CN109283788A - 一种用于旋转式近场光刻的纳米图形加工系统及方法 - Google Patents

一种用于旋转式近场光刻的纳米图形加工系统及方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109283788A
CN109283788A CN201811184733.XA CN201811184733A CN109283788A CN 109283788 A CN109283788 A CN 109283788A CN 201811184733 A CN201811184733 A CN 201811184733A CN 109283788 A CN109283788 A CN 109283788A
Authority
CN
China
Prior art keywords
metallic diaphragm
disc
film layer
photoresist
near field
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201811184733.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN109283788B (zh
Inventor
纪佳馨
徐鹏飞
吴宝贵
李静
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
China University of Petroleum East China
Original Assignee
China University of Petroleum East China
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by China University of Petroleum East China filed Critical China University of Petroleum East China
Priority to CN201811184733.XA priority Critical patent/CN109283788B/zh
Publication of CN109283788A publication Critical patent/CN109283788A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109283788B publication Critical patent/CN109283788B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2049—Exposure; Apparatus therefor using a cantilever

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optical Head (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)

Abstract

本发明公开了一种用于旋转式近场光刻的纳米图形加工系统及方法。首先在光刻头表面制备用于聚束入射光的表面等离子体透镜，然后在盘片基底表面溅射金属反射层，并在金属反射层表面制备光刻胶感光层。利用硬盘飞行原理，使光刻头与光刻胶盘片间形成稳定的20nm以下的飞行间隙。利用金属反射膜层的反射补偿作用，改善表面等离激元聚束光场的强度和分布特性，弥补表面等离激元在光刻方向的能量衰减，从而提高旋转式近场光刻系统的加工结构深宽比，并兼具良好的陡直度，实现了高效率、高分辨率、低成本的纳米加工。

Description

一种用于旋转式近场光刻的纳米图形加工系统及方法
技术领域
本发明属于纳米加工技术领域，涉及一种用于旋转式近场光刻的纳米图形加工系统及方法。
背景技术
光刻技术因其具备高效加工纳米级精细结构的特点，而成为最重要的纳米制造技术，应用于大规模集成电路、微机电系统和数据存储等领域。随着纳米制造技术的进步，提高加工结构的分辨率将是下一代光刻技术的发展趋势。目前能够实现10nm以下加工能力的方法主要有：光学浸没式曝光、极紫外曝光、多重曝光、干涉曝光等。然而，高昂的设备制造成本和有限的加工结构，制约了这些高分辨纳米制造技术在复杂多变结构加工领域中的应用，阻碍了我国高精度纳米制造业的进一步发展。
近场光刻作为一种新型光刻技术，可以获得超衍射极限分辨光斑，能够在宏观尺度上加工近场范围内的纳米量级复杂图案，高效、低成本、高分辨的特点使其具备应用于纳米加工领域的潜力。旋转式近场光刻基于硬盘飞行原理实现近场加工条件，磁头与盘片间的气体动压效应使得加工在磁头滑块尾块部位的表面等离子体透镜具有稳定的、20nm以下的工作距离。等离子体透镜在满足波矢匹配条件下，激发携带物体精细信息的表面等离激元倏逝波，通过对制备在盘片表面的光刻胶进行曝光，获得超衍射极限的高分辨纳米结构。硬盘飞行量级的加工速度使得12英寸盘片只需5分钟即可完成整片加工，加工线速度高达10m/s。
然而，近场激发的特点迫使表面等离激元的光场强度随距离增加呈指数衰减，使得实际到达光刻胶加工面的能量受到较大损失，从而造成较低的刻蚀结构深宽比，影响加工图形质量，造成图案转移困难，不利于近场光刻技术的工业化应用。此外，现有的高深宽比纳米图形加工方法多用于无近场纳米间隙的、平行移动的钢化板或柔性膜，此种方法不能满足基于硬盘高转速的近场高效纳米图形加工技术。
因此，在保证旋转式近场光刻系统高效、低成本、高分辨加工特点的基础上，增加光刻加工结构的深宽比则能够进一步改善旋转式近场光刻技术的性能，提高加工质量，对集成电路制造、微机电系统器件制备和纳米表面结构等工业化应用具有重要的意义。
发明内容
本发明的目的是提供一种用于旋转式近场光刻的纳米图形加工系统及方法，解决旋转场的纳米图形加工深宽比低、图形质量差的问题。
本发明所采用的技术方案是，一种用于旋转式近场光刻的纳米图形加工方法，具体按照以下步骤实施：(这句话读着有点儿语病，如果是标准写法请忽略)
(1)选择盘片基片；
(2)提供光刻头透光介质基体；
(3)在盘片表面制备反射电磁波的金属膜层A，金属膜层A厚度为30nm～80nm；
(4)在金属膜层A上表面制备光刻胶膜层，光刻胶膜层厚度为30nm～50nm；
(5)在光刻头透光介质基体表面制备金属膜层B，金属膜层B厚度为30nm～100nm；
(6)在金属膜层B上加工贯穿金属膜层B的蝴蝶结结构；
(7)在金属膜层B上加工与蝴蝶结结构构成同心的多个贯穿金属膜层B的对称交替半圆槽周期结构，并制备得到表面聚焦透镜；
(8)入射光经步骤(7)所得的表面聚焦透镜实现聚束，并利用硬盘飞行原理，对步骤(4)所得的结构在近场范围内进行曝光；
(9)刻蚀部分经显影后得到大深宽比纳米加工图案。
所述步骤(1)中盘片材料为二氧化硅或铝合金。
所述步骤(2)中透光介质基体为石英或蓝宝石。
所述步骤(3)中金属膜层A材料为Ag、Al、Cr或Au，采用的加工方法为蒸镀、溅射或电化学沉积。
所述步骤(4)中光刻胶膜层为对紫外光感光的光刻胶膜层。
所述步骤(4)中对紫外光感光的光刻胶膜层材料为无机光刻胶，无机光刻胶制备方法为溅射，无机光刻胶为热敏光刻胶。
所述步骤(4)中对紫外感光的光刻胶膜层材料为有机光刻胶，有机光刻胶制备方法为旋涂，旋涂速度为2000～4000rpm。
所述步骤(5)中金属膜层B材料为Au、Ag或Cr。
所述步骤(7)中在蝴蝶结结构一侧半圆槽周期结构的初始半径r1为100nm～200nm，优选初始半径r1为160nm。
所述步骤(7)中半圆槽周期结构以初始半径r1为内边界，以沿所述盘片径向边缘方向延伸一个或多个周期为外边界，周期距离为150nm～200nm，优选周期距离为160nm。
所述步骤(7)中在蝴蝶结结构另一侧半圆槽周期结构的初始半径r2为80nm～180nm，周期距离与对侧保持一致，优选初始半径r2为140nm。
所述步骤(7)中半圆槽周期结构以初始半径r2为内边界，以沿所述盘片径向边缘方向延伸一个或多个周期为外边界，周期距离为150nm～200nm，优选周期距离为160nm。
所述步骤(7)中半圆槽周期结构的半圆槽宽度w为50nm～80nm，优选半圆槽宽度w为70nm。
所述步骤(7)中周期圆槽的个数为2～6。
所述步骤(8)中入射光的光源为紫外光线偏振光源。
所述步骤(8)中入射光经表面聚焦透镜在金属膜层B与空气界面激发表面等离激元，表面等离激元在金属膜层B表面传播。
所述表面等离激元与所述金属膜层A反射的电磁波在蝴蝶结结构中心位置耦合形成聚束光斑，聚束光斑对盘片表面的光刻胶膜层进行曝光。
本发明还提供实现上述纳米图形加工方法的加工系统，该加工系统包括：旋转承载台，所述承载台用于承载所述；移动台，所述移动台用于调节承载台与磁头的相对位置；悬臂，所述悬臂一端固定在移动台上，另一端安装加工有空气轴承与表面聚焦透镜的飞行头；光学组件，所述光学组件用于产生适用于表面等离激元的线偏振入射光，所述光学组件包括紫外激光发生器、电光调节器、紫外反射镜、预聚束透镜。
本发明与现有技术相比所具有的有益效果是：
1、旋转式近场光刻基于硬盘飞行原理实现近场加工条件，飞行头与盘片间的气体动压效应使得加工在飞行头滑块尾块部位的表面聚焦体透镜具有稳定的、20nm以下的工作距离。
2、在普通盘片上加工金属反射膜层，利用金属反射膜层的反射补偿作用改善聚束光斑的强度和分布，表面聚焦透镜在满足波矢匹配条件下，激发携带物体精细信息的表面等离激元倏逝波，弥补透光介质基体上金属膜层B激发的表面等离激元在刻蚀方向的能量衰减。
3、金属反射层反射的电磁波与透光介质基体上金属膜层B激发的表面等离激元在光刻胶内部实现耦合，增大聚束光斑的光强，同时拓展其在垂直于膜层方向的空间分布，通过对制备在盘片表面的光刻胶进行曝光，获得超衍射极限的高分辨纳米结构，从而提高旋转式近场光刻系统加工图案的深宽比，并兼具加工图形良好的陡直度，实现高效率、高分辨率、低成本的高质量纳米图案加工。
附图说明
图1是普通盘片剖面结构示意图；
图2是表面加工金属反射层的盘片剖面结构示意图；
图3是制备完成后表面旋涂光刻胶的盘片剖面结构示意图；
图4是表面等离子体透镜结构示意图；
图5是所述旋转式近场纳米加工系统示意图；
图中，1.盘片，2.金属膜层A，3.光刻胶膜层，4.预聚束透镜，5.飞行头，6.盘片，7.悬臂，8.移动台，9.旋转承载台，10.控制器，11.紫外激光发生器，12.电光调节器，13，紫外反射镜。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，本技术领域的人员会理解，下面实施例旨在用于解释本发明，而不应视为对本发明的限制。除非特别说明，下面实施例中没有明确描述具体技术或条件的，本领域技术人员可以按照本领域内的常用的技术或条件或按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为通过市场可购买到的常规产品。
本发明一种用于旋转式近场光刻的纳米图形加工方法，具体包括以下步骤：
(1)首先选择圆形盘片基片材料，本实施例选择铝合金盘片作为基底，如图1所示；
(2)提供光刻头透光介质基体；
(3)在盘片表面制备反射电磁波的金属膜层A，金属膜层A厚度为30nm～80nm，优选30nm，如图2所示；
(4)在金属膜层A上表面制备光刻胶膜层，光刻胶膜层厚度为30nm～50nm，如图3所示；
(5)在光刻头透光介质基体表面制备金属膜层B，金属膜层B厚度为30nm～100nm；
(6)在金属膜层B上加工贯穿金属膜层B的蝴蝶结结构，如图4所示；
(7)在金属膜层B上加工与蝴蝶结结构构成同心的多个贯穿金属膜层B的同心交替半圆槽周期结构，如图4所示，并制备得到表面聚焦透镜；
(8)入射光经步骤(7)所制备的表面聚焦透镜实现聚束；
(9)利用硬盘飞行原理，对步骤(4)所得的结构在近场范围内进行曝光，刻蚀原理如图5所示；
(10)刻蚀图案经显影后得到大深宽比纳米加工图案。
所述步骤(1)中盘片材料为二氧化硅或铝合金。
所述步骤(2)中透光介质基体为石英或蓝宝石。
所述步骤(3)中金属膜层A材料为Ag、Al、Cr或Au，用于加工的方法为蒸镀、溅射或电化学沉积，本实施例选择Al作为膜层材料。
所述步骤(4)中光刻胶膜层为对紫外光感光的光刻胶膜层。
所述步骤(4)中对紫外光感光的光刻胶膜层材料为无机光刻胶，无机光刻胶制备方法为溅射，无机光刻胶为热敏光刻胶，比如TeOx。
所述步骤(4)中对紫外感光的光刻胶膜层材料为有机光刻胶，有机光刻胶制备方法为旋涂，旋涂速度为2000～4000rpm。比如：有机光刻胶为2,3,4,5-四苯基噻吩化合物化学放大分子玻璃胶，简称为FPT-8Boc。
所述步骤(5)中金属膜层B材料为Au、Ag或Cr。
所述步骤(7)中在蝴蝶结结构一侧半圆槽周期结构的初始半径r1为100nm～200nm，优选初始半径r1为160nm。
所述步骤(7)中半圆槽周期结构以初始半径r1为内边界，以沿所述盘片径向边缘方向延伸一个或多个周期为外边界，周期距离为150nm～200nm，优选周期距离为160nm。
所述步骤(7)中在蝴蝶结结构另一侧半圆槽周期结构的初始半径r2为80nm～180nm，周期距离与对侧保持一致，优选初始半径r2为140nm。
所述步骤(7)中半圆槽周期结构以初始半径r2为内边界，以沿所述盘片径向边缘方向延伸一个或多个周期为外边界，周期距离为150nm～200nm，优选周期距离为160nm。
所述步骤(7)中半圆槽周期结构的半圆槽宽度w为50nm～80nm，优选半圆槽宽度w为70nm。
所述步骤(7)中周期圆槽的个数为2～6。
所述步骤(8)中入射光的光源为紫外光线偏振光源。
所述步骤(8)中入射光经表面聚焦透镜在金属膜层B与空气界面激发表面等离激元，表面等离激元在金属膜层B表面传播。
所述表面等离激元与所述金属膜层A反射的电磁波在蝴蝶结结构中心位置耦合形成聚束光斑，聚束光斑对盘片表面的光刻胶膜层进行曝光。
本发明还提供实现上述纳米图形加工方法的加工系统，该加工系统包括：旋转承载台9，所述旋转承载台用于承载盘片6；移动台8，所述移动台用于调节承载台与磁头的相对位置；悬臂7，所述悬臂一端固定在移动台上，另一端安装加工有空气轴承与表面聚焦透镜的飞行头5；光学组件，所述光学组件用于产生适用于表面等离激元的线偏振入射光，所述光学组件包括紫外激光发生器11、电光调节器12、紫外反射镜13、预聚束透镜4。
显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。

Claims (5)

1.一种用于旋转式近场光刻的纳米图形加工方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
(1)首先选择盘片基片，盘片材料为二氧化硅或铝合金；
(2)提供光刻头透光介质基体，透光介质基体为石英或蓝宝石；
(3)在盘片表面制备反射电磁波的金属膜层A，金属膜层A厚度为30nm～80nm，金属膜层A材料为Ag、Al、Cr或Au，采用的加工方法为蒸镀、溅射或电化学沉积；
(4)在金属膜层A上表面制备对紫外光感光的光刻胶膜层，光刻胶膜层厚度为30nm～50nm，光刻胶膜层材料为无机光刻胶或有机光刻胶，无机光刻胶制备方法为磁控溅射，无机光刻胶为热敏光刻胶，有机光刻胶制备方法为旋涂，旋涂速度为2000～4000rpm；
(5)在光刻头透光介质基体表面制备金属膜层B，金属膜层B厚度为30nm～100nm，金属膜层B材料为Au、Ag或Cr；
(6)在金属膜层B上加工贯穿金属膜层B的蝴蝶结结构；
(7)在金属膜层B上加工与蝴蝶结结构构成同心的多个贯穿金属膜层B的对称交替半圆槽周期结构，并制备得到表面聚焦透镜；
(8)入射光经步骤(7)所得的表面聚焦透镜实现聚束，并利用硬盘飞行原理，对步骤(4)所得的光刻胶盘片在近场范围内进行曝光；
(9)刻蚀部分经显影后得到大深宽比纳米加工图案。
2.根据权利要求1所述的一种用于旋转式近场光刻系统的高质量纳米图形加工方法，其特征在于，所述步骤(7)中在蝴蝶结结构一侧半圆槽周期结构的初始半径r1为100nm～200nm，半圆槽周期结构以初始半径r1为内边界，以沿所述盘片径向边缘方向延伸一个或多个周期为外边界，周期距离为150nm～200nm，在蝴蝶结结构另一侧半圆槽周期结构的初始半径r2为80nm～180nm，半圆槽周期结构以初始半径r2为内边界，以沿所述盘片径向边缘方向延伸一个或多个周期为外边界，周期距离两侧一致，周期距离为150nm～200nm。
3.根据权利要求1所述的一种用于旋转式近场光刻的纳米图形加工方法，其特征在于，所述步骤(7)中半圆槽周期结构的半圆槽宽度w为50nm～80nm。
4.根据权利要求1所述的一种用于旋转式近场光刻的纳米图形加工方法，其特征在于，所述步骤(8)中曝光步骤还包括通过入射光经表面聚焦透镜在金属膜层B与空气界面激发表面等离激元，曝光使用的光源为紫外光源，表面等离激元在金属膜层B表面传播，表面等离激元与所述金属膜层A反射的电磁波在蝴蝶结结构中心耦合形成聚束光斑，聚束光斑对盘片表面的光刻胶膜层进行曝光。
5.根据权利要求1所述的一种用于旋转式近场光刻的纳米图形加工方法，其特征在于，包括：旋转承载台，所述旋转承载台用于承载盘片，所述盘片上制备有金属膜层A，所述金属膜层A上制备有紫外感光的光刻胶膜层；移动台，所述移动台用于调节旋转承载台位置；悬臂，所述悬臂一端固定在移动台上，另一端安装加工有空气轴承与表面聚焦透镜的飞行头；所述飞行头在所述盘片上方保持纳米间隙飞行，所述飞行头与所述盘片的纳米间隙≤20nm；光学组件，所述光学组件用于产生适用于激发表面等离激元的紫外线偏振入射光，所述光学组件包括紫外激光发生器、电光调节器、紫外反射镜、预聚束透镜。
CN201811184733.XA 2018-10-11 2018-10-11 一种用于旋转式近场光刻的纳米图形加工系统及方法 Active CN109283788B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811184733.XA CN109283788B (zh) 2018-10-11 2018-10-11 一种用于旋转式近场光刻的纳米图形加工系统及方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811184733.XA CN109283788B (zh) 2018-10-11 2018-10-11 一种用于旋转式近场光刻的纳米图形加工系统及方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109283788A true CN109283788A (zh) 2019-01-29
CN109283788B CN109283788B (zh) 2022-05-20

Family

ID=65176901

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811184733.XA Active CN109283788B (zh) 2018-10-11 2018-10-11 一种用于旋转式近场光刻的纳米图形加工系统及方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109283788B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111300273A (zh) * 2020-02-17 2020-06-19 中国石油大学(华东) 一种基于可控空蚀技术的织构加工试验装置
CN111522206A (zh) * 2020-04-29 2020-08-11 中国科学院光电技术研究所 一种基于反射式光场增强的微纳光印制造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050064303A1 (en) * 2003-09-12 2005-03-24 Canon Kabushiki Kaisha Near-field light generating structure, near-field exposure mask, and near-field generating method
US20100061018A1 (en) * 2008-09-11 2010-03-11 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Magnetic recording disk drive with patterned media and optical system for clocking write data
CN103149805A (zh) * 2013-02-07 2013-06-12 中国科学院光电技术研究所 一种超衍射纳米光学探针
JP2014036108A (ja) * 2012-08-08 2014-02-24 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
CN106680906A (zh) * 2016-10-24 2017-05-17 清华大学 等离子体透镜、空气轴承、飞行头、纳米加工系统及应用

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050064303A1 (en) * 2003-09-12 2005-03-24 Canon Kabushiki Kaisha Near-field light generating structure, near-field exposure mask, and near-field generating method
US20100061018A1 (en) * 2008-09-11 2010-03-11 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Magnetic recording disk drive with patterned media and optical system for clocking write data
JP2014036108A (ja) * 2012-08-08 2014-02-24 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
CN103149805A (zh) * 2013-02-07 2013-06-12 中国科学院光电技术研究所 一种超衍射纳米光学探针
CN106680906A (zh) * 2016-10-24 2017-05-17 清华大学 等离子体透镜、空气轴承、飞行头、纳米加工系统及应用

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JIAXIN JI 等: "High-speed near-field photolithography at 16.85 nm linewidth with linearly polarized illumination", 《OPTICS EXPRESS》 *
朱业传 等: "表面等离子体平面金属透镜及其应用", 《中国光学》 *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111300273A (zh) * 2020-02-17 2020-06-19 中国石油大学(华东) 一种基于可控空蚀技术的织构加工试验装置
CN111300273B (zh) * 2020-02-17 2021-05-28 中国石油大学(华东) 一种基于可控空蚀技术的织构加工试验装置
CN111522206A (zh) * 2020-04-29 2020-08-11 中国科学院光电技术研究所 一种基于反射式光场增强的微纳光印制造方法
CN111522206B (zh) * 2020-04-29 2021-09-21 中国科学院光电技术研究所 一种基于反射式光场增强的微纳光印制造方法
US11675273B2 (en) 2020-04-29 2023-06-13 The Institute Of Optics And Electronics, The Chinese Academy Of Sciences Method of fabricating micro-nano structure

Also Published As

Publication number Publication date
CN109283788B (zh) 2022-05-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6813077B2 (en) Method for fabricating an integrated optical isolator and a novel wire grid structure
CN100492498C (zh) 构图用于纳米压印图案化磁记录盘的母盘的系统和方法
US7144685B2 (en) Method for making a pattern using near-field light exposure through a photomask
Grushina Direct-write grayscale lithography
CN101424751A (zh) 光学元件以及光学元件生产用的原盘的制造方法
US11874480B2 (en) Plasmonic lithography for patterning high aspect-ratio nanostructures
CN106169416B (zh) 一种极紫外掩模的制造方法
CN109283788A (zh) 一种用于旋转式近场光刻的纳米图形加工系统及方法
Jin et al. Scalable nanoshaping of hierarchical metallic patterns with multiplex laser shock imprinting using soft optical disks
US8133642B2 (en) Metal optical grayscale mask and manufacturing method thereof
US20060222967A1 (en) Reticle, method for manufacturing magnetic disk medium using reticle, and magnetic disk medium
Hu et al. Nano-fabrication with a flexible array of nano-apertures
Chen et al. 16 nm-resolution lithography using ultra-small-gap bowtie apertures
CN109669323B (zh) 一种基于共振腔结构实现大面积超分辨光刻方法
CN102466980A (zh) 基于电子束光刻和x射线曝光制作多层膜闪耀光栅的方法
Hu et al. High-speed parallel plasmonic direct-writing nanolithography using metasurface-based plasmonic lens
Ji et al. High-speed near-field photolithography at 16.85 nm linewidth with linearly polarized illumination
Guo et al. Superlens-enhanced laser interference lithography
CN106680906B (zh) 等离子体透镜、空气轴承、飞行头、纳米加工系统及应用
Ji et al. The steady flying of a plasmonic flying head over a photoresist-coated surface in a near-field photolithography system
Luo et al. Deep plasmonic direct writing lithography with ENZ metamaterials and nanoantenna
CN102043330A (zh) 用于纳米压印的滚筒模仁的制造方法
CN109541733B (zh) 一种用于高效、高分辨纳米图形的加工方法及设备
CN102495526A (zh) 光学曝光方法及其用于制备硅材料竖直中空结构的方法
Varadarajan et al. Fabrication of two‐dimensional photonic quasi‐crystals with 18‐and 36‐fold by holography for solar application

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant