KR101563874B1 - 블랭크 스탬프 및 나노 임프린트 리소그래피용 스탬프 - Google Patents

블랭크 스탬프 및 나노 임프린트 리소그래피용 스탬프 Download PDF

Info

Publication number
KR101563874B1
KR101563874B1 KR1020070012499A KR20070012499A KR101563874B1 KR 101563874 B1 KR101563874 B1 KR 101563874B1 KR 1020070012499 A KR1020070012499 A KR 1020070012499A KR 20070012499 A KR20070012499 A KR 20070012499A KR 101563874 B1 KR101563874 B1 KR 101563874B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
stamp
film
pattern
mold
delete
Prior art date
Application number
KR1020070012499A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20080073824A (ko
Inventor
남기수
차한선
강형종
류기훈
Original Assignee
주식회사 에스앤에스텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 에스앤에스텍 filed Critical 주식회사 에스앤에스텍
Priority to KR1020070012499A priority Critical patent/KR101563874B1/ko
Publication of KR20080073824A publication Critical patent/KR20080073824A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101563874B1 publication Critical patent/KR101563874B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/887—Nanoimprint lithography, i.e. nanostamp

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)

Abstract

본 발명은 최근 반도체, 광학 소자 및 기타 나노 구조물을 형성하기 위한 나노 임프린트 리소그래피를 위한 스탬프 및 스탬프 제작용 원재료인 블랭크 스탬프 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 블랭크 스탬프를 사용하고 본 발명의 스탬프 제조 방법을 따르게 되면 피사체 고분자와의 점착에 의한 문제가 없고 스탬프 제작시 패턴 결함이 최소화된 정밀한 패턴을 가지는 스탬프를 제조할 수 있으며, 피사체의 위치 정렬을 정확하게 할 수 있도록 얼라인 마크 패턴이 형성된 스탬프를 제조하는 것이 가능하게 된다.
나노 임프린트, 블랭크 마스크, 스탬프, 템플레이트

Description

블랭크 스탬프 및 나노 임프린트 리소그래피용 스탬프{Blank Stamp and the Stamp used for Nano Imprint Lithography}
도 1a 내지 1h는 나노 임프린트 리소그래피에 의한 패터닝 과정을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2a 내지 2g는 본 발명의 일 실시예를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 스탬프 단면을 개략적으로 나타낸 것이다.
도 4a 내지 4g는 본 발명의 일 실시예를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 5a 내지 5e는 본 발명의 일 실시예를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 6a 내지 6g는 본 발명의 일 실시예를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 7a 내지 7f는 본 발명의 일 실시예를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 8은 스탬프와 피사체 고분자간의 접촉각 측정 방법을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 9는 라인 에지 거칠기 측정 방법을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
1 : 스탬프 기판(1) 2 : 대전방지막
3 : 포토레지스트 4 : 점착방지막
5 : 몰드막 6 : 식각저지막
10 : 피사체 기판 20 : 피사체 박막
30 : 피사체 고분자 40 : 피사체 적층막
100 : 스탬프
200 : 볼록몰드 패턴 201 : 오목몰드 패턴
300 : 스탬프 패턴 높이 301 : 스탬프 패턴 피치
400 : 얼라인 마크 패턴
본 발명은 최근 반도체, 광학 소자 및 기타 나노 구조물을 형성하기 위한 차세대 리소그래피(NGL : Next Generation Lithography) 기술 중 하나인 나노 임프린트용 스탬프(Stamp, 템플릿(Template) 또는 몰드(Mold))에 관한 것으로, 특히 상기 나노 임프린트용 스탬프 제작을 위한 원재료인 블랭크 스탬프에 관한 것이다.
나노 임프린트 리소그래피 기술은 1996년 프린스턴 대학의 Chou 교수에 의해 제안된 것으로 EUV(Extreme Ultra Violet) 리소그래피 기술과 함께 2004년 ITRS(International Technology Roadmap for Semiconductors )에서 선정한 차세대 리소그래피 기술 중의 하나로 선정된 바 있다. 상기 나노 임프린트 리소그래피 기술은 반도체뿐만 아니라 광학 및 바이오 나노 소자 등을 저렴한 제조비용으로 대량 생산하는 것이 가능하기 때문에 최근 그 기술 개발이 매우 활발하다. 상기 나노 임프린트 리소그래피 기술은 컴팩트 디스크와 같이 패턴을 갖는 고분자 소재 제품의 대량 생산에 사용되던 엠보싱 기술을 리소그래피 기술에 적용한 것으로 전자빔 리소그래피 공정기술을 사용하여 나노 스케일의 구조를 갖는 스탬프를 제작하고 이 스탬프를 사용하여 고분자 박막에 각인한 다음 식각 또는 리프트 오프(Lift Off) 공정을 통하여 동일한 형태의 패턴을 얻는 방법이다. 하기의 도 1a 내지 도 1h에 개략적으로 도시하였으며 개략적인 나노 임프린트 공정은 하기와 같이 수행한다. 먼저 도 1a와 같은 형태의 스탬프(100)를 제작하고 도 1b와 같이 나노 구조물을 형 성하고자 하는 피사체의 기판(100)에 나노 임프린트를 위한 고분자(30)를 코팅한다. 그 다음 도 1c와 같이 스탬프(100)를 사용하여 고분자(30)를 고압으로 압축하여 패턴을 각인한 후 후 도 1d와 같이 스탬프와 고분자(30)가 코팅된 기판을 분리하게 되면 스탬프와 반대 형태의 고분자(30) 패턴이 형성된다. 이 때 패턴 각인 방법은 상기 고분자(30)를 열전도 방식으로 가열하거나 또는 레이저로 순간적으로 전이온도(Tg) 이상으로 가열하여 상기 고분자(30)가 유동성을 가지게 한다. 이 때 고압의 스탬프(100)로 압축하기 때문에 고분자(30)는 스탬프(100)와 반대 형태로 각인되는데 상기 고분자(100)를 냉각시켜 스탬프(100)를 분리하는 방법과, 유동성이 있는 UV(Ultra Violet) 경화성 고분자(30)를 사용하여 각인하고 UV를 조사하여 경화시킨 다음 스탬프(100)를 분리하는 방법 등이 사용된다. 상기와 같은 방법으로 제조된 나노 스케일의 구조물을 가지는 고분자(30) 패턴을 이용하여 도 1e 내지 도 1f에 도시한 바와 같이 그 하부의 박막(20)을 식각하거나 또는 도 1g 내지 도 1h에 도시한 바와 같이 리프트 오프 공정을 수행하여 피사체 적층막(40)을 적층한 후 고분자(30) 패턴을 제거하면 나노 임프린트 리소그래피를 이용한 나노 구조물이 형성된다. 상기 스탬프(100)는 종래에는 UV가 투과할 수 없는 실리콘(Si), 니켈(Ni) 기판을 사용하여 스탬프(100)를 제작하였으나, 이 후 UV가 투과 가능하고 낮은 열팽창 계수를 가지는 석영(Quartz), 사파이어(Sapphire), 다이아몬드(Diamond) 기판의 블랭크 스탬프를 가공하여 스탬프(100) 제작을 하기에 이르렀다. 그러나 종래의 나노 임프린트 리소그래피용 블랭크 스탬프 및 스탬프는 하기의 문제점이 있었다. 석영 및 사파이어 기판을 사용하게 되면 반복되는 고압 압축과 가열 - 냉각의 반복 및 UV 조사로 인하여 스탬프(100) 패턴이 파손되는 문제가 있었다. 나노 임프린트 리소그래피 기술은 종래의 광학적 리소그래피와 달리 스탬프(100)와 고분자(30)가 직접 접촉하며 따라서 스탬프(100)와 고분자(30)간의 점착(Sticking)으로 인하여 스탬프(100)가 고분자(30)에 의해 오염되어 나노 구조물에 불량을 일으키는 문제가 있었다. 따라서 상기 스탬프에 의한 반복 스탬핑 횟수가 짧은 문제점이 있었다. 상기 점착 문제는 스탬프(100)와 고분자(30)간의 점착은 스탬프 표면의 거칠기가 클수록, 스탬프와 고분자의 표면에너지가 클수록 많이 발생하는 것으로 알려져 있다. 또한, 나노 임프린트 리소그래피용 스탬프(100)는 접촉 방식에 의하여 스탬프(100)와 피사체가 1 : 1 크기로 전사된다. 따라서 종래의 4 : 1 또는 5 : 1 정도의 축소 노광을 하는 비접촉식의 프로젝션(Projection) 노광에 비하여 사용되는 스탬프(100) 패턴의 크기가 종래의 포토마스크 패턴 크기보다 매우 작아야 하며, 패턴 결함 수준 또한 매우 작아야 한다. 즉, 축소 노광 방식에 사용되는 포토마스크의 경우 어떤 패턴 결함이 존재하더라도 패턴 결함이 1/4 또는 1/5 크기로 축소되므로 나노 임프린트 리소그래피용 스탬프(100)에 비하여 패턴 결함에 민감하지 않다. 그러나 상기 스탬프(100)의 경우 패턴 결함이 그대로 피사체에 전사되므로 패턴 결함에 매우 민감한데 종래의 스탬프(100)는 투명한 재질의 기판을 식각하여 사용하거나 또는 불투명한 기판을 식각하여 사용하였기 때문에 패턴의 검사가 어렵거나 불가능하고 이로 인하여 패턴 결함을 수정하는 것 역시 어려운 문제점이 있었다. 또한, 나노 임프린트 리소그래피 기술은 상기 투명 재질 또는 불투명한 재질의 기판을 식각하여 스탬프를 제조하기 때문에 종래의 노광광의 프로젝션 방식에 사용되던 얼라인 마크 패턴의 검출이 어려워 위치 정렬이 어려운 문제점이 있었다. 상기 문제로 인하여 반도체와 같이 다층 정렬이 필요한 경우에 사용하지 못하는 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 스탬프와 고분자간의 점착이 적은 스탬프 및 그 원재료인 블랭크 스탬프와 그 제조 방법을 제공하는데 있다.
또한, 본 발명의 목적은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 스탬프 패턴의 결함 검사 및 결함 수정이 가능하여 패턴 결함이 최소화된 고급의 스탬프 및 그 원재료인 블랭크 스탬프와 그 제조 방법을 제공하는데 있다.
또한, 본 발명의 목적은 위치 정렬이 쉬운 스탬프 및 그 원재료인 블랭크 스탬프와 그 제조 방법을 제공하는데 있다.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 상기 스탬프 제작을 위한 블랭크 스탬프가 UV 투과성 기판(1) 위에 대전방지막(2)과 포토레지스트(3)가 코팅된 것이 바람직하다. 상기의 블랭크 스탬프를 사용하여 제조되는 스탬프는 하기의 방법을 따른다.
즉, 상기의 블랭크 스탬프를 준비하는 단계; 상기 포토레지스트(3)에 노광 및 현상 하여 포토레지스트(3) 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트(3) 패턴을 식각마스크로 하여 상기 대전방지막(2)을 식각하여 대전방지막(2) 패턴을 형성하는 단계; 포토레지스트(3) 패턴을 제거하는 단계; 상기 대전방지막(2) 패턴을 식각마스크로 하여 기판(1)을 식각하는 단계를 포함하여 제조하는 것이 바람직하며 상기 기판(1) 식각 후 대전방지막(2) 패턴을 제거하는 단계를 더 포함하는 것이 더욱 바람직하다. 또한, 상기 제조된 스탬프의 전면(Front Side)에 점착방지막(4)을 더 적층하는 것이 더욱 바람직하다. 상기의 블랭크 스탬프 및 이를 사용하여 제조되는 스탬프는 기판(1)을 정밀하게 식각하여 스탬프를 제조하고자 하는 경우 유용하며, UV 투과성의 기판(1)만으로 몰드가 제조되기 때문에 UV 처리를 통한 가열 또는 고분자(30) 경화 공정을 수행하는 나노 임프린트 공정에 적합하다. 또한 상기 대전방지막(2) 패턴 형성 후 기판(1)을 식각하기 전에 대전방지막(2) 패턴의 결함을 검사하고 패턴 결함을 수정하는 공정을 더 포함하는 것이 바람직하다. 대전방지막(2)은 대전방지 효과를 위하여 금속 및 금속 화합물로 형성되므로 투과율과 반사율이 상기 기판과 뚜렷이 구별된다. 따라서 대전방지막(2) 패턴은 식각된 부분과 식각되지 않은 부분의 투과율 및 반사율 차이가 크기 때문에 종래의 포토마스크 검사 기술을 사용하여 쉽게 검사가 가능하다. 또한 대전방지막(2) 패턴의 패턴 결함 수정 후 기판(1)을 식각하게 되면 대전방지막(2)에 발생되는 결함이 기판(1)에 전사되지 않기 때문에 결함의 검사 및 결함 수정이 어려운 투명한 재질의 기판(1) 사용도 가능하다. 또한, 스탬프 제조 후 결함 수정을 할 때 결함 수정 과정에서 발생하는 두께 차이가 발생하는 문제가 없다. 예를 들면, 확장(Extention)결함을 FIB(Focused Ion Beam) 또는 LAE(Laser Assist Etching) 공정에 의해 제거하는 경우 결함만 제거하도록 제어하는 것이 매우 어렵기 때문에 하부층이 약간 식각되는데 상기 식각된 하부층이 나노 임프린트 리소그래피 공정시 불량을 일으키는 요소가 될 수 있으며, 반대로 침입(Intrusion)결함을 국부적인 CVD를 통하여 보충하는 경우 역시 마찬가지로 그 두께를 정확하게 제어하기가 힘들어 주변와의 두께 차이에 의해 결함을 발생시킨다. 상기의 문제는 대전방지막(2) 패턴 상태에서 결함 수정 및 수정된 대전방지막(2) 패턴을 식각마스크로 하여 기판(1)을 식각한 다음 상기 결함 수정에 의해 두께 편차가 존재하는 대전방지막(2) 패턴을 제거하기 때문에 문제가 되지 않는다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 상기 블랭크 스탬프가 UV 투과성 기판(1) 위에 대전방지막(2)과 몰드막(5)이 순차적으로 적층되고 그 위에 포토레지스트(3)가 코팅되는 것이 바람직하다. 상기의 블랭크 스탬프를 사용하여 제조되는 스탬프는 하기의 방법을 따른다.
즉, 상기의 블랭크 스탬프를 준비하는 단계; 상기 포토레지스트(3)에 노광 및 현상하여 포토레지스트(3) 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트(3) 패턴을 식각마스크로 하여 상기 대전방지막(2)을 식각하여 대전방지막(2) 패턴을 형성하는 단계; 상기 대전방지막(2) 패턴을 식각마스크로 하여 몰드막(5)을 식각하는 단계;를 포함하여 스탬프를 제조하는 것이 바람직하며 몰드막(5) 식각 후 대전방지막(2) 패턴을 제거하는 단계를 더 포함하는 것이 더욱 바람직하다. 또한, 또한, 상기 제조된 스탬프의 전면(Front Side)에 점착방지막(4)을 더 적층하는 것이 더욱 바람직하다. 상기에서 몰드막(5)의 식각은 몰드막(5)의 두께 일부를 식각하는 것이 가능하며, 몰드막(5)의 두께 전체를 식각하는 것도 가능하다. 만약 몰드막(5)을 구성하는 물질이 기판(1)보다 피사체 고분자(30)와 낮은 표면에너지를 가지는 경우 고분자(30)와 기판(1)이 접촉되지 않도록 두께 일부만 식각하는 것이 바람직하며, 몰드막(5) 두께 전체를 식각하는 경우, 몰드막(5) 두께만큼의 패턴 높이(300)를 가지기 때문에 블랭크 스탬프 제조 단계에서 몰드막(5) 두께를 제어하여 보다 정밀한 두께 제어가 가능해 진다. 상기의 블랭크 스탬프 및 이를 사용하여 제조되는 스탬프는 기판(1)을 식각하지 않기 때문에 더욱 정밀한 패턴을 형성하는 것이 가능하며, 몰드막(5)과 피사체의 고분자(30) 간의 표면에너지가 극히 낮은 물질로 몰드막(5)을 제조하는 경우 스탬프의 오염 방지와 스탬프 수명을 증가시킬 수 있는 장점이 있다. 또한 기판(1)이 매우 고가일 경우, 기판(1)을 재사용하는 것이 가능하기 때문에 제조비용을 절감할 수 있는 효과도 있다. 또한 상기 노광 및 현상 단계에서 스탬프 위치 정렬을 위한 얼라인 마크(400, Align Mark) 패턴을 더 포함하여 제조하는 것이 더욱 바람직하다. 상기와 같이 노광 및 현상 단계에서 스탬프 위치 정렬 패턴을 포함하게 되면 위치정렬을 위한 몰드막(5) 패턴이 형성되고 다층의 나노 임프린트 리소그래피 공정을 수행하는 경우 위치 정렬을 정확하게 할 수 있는 장점이 있다. 만약 몰드막(5) 두께 전체를 식각하지 않는다 하더라도 얼라인 마크의 투과율 및 반사율이 얼라인 마크 주변부의 투과율 및 반사율과 차이가 있으면 되기 때문에 아무런 문제가 없다. 또한 상기 대전방지막(2) 패턴 형성 후 몰드막(5)을 식각하기 전에 대전방지막(2) 패턴의 결함을 검사하고 패턴 결함을 수정하는 공정을 더 포함 하는 것이 바람직하다. 대전방지막(2) 패턴의 결함 검사 및 패턴 결함 수정 공정을 추가함으로써 상기에서와 마찬가지로 패턴의 결함 검사가 쉽고, 패턴 결함이 감소된 몰드막(5)의 패턴 및 결함 수정에 의한 높이 차이가 없는 고품질의 몰드막(5) 패턴을 형성할 수 있다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 상기 블랭크 스탬프가 UV 투과성 기판(1) 위에 몰드막(5)이 적층되고 그 위에 포토레지스트(3)가 코팅되는 것이 바람직하다. 상기의 블랭크 스탬프를 사용하여 제조되는 스탬프는 하기의 방법을 따른다.
즉, 상기의 블랭크 스탬프를 준비하는 단계; 상기 포토레지스트(3)에 노광 및 현상하여 포토레지스트(3) 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트(3) 패턴을 식각마스크로 하여 상기 몰드막(5)을 식각하는 단계; 포토레지스트(3) 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 스탬프의 전면에 점착방지막(4)을 더 적층하는 것이 더욱 바람직하다. 상기에서와 마찬가지로 몰드막(5)은 두께 일부를 식각하는 것이 가능하며 전체를 식각하는 것도 가능하다. 상기의 블랭크 스탬프와 이를 사용하여 제조되는 스탬프는 상기의 대전방지막(2)을 적층하지 않기 때문에 블랭크 스탬프의 제조 공정이 단축되고 또한, 대전방지막(2)을 식각할 필요가 없기 때문에 스탬프 제조 공정이 단축되어 제조비용이 절감되는 장점이 있다. 그러나 대전방지막(2)을 더 적층하는 경우보다 더 정밀한 패턴 형성이 어렵기 때문에 100nm 이상의 비교적 큰 패턴용의 나노 임프린트 스탬프, 예를 들면, TFT-LCD 제조용의 스탬프를 제조하는데 유용하다. 또한 상기와 마찬가지로 노광 및 현상 단계에 서 스탬프 위치 정렬을 위한 얼라인 마크(Align Mark)를 더 포함하여 제조하게 되면 다층의 나노 임프린트 리소그래피 공정을 수행하는 경우 위치 정렬을 정확하게 할 수 있는 장점이 있다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 상기 스탬프 제작을 위한 블랭크 스탬프가 식각저지막(6), 몰드막(5), 대전방지막(2)이 순차적으로 적층되고 그 위에 포토레지스트(3)가 코팅된 것이 바람직하다. 상기의 블랭크 스탬프를 사용하여 제조되는 스탬프는 하기의 방법을 따른다. 즉, 상기의 블랭크 스탬프를 준비하는 단계; 상기 포토레지스트(3)에 노광 및 현상하여 포토레지스트(3) 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트(3) 패턴을 식각마스크로 하여 상기 대전방지막(2)을 식각하여 대전방지막(2) 패턴을 형성하는 단계; 상기 대전방지막(2) 패턴을 식각마스크로 하여 몰드막(5)을 식각하는 단계를 포함하여 스탬프를 제조하는 것이 바람직하며, 상기 대전방지막(2) 패턴을 제거하는 단계를 더 포함하는 것이 더욱 바람직하다. 상기의 블랭크 스탬프를 사용하여 스탬프를 제조하게 되면 상기 식각저지막(6)이 몰드막(5)의 식각저지 역할과 함께 점착 방지막의 역할을 하게 된다. 따라서 스탬프의 전면에 점착방지막(4)을 더 적층하지 않아도 되기 때문에 점착방지막(4)의 스텝 커버리지 문제가 없으며 스탬프 패턴이 너무 작아서 점착방지막(4)을 더 적층하기 곤란한 경우에도 사용할 수 있으며, 표면에너지가 낮기 때문에 고분자(30) 점착에 의한 문제가 없으며 점착방지막(4) 적층 후 세정 및 검사 공정이 필요하지 않기 때문에 스탬프 제작 비용이 절감되는 장점도 있다. 또한, 상기 식각저지막(6)이 몰드막(5)의 식각저지 역할을 하기 때문에 몰드막(5)을 기판(1)을 이루는 물질과 동일한 물질로 적층하는 것이 가능하다. 또한 상기와 마찬가지로 노광 및 현상 단계에서 스탬프 위치 정렬을 위한 얼라인 마크(Align Mark)를 더 포함하여 제조하게 되면 다층의 나노 임프린트 리소그래피 공정을 수행하는 경우 위치 정렬을 정확하게 할 수 있는 장점이 있다. 또한 상기 대전방지막(2) 패턴 형성 후 몰드막(5)을 식각하기 전에 대전방지막(2) 패턴의 결함을 검사하고 패턴 결함을 수정하는 공정을 더 포함하는 것이 바람직하다. 대전방지막(2) 패턴의 결함 검사 및 패턴 결함 수정 공정을 추가함으로써 상기에서와 마찬가지로 패턴의 결함 검사가 쉽고, 패턴 결함이 감소된 몰드막(5)의 패턴 및 결함 수정에 의한 높이 차이가 없는 고품질의 몰드막(5) 패턴을 형성할 수 있다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 상기 UV 투과성 기판(1)은 400nm 이하 파장의 UV를 80% 이상 투과시킬 수 있는 것이 바람직하며 열팽창율이 500℃ 이하의 온도 범위에서 1 × 104 이하가 되는 것이 바람직하다. 상기 조건을 만족하는 기판(1) 중 석영(Quartz), 사파이어(Sapphire), 다이아몬드(Diamond), CaF2, MgF2 중 어느 하나의 기판을 사용하는 것이 더욱 바람직하며 필요에 따라 석영 기판에 CaF2 또는 사파이어 등이 코팅된 기판(1)을 사용하는 것도 가능하다. 상기 기판은 UV 투과율이 90% 이상이고 열팽창율이 매우 낮으며 강도가 매우 높기 때문에 스탬프 제작을 위한 기판(1)으로 매우 적합하다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 상기 대전방지막(2)의 면저항이 1 내지 100kΩ/□인 것이 바람직하다. 상기 대전방지막(2)은 전자빔 노광에 의한 포토레지스트(3) 패턴 형성시 절연체의 기판(1)이 차지업(Charge Up) 현상에 의해 패턴 불량이 발생하는 것을 방지하도록 하며, 단색광의 레이저에 의한 스탬프 제작시 단색광의 레이저가 기판(1)을 투과하는 것을 방지하여 패턴 불량이 발생하는 것을 방지한다. 상기 단색광의 레이저 또는 UV 투과성 기판(1)은 절연체이며, 포토레지스트(3) 또한 절연체이기 때문에 상기 대전방지막(2)은 전도성의 물질이며 단색광의 레이저를 투과시키지 않는 것이 더욱 바람직하다. 상기 면저항은 낮을수록 좋으나 면저항이 1Ω/□ 이하로 하기 위해서는 대전방지막(2)의 두께가 매우 두꺼워져야 하는 문제점이 있는데 비해 대전방지 효과는 급격히 감소한다. 또한, 면저항이 100kΩ/□ 이상인 경우 전자빔 노광에 의한 패턴 묘화(Writing)시 전자빔에 의해 먼저 노광되어 고전압의 음전위로 대전된 포토레지스트(3) 근처의 패턴에 묘화를 실시하는 경우 상기 포토레지스트(3)에 대전된 음전위에 의한 반발력으로 패턴의 위치 불량이 발생하기 쉽다. 상기와 같은 문제는 전자빔 노광에 의해 제조되는 패턴의 크기가 작을수록, 더 높은 가속 전압을 가지는 전자빔 노광장치를 사용할수록 크다. 현재 50keV의 가속전압으로 노광하는 전자빔용 노광장비가 사용되고 있으며, 최근 100keV의 가속전압으로 노광하는 전자빔용 장비가 보급되고 있기 때문에 상기 면저항이 더욱 낮아져야하며 상기 면저항이 1 내지 1kΩ/□인 것이 더욱 바람직하다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 상기 대전방지막(2)의 두께가 5 내지 100nm가 되는 것이 바람직하다. 상기 대전방지막(2)은 전자빔 또는 단색광의 레이저 노광 후 식각 공정시 마스크 역할을 하기 때문에 마스크 역할을 하기에 충 분한 두께를 가지는 것이 필요하며 두께가 5nm 이하인 경우 마스크 역할이 충분하지 않기 때문에 그 하부의 기판(1)이 손상 받기 쉬우며 두께가 100nm 이상이 되면 스탬프의 CD(Critical Dimension)가 50nm 이하에서 균일하게 제어하기가 매우 어렵게 된다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 상기 포토레지스트(3)의 두께가 50nm 내지 500nm 두께인 것이 바람직하며 전자빔용 또는 단색광의 레이저용 포토레지스트(3)인 것이 바람직하다. 차세대 리소그래피를 위한 스탬프는 나노 스케일의 패턴 구조물을 가지게 되므로 200nm 이하, 특히 100nm 이하의 패턴 구조물을 가지게 되므로 스탬프 역시 200nm 이하의 패턴을 가져야만 한다. 상기 패턴을 형성시키기 위한 포토레지스트(3)의 두께가 500nm 이상이 되면 200nm 이하의 패턴을 제조하기 어려워지며, 포토레지스트(3)의 두께가 50nm 이하가 되면 포토레지스트(3) 코팅시 핀홀(Pinhole) 결함이 다량 발생하여 스탬프의 결함이 증가하게 된다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 상기 대전방지막(2)이 탄탈륨(Ta), 코발트(Co), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr),바나듐(V), 팔라듐(Pd),티타늄(Ti), 플랫티늄(Pt), 망간(Mn), 철(Fe), 실리콘(Si), 니켈(Ni), 카드늄(Cd), 지르코늄(Zr), 마그네슘(Mg), 리튬(Li) 셀렌(Se), 구리(Cu), 이트륨(Y), 황(S), 인듐(In), 주석(Sn), 보론(B), 베릴륨(Be) 중의 어느 하나 이상으로 구성되는 것이 바람직하며 상기 물질에 산소(O), 질소(N), 탄소(C), 불소(F), 수소(H), 염소(Cl) 성분 중 어느 하나 이상이 더 포함되는 것이 더욱 바람직하다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 상기 기판(1) 식각 단계에서 습 식식각 또는 건식식각 중 어느 하나를 사용하는 것이 가능하나, 건식식각 후 습식식각 하는 방법으로 식각하는 것이 더욱 바람직하다. 상기의 방법을 따르게 되면 건식식각에 의한 우수한 CD 특성과 습식식각에 의한 표면 거칠기 감소의 효과를 얻을 수 있다. 상기의 건식식각에 의해 볼록 몰드(200, Convex Mold) 패턴은 각진 형태로 되기 때문에 상기 고분자(30) 패턴의 CD 특성이 우수하게 된다. 또한, 습식식각에 의해 오목 몰드(201, Concave Mold) 패턴의 에지(Edge) 부분의 형태가 둥근(Round) 형태로 되고 건식식각에 의한 표면거칠기가 감소하게 되기 때문에 상기 스탬프를 사용하여 고분자(30)막을 압축한 후 분리시킬 때 고분자(30) 점착이 방지되는 효과가 있다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 상기 제작된 스탬프 위에 점착방지막(4)을 더 적층하는 단계를 포함하는 것이 더욱 바람직하다. 상기 점착방지막(4)은 스탬프와 피사체 고분자(30) 간의 이형제의 역할을 하게 된다. 따라서 스탬프 패턴의 크기가 작을수록 점착방지막(4)의 두께가 얇은 것이 바람직하다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 상기 점착방지막(4)은 상기 기판(1)보다 고분자(30)와의 표면에너지가 더 낮은 것이 바람직하며, 고분자(30)와 스탬프간의 표면에너지가 0.5 내지 100mN/m가 되는 것이 더욱 바람직하다. 상기 표면에너지는 하기의 식을 사용하여 스탬프와 고분자(30)가 이루는 접촉각 (Contact Angle) θ를 측정하고 고분자와 대기간의 표면에너지 γLV를 알면 계산에 의해 얻을 수 있다. 도 8은 하기의 식을 개략적으로 도시한 단면도이다.
γLV : 고분자와 대기간의 표면에너지
γS : 스탬프의 표면에너지
θ : 고분자와 대기가 이루는 접촉각
또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 상기 점착방지막(4)이 탄소(C)가 주성분인 물질로 구성된 것이 바람직하다. 상기 탄소가 주성분인 물질은 그라파이트(Graphite)상, 다이아몬드(Diamond)상 등이 있으며, 상기 점착방지막(4)이 다이아몬드(Diamond)상인 것이 더욱 바람직하다. 상기 다이아몬드는 큰 Koop 강도와 내마모성을 가지고 있기 때문에 스탬프의 손상이 적으며, UV를 잘 투과시키기 때문에 UV를 사용하는 나노 임프린트 리소그래피(SFIL) 공정에도 적합하며 또한, 열전도성이 크기 때문에 고분자(30)를 가열하는 방식의 나노 임프린트 리소그래피(NIL) 공정에도 적합하다. 또한, 다이아몬드 기판(1)을 가공하여 스탬프로 사용하는 경우에 비하여 스탬프 제작 후 표면만을 코팅하기 때문에 패턴 형성이 쉽고 그 제조비용이 월등히 감소하게 되는 장점이 있다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 상기 점착방지막(4)이 금속 산화물(Metal Oxide) 또는 금속 질화물(Metal Nitride) 또는 금속 산화 질화물(Metal Oxy-Nitride) 또는 금속 불화물(Metal Fluoride), 금속 탄화물(Metal Carbide)인 것이 바람직하다. 상기 금속 화합물은 안정한 물질이기 때문에 고온 고압에도 피사체의 고분자(30) 물질과 반응하지 않으며 표면에너지도 낮다. 또한, UV에 대한 투 과율이 높기 때문에 UV를 사용하여 고분자(30)를 가열하거나 고분자(30)를 경화시키는 공정에도 사용하기 적합하다. 또한, 상기 금속 화합물은 비정질(Amorphous)인 것이 더욱 바람직하다. 상기 금속 화합물이 결정을 이루게 되면 표면거칠기가 커지게 되므로 표면에너지를 증가시키게 된다. 따라서 상기 금속 화합물은 비정질인 것이 바람직하다. 상기 금속 산화물을 예를 들면 Al2O3, MgO, CaO, B2O5 등을 사용하는 것이 가능하며, 금속 질화물은 TiN, CrN, TaN 등을 사용하는 것이 가능하며 금속 불화물은, CaF2, MgF2 등을 사용하는 것이 가능하다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 상기 점착방지막(4)이 DLC(Diamond Like Carbide)인 것도 가능하다. 상기 DLC는 예를 들면, 티타늄 탄화물(TiC), 티타늄 탄화 질화물(TiCN), 보론탄화물(B4C), 텅스텐탄화물(WC) 등이 있으며, 상기 다이아몬드와 비슷한 특성을 얻는 것이 가능하다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 상기 점착방지막(4)의 두께가 1 내지 50nm인 것이 바람직하다. 상기 점착 방지막이 고분자(30)와의 점착 방지 효과를 가지기 위해서는 상기 스탬프 표면의 전면에 증착되어야 하며, 점착방지막(4)의 두께가 1nm 이하에서는 일부가 코팅되지 않을 가능성이 높다. 또한 두께가 50nm 이상이 되면 다결정의 점착방지막(4)이 성장하여 스탬프의 표면거칠기를 증가시키며, 또한 점착방지막(4)의 두께가 두꺼울수록 상기 점착방지막(4)의 두께만큼 더 커진 CD와 식각 깊이를 가진 스탬프 패턴을 제작하여야 하기 때문에 CD 제어가 어렵게 된다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 상기 점착방지막(4)을 CVD 또는, PVD 또는 ALD법에 의해 기상 합성하여 적층하는 것이 바람직하다. 상기 다이아몬드 CVD 합성방법으로 열필라멘트법, 마이크로파 플라즈마법, 고주파 플라즈마법, 전자충격 CVD법(EACVD), 직류 플라즈마 방전법, 열플라즈마법, 연소염법 등을 사용할 수 있으며, 탄소를 포함하는 가스, 예를 들면, 메탄(CH4) 가스 등의 탄화수소 가스를 사용하여 합성하는 것이 바람직하다. 또한, 수소(H2), 헬륨(H2), 아르곤(Ar) 가스 등을 더 사용하여 제조하는 것이 더욱 바람직하다. 또한 DLC를 적층하기 위한 방법으로 PVD를 사용하는 것이 더욱 바람직하며, 예를 들어 반응성 스퍼터링법을 이용하여 DLC를 적층하게 되면 양호한 부착력과 표면 거칠기를 얻을 수 있다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 상기 점착방지막(4) 적층 전, 실리콘(Si), 텅스텐(W), 몰리브데늄(Mo), 탄탈륨(Ta) 중 어느 하나를 더 적층하는 것도 가능하다. 상기 물질은 기판(1)과의 부착력이 양호하며, 상기 점착방지막(4)과 부착력 또한 양호하기 때문에 상기 점착방지막(4)이 박리(Peel Up)되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 부착력과 UV 투과율을 더욱 향상시키기 위하여 산소(O), 질소(N), 불소(F), 탄소(C) 중 어느 하나 이상을 더 포함하는 것도 가능하다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 몰드막(5)의 투과율이 150 내지 500nm 중의 어느 한 파장에서 투과율이 20 내지 100%가 되는 것이 바람직하며, 50 내지 100%가 되는 것이 더욱 바람직하다. 나노 임프린트 리소그래피 공정은 피사체의 고분자(30)에 레이저를 조사하여 가열하거나 또는 UV 조사를 통하여 경화시키는 공정이 있기 때문에 이를 위하여 몰드막(5)의 투과율이 높은 것이 바람직하다. 그러나 20%의 하한을 두는 이유는 하기와 같다. 스탬프 제조 후 상기 몰드막(5)이 잔 류하는 부분은 볼록몰드 패턴(200)이기 때문에 나노 임프린트 공정시 스탬프에 의해 피사체의 고분자(30)를 압축하게 되면 스탬프 볼록몰드 패턴(200)의 부분에는 피사체의 고분자(30)가 얇은 부분이 남게 된다. 만약 레이저 조사를 통하여 고분자(30)를 가열하는 공정이라면 몰드막(5)의 투과율이 높지 않더라도 레이저 조사에 의해 몰드막(5)이 가열되므로 인접한 고분자(30)가 가열되어 유동성을 가질 수 있게 되므로 투과율과는 무관하다. 만약 UV 조사를 통하여 고분자(30)를 경화시키는 공정이라면 상기 피사체의 고분자(30)가 얇은 부분에는 얇은 두께로 인하여 많은 노광 에너지가 필요하지 않다. 따라서 오목 몰드 패턴(201)에 비하여 20%의 노광 에너지만으로 충분하게 된다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 상기 몰드막(5)이 상기 대전방지막과 식각비가 3 이상으로 식각특성이 다른 물질이며, 탄탈륨(Ta), 코발트(Co), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr),바나듐(V), 팔라듐(Pd),티타늄(Ti), 플랫티늄(Pt), 망간(Mn), 철(Fe), 실리콘(Si), 니켈(Ni), 카드늄(Cd), 지르코늄(Zr), 마그네슘(Mg), 리튬(Li) 셀렌(Se), 구리(Cu), 이트륨(Y), 황(S), 인듐(In), 주석(Sn), 보론(B), 베릴륨(Be) 중의 어느 하나 이상으로 구성되는 것이 바람직하며 상기 물질에 산소(O), 질소(N), 탄소(C), 불소(F), 수소(H), 염소(Cl) 성분 중 어느 하나 이상이 더 포함되는 것이 더욱 바람직하다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 몰드막(5)의 표면거칠기가 0.1 내지 2nmRMS인 것이 바람직하다. 몰드막(5) 패턴은 피사체 고분자(30)(30)와 직접 접촉하기 때문에 표면 거칠기가 크면 고분자(30)와의 점착에 의해 오염되어 결함을 유발하기 쉽다. 표면 거칠기가 2nmRMS 이상이 되면 20nm 이상의 고분자(30) 점착이 발생 할 수 있기 때문에 2nmRMS 이하로 유지되어야 하며 몰드막(5) 표면의 거칠기가 낮을수록 좋으나 0.1nmRMS 이하가 되기는 매우 어렵다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 상기 몰드막(5)이 비정질 구조인 것이 바람직하다. 일반적으로 박막이 결정을 이루게 되면 표면 거칠기가 커지며 상기 몰드막(5)을 패터닝하여 패턴을 형성하는 경우 패턴의 라인 에지 거칠기(LER : Line Edge Roughness)가 커지기 이것 역시 고분자(30) 점착을 유발시킨다. 상기에서 패턴 라인 에지의 거칠기는 도 9에 도시된 방법으로 같은 라인 앤 스페이스(Line And Space) 패턴의 서로 다른 지점을 20회 이상 측정 후 3시그마 값을 계산하는 방법으로 한다. 상기 스탬프의 라인 에지 거칠기는 0.01 내지 5nm로 제어되는 것이 바람직하다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 몰드막(5)의 두께가 10 내지 1000nm인 것이 바람직하다. 몰드막(5)의 두께가 1000nm 이상이 되면 정밀한 패턴을 제조하기가 매우 힘들고 또한 제조된 스탬프의 패턴에 결함 발생이 쉬우며 파손되기 쉽다. 반대로 두께가 10nm 이하가 되면 피사체 고분자(30)(30) 패턴을 충분한 높이 차이를 가지고 만들지 못하기 때문에 후속 공정이 힘든 문제점이 있다. 상기 몰드막(5)의 두께는 스탬프를 사용하여 제조되는 고분자(30) 패턴의 크기에 의해 제한을 받게 되는데 피치대 높이비(Aspect Ratio)가 10 이하인 것이 바람직하며 상기 두께 내에서 적절히 선택하는 것이 바람직하다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 상기 식각저지막(6)은 상기 점착 방지막(4)을 구성하는 것과 동일한 물질로 구성되는 것이 바람직하다. 상기 식각저지막(6)은 몰드막(5) 식각을 저지하는 식각저지막(6)의 역할도 함께 수행하기 때문에 상기 몰드막(5)과 식각비가 큰 것이 좋으며 3이상이 되는 것이 바람직하다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 상기 스탬프 패턴의 오목 몰드 패턴(201)의 에지부는 곡면인 형태이며 곡면의 반경이 오목몰드 패턴(201) 피치(301) 크기의 1/10 내지 1/2인 것이 바람직하다. 상기 오목몰드 패턴(201)은 나노 임프린트 리소그래피 공정시 피사체 고분자(30)(30) 패턴이 충진되는 공간이기 때문에 만약 지나치게 각진 형태를 지니고 있으면 고분자(30) 패턴과 스탬프 분리시 오목몰드 패턴(201)의 에지부에 고분자(30)가 점착되기 쉽다. 따라서, 오목몰드 패턴(201) 에지부가 곡면이 되도록 기판(1) 또는 몰드막(5)을 식각하는 것이 바람직하며 적어도 습식식각이 포함된 식각공정으로 제조되는 것이 더욱 바람직하다.
이하 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
(실시예 1)
도 2a 내지 도 2g는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 나노 임프린트 리소그래피용 블랭크 스탬프와 이를 이용한 스탬프 및 그 제조 방법을 개략적으로 도시한 것이다. 도면을 참조하면, 먼저 도 2a와 같이 블랭크 스탬프를 제조한다. 상기 블랭크 스탬프는 UV 투과성 기판(1) 위에 대전방지막(2)과 포토레지스트(3)를 코팅하여 제조한다. UV 투과성 기판(1)은 상기에 기재된 높은 UV 투과율과 낮은 평탄도, 표면거칠기가 우수한 기판(1)을 사용한다. 예를 들면, 화학기계적 연마(CMP : Chemical Mechanical Polishing)처리된 합성석영 유리 등을 사용하는 것이 좋다. 대전방지막(2)은 상기 포토레지스트(3)에 전자빔 노광시 차지업 현상을 방지하여야 하기 때문에 낮은 면저항을 가져야 한다. 또한, 패턴 형성 후 포토레지스트(3) 제거, 패턴 결함 검사, 결함 수정 및 세정 공정을 수행하여야 하기 때문에 포토레지스트(3) 스트립액 및 세정액인 황산(H2SO4), SC-1 등의 화학 약품에 대하여 내화학성이 높은 금속 물질을 선택하여 사용하여야 하며, 본 실시예의 경우 기판(1)을 식각하기 때문에 기판(1)과 식각비가 큰 물질로 구성되어야 한다. 예를 들면, 크롬(Cr) 등을 사용하는 것이 적당하며 더욱 높은 내화학성을 위하여 상기 금속 물질의 산화물, 질화물, 불화물, 탄화물 및 상기 화합물이 복합된 물질을 적층한다. 예를 들면 크롬을 주성분으로 하고 질소, 산소, 불소, 탄소 중에서 선택된 물질을 포함하여 사용하면 된다. 또한, 상기 대전방지막(2)의 면저항을 낮추기 위해서는 두꺼운 것이 좋으나 정밀한 패턴 형성을 위해서는 두께가 낮은 것이 좋다. 따라서 상기 면저항과 제조하고자 하는 스탬프의 패턴 정밀도 등을 고려하여 적절한 두께로 적층하여야 하며, 스탬프에 형성되는 최소 패턴 크기의 5배 내지 1/20배 정도가 적당하다. 대전방지막(2)으로 적층하는 물질에 따라 달라지나 10 내지 100nm 정도 두께가 적당하며 상기 제시된 면저항 범위가 되도록 금속과 금속 화합물의 비율을 적절히 제어 한다. 또한, 단일층을 적층하는 것도 가능하나 광학 노광 장비에 의해 노광하는 경우 반사방지막이 더 적층되는 것도 가능하다. 상기 대전방지막(2)을 적층하는 방법으로 PVD(Physical Vapor Deposition), CVD(Chemical Vapor Deposition, ALD(Atomic Layer Deposition) 등을 사용할 수 있다. 예를 들면, 금속 및 금속 화 합물 적층시 흔히 사용되는 PVD 방법 중 하나인 반응성 스퍼터링(Reactive Sputtering)법을 사용한다. 상기 반응성 스퍼터링법을 사용하게 되면 금속 및 금속 화합물을 높은 부착력을 가지도록 하여 적층할 수 있고 압력, 기판(1) 온도 및 스퍼터링 조건들을 적절히 제어하여 적층되는 대전방지막(2)이 비정질 상태가 되도록 하여 표면 거칠기를 제어하기 쉬운 장점이 있다. 또한 표면 거칠기를 낮추기 위하여 상기 대전방지막(2) 스퍼터링시 타겟 물질로 상기 크롬 등의 금속에 베릴륨(Be), 보론(B)등의 작은 원자 크기를 가지는 물질을 더 포함하여 사용하는 것도 가능하다. 상기 포토레지스트(3)는 대전방지막(2)의 패터닝을 위하여 코팅하며 포지티브(Positive)형 또는 네가티브(Negative)형 인지는 제조하고자 하는 스탬프의 패턴에 따라 적절히 선택하여 사용하면 된다. 흔히 사용되는 스탬프용 포토레지스트(3)는 종래의 광학 리소그래피의 포토마스크 제조시 사용되어 광학용 또는 전자빔용인 것이 좋다. 전자빔 리소그래피 기술을 이용하게 되면 현재 기술로도 1nm 단위의 패턴 형성이 가능하기 때문에 더욱 바람직하며, 특히 화학 증폭형 포토레지스트(3)인 것을 사용하면 된다. 상기 화학 증폭형 포토레지스트(3)를 사용하게 되면 양호한 해상도와 높은 생산성을 가지게 되므로 특히 선호된다. 예를 들어 FEP-171을 200 내지 400nm의 두께로 코팅한다. 이 때 더욱 정밀한 패턴 형성을 목적으로 포토레지스트(3) 코팅 전 대전방지막(2) 위에 HMDS 처리를 실시하여 부착력을 개선하고 화학 증폭형 포토레지스트(3)의 문제점인 스컴(Scum) 발생을 감소시키는 것도 가능하다. 상기 포토레지스트(3)의 두께는 상기 대전방지막(2) 건식 또는 습식 식각시 포토레지스트(3) 패턴이 식각마스크 역할을 충분히 할 수 있을 정도의 두께가 필요하며 상기에서 설명한 바와 같이 더욱 얇은 두께를 가질수록 우수한 결과를 얻을 수 있기 때문에 식각마스크 역할과 포토레지스트(3) 코팅시 결함이 발생하지 않는 범위 내에서 코팅한다. 포토레지스트(3) 코팅 후 소정의 온도와 시간으로 소프트 베이크(Soft Bake)를 실시하여 포토레지스트(3)의 용매(Solvent)를 제거하여 블랭크 스탬프 제작을 완성한다. 그 다음 하기의 방법에 따라 스탬프를 제조한다. 도 2a에서는 나노 임프린트 공정을 위하여 스탬프 패턴이 형성되는 영역 외곽의 부분은 낮은 형태의 기판(1)을 사용하게 되나 본 실시예 및 하기의 도면에서는 설명의 편의를 위하여 생략하였다. 먼저 도 2b와 같이 상기 블랭크 스탬프를 사용하여 노광 및 현상을 실시한다. 노광시 위치 정렬용 얼라인 마크(Align Mark) 패턴을 포함하여 노광하며, 패턴의 라인 에지 거칠기(Line Edge Roughness)를 감소시키기 위하여 일정한 노광량을 나누어 반복 노광하는 것이 바람직하다. TMAH가 포함된 현상액으로 현상을 실시하면 포토레지스트(3) 패턴이 형성된다. 그 다음 도 2c와 같이 상기 대전방지막(2)을 식각하여 대전방지막(2) 패턴을 형성한다. 대전방지막(2)의 식각은 습식식각 및 건식식각이 가능하나 정밀한 패턴 형성을 위하여 건식식각 방법을 사용하는 것이 좋다. 상기 건식식각은 대전방지막(2)의 물질에 따라 적절히 선택하여 사용한다. 예를 들면 크롬 화합물로 대전방지막(2)이 적층된 경우 염소(Cl2) 가스와 산소(O2) 가스 및 헬륨(He) 가스가 포함된 가스를 사용하여 수행한다. 또한 화학 증폭형 포토레지스트(3)를 사용하는 경우 포토레지스트(3) 패턴의 스컴 제거를 위하여 산소(O2) 플라즈마를 사용하는 디스컴(Descum) 공정을 먼저 수행한 후 건식식각을 진행한다. 그 다음 도 2d와 같이 포토레지스트(3) 패턴을 제거 한다. 포토레지스트(3) 제거는 황산(H2SO4)이 포함된 용액을 사용하거나 포토레지스트(3) 전체를 UV에 노광한 후 현상액으로 제거하거나 또는 고농도의 TMAH가 포함된 현상액으로 제거하거나 또는 산소(O2) 플라즈마에 의한 애슁(Ashing) 공정으로 제거하면 된다. 그 다음 잔류하는 이물질을 제거하기 위하여 세정을 실시하고 대전방지막(2) 패턴 결함을 검사하여 FIB(Focused Ion Beam), LAE(Laser Assist Etching) 또는 국부적 CVD 공정을 수행하여 결함수정을 실시한다. 상기 대전방지막(2)에 패턴 결함이 있는 경우 기판(1)을 식각하게 되면 그대로 스탬프에 전사되기 때문에 결함 수정을 실시하고 다시 세정 공정을 실시한다. 상기 결함 수정을 대전방지막(2) 패턴 단계에서 수행하게 되면 대전방지막(2) 패턴이 기판(1)에 비하여 높은 반사율 및 투과율 차이를 나타내기 때문에 패턴 검사가 원활하고 정확하게 수행될 수 있는 장점이 있기 때문에 결함 수정 공정 역시 정확하게 수행될 수 있다. 상기의 결과로 도 2d에서와 같이 대전방지막(2) 패턴만 남게되고 상기 대전방지막(2) 패턴을 식각마스크로 하여 도 2e와 같이 기판(1)을 식각한다. 상기에서 제조하고자 하는 스탬프 패턴의 크기가 큰 경우 포토레지스트(3) 패턴을 제거하지 않고 기판(1)을 식각하는 것도 가능하나 일반적으로 포토레지스트(3) 두께가 대전방지막(2)보다 월등히 두껍기 때문에 식각마스크의 피치대 높이비(Aspect Ratio)가 커지므로 바람직하지 않다. 상기 기판(1) 식각은 습식식각과 건식식각 모두 가능하며 본 실시예에서는 건식식각 후 습식식각을 사용한다. 먼저 CF4, SF6등의 불소(F)가 포함된 식각가스를 사용하여 기판(1)을 식각한다. 건식식각에 의한 두께는 습식식각에 의한 식각되는 두께 만큼을 제외하고 식각하여야 한다. 이 때 상기 대전방지막(2)은 불소(F) 성분에 식각되지 않는 물질이기 때문에 거의 식각되지 않으며 대전방지막(2)의 두께가 높지 않기 때문에 100nm 이하의 미세한 패턴도 로딩 효과(Loading Effect)가 거의 없이 패턴 형성이 가능하다. 그 다음 희석된 불산(HF)이 포함된 용약으로 두께 일부를 식각한다. 상기와 같은 방법으로 기판(1)을 식각하는 이유는 건식식각을 수행하게 되면 미세한 패턴 크기를 정밀하게 제조하는 것이 가능하나 기판(1)의 표면거칠기가 커지게 된다. 이 때 습식식각을 사용하게 되면 건식식각에 의해 발생된 표면의 요철 부위가 먼저 식각되기 때문에 기판(1)의 표면거칠기가 감소하게 된다. 또한, 건식 식각시 오목몰드 패턴(201)의 코너 부분에는 노치(Notch) 형태의 건식식각 결함이 발생하게 되는데 습식식각을 수행하게 되면 상기 건식식각 결함이 제거되며 에지 부분의 식각액 교반이 잘 이루어지지 않기 때문에 도 3과 같이 오목몰드 패턴(201)의 코너 형태가 곡면으로 제조된다. 그 다음 도 2f와 같이 대전방지막(2) 패턴을 제거한다. 이 때 상기 얼라인 마크 패턴(400) 부분은 제거하지 않도록 한다. 대전방지막(2)의 제거는 상기와 달리 높은 건식시각도 가능하나 건식식각을 사용하게 되면 기판(1) 표면거칠기를 증가시킬 수 있으므로 표면거칠기를 증가시키지 않는 습식식각을 사용하는 것이 좋다. 도 2f와 같은 상태에서도 나노 임프린트 리소그래피용 스탬프로서 사용 가능하나 본 실시예에서는 스탬프 수명을 더욱 연장시키기 위해서 피사체 고분자(30)와 더욱 낮은 표면에너지를 가지는 점착방지막(4)을 더 적층한다. 점착방지막(4)은 상기 나열된 물질로 하여 증착하며, 미세한 패턴이 형성된 스탬프 표면에 일정한 두께로 적층하여야 하기 때문에 CVD 방법이 선호된다. 그 다음 세정을 실시하여 표면의 이물을 제거하면 도 2g의 나노 임프린트 리소그래피용 스탬프가 제조되며 더욱 향상된 스탬프를 제조하기 위하여 세정, 결함 검사 및 결함 수정 공정을 추가하여 수행한다.
(실시예 2)
도 4a 내지 도 4g는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 나노 임프린트 리소그래피용 블랭크 스탬프와 이를 이용한 스탬프 및 그 제조 방법을 개략적으로 도시한 것이다. 본 실시예에서는 제 1 실시예와 달리 블랭크 스탬프 제조 단계에서 몰드막(5)을 더 적층하여 기판(1)을 식각하지 않고 몰드막(5)을 식각하여 나노 임프린트 리소그래피용 스탬프를 제조하는 방법에 대하여 설명한다. 도면을 참조하면, 먼저 도 4a와 같이 기판(1) 위에 몰드막(5)과 대전방지막(2)이 순차적으로 적층되고 그 위에 포토레지스트(3)가 코팅된 블랭크 스탬프를 제조한다. 상기 몰드막(5)은 기판(1) 대신 몰드 패턴을 형성하여야 하기 때문에 나노 임프린트 리소그래피 공정에 수행될 몰드 패턴의 높이(300)를 고려하여 상기 몰드 패턴 높이(300) 이상의 두께로 적층되어야 한다. 두께가 너무 두껍고 몰드막(5)의 흡수계수가 클 경우 향 후 스탬프 제작 후 UV 조사시 생산성을 저해할 수도 있으므로 몰드 패턴의 높이(300)보다 너무 두껍지 않은 두께로 적층하며 몰드 패턴 두께의 1.1 내지 3배의 두께로 적층한다. 또한, 상기 몰드막(5)을 구성하는 물질은 레이저 또는 UV에 대하여 높은 투과율을 가지며 제 1 실시예에서와 같이 스탬프 제작시 황산(H2SO4), SC-1 등의 화학약품에 대한 내성도 강해야 하며, 상기 대전방지막(2)과 식각 특성이 다른 물질로 적층하여야 하기 때문에 몰드막(5)으로 사용될 수 있는 물질이 제한된다. 예를 들 면, 대전방지막(2)을 크롬 화합물로 하는 경우 몰드막(5)을 탄탈륨 산화물(TaO), 티타늄 산화물(TiO)등 상기에서 나열한 물질에서 선택하여 사용한다. 상기 몰드막(5) 또한 표면거칠기가 낮아야 하기 때문에 결정성이 없는 비정질로 적층되어야 하며, 이를 위하여 반응성 스퍼터링 방법을 사용하여 적층한다. 그 다음 제 1 실시예와 동일하게 대전방지막(2)을 적층하고 포토레지스트(3) 코팅하면 도4a와 같이 본 실시예에 의한 블랭크 스탬프가 제조된다. 그 다음 상기 제 1 실시예와 동일한 방법으로 도 4b와 같이 노광 및 현상을 실시하여 대전방지막(2) 패턴을 형성한다. 이 때 상기 얼라인 마크 패턴(400)을 동시에 노광하게 되며 설명의 편의를 위하여 도면에서 생략하였다. 그 다음 도 4c 내지 도 4d와 같이 대전방지막(2)을 식각하고 포토레지스트(3)를 제거하면 몰드막(5) 위에 형성된 대전방지막(2) 패턴이 남는다. 이 때 몰드막(5)은 대전방지막(2)과 다른 식각 특성을 가지는 물질로 적층되기 때문에 식각되지 않는다. 그 다음 상기 제 1 실시예와 마찬가지로 패턴 결함 검사, 결함 수정 및 세정 공정을 수행한다. 그 다음 상기 대전방지막(2) 패턴을 식각마스크로 하여 몰드막(5)의 두께 일부를 식각한다. 제 1 실시예와 마찬가지로 건식식각 후 습식식각을 실시하여 오목몰드 패턴(201)의 에지부가 곡면이 되도록 한다. 상기와 같이 몰드막(5) 두께의 일부분만을 식각하기 위하여 건식식각 및 습식식각시 건식식각의 조건 즉 각 식각 가스의 유량 및 압력, RF 파워, 식각시간 등을 제어하고 습식식각시 식각액의 농도 및 식각시간 등을 제어하여 조절한다. 상기와 같이 몰드막(5) 두께 일부분만을 식각하게 되면 상기 몰드막(5)이 피사체 고분자(30)(30)와 낮은 표면에너지를 가지기 때문에 기판(1)과 접촉하는 것보다 피사체 고분 자(30)(30)와 점착 문제가 감소한다. 그 다음 상기 대전방지막(2)을 식각하면 도 4f와 같이 본 실시예에 의한 나노 임프린트 리소그래피용 스탬프가 완성된다. 본 실시예에서는 상기 대전방지막(2) 패턴을 제거하더라도 얼라인 마크 패턴(400)이 몰드막(5) 패턴에 전사되기 때문에 얼라인 마크 패턴(400)을 포함하는 일부 영역의 대전방지막(2)을 제거하지 않을 필요가 없다. 더욱 낮은 표면에너지가 필요한 나노 임프린트 공정인 경우 도 4g와 같이 전면에 점착 방지막을 더 적층하는 것도 가능하며 더욱 결함이 감소된 패턴을 위해서 세정 및 패턴 결함 검사, 패턴 결함 수정 공정을 추가하여 실시한다. 이 때 패턴 검사시 몰드막(5) 패턴의 두께 차이에 의해 반사율 및 투과율 차이가 크기 때문에 몰드막(5)이 완전히 식각되지 않더라도 패턴 결함 검사에 아무런 문제가 없다.
(실시예 3)
도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 나노 임프린트 리소그래피용 블랭크 스탬프와 이를 이용한 스탬프 및 그 제조 방법을 개략적으로 도시한 것이다. 본 실시예에서는 제 2 실시예와 달리 대전방지막(2)을 적층하지 않고 제조하는 나노 임프린트 리소그래피용 블랭크 스탬프와 이를 사용하여 제조되는 스탬프 및 그 제조 방법에 대하여 설명한다. 도면을 참조하면, 상기 제 2 실시예와 동일한 방법으로 도 5a와 같이 몰드막(5)을 적층한 후 그 위에 포토레지스트(3)를 코팅한다. 상기 블랭크 스탬프는 제 2 실시예에 비하여 제조 공정이 비교적 간단하기 때문에 스탬프 제조 공정 또한 간단하다. 따라서 저렴한 비용으로 제조하고자 하는 경우에 적합하다. 식각마스크로써 비교적 두께가 두꺼운 포토레지스트(3) 패턴을 사용하여 야 하기 때문에 50nm 이하의 매우 정밀한 패턴을 형성하기에는 부적합하며 비교적 큰 패턴 특히, 200nm 이상의 비교적 큰 패턴을 형성하여야 하는 경우에 적합하다. 따라서 대면적의 패턴을 제조하는 경우에 사용되는 것이 바람직하며, 대면적의 스탬프는 기판(1) 가격이 매우 고가이기 때문에 상기 몰드막(5)은 습식식각이 가능한 물질로 적층되는 것이 좋다. 예를 들면, 상기에서 나열한 물질들이 가능하며 상기와 같이 몰드막(5)이 습식식각이 가능하다면, 몰드막(5) 적층시 또는 스탬프 제조과정에서 불량이 발생할 경우 습식식각을 통하여 몰드막(5)을 모두 제거하고 고가의 기판(1)을 재사용하면 된다. 그 다음 상기와 동일한 방법으로 노광 및 현상을 실시하여 포토레지스트(3) 패턴을 형성하고 상기 포토레지스트(3) 패턴을 식각마스크로 하여 몰드막(5)의 두께 일부를 식각한다. 상기의 과정을 도 5b 내지 도 5c에 개략적으로 도시하였다. 그 다음 도 5d와 같이 포토레지스트(3)를 제거하면 본 실시예에 의한 나노 임프린트 리소그래피용 스탬프가 제조된다. 상기와 마찬가지로 더 낮은 표면에너지를 위하여 도 5e와 같이 점착방지막(4)을 더 적층하는 것이 가능하다.
(실시예 4)
도 6a 내지 도 6g는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 나노 임프린트 리소그래피용 블랭크 스탬프와 이를 이용한 스탬프 및 그 제조 방법을 개략적으로 도시한 것이다. 본 실시예에서는 상기 제 2 실시예의 몰드막(5) 두께 전체를 식각하는 방법에 대하여 설명한다. 본 실시예의 방법을 따르면, 몰드막(5) 패턴의 두께가 매우 정밀하게 제어된 스탬프를 제조할 수 있게 된다. 본 실시예의 블랭크 스탬프와 같이 대전방 지막(2)을 더 적층하는 것이 바람직하나 상기 제 3 실시예의 블랭크 스탬프와 같이 대전방지막(2)을 적층하지 않는 경우에도 동일한 방법으로 제조하는 것이 가능하다. 먼저 도 6a와 같이 블랭크 스탬프를 준비한다. 상기 블랭크 스탬프는 제 2 실시예의 것과 동일하나 몰드막(5) 두께를 감소하여 제작한다. 그 다음 상기 제 2 실시예와 동일한 방법으로 노광 및 현상을 실시하고 대전방지막(2)을 식각한다. 그 다음 포토레지스트(3)를 제거하고 몰드막(5)을 식각한다. 이 때 상기 제 2 실시예와 달리 몰드막(5)을 모두 식각하면 되기 때문에 식각되는 몰드막(5) 패턴은 정확한 두께를 가지게 되며 블랭크 스탬프 제조 단계에서 몰드막(5) 두께의 균일성을 제어하면 되기 때문에 스탬프 내에서의 패턴 두께 또한 균일해지는 효과가 있다. 그 다음 대전방지막(2) 패턴을 제거하게 되면 도 6f의 나노 임프린트 리소그래피용 스탬프가 제조된다. 제 1 실시예 내지 제 3 실시예와 마찬가지로 도 6g와 같이 스탬프의 전면에 점착방지막(4)을 더 증착하여 사용하는 것이 가능하다.
(실시예 5)
도 7a 내지 도 7f는 본 발명의 제 5 실시예에 따른 나노 임프린트 리소그래피용 블랭크 스탬프와 이를 이용한 스탬프 및 그 제조 방법을 개략적으로 도시한 것이다. 본 실시예에서는 식각저지막(6)을 적층하여 기판(1)과 동일한 물질의 몰드막(5)을 적층하는 나노 임프린트용 블랭크 스탬프와 상기 블랭크 스탬프를 사용하여 제조되는 스탬프 및 그 제조 방법을 설명한다.
도면을 참조하면, 먼저 기판(1) 위에 식각저지막(6)을 적층하고 그 위에 몰드막(5)을 적층한다. 상기 식각저지막(6)은 몰드막(5)이 식각될 때 기판(1)이 식각되지 않 도록 하고 또한 낮은 표면에너지를 가지게 하기 위한 것으로 상기 식각저지막(6)을 적층함으로써 몰드막(5)의 구성하는 물질을 기판(1)과 동일한 물질 또는 동일한 식각 특성을 가지는 물질로 할 수 있으며 또한, 상기 제 1 실시예 내지 제 4 실시예의 점착 방지막을 더 적층할 필요가 없게 된다. 예를 들면, 식각저지막(6)을 상기 점착 방지막 물질로 적층하고 몰드막(5)으로 알루미나(Al2O3), 산화 티타늄(TiO2), 산화 하프늄(HfO2) 등의 불소(F)가 포함된 식각가스 또는 식각액에 식각되는 물질로 적층하고 상기 대전방지막(2)을 크롬 화합물로 적층한다. 상기 몰드막(5) 식각시 불소(F)가 포함된 식각가스 또는 식각액에 의해 상기 식각저지막(6)이 식각되지 않기 때문에 그 하부의 기판(1)이 손상되지 않는다. 그 다음 상기 제 1 실시예와 동일한 방법으로 대전방지막(2)과 포토레지스트(3)를 코팅하여 도 7a와 같이 본 실시예에 의한 블랭크 스탬프를 제작하였다. 그 다음 도 7b와 같이 포토레지스트(3)를 노광 현상하여 포토레지스트(3) 패턴을 형성하고, 대전방지막(2)을 식각한 후 포토레지스트(3)를 제거한다. 상기 노광시 상기 제 1 실시예 내지 제 4 실시예와 마찬가지로 얼라인 마크 패턴(400)을 형성한다. 그 다음 상기 몰드막(5)을 식각한 다음 상기 대전방지막(2)을 식각하여 제거하면 본 실시예에 의한 스탬프가 제작된다. 상기의 과정을 도 7b 내지 도 7f에 도시하였다.
본 발명의 스탬프 및 그 원재료인 블랭크 스탬프는 반도체용의 스탬프로 한정되는 것은 아니며, TFT-LCD, PDP, OLED 등의 디스플레이 제품 및 편광필터 등의 나노 스케일 구조물, 링레조네이트 등의 광학 소자 제조용, 바이오 나노 소자 제조용 등 나노 임프린트 스탬프를 사용하여 나노 구조물의 패턴을 제조하고자 하는 모든 종 류의 스탬프에 응용 가능하다.
상술한 바와 같이 본 발명의 나노 임프린트용 블랭크 스탬프 및 상기 블랭크 스탬프를 사용하여 제조되는 나노 임프린트용 스탬프는 다음과 같은 효과를 제공한다.
첫째, 스탬프와 고분자간의 점착이 적은 스탬프 및 그 원재료인 블랭크 스탬프와 그 제조 방법을 제공하는 효과가 있다.
둘째, 패턴 결함이 최소화된 고급의 스탬프 및 그 원재료인 블랭크 스탬프와 그 제조 방법을 제공하는 효과가 있다.
셋째, 위치 정렬이 쉬운 스탬프 및 그 원재료인 블랭크 스탬프와 그 제조 방법을 제공하는 효과가 있다.

Claims (35)

  1. 삭제
  2. 피사체에 동일한 스케일의 반대 형상의 고분자 나노 구조물을 형성하기 위한 나노 임프린트 리소그래피용 스탬프 제조용의 블랭크 스탬프에 있어서,
    UV 투과성 기판 위에 몰드막, 대전방지막 및 포토레지스트가 순차적으로 적층되고,
    상기 몰드막은 표면거칠기가 0.1 내지 2㎚RMS이며, 150㎚ 내지 500㎚ 중의 어느 한 파장에서 20% 내지 100%의 투과율을 갖는 블랭크 스탬프.
  3. 삭제
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 UV 투과성 기판과 몰드막 사이에 적층된 식각저지막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 블랭크 스탬프.
  5. 삭제
  6. 청구항 제 2 항의 블랭크 스탬프로 제조된 나노 임프린트 리소그래피용 스탬프에 있어서,
    상기 몰드막은 패터닝되어 요철 형상을 가지고, 상기 몰드막에 얼라인 마크 패턴이 형성된 나노 임프린트 리소그래피용 스탬프.
  7. 청구항 제 2 항의 블랭크 스탬프로 제조된 나노 임프린트 리소그래피용 스탬프에 있어서,
    상기 몰드막은 상기 UV 투과성 기판의 일부분이 노출되도록 패터닝되어 몰드막 패턴의 형태를 가지고, 상기 몰드막 패턴에 얼라인 마크 패턴이 형성된 나노 임프린트 리소그래피용 스탬프.
  8. 청구항 제 4 항의 블랭크 스탬프로 제조된 나노 임프린트 리소그래피용 스탬프에 있어서,
    상기 몰드막은 상기 식각저지막의 일부분이 노출되도록 패터닝되어 몰드막 패턴의 형태를 가지며, 상기 몰드막 패턴에 얼라인 마크 패턴이 형성된 나노 임프린트 리소그래피용 스탬프.
  9. 삭제
  10. 제 6 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 패터닝되어 형성된 스탬프 결과물 면 상에 점착방지막이 더 적층된 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 리소그래피용 스탬프.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 제 2항 및 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 UV 투과성 기판은 400㎚ 이하 파장의 UV를 80% 이상 투과시키며, 열팽창율이 500℃ 이하의 온도 범위에서 1 × 104 이하인 것을 특징으로 하는 블랭크 스탬프.
  15. 제 2 항 및 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 대전방지막의 면저항이 1 내지 100㏀/□이며 두께가 5㎚ 내지 100㎚인 것을 특징으로 하는 블랭크 스탬프.
  16. 제 2항 및 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 대전방지막이 탄탈륨(Ta), 코발트(Co), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr),바나듐(V), 팔라듐(Pd),티타늄(Ti), 플랫티늄(Pt), 망간(Mn), 철(Fe), 실리콘(Si), 니켈(Ni), 카드늄(Cd), 지르코늄(Zr), 마그네슘(Mg), 리튬(Li) 셀렌(Se), 구리(Cu), 이트륨(Y), 황(S), 인듐(In), 주석(Sn), 보론(B), 베릴륨(Be) 중의 어느 하나 이상의 물질로 구성되며, 상기 물질에 산소(O), 질소(N), 탄소(C), 불소(F), 수소(H), 염소(Cl) 성분 중 어느 하나 이상의 물질이 더 포함되는 것을 특징으로 하는 블랭크 스탬프.
  17. 제 2항 및 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 포토레지스트는 50㎚ 내지 500㎚의 두께를 가지며, 전자빔용 또는 단색광의 레이저용 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 블랭크 스탬프.
  18. 삭제
  19. 제 6항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 스탬프가 볼록몰드(Convex Mold) 패턴은 각진 형태로 되고 오목몰드(Concave Mold) 패턴의 에지(Edge) 부분의 형태가 둥근(Round) 형태인 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 리소그래피용 스탬프.
  20. 삭제
  21. 제 10항에 있어서,
    상기 점착방지막은 탄소(C)를 포함하며, 그라파이트(Graphite)상 또는 다이아몬드(Diamond)상 또는 상기 그라파이트상과 다이아몬드상이 혼합된 물질인 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 리소그래피용 스탬프.
  22. 삭제
  23. 제 10항에 있어서,
    상기 점착방지막은 금속 산화물 또는 금속 질화물 또는 금속 산화 질화물 또는 금속 불화물 중 어느 하나 이상을 포함하는 금속 화합물이며 결정 구조가 비정질(Amorphous)인 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 리소그래피용 스탬프.
  24. 삭제
  25. 제 10항에 있어서,
    상기 점착방지막은 1nm 내지 50nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 리소그래피용 스탬프.
  26. 삭제
  27. 삭제
  28. 제 10항에 있어서,
    상기 점착방지막의 하부에 실리콘(Si), 텅스텐(W), 몰리브데늄(Mo), 탄탈륨(Ta) 중의 어느 하나 이상의 물질로 구성되거나, 상기 물질에 산소(O), 질소(N), 불소(F), 탄소(C) 중 하나 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 리소그래피용 스탬프.
  29. 제 2항 및 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 몰드막은 두께가 10㎚ 내지 1000㎚이며, 비정질 구조인 것을 특징으로 하는 블랭크 스탬프.
  30. 삭제
  31. 제 2항 및 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 몰드막은 상기 대전방지막과 다른 물질이며, 탄탈륨(Ta), 코발트(Co), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr),바나듐(V), 팔라듐(Pd),티타늄(Ti), 플랫티늄(Pt), 망간(Mn), 철(Fe), 실리콘(Si), 니켈(Ni), 카드늄(Cd), 지르코늄(Zr), 마그네슘(Mg), 리튬(Li) 셀렌(Se), 구리(Cu), 이트륨(Y), 황(S), 인듐(In), 주석(Sn), 보론(B), 베릴륨(Be) 중의 어느 하나 이상의 물질로 구성되며, 상기 물질에 산소(O), 질소(N), 탄소(C), 불소(F), 수소(H), 염소(Cl) 성분 중 어느 하나 이상의 물질을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 블랭크 스탬프.
  32. 삭제
  33. 제 8항에 있어서,
    상기 식각저지막은 탄소(C)를 포함하며, 그라파이트(Graphite)상 또는 다이아몬드(Diamond)상 또는 상기 그라파이트상과 다이아몬드상이 혼합된 물질인 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 리소그래피용 스탬프.
  34. 삭제
  35. 삭제
KR1020070012499A 2007-02-07 2007-02-07 블랭크 스탬프 및 나노 임프린트 리소그래피용 스탬프 KR101563874B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070012499A KR101563874B1 (ko) 2007-02-07 2007-02-07 블랭크 스탬프 및 나노 임프린트 리소그래피용 스탬프

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070012499A KR101563874B1 (ko) 2007-02-07 2007-02-07 블랭크 스탬프 및 나노 임프린트 리소그래피용 스탬프

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080073824A KR20080073824A (ko) 2008-08-12
KR101563874B1 true KR101563874B1 (ko) 2015-10-29

Family

ID=39883407

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070012499A KR101563874B1 (ko) 2007-02-07 2007-02-07 블랭크 스탬프 및 나노 임프린트 리소그래피용 스탬프

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101563874B1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101038801B1 (ko) * 2009-01-30 2011-06-03 고려대학교 산학협력단 평면표시장치용 백라이트 유닛의 나노패턴 형성 방법
KR101220421B1 (ko) * 2010-06-15 2013-01-09 (재)한국나노기술원 임프린트 기법을 이용한 그래핀 패턴 형성 방법
JP6324318B2 (ja) 2011-12-19 2018-05-16 キャノン・ナノテクノロジーズ・インコーポレーテッド インプリントリソグラフィー用のシームレスな大面積マスターテンプレートの製造方法
AR109520A1 (es) * 2016-09-27 2018-12-19 Illumina Inc Sustratos impresos

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005159358A (ja) * 2003-11-21 2005-06-16 Obducat Ab ナノインプリントリソグラフィ方法および基板
JP2005534960A (ja) * 2002-07-31 2005-11-17 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド 修復されたギャップ欠陥を有するリソグラフィックテンプレート

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005534960A (ja) * 2002-07-31 2005-11-17 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド 修復されたギャップ欠陥を有するリソグラフィックテンプレート
JP2005159358A (ja) * 2003-11-21 2005-06-16 Obducat Ab ナノインプリントリソグラフィ方法および基板

Also Published As

Publication number Publication date
KR20080073824A (ko) 2008-08-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101273180B1 (ko) 마스크 블랭크 및 전사용 마스크
KR20190107603A (ko) 극자외선 리소그래피용 펠리클 및 그의 제조방법
JP5581797B2 (ja) 反射型マスクの製造方法
TWI484286B (zh) A mask substrate and a transfer mask, and a method for manufacturing the transfer mask
US10935881B2 (en) Mask blank, phase shift mask, phase shift mask manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method
US7294438B2 (en) Method of producing a reflective mask and method of producing a semiconductor device
TWI819878B (zh) 光罩基底、轉印用光罩之製造方法、反射型光罩之製造方法、壓印模具之製造方法、及半導體裝置之製造方法
US11415875B2 (en) Mask blank, phase shift mask, and method for manufacturing semiconductor device
TW201335971A (zh) 奈米壓印模具用基底、奈米壓印模具及其製造方法
JP6430155B2 (ja) マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法
TW201635008A (zh) 光罩基底、相移光罩、相移光罩之製造方法及半導體裝置之製造方法
KR101563874B1 (ko) 블랭크 스탬프 및 나노 임프린트 리소그래피용 스탬프
KR100542464B1 (ko) 원자력간 현미경 리소그래피 기술을 이용한 극자외선 노광공정용 반사형 다층 박막 미러의 제조방법
CN111801618A (zh) 掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法
TWI801663B (zh) 遮罩基底、轉印用遮罩及半導體元件之製造方法
US20220043335A1 (en) Mask blank, transfer mask, and semiconductor-device manufacturing method
US20200285144A1 (en) Mask blank, transfer mask, and method for manufacturing semiconductor device
JP2012159855A (ja) マスクブランクの製造方法及びマスクの製造方法
TWI785417B (zh) 用於極紫外光微影的護膜
JP5962353B2 (ja) ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法
TW201932973A (zh) 光罩基底、相移光罩及半導體裝置之製造方法
TW202217434A (zh) 遮罩基底、轉印用遮罩之製造方法及半導體元件之製造方法
US20220121104A1 (en) Mask blank, phase shift mask, and method for manufacturing semiconductor device
WO2022259915A1 (ja) マスクブランク、反射型マスク及び半導体デバイスの製造方法
EP4160311A1 (en) Substrate with film for reflective mask blank, reflective mask blank, and method for manufacturing reflective mask

Legal Events

Date Code Title Description
AMND Amendment
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
AMND Amendment
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181010

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191017

Year of fee payment: 5