TWI570771B - 使用步進及重複工具之用於壓印微影術之無接縫大區域主模板之製造技術 - Google Patents

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TWI570771B
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道格拉斯Ｊ 瑞斯尼克
麥可Ｎ 米勒
法蘭克Ｙ 徐
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分子壓模公司
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Description

使用步進及重複工具之用於壓印微影術之無接縫大區域主模板之製 造技術 參考相關申請案
本申請案係對於2011年12月19日提申的美國申請案編號61/577,135主張優先權，其整體內容合併於本文以供參考。
本發明係有關於使用步進及重複工具之用於壓印微影術之無接縫大區域主模板之製造技術。
背景資訊
奈米製造係包括製造具有100奈米或更小級數的特徵構造之很小結構。奈米製造發揮可觀影響的一應用係在於積體電路的加工。半導體加工業不斷致力於更高的生產良率同時增加一基材上所形成之每單位面積的電路；因此奈米製造變得日益重要。奈米製造提供較大的製程控制同時容許持續降低所形成結構的最小特徵構造維度。已經採用奈米製造的其他發展領域係包括生技、光學科技、機械系統、及類似物。
現今使用的一種示範性奈米製造技術常稱為壓 印微影術。示範性壓印微影術製程詳細描述於許多公告中，諸如美國專利公告No.2004/0065976、美國專利公告No.2004/0065252、及美國專利案No.6,936,194，其皆合併於本文以供參考。
在上述美國專利公告及專利案各者中所揭露的一壓印微影術技術係包括形成一浮雕圖案於一可成形(可聚合)層中以及將一對應於浮雕圖案的圖案轉移至一下屬基材中。基材可耦合至一動作階台以獲得一所欲定位以利於圖案化製程。圖案化製程係使用一與基材隔開的模板以及一施加於模板與基材之間的可成形液體。可成形液體係固體化以形成一具有一圖案的剛性層，該圖案係符合於與可成形液體接觸的模板之表面的一形狀。在固體化之後，模板自剛性層分離使得模板與基材隔開。基材及固體化層隨後接受額外製程，以將對應於固體化層中的圖案之一浮雕影像轉移至基材內。
依據本發明之一實施例，係特地提出一種形成一大區域模板之方法，包含：提供一基材；藉由列印該基材上的複數個圖案化場域以形成該基材上的一圖案化層，其中相鄰場域圖案之間的任何擾亂係小於10微米；將該圖案轉移至該基材內及移除任何留存的圖案化層以形成該基材上的一圖案化特徵構造區域。
10‧‧‧微影系統
12,212‧‧‧基材
14‧‧‧基材夾盤
16‧‧‧階台
18,328‧‧‧模板
20,360‧‧‧平台
22‧‧‧圖案化表面
24,52‧‧‧凹部
26,50‧‧‧凸部
28‧‧‧夾盤
30‧‧‧壓印頭
32‧‧‧流體配送系統
34‧‧‧可成形材料
38‧‧‧能量供源
40‧‧‧直接能量
42‧‧‧路徑
44‧‧‧基材12的表面
46,146b‧‧‧圖案化層
48‧‧‧殘留層
54‧‧‧處理器
56‧‧‧記憶體
62‧‧‧未圖案化晶圓
64,64a‧‧‧步進器或掃描器場域
64b,64c‧‧‧相鄰場域
64d,64e,88a‧‧‧場域
66a‧‧‧較大區域光柵
68‧‧‧經列印光柵線
69a,74,78‧‧‧端線
69b,70,80,164‧‧‧線
71,73,160‧‧‧罩幕
72,76‧‧‧內部線
84a‧‧‧具有線端縮短及線窄化之場域
84a-84d‧‧‧經抵靠場域
112‧‧‧矽晶圓或基材
114‧‧‧二氧化矽膜
116‧‧‧抗反射(AR)塗層或膜
146‧‧‧阻劑圖案
146a‧‧‧阻劑圖案化層
162‧‧‧不透明材料
166‧‧‧最大的16：9比值大區域圖案
214,314‧‧‧氧化物層
216‧‧‧硬罩幕層
228‧‧‧大區域圖案化罩幕
250a,250b,350‧‧‧圖案化特徵構造
312‧‧‧矽基材
345‧‧‧阻劑層
346‧‧‧留存的阻劑
F1,F2,F3‧‧‧圖案場域
g1‧‧‧列印線68間隙
g2‧‧‧端線69a間隙
l1,l2,l3‧‧‧長度
t1‧‧‧凸部50厚度
t2‧‧‧殘留層厚度
w1,w2,w3‧‧‧寬度
可參照附圖所示的實施例更特別地描述本發明 實施例，藉以詳細瞭解本發明的特徵構造及優點。然而請注意：附圖只顯示本發明的典型實施例，因此不認為其限制本發明的範圍，本發明係認可其他同等有效的實施例。
圖1顯示一微影系統的簡化側視圖，其具有與一基材隔開的一模具及一模板；圖2顯示圖1所示的基材之簡化圖，其上具有一圖案化層；圖3A至3D顯示一用於壓印一基材上的大區域無接縫圖案之示範性方法；圖4根據本發明的一實施例顯示一可用以形成一大區域無接縫圖案之圖案化場域；圖5顯示從圖4的圖案化場域形成之一大區域無接縫圖案；圖6A至6D根據本發明的一實施例顯示一用於形成一主模板之示範性方法；圖7顯示可用以列印大區域無接縫圖案之一示範性暗場域罩幕；圖8顯示用於大區域圖案化之相鄰場域抵靠的一範例；圖9顯示用於大區域圖案化之相鄰場域抵靠的另一範例；圖10顯示用於大區域圖案化之相鄰場域抵靠的又另一範例；圖11A至11D根據本發明的一實施例顯示用於形 成一主模板之示範性方法及所產生的列印圖案；圖12A至12B顯示用於大區域圖案化之相鄰場域抵靠的另一範例；圖13A至13E根據本發明的一實施例顯示用於形成一主模板之另一示範性方法；圖14A至14E根據本發明的一實施例顯示用於形成一主模板之又另一示範性方法。
詳細描述
參照圖式、且特別參照圖1，圖中顯示一用來形成基材12上的一浮雕圖案之微影系統10。基材12可耦合至基材夾盤14。如圖所示，基材夾盤14係為一真空夾盤。然而，基材夾盤14可為任何夾盤，包括但不限於真空、銷針型、溝槽型、靜電型、電磁型、及/或類似物。示範性夾盤描述於美國專利案No.6,873,087，其合併於本文以供參考。
基材12及基材夾盤14可被階台16進一步支撐。階台16可提供沿著x、y及z軸線的平移及/或旋轉動作。階台16、基材12及基材夾盤14可亦被定位於一基底(未圖示)上。
模板18與基材12隔開。模板18可包括一具有一第一側及一第二側之體部，其中一側具有一從其延伸朝向基材12之平台20。平台20上具有一圖案化表面22。並且，平台20可稱為模具20。替代性地，模板18可形成為不具有平台20。
模板18及/或模具20可從包括但不限於下列的如 是材料形成：熔融矽土，石英，矽，有機聚合物，矽氧烷聚合物，硼矽酸鹽玻璃，氟碳聚合物，金屬，硬化藍寶石，及/或類似物。如圖所示，圖案化表面22包含由複數個隔開的凹部24及/或凸部26所界定之特徵構造，但本發明的實施例不限於如是組態(譬如平面性表面)。圖案化表面22係可界定用以構成基材12上將形成的一圖案之基礎的任何原始圖案。
模板18可耦合至夾盤28。夾盤28可組構成但不限於真空、銷針型、溝槽型、靜電型、電磁型、及/或其他類似的夾盤類型。示範性夾盤進一步描述於美國專利案No.6,873,087，其合併於本文以供參考。並且，夾盤28可耦合至壓印頭30使得夾盤28及/或壓印頭30可組構以利於模板18的運動。
系統10可進一步包含一流體配送系統32。流體配送系統32可用來將可成形材料34(譬如可聚合材料)沉積於基材12上。可成形材料34可利用諸如滴落配送、旋塗、沾塗、化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、薄膜沉積、厚膜沉積、及/或類似物等技術被定位於基材12上。可依據設計考量因素而定在模具22與基材12之間界定一所欲容積之前及/或之後，使可成形材料34配置於基材12上。可成形材料34可為可應用在生物領域、太陽能電池業、電池業、及/或需要功能性奈米粒子的其他產業內之功能性奈米粒子。譬如，可成形材料34可包含一單體混合物，如美國專利案No.7,157,036及美國專利公告No.2005/0187339所描 述，兩案合併於本文以供參考。替代性地，可成形材料34可包括但不限於生物材料(譬如PEG)，太陽能電池材料(譬如N型、P型材料)，及/或類似物。
參照圖1及2，系統10可進一步包含沿著路徑42耦合至直接能量40之能量供源38。壓印頭30及階台16可組構以將模板18及基材12定位成疊置於路徑42。系統10係可由導通於階台16、壓印頭30、流體配送系統32、及/或供源38之處理器54作調節，並可以記憶體56中所儲存的一電腦可讀式程式運作。
壓印頭30、階台16、抑或兩者係改變模具20與基材12之間的一距離以界定位於其間被可成形材料34所充填之一所欲容積。譬如，壓印頭30可施加一力至模板18使得模具20接觸可成形材料34。在所欲容積充填有可成形材料34之後，供源38產生能量40、譬如紫外輻射，而造成可成形材料34符合於基材12的表面44及圖案化表面22形狀產生固體化及/或交聯，而界定基材12上的圖案化層46。圖案化層46可包含一殘留層48及顯示成凸部50及凹部52之複數個特徵構造，其中凸部50具有厚度t1且殘留層具有厚度t2。
上述系統及製程可進一步使用於美國專利案No.6,932,934、美國專利案7,077,992、美國專利案No.7,179,396及美國專利案7,396,475中參照的壓印微影術製程及系統中，各案以整體內容合併於本文以供參考。
在其他應用之中，壓印微影術製程及系統可有利地使用於諸如線柵偏振器(WGPs)等光學裝置的製造。線柵 偏振器可使用於不同產業與市場所使用的多種不同裝置，包括光學裝置。一範例係將WGP併入至一液晶顯示器(LCD)平板模組中。可施加這些平板模組以製造用於諸如行動裝置(諸如電話、平板電腦及筆電)、電腦監視器、TV及類似物等裝置之顯示螢幕。
至今為止，WGPs已侷限於諸如投影機等小市場。理由在於WGP難以縮放至很大區域，暨高製造成本。藉由利用本文所提供的方法生成一大主模板、然後利用諸如本文描述的壓印微影術等進一步技術，係可以將WGP科技投入較主流大區域顯示器應用。主罩幕及壓印微影術的組合係能夠具有一改良顯示器效能且降低顯示器功率消耗之合乎成本效益的解決方案，藉此延長電池壽命。
然而，應瞭解如同先前已注意：本發明並不限於WGPs。其他大區域圖案係可以所描述的途徑被生成，且其可用以形成主模板。譬如，大區域點陣列、孔陣列及類似物係能夠具有對於太陽能裝置、波長移位等等為有用之電漿子行為。
先前製作大區域WGPs的努力已獲得部份成功，但已導致在相鄰場域的介面處之不欲的擾亂或接縫。藉由一步進器或掃描器，可以界定一具有光柵的妥當解析度之主罩幕，然後利用一步進及重複途徑生成一具有原為較大區域的複本或工作模板。亦即，主小場域圖案被多次列印以生成一較大區域，而重複圖案。然而，當兩場域放置成彼此相鄰時會發生擾亂。商業適合的大區域WGPs需令偏振 器不具有觀視者可辨識的可見瑕疵。在一大區域顯示器應用中，眼睛可對於小於一微米的圖案擾亂呈現敏感。譬如，一WGP係藉由一2×2陣列的場域重複一25mm×25mm圖案所形成。雖然裝置在25mm×25mm場域內可良好運作，該等場域並未與分離數十微米的場域無接縫地對抵在一起。然而對於低到約1μm的對抵誤差，擾亂議題係存在。
使用壓印微影術的數種應用係需要具有必須覆蓋大區域(~>30mm×30mm)之小維度(小於200nm)的圖案。對於小場域(區域)，一電子束寫入系統對於將小特徵構造圖案化而言可能是可接受的。對於大區域，一電子束系統的寫入時間太過緩慢。其他微影術系統、諸如接觸/近鄰對準器、全像投影器係為大面板步進器及掃描器可覆蓋遠為更大的區域但不具有所需要的解析度。
藉由壓印微影術製程製作如是大區域WGPs係需要製造一具有對應維度的主模板。這些類型的主模板係可用以壓印不只是大區域WGPs、而且亦包括主要仰賴生成一必須橫越整體大區域呈現恆定效能的平均化裝置之其他大區域光學裝置。本文係提供具有在場域之間呈現“無接縫”的圖案之用於生成晶圓基材上的大區域壓印模板之方法。如是方法係包括使用步進器或掃描器及/或壓印微影術製程及工具。在特定實施例中，採用光學近鄰效應策略及場域偏移策略來確保相鄰場域“無接縫地”列印。利用本文提供的方法，可在步進場域之間以極小接縫或無接縫生成大區域圖案。可連同本文提供的方法利用高端光學步進器及 掃描器的階台精確度以~10nm或更小以內之理想置放來放置場域，以生成如是圖案。現今的高端光學縮減步進器及掃描器工具、諸如一193nm浸入掃描器係可解析小到40nm的特徵構造並具有小於10nm的階台精密度。藉由亦將任何的圖案放大議題列入考慮、且連同本文提供的方法，可以生成一300mm晶圓上的一接近無接縫大區域圖案。
參照圖3A至3D，圖中描繪根據本發明的一實施例之步驟，以形成一300mm晶圓上的一大區域上方之一無接縫圖案。圖3A描繪一未圖案化晶圓62。圖3B描繪開始列印晶圓62上的個別步進器或掃描器場域64。圖3C描繪晶圓62完全佈植有場域64。圖3D描繪可以300mm(近似11.6”)晶圓產生之最大的16：9比值大區域圖案166。將瞭解：由於終將過渡至450mm晶圓，即使更大區域圖案(及所產生的罩幕或模板)亦可由如是一製程界定。
在一示範性應用中，為了形成一線柵偏振器(WGP)，如圖4所示，步進器或掃描器場域64a可由一系列的平行線68組成，其可產生線性光柵圖案。圖案化場域可被無接縫地“縫織”在一起，如本文進一步描述，以生成較大區域光柵66a。將瞭解：現今目前可在一193nm掃描器上產生的最小半間距特徵構造雖為近似40nm，這並未界定根據本文方法所形成之圖案化特徵構造的極限。譬如，可使用間隔件雙重圖案化、亦即一種涉及一組沉積及回蝕步驟的技術將間距減半至20nm。可藉由三重或四重間隔件圖案化獲得益加更小的維度。對於一WGP，50nm的一半間距可 提供足夠的效能。
應進一步瞭解：本文所描述的方法不限於線及空間的圖案。譬如，掃描器亦可用來生成點或孔圖案。此外，對於需要具有變動長度及寬度的組織化線分段之圖案，可施加相同製程。一範例中，若對於~20nm×50nm維度需要一大區域陣列的矩形，可使用間隔件雙重圖案化將20nm半間距線及空間生成於一硬罩幕內。50nm線可隨後正交於20nm線被圖案化。一旦蝕刻至硬罩幕內，隨後將形成一系列的20nm×50nm線分段。
雖然上文已概括討論大區域圖案化，以生成譬如一晶圓上的一主罩幕(或模板)，需要額外的加工步驟。圖6A至6D顯示一如是範例。如圖所示，二氧化矽膜114利用任何數量的技術(熱氧化、CVD、PECVD、濺鍍)被沉積於矽晶圓或基材112上。阻劑圖案146可形成於氧化物層114上，或替代性如圖6A所示，首先在形成AR膜116上的阻劑圖案1146之前使抗反射(AR)塗層或膜116形成於氧化物層114上，故使AR膜116位於阻劑與氧化物之間。為了製造主模板，阻劑圖案146首先轉移至AR膜116內(如圖6B所示)、然後至氧化物層114內(如圖6C所示)、而停止於矽基材112上。任何留存的阻劑(及如果出現之留存的AR膜)隨後將被剝離以形成最終的圖案化罩幕或模板128(圖6D)。
具有數種方式可將場域縫織在一起生成一無接縫或接近無接縫圖案。譬如，可以使用一掃描器或步進器的開孔刃片來設定場域尺寸。來自刃片的光鑑別性(light flair)可造成圖案邊緣之曝光劑量的變異。一種將其修正的方式係降低位於圖案很邊緣處之特徵構造的曝光劑量。
第二種縫織圖案的方式係使用一暗場域罩幕，諸如圖7所描繪的罩幕160。罩幕160具有諸如鉻等不透明材料162，其沉積於各處但排除了界定有線164的區域。位居圖案區域外部之不透明材料(譬如鉻)係防止任何漫射光在標的場域之微影術步驟期間降落於相鄰場域上。
線柵偏振器可施用至多種不同市場，包括平板顯示器及智慧窗。這些科技需要不具有可見瑕疵的大區域偏振器。製造壓印偏振器所需要的主模板之最可能方法係併入有一“步進及重複”策略，其中一較小場域偏振器被多次列印以生成一較大區域偏振器。在本發明中，吾人採用光學近鄰效應策略及場域偏移策略藉以確保相鄰場域“無接縫地”列印。
雖然現今高端掃描器及步進器能夠以優於10nm的精確度放置相鄰場域，位於場域邊緣在x與y方向兩者之特徵構造的列印係會受到曝光系統的物理作用導致之光學瑕疵所影響(尤其是低於300nm的特徵構造尺寸)。圖8顯示一種試圖使具有近似65nm維度的經列印光柵線68之相鄰場域64b及64c對抵之結果。在圖8中，儘管具有場域64b及64c已被正確設置之事實，列印線68未在y方向接合，其間具有間隙g1。在小維度的線縮短係典型稱為線端縮短。圖8亦顯示x方向的光學效應問題。如同可看出，端線69a之所產生的空中影像係不同於光柵的內部線68。確切來說，端線69a 具有一益加更大的線端縮短效應，比內部線68更短，在其間具有一益加更大的間隙g2。並且，線69a比內部線68更窄。其他光學效應會導致特徵構造呈現尺寸不足抑或未被完全解析。
上述光學效應可經由施加光學近鄰修正(OPC)被克服，以修正位於場域邊界之列印特徵構造的尺寸。光學近鄰修正(OPC)係指該技藝已知常用來補償由於譬如繞射光學效應暨製程效應所導致的影像誤差之微影術增強技術。特別來說，對於諸如線寬度窄化及/或線端縮短等各別不規則而言，特別容易藉由改變用以成像的罩幕上之圖案來補償如是不規則。OPC可譬如藉由將邊緣移動至罩幕上所寫入的線圖案來修正這些誤差。可以特徵構造之間的寬度及間隔為基礎藉由預先運算的查閱表(稱為規則基礎式OPC)、或利用密實模型動態地模擬最終圖案並藉此驅動邊緣的運動(其典型被破解成段)以找出最佳解(模型基礎式OPC)，藉以驅動此作用。目前，OPC技術主要用於半導體裝置，但如是技術尚未被應用在需要以高保真度一路列印至場域的很邊緣處之特徵構造的情形中。
如本文所用的OPC將概括使用在描述需施加至一4×縮減罩幕的特徵構造修正之脈絡中，藉以修正從一4×縮減罩幕過渡至一罩幕、模板或晶圓上的成像阻劑之不完美空中影像。在本發明的一形態中，OPC係用來刻意將罩幕的線(譬如位於5至200nm的範圍)加長超過所欲的列印長度，藉以造成來自相鄰場域的列印線“相遇”或甚至重疊。 如同已注意：在一WGP的實例中，特徵構造必須被印出到場域的很邊緣，且施加OPC技術係生成一較精確方式以修正位於邊界的特徵構造尺寸。譬如，利用如是方式，接近一邊界的邊緣之個別的線可作修正，以確保列印能產生橫越多重場域的連續無接縫線。
在本發明的另一形態中，掃描器或步進器可被程式化以刻意偏移場域的置放，基本上迫使所列印場域重疊。圖9顯示場域64b及64c刻意在y方向偏移達約80nm之一範例。如同可看出，已經消除間隙g1/g2，而產生連續光柵線68及69a，並使得在y方向對抵的場域不再明顯可見。然而，如是一偏移途徑仍尚未對於產生較窄端線的光學效應作修正。為了進一步修正較窄的端線，場域亦可在x方向重疊。這描繪於圖10。此處所示的修正採用x方向的一50nm移位，而產生場域64d與64e之間的一x重疊。這造成先前較窄的端線69a呈重疊，而產生線69b。雖然所描繪的線69b相對於線68略微地尺寸過大，可藉由使重疊移位及/或利用OPC技術改變端特徵構造在x方向的尺寸來進一步調整所產生的寬度，故使線確實作正確列印。如同將瞭解，可利用OPC技術的場域偏移的一組合來達成所欲特徵構造寬度之連續、無接縫光柵。
圖11A至11D及12A至12B描繪上述OPC及/或偏移修正的示意圖。圖11A描繪罩幕71具有相等維度長度l1及寬度W1的線70。由於所討論的光學效應，罩幕71列印具有線端縮短及線窄化之場域84a，如圖11B所描繪。確切來說， 內部線72及端線74皆縮短至長度l2，其中端線74進一步窄化至寬度w2。圖11C描繪罩幕73，其具有相同寬度w1但已被加長至長度l3的內部線76，且其中端線78皆被加長至長度l3且進一步加寬至寬度w3。罩幕73列印場域88a，其中全部的線80具有相同的所欲長度l1及寬度w1。圖12A顯示以罩幕71列印經抵靠場域84a至84d之結果，由於線縮短效應及相較於內部線72寬度而言較短的端線74寬度而產生場域之間不欲的間隙。相形之下，圖12B顯示以罩幕73列印經抵靠場域84a至84d之結果，產生線80之所欲的無接縫圖案化，其各具有所欲的長度及寬度。請注意：亦可使用具有所需要的x及y偏移之罩幕71經由重疊列印來達成圖12B的結果。此外，OPC及重疊的一組合可同樣達成圖12B結果。
亦應注意：隨著特徵構造尺寸減小，上述光學效應問題係變得更差。在圖8至10所示的範例中，係列印65nm特徵構造線。如同注意：65nm在一浸入基礎式193nm掃描器中相當容易作解析。然而，線柵偏振器在較短波長具有最良好的運作。具有50nm線寬度的WGPs似乎是一種在使用上更好的線尺寸，且對於一高端浸入掃描器而言甚至可以是40nm。然而，在40nm，列印製程具有相當小的製程餘裕，且空中影像的任何不完美均將對於經抵靠光柵場域造成較嚴重的列印問題，因此進一步使其有助於上述途徑。將一大區域圖案無接縫地“縫織”在一起的另一種方式係進行壓印微影術，其中進行多重微影術步驟，俾以一種使相鄰場域邊緣在任一微影術步驟中未被同時曝露的方式來曝 露整體陣列的一部分。如是一製程的範例顯示於圖13A至13E。如圖13A所示，基材212設有氧化物層214及硬罩幕層216。阻劑圖案化層146a形成於硬罩幕216上。如圖所示，阻劑圖案層146a係包括圖案場域F1及F3中的圖案化特徵構造250a，而場域F2則保持未圖案化。在一曝光之後，F1及F3圖案係被蝕刻至硬罩幕216內(譬如，Cr、多晶矽(poly)、氮化物、碳、其他金屬)且留存的阻劑146a被剝離(圖13B)。圖案化層146b隨後形成於硬罩幕216上方，故使層146b包括圖案場域F2中的圖案化特徵構造250b，而場域F1及F3則保持圖案化(圖13C)。並且在曝光之後，F2圖案亦被蝕刻至硬罩幕216內且留存的阻劑被剝離(圖13D)。製程可進一步重複直到全部場域皆被佈植(亦即圖案化至硬罩幕216內)為止。圖案隨後被蝕刻至氧化物層214內以生成大區域圖案化罩幕228。若對於此“微影/蝕刻-微影/蝕刻(LELE)”途徑需要對準，一零位準組的對準標記可首先被施加至晶圓。譬如，如是對準標記可放置在主動區域外。另一範例中，其可先被放置在各場域中、然後蝕刻至晶圓內。隨後採用一平面化步驟，俾以移除任何拓樸結構，藉此從對準標記消除任何不想要的圖案。
可能欲使根據本文提供的方法所形成之主罩幕具有一平台，故使圖案留駐在矽的一凸高部分上。如是一平台可譬如根據圖14A至14E所示的方法被形成。圖14A描繪矽基材312及氧化物層314，其中圖案化特徵構造350形成於氧化物層314中。形成另一微影術步驟，其中藉由施加阻 劑層345、及選用性施加一硬罩幕層、諸如氧化物(未圖示)來保護圖案特徵構造350，俾使氧化物層314在圖案特徵構造區域外被曝露(圖14B)。進行一氧化物蝕刻選擇性移除位於圖案外之區域(圖14C)，接著是一矽蝕刻，藉此形成基材312上的平台360(圖14.3)。留存的阻劑346隨後被剝離以使模板328設有從平台360延伸的圖案特徵構造。可利用許多化學作用來蝕刻氧化物及矽。對於氧化物，範例包括CF4及CHF3。對於矽，可使用氯及溴化氫。
將瞭解：利用本文所描述製程之大區域主罩幕或模板的製造並不限於特別使用193nm浸入工具。譬如，可使用極紫外線微影術(EUV)工具或奈米壓印微影術(NIL)工具。此外，諸如掃描束干涉微影術(SBIL)、多重電子束微影術及樣板(stencil)基礎式掃描電子束微影術等其他途徑係可施用在根據本文所描述方法的大區域主或工作模板之製造中。
一旦大區域主罩幕被生成，可取得其他方法利用壓印微影術形成次主或複本(或工作)模板。譬如，矽晶圓圖案可被轉移至一玻璃基材。類似地，矽晶圓圖案可被轉移至一撓性膜。撓性膜上的圖案變成一複本模板，其隨後可被使用於一輥對輥或輥對板系統中。
最後，如是轉移製程可進一步併入有多重的步進及重複壓印，以佈植很大區域複本罩幕。這可能係為其中面板此時具有大於3m×3m維度之顯示器應用所需要。
熟習該技術者將鑒於此描述而得知不同形態的 進一步修改及替代性實施例。為此，此描述僅被詮釋成示範性。請瞭解：本文所顯示及描述的形式被視為實施例的範例。皆如同熟習可從此描述獲益的技術者瞭解：本文所描述及顯示的元件及材料可另作替代，部份及製程可被逆反，且特定特徵構造可被獨立地利用。本文描述的元件可作改變而不脫離如申請專利範圍所界定的精神與範圍。
10‧‧‧微影系統
12‧‧‧基材
14‧‧‧基材夾盤
16‧‧‧階台
18‧‧‧模板
20‧‧‧平台
22‧‧‧圖案化表面
24‧‧‧凹部
26‧‧‧凸部
28‧‧‧夾盤
30‧‧‧壓印頭
32‧‧‧流體配送系統
34‧‧‧可成形材料
38‧‧‧能量供源
40‧‧‧直接能量
42‧‧‧路徑
44‧‧‧基材12的表面
54‧‧‧處理器
56‧‧‧記憶體

Claims (11)

  1. 一種形成一壓印微影術模板之方法，包含：提供一基材；藉由在該基材上生成複數個圖案化場域以形成該基材上的一包含所欲長度及寬度的光柵之圖案化層，其中該複數個圖案化場域之生成進一步包含使用一具10nm或更小的置放場域精確度之光學掃描器及一暗罩幕以藉由光學微影術生成各場域，其中該暗罩幕進一步包含一或多個具有比該所欲長度及寬度更大的一長度及寬度以補償光學效應的光柵，且其中，一或多個該複數個圖案化場域在x及/或y方向偏移以補償光學效應，藉此於相鄰場域圖案之界面的任何接縫係小於10微米；將該圖案轉移至該基材內及移除任何留存的圖案化層，以形成該基材上的一圖案化特徵構造區域。
  2. 如請求項1之方法，其中該光學掃描器係一193nm浸入掃描器。
  3. 如請求項1之方法，其中該基材進一步包含一氧化物層，且其中於轉移該圖案至基材內之前，該圖案首先被轉移至該氧化物層。
  4. 如請求項3之方法，其中該基材於該氧化物層上進一步包含一抗反射塗層。
  5. 如請求項3之方法，其中該基材於該氧化物層上進一步包含一硬罩幕。
  6. 如請求項1之方法，進一步包含提供一平台於該基材上 的步驟，且該圖案化特徵構造區域係設置於該平台。
  7. 如請求項6之方法，進一步包含於該圖案化特徵構造區域上形成一保護層並蝕刻移除該基材之一部分以形成該平台的步驟。
  8. 一種藉由壓印微影術形成一大區域光學裝置之方法，其使用依請求項1所形成的壓印微影術模板。
  9. 如申請專利範圍第8項之方法，其中該大區域光學裝置係一線柵偏振器(WGP)。
  10. 一種使用一複本模板並藉由壓印微影術形成一大區域光學裝置之方法，該複本模板之形成係藉由從依請求項1所形成的模板轉移該圖案至一第二基材，該圖案化第二基材係形成該複本模板。
  11. 如申請專利範圍第10項之方法，其中該大區域光學裝置係一線柵偏振器(WGP)。
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