチング
は、第１パターニング後の露出した中間層が完全に除去
され、且つ、最上層５の残存部の下の中間層４が完全に
は除去されない状態までの範囲で実施される（図３
（ｂ））。以下、この条件下でのエッチングをハーフエ
ッチングと記す。
【００２５】次いで、ｉ線またはＫｒＦエキシマレーザ
ーをマスクに介さず全面露光（以下、「第２露光」とい
う。）する（図３（ｃ））。その後、現像し、最下層５
をパターニング（以下、「第２パターニング」とい
う。）する（図４（ａ））。第２露光の際、第１パター
ニング後の最上層５の残存部、換言すれば、ハーフエッ
チング後の中間層４の残存部は、第２露光時にこの中間
層４が遮光するため、中間層４下の最下層３は感光され
ない。
ーをマスクに介さず全面露光（以下、「第２露光」とい
う。）する（図３（ｃ））。その後、現像し、最下層５
をパターニング（以下、「第２パターニング」とい
う。）する（図４（ａ））。第２露光の際、第１パター
ニング後の最上層５の残存部、換言すれば、ハーフエッ
チング後の中間層４の残存部は、第２露光時にこの中間
層４が遮光するため、中間層４下の最下層３は感光され
ない。
【００２６】一方、第１パターニング後の中間層４の露
出部、換言すれば、ハーフエッチング後に中間層４が完
全に除去され最下層３が露出している部分（ハーフエッ
チング後の最下層３の露出部）では、第２露光により最
下層３は感光される。したがって、本発明のフォトレジ
スト膜の中間層４は、第１露光時及び第２露光時、いず
れの光（放射線）も遮光する必要がある。つまり、第１
露光がＫｒＦエキシマレーザー、第２露光がｉ線である
場合、ｉ線及びＫｒＦエキシマレーザーに対する透過率
が５０％以下であり、第１露光がＡｒＦエキシマレーザ
ー、第２露光がＫｒＦエキシマレーザーである場合、Ａ
ｒＦエキシマレーザー及びＫｒＦエキシマレーザーに対
する透過率が５０％以下であり、第１露光がＡｒＦエキ
シマレーザー、第２露光がｉ線である場合、ｉ線及びＡ
ｒＦエキシマレーザーに対する透過率が５０％以下であ
る。
出部、換言すれば、ハーフエッチング後に中間層４が完
全に除去され最下層３が露出している部分（ハーフエッ
チング後の最下層３の露出部）では、第２露光により最
下層３は感光される。したがって、本発明のフォトレジ
スト膜の中間層４は、第１露光時及び第２露光時、いず
れの光（放射線）も遮光する必要がある。つまり、第１
露光がＫｒＦエキシマレーザー、第２露光がｉ線である
場合、ｉ線及びＫｒＦエキシマレーザーに対する透過率
が５０％以下であり、第１露光がＡｒＦエキシマレーザ
ー、第２露光がＫｒＦエキシマレーザーである場合、Ａ
ｒＦエキシマレーザー及びＫｒＦエキシマレーザーに対
する透過率が５０％以下であり、第１露光がＡｒＦエキ
シマレーザー、第２露光がｉ線である場合、ｉ線及びＡ
ｒＦエキシマレーザーに対する透過率が５０％以下であ
る。
【００２７】また、本発明のフォトレジスト膜の最上層
５は、ＫｒＦエキシマレーザー又はＡｒＦエキシマレー
ザーに対し感光するフォトレジストである。
５は、ＫｒＦエキシマレーザー又はＡｒＦエキシマレー
ザーに対し感光するフォトレジストである。
【００２８】フォトレジストパターン形成後（図４
（ｂ））、通常のＬＳＩの製造工程に従えば、ウエハ基
板１上に形成された被エッチング膜２がエッチングされ
る（図４（ｃ））。本発明の最終パターニング後のエッ
チングに対する耐性は、残存した３層全体で担う。そし
て、エッチング終了後も最下層３のレジストは残存し、
レジスト残存部下の被エッチング膜がエッチングされる
のを防止する。
（ｂ））、通常のＬＳＩの製造工程に従えば、ウエハ基
板１上に形成された被エッチング膜２がエッチングされ
る（図４（ｃ））。本発明の最終パターニング後のエッ
チングに対する耐性は、残存した３層全体で担う。そし
て、エッチング終了後も最下層３のレジストは残存し、
レジスト残存部下の被エッチング膜がエッチングされる
のを防止する。
【００２９】最下層３のフォトレジスト膜は、上述のよ
うに、本発明のフォトレジストパターン形成方法によっ
て、最終的にはパターニング（図４（ａ）に示すよう
に、第２パターニング後の最下層３の残存部と、最下層
３除去部に分けられる。）され、次いで、通常のＬＳＩ
の製造工程に従えば、エッチングされる。したがって、
エッチング耐性に優れていることが重要である。エッチ
ング耐性向上のため、本発明に用いる最下層３のフォト
レジスト膜としては、少なくともベンゼン環を主鎖また
は側鎖に成分要素として含んでいることが望ましい。ベ
ンゼン環は、ドライエッチング時に衝突する高速イオ
ン、高速電子のエネルギーを励起状態で平面構造から曲
がることによって、すなわち、ベンゼン環が曲がること
によって、イオン等に対する衝撃のバッファとなり、小
さい振動エネルギーに変換して、エネルギーを緩和し、
元の平面構造に戻す働きをする。したがって、ベンゼン
環を含む物質は、優れたドライエッチング耐性を示す。
うに、本発明のフォトレジストパターン形成方法によっ
て、最終的にはパターニング（図４（ａ）に示すよう
に、第２パターニング後の最下層３の残存部と、最下層
３除去部に分けられる。）され、次いで、通常のＬＳＩ
の製造工程に従えば、エッチングされる。したがって、
エッチング耐性に優れていることが重要である。エッチ
ング耐性向上のため、本発明に用いる最下層３のフォト
レジスト膜としては、少なくともベンゼン環を主鎖また
は側鎖に成分要素として含んでいることが望ましい。ベ
ンゼン環は、ドライエッチング時に衝突する高速イオ
ン、高速電子のエネルギーを励起状態で平面構造から曲
がることによって、すなわち、ベンゼン環が曲がること
によって、イオン等に対する衝撃のバッファとなり、小
さい振動エネルギーに変換して、エネルギーを緩和し、
元の平面構造に戻す働きをする。したがって、ベンゼン
環を含む物質は、優れたドライエッチング耐性を示す。
【００３０】最下層３のフォトレジスト膜の膜厚は、エ
ッチング耐性と解像性の両観点から決定される。エッチ
ング耐性の観点からは、厚いほうが望ましく、解像度の
観点からは薄い方が望ましい。そして、最下層３のフォ
トレジスト膜の膜厚は３０００〜７０００Åの範囲内で
あることが望ましい。通常の単層レジストでは、エッチ
ング耐性の観点から５０００Å程度の厚みを要求される
が、本発明のフォトレジスト膜は３層構造をなしてお
り、この３層全体としてのエッチング耐性が重要とな
る。したがって、最下層３のフォトレジスト膜の膜厚は
３０００Å以上であることが望ましい。一方、解像性の
観点からは、７０００Å以下にすることが好ましい。膜
厚が３０００Å未満の場合、本発明のフォトレジストパ
ターン形成方法でのパターン形成後、次のエッチング工
程である程度制約を受けるので、好ましくない。一方、
膜厚が７０００Åを越える場合、解像度にある程度の制
約を受けるので好ましくない。
ッチング耐性と解像性の両観点から決定される。エッチ
ング耐性の観点からは、厚いほうが望ましく、解像度の
観点からは薄い方が望ましい。そして、最下層３のフォ
トレジスト膜の膜厚は３０００〜７０００Åの範囲内で
あることが望ましい。通常の単層レジストでは、エッチ
ング耐性の観点から５０００Å程度の厚みを要求される
が、本発明のフォトレジスト膜は３層構造をなしてお
り、この３層全体としてのエッチング耐性が重要とな
る。したがって、最下層３のフォトレジスト膜の膜厚は
３０００Å以上であることが望ましい。一方、解像性の
観点からは、７０００Å以下にすることが好ましい。膜
厚が３０００Å未満の場合、本発明のフォトレジストパ
ターン形成方法でのパターン形成後、次のエッチング工
程である程度制約を受けるので、好ましくない。一方、
膜厚が７０００Åを越える場合、解像度にある程度の制
約を受けるので好ましくない。
【００３１】中間層４の有機質膜は、第１パターニング
後の露出部は酸素プラズマで最下層３が露出されるまで
エッチングされる。一方、第１パターニング後の最上層
５の残存部の下の中間層４は、エッチング初期には最上
層５が保護しているため、エッチングされない。エッチ
ングは、上述のように第１パターニング後の中間層４の
露出部が完全に除去され、最下層３が露出されるまで、
実施されるが、第１パターニング後の最上層５の残存部
の下の中間層４は次工程での全面露光時にｉ線またはＫ
ｒＦエキシマレーザーを遮光し、その下の最下層３が感
光されないようにエッチング後も残存する必要がある。
これらの条件を満たすため、中間層４の有機質膜のエッ
チングレートは最下層３に比べて大きい方がよく、本発
明の実施に有効なエッチングレートは最下層３のフォト
レジスト膜に対し、１．２倍以上であることが望まし
い。これは膜減り等の条件出しで決まる。
後の露出部は酸素プラズマで最下層３が露出されるまで
エッチングされる。一方、第１パターニング後の最上層
５の残存部の下の中間層４は、エッチング初期には最上
層５が保護しているため、エッチングされない。エッチ
ングは、上述のように第１パターニング後の中間層４の
露出部が完全に除去され、最下層３が露出されるまで、
実施されるが、第１パターニング後の最上層５の残存部
の下の中間層４は次工程での全面露光時にｉ線またはＫ
ｒＦエキシマレーザーを遮光し、その下の最下層３が感
光されないようにエッチング後も残存する必要がある。
これらの条件を満たすため、中間層４の有機質膜のエッ
チングレートは最下層３に比べて大きい方がよく、本発
明の実施に有効なエッチングレートは最下層３のフォト
レジスト膜に対し、１．２倍以上であることが望まし
い。これは膜減り等の条件出しで決まる。
【００３２】また、中間層４の有機質膜の膜厚は、エッ
チング耐性と第１露光及び第２露光時の放射線（光源は
特に限定されない）に対する透過率の両観点から決定さ
れる。すなわち、エッチング耐性の観点からは、ハーフ
エッチングの際、速やかに第１パターニング後の中間層
４の露出部が除去されるように薄いほうがよく、一方、
第１露光及び第２露光時に最下層３が感光されないよう
放射線を遮光するためには、厚い方がよい。これらの条
件を満たす中間層４の膜厚としては２００〜２０００Å
の範囲内にあるのが望ましい。２００Å未満の場合、照
射線の遮光が不十分となり好ましくない。一方、２００
０Åを越えると、ハーフエッチングに時間が掛かり、そ
の結果、寸法制御性が悪化し、スループットも悪くなる
ので、好ましくない。
チング耐性と第１露光及び第２露光時の放射線（光源は
特に限定されない）に対する透過率の両観点から決定さ
れる。すなわち、エッチング耐性の観点からは、ハーフ
エッチングの際、速やかに第１パターニング後の中間層
４の露出部が除去されるように薄いほうがよく、一方、
第１露光及び第２露光時に最下層３が感光されないよう
放射線を遮光するためには、厚い方がよい。これらの条
件を満たす中間層４の膜厚としては２００〜２０００Å
の範囲内にあるのが望ましい。２００Å未満の場合、照
射線の遮光が不十分となり好ましくない。一方、２００
０Åを越えると、ハーフエッチングに時間が掛かり、そ
の結果、寸法制御性が悪化し、スループットも悪くなる
ので、好ましくない。
【００３３】最上層５のフォトレジスト膜は第１パター
ニングによってパターニングされる。その後のハーフエ
ッチングによって第１パターニング後の残存部は、特に
エッチングの初期には、その下の中間層４を保護する働
きをする。したがってある程度のドライエッチング耐性
と膜厚が要求される。一方、解像性の観点からは、最上
層５のフォトレジスト膜は薄いほうがよい。これらの要
求から、最下層３のフォトレジスト膜に対する最上層５
のフォトレジスト膜のエッチングレートが１．５倍以下
であることが好ましい。エッチングレートが１．５倍を
越えると、ハーフエッチングの際、第１パターニング後
の最上層５の残存部下の中間層４にまでエッチングが及
び、第２露光時に中間層４による照射線の遮光が不十分
となり、好ましくない。
ニングによってパターニングされる。その後のハーフエ
ッチングによって第１パターニング後の残存部は、特に
エッチングの初期には、その下の中間層４を保護する働
きをする。したがってある程度のドライエッチング耐性
と膜厚が要求される。一方、解像性の観点からは、最上
層５のフォトレジスト膜は薄いほうがよい。これらの要
求から、最下層３のフォトレジスト膜に対する最上層５
のフォトレジスト膜のエッチングレートが１．５倍以下
であることが好ましい。エッチングレートが１．５倍を
越えると、ハーフエッチングの際、第１パターニング後
の最上層５の残存部下の中間層４にまでエッチングが及
び、第２露光時に中間層４による照射線の遮光が不十分
となり、好ましくない。
【００３４】また、最上層５のフォトレジスト膜の膜厚
は５００〜３０００Åの範囲内であるのが好ましい。膜
厚が５００Å未満の場合、ハーフエッチングの際の第１
パターニング後の最上層５の残存部下の中間層４の保護
が不十分となり、中間層４も過度にエッチングされるこ
とになり、その結果、第２露光時に中間層４による照射
線の遮光が不十分となり、好ましくない。一方、３００
０Åを越えた場合、第１パターニングによる解像度が悪
化するので好ましくない。
は５００〜３０００Åの範囲内であるのが好ましい。膜
厚が５００Å未満の場合、ハーフエッチングの際の第１
パターニング後の最上層５の残存部下の中間層４の保護
が不十分となり、中間層４も過度にエッチングされるこ
とになり、その結果、第２露光時に中間層４による照射
線の遮光が不十分となり、好ましくない。一方、３００
０Åを越えた場合、第１パターニングによる解像度が悪
化するので好ましくない。
【００３５】本発明フォトレジストパターン形成方法に
よれば、まず、本発明のフォトレジスト膜にマスクを介
して、ＫｒＦ又はＡｒＦエキシマレーザーを露光し、次
いで現像する。この時、マスクパターンが第１パターニ
ング時に最上層５に転写する。
よれば、まず、本発明のフォトレジスト膜にマスクを介
して、ＫｒＦ又はＡｒＦエキシマレーザーを露光し、次
いで現像する。この時、マスクパターンが第１パターニ
ング時に最上層５に転写する。
【００３６】次いで、露出された部分の中間層４を酸素
プラズマで最下層３が露出するまでエッチングする。こ
の時、最上層５に転写したパターンが中間層４に転写す
る。次いで、ｉ線又はＫｒＦエキシマレーザーをマスク
を介さず全面露光する。この時、中間層４に転写された
パターンが最下層３に転写する。
プラズマで最下層３が露出するまでエッチングする。こ
の時、最上層５に転写したパターンが中間層４に転写す
る。次いで、ｉ線又はＫｒＦエキシマレーザーをマスク
を介さず全面露光する。この時、中間層４に転写された
パターンが最下層３に転写する。
【００３７】本発明のフォトレジストパターン形成方法
において、第１パターニングするに際し、加熱処理によ
ってレジスト内の酸を効果的に拡散させ、良好なパター
ン形状にするのが好ましい。更に、第２パターニングに
際し、加熱処理によってレジスト内の酸を効果的に拡散
させ、良好なパターン形状にするのが好ましい。これら
の加熱処理は、通常ＰＥＢ（Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｕｒｅ
Ｂａｋｅ）と呼ばれるもので、露光のみでは酸が不足
している場合、その酸を増幅させ、且つ、定在波による
酸の分布の不均一性を是正する目的で実施する。加熱温
度及び処理時間は、酸の濃度、レジストの組成等によっ
て適宜決定される。
において、第１パターニングするに際し、加熱処理によ
ってレジスト内の酸を効果的に拡散させ、良好なパター
ン形状にするのが好ましい。更に、第２パターニングに
際し、加熱処理によってレジスト内の酸を効果的に拡散
させ、良好なパターン形状にするのが好ましい。これら
の加熱処理は、通常ＰＥＢ（Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｕｒｅ
Ｂａｋｅ）と呼ばれるもので、露光のみでは酸が不足
している場合、その酸を増幅させ、且つ、定在波による
酸の分布の不均一性を是正する目的で実施する。加熱温
度及び処理時間は、酸の濃度、レジストの組成等によっ
て適宜決定される。
【００３８】次いで、現像される。本発明において現像
は、通常の現像法にて実施される。具体的には、例え
ば、ＴＭＡＨ２．３８％の水溶液（現像液）をレジスト
面に浸し、その後、現像液を乾燥させることにより実施
される。
は、通常の現像法にて実施される。具体的には、例え
ば、ＴＭＡＨ２．３８％の水溶液（現像液）をレジスト
面に浸し、その後、現像液を乾燥させることにより実施
される。
【００３９】本発明の最下層３、中間層４及び最上層５
の形成は、通常のフォトリソグラフィ工程において採用
されるように、スピンコート法によって形成できる。ま
た、必要に応じ、基板の親油化、コート後の溶媒除去及
びレジスト硬化のための加熱処理を実施することが好ま
しい。
の形成は、通常のフォトリソグラフィ工程において採用
されるように、スピンコート法によって形成できる。ま
た、必要に応じ、基板の親油化、コート後の溶媒除去及
びレジスト硬化のための加熱処理を実施することが好ま
しい。
【００４０】尚、最下層に形成されるレジスト材料はｉ
線に感光する材料としてノボラック系樹脂が挙げられ、
また、ＫｒＦエキシマレーザーに感光する材料として、
アセタール基、若しくは、ｔ−ブトキシカルボニル基等
で水酸基を保護されたポリビニルフェノールが挙げられ
る。
線に感光する材料としてノボラック系樹脂が挙げられ、
また、ＫｒＦエキシマレーザーに感光する材料として、
アセタール基、若しくは、ｔ−ブトキシカルボニル基等
で水酸基を保護されたポリビニルフェノールが挙げられ
る。
【００４１】また、中間層としては、放射線を遮光する
ための染料を含有させ、且つ、ドライエッチングレート
の高いアクリル系の樹脂を主成分とする材料が挙げられ
る。
ための染料を含有させ、且つ、ドライエッチングレート
の高いアクリル系の樹脂を主成分とする材料が挙げられ
る。
【００４２】更に、最上層に形成されるレジスト材料と
しては、ＫｒＦエキシマレーザーに感光するアセタール
基、若しくは、ｔ−ブトキシカルボニル基等で水酸基を
保護されたポリビニルフェノールが挙げられ、また、Ａ
ｒＦエキシマレーザーで感光する材料としては、メタク
リル酸とｔｅｒｔ−ブチルメタクリレートとメチルメタ
クリレートとの３元共重合体レジスト、メタクリル酸と
ｔｅｒｔ−ブチルメタクリレートとアダマンチルメタク
リレートの３元共重合体レジスト、メタクリル酸とｔｅ
ｒｔ−ブチルメタクリレートとメチルメタクリレートと
イソボルニルメタクリレートとの４元共重合体レジス
ト、メタクリル酸とｔｅｒｔ−ブチルメタクリレートと
メチルメタクリレートとアダマンチルメタクリレートと
の４元共重合体レジスト等が挙げられる。
しては、ＫｒＦエキシマレーザーに感光するアセタール
基、若しくは、ｔ−ブトキシカルボニル基等で水酸基を
保護されたポリビニルフェノールが挙げられ、また、Ａ
ｒＦエキシマレーザーで感光する材料としては、メタク
リル酸とｔｅｒｔ−ブチルメタクリレートとメチルメタ
クリレートとの３元共重合体レジスト、メタクリル酸と
ｔｅｒｔ−ブチルメタクリレートとアダマンチルメタク
リレートの３元共重合体レジスト、メタクリル酸とｔｅ
ｒｔ−ブチルメタクリレートとメチルメタクリレートと
イソボルニルメタクリレートとの４元共重合体レジス
ト、メタクリル酸とｔｅｒｔ−ブチルメタクリレートと
メチルメタクリレートとアダマンチルメタクリレートと
の４元共重合体レジスト等が挙げられる。
【００４３】実施例１ 約０．５μｍのＳｉＮ膜を形成した６インチのシリコン
ウエハを希フッ酸溶液で洗浄した後、高温で乾燥してウ
エハ表面を処理した。次いで、ヘキサメチルジシランザ
ン（ＨＭＤＳ）にて表面を親油化した。次いで、最下層
としてＫｒＦエキシマレーザーに感光し、ポリビニルフ
ェノールを骨格樹脂とするレジストを表１に示す膜厚で
塗布する。次いで、表１に示す性質（ＫｒＦエキシマレ
ーザー、及びＡｒＦエキシマレーザーに対する透過度、
膜厚、最下層レジストに対するエッチングレート）の有
機膜を中間層として塗布した。次いで、ＡｒＦエキシマ
レーザーに感光し、表１に示す性質（膜厚、最下層レジ
ストに対するエッチングレート）のレジスト膜を最上層
として形成した。尚、表１において、第一層とは最下
層、第二層とは中間層、第三層とは最上層を示す。
ウエハを希フッ酸溶液で洗浄した後、高温で乾燥してウ
エハ表面を処理した。次いで、ヘキサメチルジシランザ
ン（ＨＭＤＳ）にて表面を親油化した。次いで、最下層
としてＫｒＦエキシマレーザーに感光し、ポリビニルフ
ェノールを骨格樹脂とするレジストを表１に示す膜厚で
塗布する。次いで、表１に示す性質（ＫｒＦエキシマレ
ーザー、及びＡｒＦエキシマレーザーに対する透過度、
膜厚、最下層レジストに対するエッチングレート）の有
機膜を中間層として塗布した。次いで、ＡｒＦエキシマ
レーザーに感光し、表１に示す性質（膜厚、最下層レジ
ストに対するエッチングレート）のレジスト膜を最上層
として形成した。尚、表１において、第一層とは最下
層、第二層とは中間層、第三層とは最上層を示す。
【００４４】次いで、ＡｒＦエキシマレーザー露光装置
（プロトタイプ機、ニコン製）を用い、マスクサイズ
０．１５μｍのラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）パター
ンが形成できるようにエキシマレーザーを照射した。次
いで、１２０℃で９０秒間加熱処理し、現像した。
（プロトタイプ機、ニコン製）を用い、マスクサイズ
０．１５μｍのラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）パター
ンが形成できるようにエキシマレーザーを照射した。次
いで、１２０℃で９０秒間加熱処理し、現像した。
【００４５】次に、酸素プラズマによるエッチング装置
（商品名「Ｐ５０００」、アプライドマテリアルズ社
製）を用いて、先のパターニングで露呈した中間層が完
全に除去するまでエッチングした。
（商品名「Ｐ５０００」、アプライドマテリアルズ社
製）を用いて、先のパターニングで露呈した中間層が完
全に除去するまでエッチングした。
【００４６】次いで、ＫｒＦエキシマレーザー露光装置
（商品名「ＦＰＡ−３０００ＥＸ３、キャノン（株）
製」）を用い、ウエハ全面に照射した。次いで、１０５
℃で９０秒間加熱処理し、現像した。
（商品名「ＦＰＡ−３０００ＥＸ３、キャノン（株）
製」）を用い、ウエハ全面に照射した。次いで、１０５
℃で９０秒間加熱処理し、現像した。
【００４７】尚、上記２回の現像はＴＭＡＨ２．３８％
の現像液を用いて実施した。
の現像液を用いて実施した。
【００４８】次いで、ウエハ断面を電子顕微鏡にて観察
した。結果を表１に併せて示す。
した。結果を表１に併せて示す。
【００４９】レジストの最終パターン形成後、マグネト
ロンＲＩＥエッチング装置を用い、ウエハ表面（Ｓｉ
Ｎ）を深さ０．３μｍまでエッチングした。更に、その
断面を電子顕微鏡にて観察した。結果を表１に併せて示
す。
ロンＲＩＥエッチング装置を用い、ウエハ表面（Ｓｉ
Ｎ）を深さ０．３μｍまでエッチングした。更に、その
断面を電子顕微鏡にて観察した。結果を表１に併せて示
す。
【００５０】
【表１】
【００５１】比較例１ 実施例１の最下層形成時に使用したレジストのみを塗布
し、中間層及び最上層を形成しないレジスト膜を実施例
１と同様に作製し、マスクサイズ０．１５μｍのＬ／Ｓ
パターンのマスクを介してＫｒＦエキシマレーザーに変
形照明法（シュリンク）を加え、照射した。次いで、１
１０℃で９０秒間加熱処理し、現像処理を施し、断面を
観察した。その結果を表１に示す。
し、中間層及び最上層を形成しないレジスト膜を実施例
１と同様に作製し、マスクサイズ０．１５μｍのＬ／Ｓ
パターンのマスクを介してＫｒＦエキシマレーザーに変
形照明法（シュリンク）を加え、照射した。次いで、１
１０℃で９０秒間加熱処理し、現像処理を施し、断面を
観察した。その結果を表１に示す。
【００５２】膜厚が厚い（４０００Å程度）と解像度が
悪化した。一方、膜厚を薄く（２０００Å程度）すると
パターニングはほぼ良好であったが、膜厚が薄いためエ
ッチングに耐えられず、エッチング後はレジストがすべ
て除去され、正常なエッチング面は得られなかった。
悪化した。一方、膜厚を薄く（２０００Å程度）すると
パターニングはほぼ良好であったが、膜厚が薄いためエ
ッチングに耐えられず、エッチング後はレジストがすべ
て除去され、正常なエッチング面は得られなかった。
【００５３】比較例２ 実施例１の最下層及び中間層を形成したレジストを用い
ず、最上層形成時に使用したレジストのみを塗布したフ
ォトレジスト膜を実施例１と同様に作製し、実施例１と
同じマスクを介して、ＡｒＦエキシマレーザーを照射
し、加熱処理、現像処理を施し、断面を観察した。その
結果を表１に示す。
ず、最上層形成時に使用したレジストのみを塗布したフ
ォトレジスト膜を実施例１と同様に作製し、実施例１と
同じマスクを介して、ＡｒＦエキシマレーザーを照射
し、加熱処理、現像処理を施し、断面を観察した。その
結果を表１に示す。
【００５４】レジストパターン形成後、実施例１と同様
にウエハ表面を深さ０．３μｍまでエッチングし、その
断面を電子顕微鏡にて観察した。結果を表１に示す。膜
厚が厚い（５０００Å程度）と解像性が悪化した。一
方、膜厚を薄く（３０００Å）するとパターニングはほ
ぼ良好であったが、膜厚が薄いため、エッチングには耐
えられず、エッチング後はレジストが全て除去され、正
常なエッチング面は得られなかった。
にウエハ表面を深さ０．３μｍまでエッチングし、その
断面を電子顕微鏡にて観察した。結果を表１に示す。膜
厚が厚い（５０００Å程度）と解像性が悪化した。一
方、膜厚を薄く（３０００Å）するとパターニングはほ
ぼ良好であったが、膜厚が薄いため、エッチングには耐
えられず、エッチング後はレジストが全て除去され、正
常なエッチング面は得られなかった。
【００５５】比較例３ 実施例１の中間層を形成した有機質膜は形成せず、最下
層及び最上層のみの２層からなるレジスト膜を作製し、
実施例１と同様のマスクを介して、ＡｒＦエキシマレー
ザーを照射し、加熱処理、現像処理を施し、次いで、Ｋ
ｒＦエキシマレーザーを全面に照射し、加熱処理、現像
処理を施した。次いで、断面を観察した。その結果を表
１に示す。全面の露光の際、最下層全てが感光され、図
５（ｃ）に見られるように最下層が膜減りし、パターン
幅も不均一であった。その後のエッチング処理を施した
ところ、線幅が不均一なパターンとなった。
層及び最上層のみの２層からなるレジスト膜を作製し、
実施例１と同様のマスクを介して、ＡｒＦエキシマレー
ザーを照射し、加熱処理、現像処理を施し、次いで、Ｋ
ｒＦエキシマレーザーを全面に照射し、加熱処理、現像
処理を施した。次いで、断面を観察した。その結果を表
１に示す。全面の露光の際、最下層全てが感光され、図
５（ｃ）に見られるように最下層が膜減りし、パターン
幅も不均一であった。その後のエッチング処理を施した
ところ、線幅が不均一なパターンとなった。
【００５６】実施例２ 約０．５μｍのポリシリコン膜を形成した８インチのシ
リコンウエハを硫酸溶液で洗浄した後、高温で乾燥して
ウエハ表面を処理した。次いで、ＨＭＤＳにて表面を親
油化した。最下層としてｉ線に感光し、ノボラック樹脂
を骨格樹脂とするレジストを膜厚３５００Åで塗布し
た。次いで、ｉ線に対する透過度２０％、ＡｒＦエキシ
マレーザーに対する透過度１５％、膜厚８００Å、最下
層レジストに対するエッチングレート１．４倍の有機質
膜を中間層に塗布した。次いで、ＡｒＦエキシマレーザ
ーに感光し、膜厚８００Å、最下層レジストに対するエ
ッチングレート１．２倍のレジスト膜を最上層として形
成した。
リコンウエハを硫酸溶液で洗浄した後、高温で乾燥して
ウエハ表面を処理した。次いで、ＨＭＤＳにて表面を親
油化した。最下層としてｉ線に感光し、ノボラック樹脂
を骨格樹脂とするレジストを膜厚３５００Åで塗布し
た。次いで、ｉ線に対する透過度２０％、ＡｒＦエキシ
マレーザーに対する透過度１５％、膜厚８００Å、最下
層レジストに対するエッチングレート１．４倍の有機質
膜を中間層に塗布した。次いで、ＡｒＦエキシマレーザ
ーに感光し、膜厚８００Å、最下層レジストに対するエ
ッチングレート１．２倍のレジスト膜を最上層として形
成した。
【００５７】次いで、実施例１と同じＡｒＦエキシマレ
ーザー露光装置を用い、マスクサイズ０．１６μｍのＬ
／Ｓパターンが形成できるようにエキシマレーザーを照
射した。次いで、１２０℃で９０秒間加熱処理し、現像
した。
ーザー露光装置を用い、マスクサイズ０．１６μｍのＬ
／Ｓパターンが形成できるようにエキシマレーザーを照
射した。次いで、１２０℃で９０秒間加熱処理し、現像
した。
【００５８】次いで、実施例１と同様に酸素プラズマを
用いて先のパターニングで露呈した中間層が完全に除去
されるまでエッチングした。
用いて先のパターニングで露呈した中間層が完全に除去
されるまでエッチングした。
【００５９】次いで、ｉ線露光装置（商品名「ＮＳＲ２
００５ｉ９Ｃ」、ニコン（株）製）を用い、ウエハ全面
に照射した。次いで、１０５℃で９０秒間加熱処理し、
原像し、パターニングした。
００５ｉ９Ｃ」、ニコン（株）製）を用い、ウエハ全面
に照射した。次いで、１０５℃で９０秒間加熱処理し、
原像し、パターニングした。
【００６０】実施例１と同様にウエハ断面を電子顕微鏡
にて観察したところ、良好なパターン形状であった。更
に、実施例１と同様にレジストパターン形成後、ヘリコ
ン波プラズマエッチング装置を用い、ウエハ表面を深さ
０．３μｍまでエッチングした。その断面を電子顕微鏡
にて観察したところ、良好にエッチングされていた。
にて観察したところ、良好なパターン形状であった。更
に、実施例１と同様にレジストパターン形成後、ヘリコ
ン波プラズマエッチング装置を用い、ウエハ表面を深さ
０．３μｍまでエッチングした。その断面を電子顕微鏡
にて観察したところ、良好にエッチングされていた。
【００６１】実施例３ 約０．３μｍのＳｉＮ膜を形成した８インチのシリコン
ウエハを硫酸溶液で洗浄した後、高温で乾燥してウエハ
表面を処理した。次いで、ヘキサメチルジシランザン
（ＨＭＤＳ）にて表面を親油化した。次いで、最下層と
してｉ線に感光し、ノボラック樹脂を骨格樹脂とするレ
ジストを４５００Åで塗布した。ｉ線に対する透過度２
０％、ＫｒＦエキシマレーザーに対する透過度１５％、
膜厚６５０Å、最下層レジストに対するエッチングレー
ト１．３倍の有機質膜を中間層に塗布した。次いで、Ｋ
ｒＦエキシマレーザーに感光し、膜厚７００Å、最下層
レジストに対するエッチングレート１．３倍のレジスト
膜を最上層として形成した。
ウエハを硫酸溶液で洗浄した後、高温で乾燥してウエハ
表面を処理した。次いで、ヘキサメチルジシランザン
（ＨＭＤＳ）にて表面を親油化した。次いで、最下層と
してｉ線に感光し、ノボラック樹脂を骨格樹脂とするレ
ジストを４５００Åで塗布した。ｉ線に対する透過度２
０％、ＫｒＦエキシマレーザーに対する透過度１５％、
膜厚６５０Å、最下層レジストに対するエッチングレー
ト１．３倍の有機質膜を中間層に塗布した。次いで、Ｋ
ｒＦエキシマレーザーに感光し、膜厚７００Å、最下層
レジストに対するエッチングレート１．３倍のレジスト
膜を最上層として形成した。
【００６２】次いで、ＡｒＦエキシマレーザー露光装置
を用い、マスクサイズ０．１７μｍのＬ／Ｓパターンが
形成できるようにエキシマレーザーを照射した。次い
で、１２０℃で９０秒間加熱処理し、現像した。
を用い、マスクサイズ０．１７μｍのＬ／Ｓパターンが
形成できるようにエキシマレーザーを照射した。次い
で、１２０℃で９０秒間加熱処理し、現像した。
【００６３】次に、実施例１と同様に酸素プラズマによ
るエッチング装置を用いて、先のパターニングで露呈し
た中間層が完全に除去するまでエッチングした。
るエッチング装置を用いて、先のパターニングで露呈し
た中間層が完全に除去するまでエッチングした。
【００６４】次いで、ｉ線露光装置を用い、ウエハ全面
に照射した。次いで、１０５℃で９０秒間加熱処理し、
現像した。尚、上記２回の現像はＴＭＡＨ２．３８％の
現像液を用いて実施した。次いで、ウエハ断面を電子顕
微鏡にて観察したところ、良好なパターン形状であっ
た。
に照射した。次いで、１０５℃で９０秒間加熱処理し、
現像した。尚、上記２回の現像はＴＭＡＨ２．３８％の
現像液を用いて実施した。次いで、ウエハ断面を電子顕
微鏡にて観察したところ、良好なパターン形状であっ
た。
【００６５】更に、実施例１と同様にレジストパターン
形成後、マグネトロンＲＩＥエッチング装置を用い、ウ
エハ表面を深さ０．４μｍまでエッチングした。その断
面を電子顕微鏡にて観察したところ、良好にエッチング
されていた。
形成後、マグネトロンＲＩＥエッチング装置を用い、ウ
エハ表面を深さ０．４μｍまでエッチングした。その断
面を電子顕微鏡にて観察したところ、良好にエッチング
されていた。
【００６６】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明を
用いることにより、ＫｒＦエキシマレーザー又ＡｒＦエ
キシマレーザーを用いてパターニングする際、レジスト
膜厚起因の解像度低下を招くことなく、また、ドライエ
ッチング耐性を劣化させることなくパターニングできる
フォトレジストパターンを形成することができる。
用いることにより、ＫｒＦエキシマレーザー又ＡｒＦエ
キシマレーザーを用いてパターニングする際、レジスト
膜厚起因の解像度低下を招くことなく、また、ドライエ
ッチング耐性を劣化させることなくパターニングできる
フォトレジストパターンを形成することができる。
【００６７】また、請求項２に記載の本発明を用いるこ
とにより、ドライエッチング耐性を向上させることがで
きる。
とにより、ドライエッチング耐性を向上させることがで
きる。
【００６８】また、請求項３に記載の本発明を用いるこ
とにより、パターン寸法の安定性を向上させることがで
きる。
とにより、パターン寸法の安定性を向上させることがで
きる。
【００６９】また、請求項４に記載の本発明を用いるこ
とにより、エッチング耐性及び解像性の優れたフォトレ
ジストが得られる。
とにより、エッチング耐性及び解像性の優れたフォトレ
ジストが得られる。
【００７０】また、請求項５に記載の本発明を用いるこ
とにより、照射線の遮光が十分で且つ、寸法制御性の良
好なフォトレジストが得られる。
とにより、照射線の遮光が十分で且つ、寸法制御性の良
好なフォトレジストが得られる。
【００７１】また、請求項６に記載の本発明を用いるこ
とにより、中間層の遮光性を十分に保ち、且つ、解像性
が良好なフォトレジストが得られる。
とにより、中間層の遮光性を十分に保ち、且つ、解像性
が良好なフォトレジストが得られる。
【００７２】更に、請求項７又は請求項８に記載の本発
明を用いることにより、より良好なパターン形状が得ら
れる。
明を用いることにより、より良好なパターン形状が得ら
れる。
【図１】本発明のフォトレジスト膜が被エッチング膜上
に形成された状態を示す図である。
に形成された状態を示す図である。
【図２】本発明のフォトレジスト膜のパターン形成工程
の一部断面図である。
の一部断面図である。
【図３】本発明のフォトレジスト膜のパターン形成工程
の一部断面図である。
の一部断面図である。
【図４】本発明のフォトレジスト膜のパターン形成工程
の一部断面図である。
の一部断面図である。
【図５】従来のフォトレジスト膜のパターン形成工程の
一部断面図である。
一部断面図である。
１ ウエハ基板 ２ 被エッチング膜 ３ 最下層 ４ 中間層 ５ 最上層 ６ マスク
Claims (9)
- 【請求項１】 最下層、中間層及び最上層の３層構造で
あって、 最下層がｉ線で、且つ、最上層がＫｒＦエキシマレーザ
ーで感光する、又は、最下層がＫｒＦエキシマレーザー
で、且つ、最上層がＡｒＦエキシマレーザーで感光す
る、又は、最下層がｉ線で、且つ、最上層がＡｒＦエキ
シマレーザーで感光するフォトレジスト膜であり、 中間層が上記ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザー及びＡｒＦ
エキシマレーザーに対して所定の透過率を有する有機質
の遮光膜であることを特徴とするフォトレジスト膜。 - 【請求項２】 上記最下層が少なくともベンゼン環を主
鎖または側鎖に成分要素として含んでいることを特徴と
する、請求項１記載のフォトレジスト膜。 - 【請求項３】 上記中間層の透過率が５０％以下である
ことを特徴とする、請求項１又は請求項２に記載のフォ
トレジスト膜。 - 【請求項４】 上記最下層の膜厚が３０００Å以上、且
つ、７０００Å以下であることを特徴とする、請求項１
乃至請求項３のいずれかに記載のフォトレジスト膜。 - 【請求項５】 上記中間層の膜厚が２００Å以上、且
つ、２０００Å以下であることを特徴とする、請求項１
乃至請求項４のいずれかに記載のフォトレジスト膜。 - 【請求項６】 上記最上層の膜厚が５００Å以上、且
つ、３０００Å以下であることを特徴とする、請求項１
乃至請求項５のいずれかに記載のフォトレジスト膜。 - 【請求項７】 請求項１乃至請求項６のいずれかに記載
のフォトレジスト膜を被エッチング層上に形成する工程
と、 所定の形状のマスクを用いて、ＫｒＦエキシマレーザ−
又はＡｒＦエキシマレーザ−を照射し、上記最上層のみ
をパターニングする工程と、 上記パターニングにより露出した中間層を酸素プラズマ
により、上記最下層表面が露出するまでエッチングする
工程と、 上記最下層がｉ線で感光するレジストを形成した場合は
ｉ線を、また、上記最下層がＫｒＦエキシマレーザーで
感光するレジストを形成した場合はＫｒＦエキシマレー
ザ−を、全面に照射することにより、上記最下層をパタ
ーニングする工程とを有することを特徴とする、フォト
レジスト膜のパターン形成方法。 - 【請求項８】 上記最上層への照射後に加熱処理を施す
ことを特徴とする、請求項７に記載のフォトレジスト膜
のパターン形成方法。 - 【請求項９】 上記最下層への照射後に加熱処理を施す
ことを特徴とする、請求項７又は請求項８に記載のフォ
トレジスト膜のパターン形成方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04001298A JP3373147B2 (ja) | 1998-02-23 | 1998-02-23 | フォトレジスト膜及びそのパターン形成方法 |
| EP99301320A EP0940719A3 (en) | 1998-02-23 | 1999-02-23 | Photoresist film and method for forming a pattern thereof |
| US09/255,757 US6100010A (en) | 1998-02-23 | 1999-02-23 | Photoresist film and method for forming pattern thereof |
| TW088102633A TW412784B (en) | 1998-02-23 | 1999-02-23 | Photoresist film and method for forming pattern thereof |
| KR1019990005915A KR100287130B1 (ko) | 1998-02-23 | 1999-02-23 | 포토레지스트막 및 그의 패턴형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04001298A JP3373147B2 (ja) | 1998-02-23 | 1998-02-23 | フォトレジスト膜及びそのパターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11237745A true JPH11237745A (ja) | 1999-08-31 |
| JP3373147B2 JP3373147B2 (ja) | 2003-02-04 |
Family
ID=12569006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04001298A Expired - Fee Related JP3373147B2 (ja) | 1998-02-23 | 1998-02-23 | フォトレジスト膜及びそのパターン形成方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6100010A (ja) |
| EP (1) | EP0940719A3 (ja) |
| JP (1) | JP3373147B2 (ja) |
| KR (1) | KR100287130B1 (ja) |
| TW (1) | TW412784B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100527398B1 (ko) * | 2001-06-28 | 2005-11-15 | 주식회사 하이닉스반도체 | 불화아르곤 전사법을 이용한 자기 정렬 콘택 형성 방법 |
| JP2013016650A (ja) * | 2011-07-04 | 2013-01-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | サンプルドグレーティングの形成方法及び半導体レーザの製造方法 |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2365984B (en) * | 2000-02-18 | 2002-08-14 | Murata Manufacturing Co | Resist pattern and method for forming wiring pattern |
| EP1229390A4 (en) * | 2000-06-22 | 2004-06-02 | Toray Industries | POSITIVE RADIOSENSITIVE COMPOSITION AND METHOD FOR PRODUCING STRUCTURES USING THE SAME |
| FR2812450B1 (fr) * | 2000-07-26 | 2003-01-10 | France Telecom | Resine, bi-couche de resine pour photolithographie dans l'extreme ultraviolet (euv) et procede de photolithogravure en extreme ultraviolet (euv) |
| JP3830777B2 (ja) * | 2001-06-14 | 2006-10-11 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| WO2003027767A2 (de) * | 2001-09-11 | 2003-04-03 | Infineon Technologies Ag | Mittel und verfahren zur strukturierung eines substrates mit einer maske |
| KR100425467B1 (ko) * | 2001-09-29 | 2004-03-30 | 삼성전자주식회사 | 반도체소자를 위한 건식 식각방법 |
| US6764808B2 (en) * | 2002-02-27 | 2004-07-20 | Advanced Micro Devices, Inc. | Self-aligned pattern formation using wavelenghts |
| JP4280574B2 (ja) * | 2002-07-10 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 液体吐出ヘッドの製造方法 |
| EP1507171A3 (en) * | 2003-08-15 | 2008-03-05 | FUJIFILM Corporation | Light-Sensitive sheet comprising support, first and second light-sensitive layers and barrier layer |
| US20050170287A1 (en) * | 2004-01-30 | 2005-08-04 | Kanga Rustom S. | Photosensitive printing sleeves and method of forming the same |
| JP4660826B2 (ja) * | 2006-08-18 | 2011-03-30 | 山栄化学株式会社 | レジストパターンの形成方法 |
| CN111799156A (zh) * | 2020-07-16 | 2020-10-20 | 上海华力微电子有限公司 | 高深宽比图形的形成方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4370405A (en) * | 1981-03-30 | 1983-01-25 | Hewlett-Packard Company | Multilayer photoresist process utilizing an absorbant dye |
| US4591546A (en) * | 1984-06-11 | 1986-05-27 | General Electric Company | Spin castable resist composition and use |
| US4770739A (en) * | 1987-02-03 | 1988-09-13 | Texas Instruments Incorporated | Bilayer photoresist process |
| DE4018427A1 (de) * | 1990-06-14 | 1992-01-16 | Samsung Electronics Co Ltd | Fotolitographie-verfahren zur ausbildung eines feinlinigen musters |
| JPH07142365A (ja) | 1993-11-13 | 1995-06-02 | Nec Corp | 多層レジストパターンの形成方法 |
| US5871886A (en) * | 1996-12-12 | 1999-02-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Sandwiched middle antireflection coating (SMARC) process |
-
1998
- 1998-02-23 JP JP04001298A patent/JP3373147B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-02-23 TW TW088102633A patent/TW412784B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-02-23 EP EP99301320A patent/EP0940719A3/en not_active Withdrawn
- 1999-02-23 US US09/255,757 patent/US6100010A/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-02-23 KR KR1019990005915A patent/KR100287130B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100527398B1 (ko) * | 2001-06-28 | 2005-11-15 | 주식회사 하이닉스반도체 | 불화아르곤 전사법을 이용한 자기 정렬 콘택 형성 방법 |
| JP2013016650A (ja) * | 2011-07-04 | 2013-01-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | サンプルドグレーティングの形成方法及び半導体レーザの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| KR19990072848A (ko) | 1999-09-27 |
| EP0940719A2 (en) | 1999-09-08 |
| KR100287130B1 (ko) | 2001-04-16 |
| EP0940719A3 (en) | 2001-05-16 |
| TW412784B (en) | 2000-11-21 |
| US6100010A (en) | 2000-08-08 |
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