JPWO2015170590A1 - グレーティング素子の実装構造の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
実装基板、実装基板上のクラッド層およびクラッド層上の光学材料層を有する積層体の所定箇所に複数のブラッググレーティングを形成する工程;
少なくとも各ブラッググレーティングを含むようにそれぞれチャンネル型光導波路を形成する工程;
グレーティング素子に対応する領域を被覆するマスクを光学材料層上に形成する工程;および
前記光学材料層および前記クラッド層をエッチングすることによって前記各グレーティング素子の端面を成形する工程
を有することを特徴とする。
少なくとも各ブラッググレーティングを含むようにそれぞれチャンネル型光導波路を形成する工程;
光導波路形成後に光学材料層上にバッファ層を形成する工程;
グレーティング素子に対応する領域を被覆するマスクをバッファ層上に形成する工程;および
バッファ層、光学材料層、およびクラッド層をエッチングすることによって各グレーティング素子の端面を成形する工程を有することを特徴とする。
本構造は、微細パターンの周期Λおよび深さが、伝搬する光学材料層の屈折率n(あるいは、実効屈折率neff)に対して、λ/n(あるいは、λ/neff)の1/2以下であることが好ましい。
図2(a)に示すように、実装基板3を準備する。実装基板の具体的材質は特に限定されず,ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、AlN、SiC、ZnO、石英ガラスなどのガラス、合成石英、水晶、Si、などを例示することができる。
マスク材料層の材質としては、Cr、Ni、Ti、WSi、Al、およびその多層膜が例示できる。
ドライエッチングは例えば、反応性エッチング等が有り、ガス種としてフッ素系・塩素系が例示できる。
ウェットエッチングは例えば、フッ酸系やTMAH系が例示できる。
こうした光導波路端面の光軸に対する角度は、90°±10°であることが好ましい。
図2〜図8を参照しつつ説明した方法によって、図8に示す光学素子を製造した。
ただし、具体的には、実装基板3としては石英基板を使用した。次いで、実装基板3上にクラッド層4を形成した。クラッド材料としては、SiO2を用い、クラッド層の厚さは1μmとし、クラッド層はスパッタ法によって形成した。
実施例1に記載したようにして、実装基板3上に多数のグレーティング素子を作製した。
図2〜図8を参照しつつ説明した方法によって、サブ波長格子構造を有した波長変換素子を製造した。
実装基板3としては石英基板を使用した。次いで、実装基板3上にクラッド層4を形成した。クラッド材料としては、SiO2を用い、クラッド層の厚さは1μmとし、クラッド層はスパッタ法によって形成した。
すなわち、サブ波長格子構造を有した波長変換素子を製造した場合には、本発明の効果が得られなかった。
Claims (10)
- 実装基板、およびこの実装基板上に設けられた複数のグレーティング素子を備えている実装構造を製造する方法であって、
実装基板、前記実装基板上のクラッド層および前記クラッド層上の光学材料層を有する積層体の所定箇所に複数のブラッググレーティングを形成する工程;
少なくとも前記の各ブラッググレーティングを含むようにそれぞれ光導波路を形成する工程;
前記グレーティング素子に対応する領域を被覆するマスクを前記光学材料層上に形成する工程;および
前記光学材料層および前記クラッド層をエッチングすることによって前記各グレーティング素子の端面を成形する工程
を有することを特徴とする、実装構造の製造方法。 - 前記各グレーティング素子の前記端面を形成した後に、前記光学材料層上に上側クラッド層を形成するとともに前記グレーティング素子の前記端面に単層膜を形成することを特徴とする、請求項1記載の方法。
- 前記光導波路がリッジ型光導波路であり、前記光学材料層をエッチングすることによって、前記リッジ型光導波路を成形するリッジ溝を設けることを特徴とする、請求項1または2記載の方法。
- 前記ブラッググレーティングをナノインプリント法によって形成することを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一つの請求項に記載の方法。
- 前記実装基板上において、隣り合う前記グレーティング素子の間に空隙が設けられており、前記実装基板の前記空隙に対する露出面が平坦面であることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一つの請求項に記載の方法。
- 実装基板、およびこの実装基板上に設けられた複数のグレーティング素子を備えている実装構造を製造する方法であって、
実装基板、前記実装基板上のクラッド層および前記クラッド層上の光学材料層を有する積層体の所定箇所に複数のブラッググレーティングを形成する工程;
少なくとも前記の各ブラッググレーティングを含むようにそれぞれ光導波路を形成する工程;
前記光導波路形成後に前記光学材料層上にバッファ層を形成する工程;
前記グレーティング素子に対応する領域を被覆するマスクを前記
バッファ層上に形成する工程;および
前記バッファ層、前記光学材料層、および前記クラッド層をエッチングすることによって前記各グレーティング素子の端面を成形する工程
を有することを特徴とする、実装構造の製造方法。 - 前記各グレーティング素子の前記端面を形成した後に、前記バッファ層上に上側クラッド層を形成するとともに前記グレーティング素子の前記端面に単層膜を形成することを特徴とする、請求項6記載の方法。
- 前記光導波路がリッジ型光導波路であり、前記光学材料層をエッチングすることによって、前記リッジ型光導波路を成形するリッジ溝を設けることを特徴とする、請求項6または7記載の方法。
- 前記ブラッググレーティングをナノインプリント法によって形成することを特徴とする、請求項6〜8のいずれか一つの請求項に記載の方法。
- 前記実装基板上において、隣り合う前記グレーティング素子の間に空隙が設けられており、前記実装基板の前記空隙に対する露出面が平坦面であることを特徴とする、請求項6〜9のいずれか一つの請求項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014096019 | 2014-05-07 | ||
JP2014096019 | 2014-05-07 | ||
PCT/JP2015/062189 WO2015170590A1 (ja) | 2014-05-07 | 2015-04-22 | グレーティング素子の実装構造の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2015170590A1 true JPWO2015170590A1 (ja) | 2017-04-20 |
JP6491646B2 JP6491646B2 (ja) | 2019-03-27 |
Family
ID=54392443
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016517862A Active JP6491646B2 (ja) | 2014-05-07 | 2015-04-22 | グレーティング素子の実装構造の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9874694B2 (ja) |
JP (1) | JP6491646B2 (ja) |
CN (1) | CN106233176B (ja) |
DE (1) | DE112015002127B4 (ja) |
WO (1) | WO2015170590A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2015
- 2015-04-22 DE DE112015002127.2T patent/DE112015002127B4/de active Active
- 2015-04-22 WO PCT/JP2015/062189 patent/WO2015170590A1/ja active Application Filing
- 2015-04-22 CN CN201580018709.7A patent/CN106233176B/zh active Active
- 2015-04-22 JP JP2016517862A patent/JP6491646B2/ja active Active
-
2016
- 2016-10-12 US US15/291,382 patent/US9874694B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9874694B2 (en) | 2018-01-23 |
CN106233176B (zh) | 2019-08-16 |
US20170031097A1 (en) | 2017-02-02 |
CN106233176A (zh) | 2016-12-14 |
DE112015002127B4 (de) | 2022-01-13 |
JP6491646B2 (ja) | 2019-03-27 |
DE112015002127T5 (de) | 2017-03-16 |
WO2015170590A1 (ja) | 2015-11-12 |
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