JP4940784B2 - インプリント用モールドおよびインプリント用モールド製造方法 - Google Patents
インプリント用モールドおよびインプリント用モールド製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4940784B2 JP4940784B2 JP2006177943A JP2006177943A JP4940784B2 JP 4940784 B2 JP4940784 B2 JP 4940784B2 JP 2006177943 A JP2006177943 A JP 2006177943A JP 2006177943 A JP2006177943 A JP 2006177943A JP 4940784 B2 JP4940784 B2 JP 4940784B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mold
- sol
- pattern
- gel
- imprint
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
Description
これまで、半導体デバイスの製造プロセスなど微細加工が要求されるパターンの形成には、転写パターンを形成したフォトマスクと呼ばれる原版を用い、レーザー光による縮小露光を行い、半導体基板上にパターンを転写するいわゆるフォトリソグラフィ法が使われている。
このような背景から、今日、インプリント法(もしくはナノインプリント法)と呼ばれる非常に簡易であるが大量生産にも向く、微細なパターンを忠実に転写可能な技術が提案されている。ここで、インプリント法とナノインプリント法に厳密な区別はないが、半導体デバイスや回折格子などの製造に用いられるようなナノメーターオーダーのものをナノインプリント法と呼び、その他のマイクロメーターオーダーのものをインプリント法と呼ぶことが多い。ここでは、全てインプリント法と呼ぶことにする。
様々な方式のインプリント法が提案されているが、その一つにゾルゲルインプリント法がある。(例えば、非特許文献3及び特許文献2を参照。)その方法を、図1を用いて説明する。
ゾルゲルインプリント法において、転写されるゾルゲル材料は、後述するインプリント法もおける熱硬化の後、水分と溶媒の揮発により体積収縮が発生する。収縮率はゾルゲル溶液に含まれる水分と溶媒の量によって異なる。このため、まず、転写するゾルゲル材料について、硬化の前後における体積の収縮を求める。
次に、前記測定した収縮率を用いて、シミュレーションを行い形成するモールドのパターンを決定する。このとき、シミュレーションの計算方法としては有限要素法を用いる。
次に、前記算出された設計値をもとにインプリント用モールドを形成する。
前記シリコンアルコキシドとしては、通常用いられるものを使用することが出来る。例えば、具体的にはシリコンメトキシド(Tetramethylorthosilicate:TMOS)、シリコンエトキシド(Tetraethylorthosilicate:TEOS)などが挙げられる。
また、ゾルゲル溶液のコートは、スピンコート法、ダイコート法、スプレーコート法などが可能である。
次に、モールドを離型し(図1(c))、基板を熱処理(焼結・乾燥)によって硬化し、モールドパターンがゾルゲル材料に転写される(図1(d))。
このとき、熱処理は、一般にはオーブンを用いるが、ホットプレートでも構わない。
まず、エタノール、水を含む溶液にシリコンエトキシド(Tetraethylorthosilicate: TEOS材料/山中セミコンダクター)を混ぜ合わせ、室温中で攪拌し、ゾルゲル溶液を準備した。(混合比、TEOS:エタノール:水=1:5:5)
次に、前記ゾルゲル溶液をスピンコート法によりSi基板にゲル状薄膜をコートし、接触式段差計にて膜厚測定した。
次に、約350℃で熱処理(焼結・乾燥)し、硬化したゾルゲル材料の膜厚を同様に測定した。
以上より、熱処理前後の膜厚測定から、この材料の1軸方向の硬化収縮率は約10%であった。
次に、有限要素法によるシミュレーションソフトを用いて、熱処理後に所望のパターン形状となるような、モールド形状を求めた。このときの入力パラメータとして、アスペクト比やテーパ角などの初期形状、1軸方向の硬化収縮率10%を入力して計算した。また、境界条件として、下面完全固定、左右対称境界で行った。
本実施例では、熱処理後に高さ100nm、幅200nm、繰り返しピッチ400nm、傾斜角45度の三角形の転写パターンが得られるような、初期形状を計算したところ、モールドパターンのテーパ角50度、高さ111nmという計算結果が得られた。
実施例2で算出した形状になるように、以下の手順でモールドを作製した。 まず、モールドの製造方法を図6に示す。モールドの元となる基板として、4インチ石英基板を準備し、この基板に電子線レジスト(ZEP520/日本ゼオン)を100nm厚コートし(図6(b))、電子線描画・現像により抜き140nm、残し60nmのライン&スペースのレジストパターンを形成した(図6(c))。このときの条件は、描画時のドーズを100μC/cm2、現像時間を2分とする。
次に、O2プラズマアッシング(条件:O2流量500sccm、圧力30Pa、RFパワー1000W)によってレジストを剥離した(図6(e))。 次に、フッ硝酸を用いた等方的ウェットエッチングにより、テーパ角50度、高さ111nm(図6(f))、幅200nm、繰り返しピッチ400nmの石英モールドパターンが完成した。モールドパターンの形状は、走査電子顕微鏡(SEM)による断面形状観察から行った。
次に、真空中にて実施例2で作製した石英モールドをインプリント(型押し)し(図7(b))、モールドを離型し(図7(c))、基板を約350℃の熱処理(焼結・乾燥)によりゾルゲル材料を硬化させ、ゾルゲル材料にモールドパターンを転写した(図7(d))。転写されたゾルゲル材料パターンのパターン形状を、走査電子顕微鏡(日立ハイテクノロジーズ社)にて断面観察したところ、傾斜角45度、パターン高さ100nmの三角形の転写パターンが良好に形成されていることが観察された。
まず、モールド基板として4インチ石英基板を用い、基板を傾斜角50度に保持し(図8(a、b))、加速電圧5〜50kV、電流値5〜30nAの収束イオンビーム(FIB)の加工を繰り返すことによって、傾斜角50度の三角形パターンを形成した(図8(c))。
その結果、実施例4と同様に、傾斜角45度、パターン高さ100nmの三角形パターンが良好に形成された。
102…ゾルゲル材料(ゲル状薄膜)
103…モールド
104…真空チャンバー
105…ゾルゲル薄膜
106…ゾルゲルパターン
107…熱処理前の形状
108…熱処理後のパターン形状
110…石英基板
111…レジスト
112…石英モールド
120…イオンガン
121…イオンビーム
Claims (4)
- パターンをゾルゲル材料へ転写するためのモールドパターンを有するインプリント用モールド製造方法であって、
ゾルゲル材料の硬化収縮による1軸方向の変形量を測定する工程と、
前記測定した変形量より、モールドから転写される材料のパターン形状を、有限要素法によって、下面完全固定、左右対称境界条件でシミュレーション行う工程と、
前記シミュレーションより算出されたモールドパターンの高さとテーパ角度を用いてモールドのパターン形状を形成する工程と、
を行うことを特徴とするインプリント用モールド製造方法。 - 請求項1に記載のインプリント用モールド製造方法であって、
モールドパターン形状を製造する工程に、ドライエッチングまたは収束イオンビーム(FIB)を用いることを特徴とするインプリント用モールド製造方法。 - 請求項1または2のいずれかに記載のインプリント用モールド製造方法によって作られた、前記モールドパターンの高さとテーパ角度を有するインプリント用モールド。
- 請求項3に記載のインプリント用モールドを用いたゾルゲルインプリントを行なう、転写物の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006177943A JP4940784B2 (ja) | 2006-06-28 | 2006-06-28 | インプリント用モールドおよびインプリント用モールド製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006177943A JP4940784B2 (ja) | 2006-06-28 | 2006-06-28 | インプリント用モールドおよびインプリント用モールド製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008006639A JP2008006639A (ja) | 2008-01-17 |
JP4940784B2 true JP4940784B2 (ja) | 2012-05-30 |
Family
ID=39065290
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006177943A Expired - Fee Related JP4940784B2 (ja) | 2006-06-28 | 2006-06-28 | インプリント用モールドおよびインプリント用モールド製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4940784B2 (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8851442B2 (en) | 2008-01-22 | 2014-10-07 | Honeywell International Inc. | Aerogel-bases mold for MEMS fabrication and formation thereof |
JP2009226660A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Fujifilm Corp | ドライエッチングによるパターニング方法及びそれに用いるモールド並びにインクジェットヘッドの製造方法 |
JP5125655B2 (ja) * | 2008-03-24 | 2013-01-23 | 凸版印刷株式会社 | インプリントモールド |
JP5326404B2 (ja) * | 2008-07-29 | 2013-10-30 | 富士通株式会社 | モールドの製造方法 |
JP5349419B2 (ja) * | 2009-08-04 | 2013-11-20 | エージェンシー フォー サイエンス,テクノロジー アンド リサーチ | 基材上のインプリント構造物の大きさを減少させる方法 |
JP2011161806A (ja) * | 2010-02-10 | 2011-08-25 | Engineering System Kk | インプリント用スタンパおよびその製作方法 |
JP5491997B2 (ja) * | 2010-07-07 | 2014-05-14 | 株式会社東芝 | テンプレートの製造方法および半導体装置の製造方法 |
US8293657B2 (en) | 2010-11-05 | 2012-10-23 | Honeywell International Inc. | Sacrificial layers made from aerogel for microelectromechanical systems (MEMS) device fabrication processes |
JP2012141533A (ja) * | 2011-01-06 | 2012-07-26 | Canon Inc | ワイヤーグリッド偏光板の製造方法およびワイヤーグリッド偏光板 |
JP5786152B2 (ja) * | 2011-03-04 | 2015-09-30 | 公立大学法人大阪府立大学 | ナノインプリント用モールドの設計方法 |
JP5337207B2 (ja) * | 2011-07-29 | 2013-11-06 | 株式会社東芝 | パターン検査データの作成方法 |
JP6105490B2 (ja) | 2012-01-27 | 2017-03-29 | 旭化成株式会社 | ドライエッチング用熱反応型レジスト材料、及びモールドの製造方法 |
KR101652781B1 (ko) * | 2012-03-16 | 2016-08-31 | 제이엑스 에네루기 가부시키가이샤 | 필름형 몰드를 사용한 요철 패턴을 가지는 광학 기판의 제조 방법 및 제조 장치, 및 그 광학 기판을 구비한 디바이스의 제조 방법 |
KR20150106963A (ko) * | 2013-03-06 | 2015-09-22 | 제이엑스 닛코닛세키 에네루기 가부시키가이샤 | 요철 구조를 가지는 부재의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 요철 구조를 가지는 부재 |
WO2019160166A1 (ja) * | 2018-02-19 | 2019-08-22 | 株式会社ダイセル | モールドの製造方法、及びこれを利用した成形体の製造方法 |
WO2019160095A1 (ja) * | 2018-02-19 | 2019-08-22 | 株式会社ダイセル | モールドの製造方法 |
US11709423B2 (en) | 2021-05-10 | 2023-07-25 | Applied Materials, Inc. | Methods of greytone imprint lithography to fabricate optical devices |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01131031A (ja) * | 1987-11-16 | 1989-05-23 | Seiko Epson Corp | ガラス転写体の製造方法 |
JPH1026707A (ja) * | 1996-07-11 | 1998-01-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 表面レリーフ型回折格子及びその製造方法 |
JP3750393B2 (ja) * | 1998-02-05 | 2006-03-01 | 日本板硝子株式会社 | 凹凸表面を有する物品の製造方法 |
JP2005104093A (ja) * | 2003-10-02 | 2005-04-21 | Canon Inc | 回折光学素子の製造方法および回折光学素子 |
JP2005153091A (ja) * | 2003-11-27 | 2005-06-16 | Hitachi Ltd | 転写方法及び転写装置 |
-
2006
- 2006-06-28 JP JP2006177943A patent/JP4940784B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008006639A (ja) | 2008-01-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4940784B2 (ja) | インプリント用モールドおよびインプリント用モールド製造方法 | |
CN102983065B (zh) | 图案、掩模图案形成方法和半导体器件制造方法 | |
JP2009234114A (ja) | パターン形成方法、基板の加工方法、偏光板及び磁気記録媒体 | |
JP2007266384A (ja) | インプリント用モールド及びその製造方法 | |
JP5264237B2 (ja) | ナノ構造体およびナノ構造体の製造方法 | |
JP4867423B2 (ja) | インプリント用型部材、インプリント用型部材の製造方法、及びインプリント方法 | |
JP2007042715A (ja) | インプリント用モールド及びその製造方法 | |
JP2007027361A (ja) | インプリント用モールド | |
JP5125655B2 (ja) | インプリントモールド | |
JP4935312B2 (ja) | インプリントモールドおよびインプリントモールド製造方法 | |
Chen et al. | Nanoimprint lithography for planar chiral photonic meta-materials | |
JP5050532B2 (ja) | インプリントモールド、インプリントモールド製造方法および表面改質装置 | |
JP2008200997A (ja) | ナノインプリント用金型の製造方法 | |
CN102033424B (zh) | 压印光刻 | |
US8163657B2 (en) | Process for adjusting the size and shape of nanostructures | |
US8163656B2 (en) | Process for adjusting the size and shape of nanostructures | |
JP2007210191A (ja) | モールドの欠陥修正方法及びモールド | |
JP2007210275A (ja) | インプリント用モールド | |
JP4899638B2 (ja) | モールドの製造方法 | |
KR101088011B1 (ko) | 몰드 및 몰드 제조 방법, 패턴 전사 방법 | |
JP5326192B2 (ja) | インプリント用モールド及びインプリント用モールド製造方法 | |
KR100670835B1 (ko) | 나노임프린트 몰드 제작 방법 | |
JP2017103363A (ja) | ナノインプリント用モールドの寸法補正方法及びナノインプリント用モールドの製造方法 | |
Arakcheeva et al. | Fabrication of semiconductor-and polymer-based photonic crystals using nanoimprint lithography | |
JP2009194170A (ja) | 微細パターン形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090525 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100525 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111027 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111101 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111227 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120131 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120213 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150309 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |