TWI538011B - 經由多階壓印處理之高對比對準標記 - Google Patents

經由多階壓印處理之高對比對準標記 Download PDF

Info

Publication number
TWI538011B
TWI538011B TW100134562A TW100134562A TWI538011B TW I538011 B TWI538011 B TW I538011B TW 100134562 A TW100134562 A TW 100134562A TW 100134562 A TW100134562 A TW 100134562A TW I538011 B TWI538011 B TW I538011B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
high contrast
alignment
template
region
Prior art date
Application number
TW100134562A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201220360A (en
Inventor
喬瑟夫Ｍ 因賀夫
科斯塔Ｓ 西里尼迪斯
德威恩Ｌ 拉布拉克
Original Assignee
分子壓模公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 分子壓模公司 filed Critical 分子壓模公司
Publication of TW201220360A publication Critical patent/TW201220360A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI538011B publication Critical patent/TWI538011B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/30—Mounting, exchanging or centering
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/42—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the shape of the moulding surface, e.g. ribs or grooves
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
    • B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic

Description

經由多階壓印處理之高對比對準標記 相關申請案之交互參照
本申請案主張申請於2010年9月24日之美國申請案第61/385,993號的權益，其全部內容併入本文作為參考資料。
發明領域
本發明係有關於經由多階壓印處理之高對比對準標記。
 發明背景
奈米製造包含製造有約100奈米或更小之特徵的極小結構。應用奈米製造已在積體電路的加工已有相當大的影響。半導體加工產業持續致力於更大的生產良率，同時增加基板上單位面積的電路；因此，奈米製造的重要性持續在增加。奈米製造提供較大的製程控制同時允許持續減少成形結構的最小特徵尺寸。已應用奈米製造的其他發展領域包含：生物技術、光學技術、機械系統、等等。
現今使用中的示範奈米製造技術被通稱壓印微影術(imprint lithography)。示範壓印微影術製程在許多文獻中有詳細描述，例如美國專利公開案第2004/0065976號、美國專利公開案第2004/0065252號、以及美國專利第6,936,194號，這些都併入本文作為參考資料。
揭示於上述美國專利文獻及專利中之每一的壓印微影技術包含在可成形層(可聚合層)中形成浮凸圖案(relief pattern)以及將對應至該浮凸圖案的圖案轉印至底下的基板中。該基板可耦合至運動工作台(motion stage)以得到對圖案形成製程(圖案形成製程)有利的想要定位。該圖案形成製程使用與基板隔開的模板以及塗佈於模板、基板之間的可成形液體。固化該可成形液體以形成剛性層，該剛性層則有圖案與模板中與可成形液體接觸的表面之形狀共形。在固化後，分離該模板與該剛性層使得該模板與該基板分開。然後，該基板及固化層(固化層)經受其他的製程以轉印與固化層中之圖案對應的浮凸圖像至該基板內。
 發明概要
本文提供數種能夠保護壓印微影模板之精細圖案化特徵的方法。該等方法在製造內凹高對比對準標記時特別有用在於該等模板可保護經沉積之高對比材料(例如，金屬)層以免與蝕刻進入該模板的精細特徵接觸。
在一方面，提供一種用以製造有高對比對準標記之模板的方法，其係包括：提供有具一對準區及一精細特徵區(fine feature area)之一表面的一模板，該等區中各可具有多個突起及凹處，接著形成一第一層於該精細特徵區上方同時讓該對準區暴露。然後，沉積可為金屬的一高對比材料於該對準區及該第一層上方，該第一層係保護該精細特徵區以免與該高對比材料直接接觸。然後，形成一第二層於該經沉積之高對比材料上方。隨後，移除該第二層之一部份使得該第二層的剩餘部份留在該對準區的凹處中。然後，移除該高對比材料使得該高對比材料之一部份只留在該對準區的該等凹處中。最後，移除該精細特徵區上的該第一層以及該對準區之該等凹處上的該第二層之該剩餘部份，藉此暴露在該對準區之該等凹處中的該精細特徵區及該高對比材料。
在另一方面，藉由首先形成一前驅物層(precursor layer)於該精細特徵區及該對準區上方可提供該第一成形層。該前驅物層可具有不同的厚度，使得它在該精細特徵區上方的厚度大於在對準區上方的厚度。用此一組態，可部份移除或蝕刻掉該前驅物區使得該對準區暴露同時該前驅物層有一部份留在精細特徵區上方成為該第一層。
該第一、第二、及/或前驅物層可由可形成(可聚合)材料製成，以及可用不同的技術形成，包括壓印微影技術。該第二層可進一步平坦化。可用例如清光阻蝕刻法(descum etching)來移除該等成形層。可用例如RIE蝕刻法來移除該高對比材料。
圖式簡單說明
參考以下圖示於附圖的具體實施例之特別說明可更加明白本發明的特徵及優點。不過，應注意，附圖係僅供圖解說明本發明的典型具體實施例，請勿認為要用彼等來限定本發明的範疇，因為本發明涵蓋其他同樣有效的具體實施例。
第1圖為微影系統的簡化側視圖。
第2圖為有帶圖案層於其上之第1圖基板的簡化側視圖。
第3圖至第10圖圖示用於形成有高對比對準標記之模板的示範方法。
 較佳實施例之詳細說明
請參考附圖，特別是第1圖，其係圖示用於在基板12上形成浮凸圖案的微影系統10。基板12可耦合至基板夾頭14。如圖示，基板夾頭14為真空夾頭。不過，基板夾頭14可為任一夾頭，包含(但不受限於)：真空、針式、溝槽式、靜電、電磁、及/或類似物。美國專利第6,873,087號有描述數種示範夾頭，在此併入本文作為參考資料。
基板12及基板夾頭14可進一步由工作台16支承。工作台16可提供沿著x、y、z軸的平移及/或旋轉運動。也可將工作台16、基板12及基板夾頭14安置於基座(未圖示)上。
與基板12隔開的是模板18。模板18可包含有第一面及第二面的主體，其中一面有向基板12延伸的島狀結構(mesa)20。島狀結構20上有圖案形成表面(patterning surface)22。此外，島狀結構20可稱為模子20。替換地，可形成沒有島狀結構20的模板18。
可形成模板18及/或模子20的材料包含(但不受限於)：熔融二氧化矽(fused-silica)、石英、矽、有機聚合物、矽氧烷聚合物、硼矽酸玻璃(borosilicate glass)、碳氟聚合物、金屬、硬化藍寶石、及/或類似物。如圖示，圖案形成表面22包含由多個隔開凹槽24及/或突起26界定的特徵。然而，本發明的具體實施例不受限於此類組態(例如，平坦表面)。圖案形成表面22所界定的任何原始圖案則形成待形成於基板12上之圖案的根據。
模板18可耦合至夾頭28。夾頭28的組態可為(但不受限於)：真空、針式、溝槽式、靜電、電磁、及/或其他類似的夾頭種類。美國專利第6,873,087號有進一步描述數種示範夾頭，在此併入本文作為參考資料。此外，夾頭28可耦合至壓印頭(imprint head)30藉此可將夾頭28及/或壓印頭30組態成有利於模板18的運動。
系統10可進一步包含流體分配系統32。流體分配系統32可用來沉積可成形材料34(例如，可聚合材料)於基板12上。將可成形材料34安置於基板12上的技術有，例如，滴注分配(drop dispense)、旋塗、浸沾式塗佈(dip coating)、化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、薄膜沉積、厚膜沉積、及/或類似者。取決於設計考量，在定義模子22、基板12之間的想要體積之前及/或後，可將可成形材料34配置於基板12上。可成形材料34可為使用於生物領域、太陽能電池產業、電池產業、及/或其他需要功能性奈米粒子(functional nano-particle)之產業內的功能性奈米粒子。例如，可成形材料34可包含如美國專利第7,157,036號、美國專利公開案第2005/0187339號所述的單體混合物，在此兩者併入本文作為參考資料。替換地，可成形材料34可包含(但不受限於)：生物材料(例如，PEG)、太陽能電池材料(例如，N型、P型材料)、及/或類似物。
請參考第1圖及第2圖，系統10可進一步包含：經耦合成可引導能量40沿著路徑42的能源38。可將壓印頭30及工作台16組態成可安置與路徑42疊合的模板18與基板12。系統10可用與工作台16、壓印頭30、流體分配系統32及/或能源38通訊的處理器54調整，以及可在儲存於記憶體56的電腦可讀取程式上操作。
壓印頭30、工作台16或兩者可改變模子20至基板12的距離以定義以可成形材料34填滿於其間的想要體積。例如，壓印頭30可施力於模板18使得模子20與可成形材料34接觸。在該想要體積填滿可成形材料34後，能源38產生能量40(例如，紫外線輻射)，使得可成形材料34可凝固及/或交聯而與基板12表面44及圖案形成表面22的形狀共形，以在基板12上定義帶圖案層46。帶圖案層46可包含殘餘層48與多個特徵，例如，突起50與凹處52，其中突起50有厚度t1以及殘餘層有厚度t2。
上述系統及方法可進一步使用於在美國專利第6,932,934號、美國專利第7,077,992號、美國專利第7,179,396號及美國專利第7,396,475號提及的壓印微影製程及系統，以上文獻全部併入本文作為參考資料。
，對準標記可協助模板18及基板12在壓印可成形材料34之前的對準以利圖案轉印至基板上的精確位置。可協助圖案移轉的示範對準系統及方法進一步描述於美國專利第12/175,258號、美國專利第11/695,850號、美國專利第11/347,198號、美國專利第11/373,533號、美國專利第10/670,980號、美國專利第10/210,894號、及美國專利第10/210,780號，以上文獻全部併入本文作為參考資料。通常該等對準標記可蝕刻進入熔融二氧化矽，其係折射率與可成形材料34實質相似的介質。因此，該等對準標記容易保持與可成形材料34隔離以便用典型可見照明方法看見。例如，溝槽可用來隔離對準標記與可成形材料34，這在美國專利第7,309,225號有進一步的描述，在此併入本文作為參考資料。不過，溝槽所需的最小空間通常大於典型半導體劃線區(scribe area)。例如，溝槽的寬度加上對準標記與邊緣的最小距離(為消除流體標記干涉(fluid-mark interference)所需)需要比典型劃線區還多的空間。
另外，提供此類溝槽可能造成基板12有大開放空間而對某些製程不利，例如化學機械平坦化製程(CMP)及/或蝕刻製程，其中均勻性與一致的特徵密度可能為重要的屬性。此類溝槽區也為探測的最佳位置。
為了緩和對於此類溝槽或大開放空間的需要，對準標記可由高對比材料形成。用來形成對準標記的高對比材料(HCM)可具有與可成形材料34不同的折射率。因此，在存在用於對準製程的可成形材料34下，該等對準標記可看見。
高對比對準標記的圖案化步驟可與模板18之主要圖案形成特徵的相同。藉由用相同的步驟來形成圖案，可最小化圖案擺設錯誤。通常將該等對準標記蝕刻成與形成於基板12的主要特徵有實質相同的深度。
如併入本文作為參考資料的美國專利公開號：2010/0092599所述，有些高對比標記製造方法使用圖案化步驟必須與主要圖案實質相同的單一或多層。該主要圖案可包含在5至32奈米範圍內的特徵，這對於高對比對準標記，用必要薄膜圖案轉印會非常困難。此外，最適合形成高對比對準標記之硬遮罩的組合物及厚度可能不同於用以形成主要特徵所需之硬遮罩的組合物及厚度。
如併入本文作為參考資料的美國專利公開號：2011/0192302所述，其他製造方法可包含圖案化對準標記及主要特徵隨後施加高對比材料成為個別層的單一步驟。
不過，可能會有與以下事項有關的併發症：高對比材料的沉積及隨後移除主要或精細特徵區上的高對比材料。例如，在有些情形下，金屬高對比材料可能不可逆地連結或黏著至特徵區使得主要或精細特徵區上之所有沉積金屬的移除步驟無效或不完全。接著，這可能導致所得模板有缺陷。因此，在此描述能夠保護模板18之精細圖案化特徵24、26的兩階壓印技術。特別是，在製造內凹高對比對準標記期間，該等技術可用來保護沉積金屬層以免與隨後會蝕刻進入模板18的精細特徵24、26直接接觸。此外，該等技術有較少的加工步驟，以及與先前技術的剝離法(liftoff approach)相比，較少暴露於周遭的粒子。
第3圖至第8圖圖示用於形成有高對比對準標記60a之模板118的示範方法。通常該方法為兩階壓印技術，其係包括：(1)在HCM沉積之前的特徵阻塞壓印步驟(feature-blocking imprint step)；接著(2)在HCM沉積之後的二次平坦化壓印步驟(secondary planarizing imprint step)。這兩個不同壓印步驟(例如，阻劑沉積步驟)在高對比對準標記60a的製造期間可提供保護特徵124、126。
第1圖及第3圖圖示用於壓印微影系統10的示範帶圖案模板118。模板118的概念及設計可與模板18的實質類似。模板118包含精細特徵區62與對準區64。精細特徵區62可包含關鍵尺寸約小於50奈米的特徵。例如，精細特徵區62可包含數個凹處124及突起126。對準區64可包含關鍵尺寸約大於50奈米的特徵。在壓印微影製程期間，可使用該等特徵於對準模板118與基板12時。例如，對準區64可包含對準標記60。模板118本身的形成可用微影製程以及可使用任何圖案形成方法，包括(但不受限於)：電子束壓印、光學微影、雷射微影、奈米壓印微影術、及其類似者。
第4圖圖示兩階壓印技術中之頭兩階的一個用以在模板118之對準標記60中提供高對比材料。特別是，第4圖圖示特徵阻塞壓印步驟。大體上，該特徵阻塞步驟在在進一步的加工步驟(例如，第5圖至第10圖)期間提供保護精細特徵區62。在一具體實施例中，該特徵阻塞壓印步驟包括沉積一層可成形材料(例如，可聚合材料)於可能與可成形材料34相同或類似的整個模板118上。例如，它可由以下材料形成(但不受限於)：如併入本文作為參考資料的美國專利第7,157,036號及美國專利公開號：2005/0187339所述的單體混合物，以及可用以下技術沉積(但不受限於)：滴注分配、旋塗、浸沾式塗佈、化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、薄膜沉積、厚膜沉積、及/或類似者。
在一具體實施例中，可用例如壓印微影術來形成初始或前驅物層66a以包含第一厚度t3與第二厚度t4。第一厚度t3可在對準區64內，而第二厚度t4可在精細特徵區62內。精細特徵區62內的厚度t4可實質大於對準區64內的厚度t3。因此，在後續的加工步驟期間，精細特徵區62內的較大厚度t4可保護特徵124、126。如第5圖所示，可蝕刻(例如，清光阻蝕刻)對準區64內的層66a以移除之而由此產生的層66b單獨留在精細特徵區62內。應注意，蝕刻對準區64的初始或前驅物層66a可減少精細特徵區62內之層66a的厚度t4。為此，層66a的厚度及所欲蝕刻速率可經組態成所得層66b至少有厚度t5仍高於精細特徵區62內的突起126，如第5圖所示。
在另一具體實施例中，可單獨沉積層66b於精細特徵區62內。單獨沉積阻劑材料層66b於精細特徵區62內可淘汰移除對準區64內之層66a所需的蝕刻步驟。
請參考第6圖，可沉積高對比材料(HCM)於模板118上。有用的高對比材料包含(但不受限於)：鉭、鎢、碳化矽、非晶矽、鉻、氮化鉻、鉬、矽化鉬、鈦、氮化鈦、及其類似者，均可用習知方法沉積於模板118上。例如，在一具體實施例中，高對比材料可包含用濺射塗層法(sputter coating)沉積的鉻。在另一具體實施例中，高對比材料可包含用CVD沉積的非晶矽。在另一具體實施例中，高對比材料可包含PVD沉積的類金剛石碳(DLC)。沉積高對比材料於模板118上可形成跨越對準區64及精細特徵區62的保形層(conformal layer)68。在一具體實施例中，保形層68的厚度可在約5奈米至100奈米以上，如第5圖所示。
第7圖圖示兩階壓印技術的第二階段。特別是，第7圖圖示二次平坦化壓印步驟。可成形材料(例如，可聚合材料)的第二層70可沉積於高對比保形層68上。第二層70可由與第一層66相同或實質類似的材料形成。第二層70可跨越精細特徵區62及對準區64。第二層70可進一步平坦化成層70仍有實質平坦表面71以及有約50至200奈米的厚度t6。平坦化可通過使用平坦模板的奈米壓印製程，其材料沉積技術包含(但不受限於)：滴注分配、旋塗、浸沾式塗佈、化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、薄膜沉積、厚膜沉積、及/或類似者。
請參考第8圖，可蝕刻(例如，清光阻蝕刻)第二阻劑材料層70使得第二阻劑材料層70的部份72留在對準標記60的凹槽內。留在對準標記60之凹槽中的部份72可具有厚度t7。厚度t7至少有10奈米而且可厚些以提供較大的保護。第二阻劑材料層70的部份72在在後續蝕刻步驟期間提供保護對準標記60之凹槽的高對比材料。
請參考第9圖，可移除所有區域之中的高對比保形層68，除了對準標記60的凹槽以外。反應離子蝕刻(RIE)以及其他的選擇性離子蝕刻製程可用來移除高對比保形層68。例如，可使用XeF2氣體，因為它移除熔融二氧化矽模板表面上的a-Si、Ta、TaN、MoSi、MO及W通常有效而且實質不改變熔融二氧化矽圖案。也可使用基於乾蝕刻製程的Cl2或O2，因為它們在移除熔融二氧化矽模板表面上的Cr、CrN及CrO時有良好的選擇性。此外，濕蝕刻製程可用來選擇性移除熔融二氧化矽上的HCM，例如Cr7s鉻剝離液。第二層70的部份72在該移除或蝕刻期間提供保護對準標記60之凹槽的高對比材料。另外，第二層70在該蝕刻期間提供保護精細特徵區62。如第10圖所示，隨後可移除(例如，清光阻蝕刻)第二層70的部份72與保護精細特徵區62的第二阻劑材料層70而露出對準標記60凹槽內的高對比材料68。暴露凹槽內的高對比材料68形成高對比對準標記60a。
熟諳此藝者閱讀本說明後明白在各種方面仍有其他修改及替代具體實施例。因此，本說明應被視為僅供圖解說明。應瞭解，圖示及描述於本文的形式應視為具體實施例的例子。元件及材料可取代圖示及描述於本文者，部件及製程可反向，以及有些特徵可單獨使用，在熟諳此藝者受益於本文後會明白。在不脫離由以下申請專利範圍定義的精神與範疇下，可改變描述於本文的元件。
10‧‧‧微影系統
12‧‧‧基板
14‧‧‧基板夾頭
16‧‧‧工作台
18‧‧‧模板
20‧‧‧島狀結構
22‧‧‧圖案形成表面
24‧‧‧凹槽
26‧‧‧突起
28‧‧‧夾頭
30‧‧‧壓印頭
32‧‧‧流體分配系統
34‧‧‧可成形材料
38‧‧‧能源
40‧‧‧能量
42‧‧‧路徑
44‧‧‧表面
46‧‧‧帶圖案層
48‧‧‧殘餘層
50‧‧‧突起
52‧‧‧凹處
54‧‧‧處理器
56‧‧‧記憶體
60‧‧‧對準標記
60a‧‧‧高對比對準標記
62‧‧‧精細特徵區
64‧‧‧對準區
66a‧‧‧初始或前驅物層
66b‧‧‧層
68‧‧‧保形層
70‧‧‧第二層
72‧‧‧部份
118‧‧‧示範帶圖案模板
124‧‧‧特徵、凹處
126‧‧‧特徵、突起
t1-t5‧‧‧厚度
第1圖為微影系統的簡化側視圖。
第2圖為有帶圖案層於其上之第1圖基板的簡化側視圖。
第3圖至第10圖圖示用於形成有高對比對準標記之模板的示範方法。
10．．．微影系統
12．．．基板
14．．．基板夾頭
16．．．工作台
18．．．模板
20．．．島狀結構
22．．．圖案形成表面
24．．．凹槽
26．．．突起
28．．．夾頭
30．．．壓印頭
32．．．流體分配系統
34．．．可成形材料
38．．．能源
40．．．能量
42．．．路徑
44．．．表面
54．．．處理器
56．．．記憶體

Claims (11)

  1. 一種製造有高對比對準標記之模板的方法，其係包含下列步驟：(a)提供一模板，其係有具一對準區及一精細特徵區的一表面，該等區中各有多個突起及凹處；(b)在該精細特徵區上形成一第一層；(c)沉積高對比材料於該對準區及該經形成之第一層上；(d)在該經沉積之高對比材料上方形成一第二層；(e)移除該第二層之一部份使得該第二層之剩餘部份留在該對準區之該等凹處中；(f)移除該高對比材料之一部份使得該高對比材料之剩餘部份留在該對準區之該等凹處中；(g)從該精細特徵區移除該第一層以及從該對準區之該等凹處移除該第二層之該剩餘部份。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該第一層的形成係藉由：分配一可聚合材料於該模板表面上，使該可聚合材料與一壓印微影術模板接觸，以及固化該可聚合材料。
  3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中形成該第一層的步驟更包含下列步驟：形成一前驅物層於該精細特徵區及該對準區上方，且在該精細特徵區上方之該前驅物層有一第一厚度以及在該對準區上方之該前驅物層有一第二厚度，以及 在此該第一厚度大於該第二厚度；移除該前驅物層之一部份使得該對準區露出，同時該前驅物層之剩餘部份留在該精細特徵區上方以及界定該經形成之第一層。
  4. 如申請專利範圍第3項之方法，其中該前驅物層的形成係藉由：分配一可聚合材料於該模板表面上，使該可聚合材料與一壓印微影術模板接觸，以及固化該可聚合材料。
  5. 如申請專利範圍第3項之方法，其中移除該前驅物層部份的步驟更包含一清光阻蝕刻步驟。
  6. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該第二形成層係經平坦化。
  7. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該第二層的形成係藉由：分配一可聚合材料於該模板表面上，使該可聚合材料與一壓印微影術模板接觸，以及固化該可聚合材料。
  8. 如申請專利範圍第1項之方法，其中移除該第二層部份的步驟更包含一清光阻蝕刻步驟。
  9. 如申請專利範圍第1項之方法，其中移除該高對比材料步驟更包含一反應離子蝕刻(RIE)步驟。
  10. 如申請專利範圍第1項之方法，其中移除該第一層的步驟更包含一清光阻蝕刻步驟。
  11. 一種製造有高對比對準標記之模板的方法，其係包含下列步驟： (a)提供一模板，其係有具一對準區及一精細特徵區的一表面，該等區中各有多個突起及凹處；(b)形成一前驅物層於該精細特徵區及該對準區上方，且在該精細特徵區上方之該前驅物層有一第一厚度以及在該對準區上方之該前驅物層有一第二厚度，以及在此該第一厚度大於該第二厚度；(c)移除該前驅物層之一部份使得該對準區露出，以及界定一第一形成層的該前驅物層的剩餘部份係留在該精細特徵區上方；(d)沉積高對比材料於該對準區及該經形成之第一層上；(e)形成一第二平坦化層於該經沉積之高對比材料上方；(f)移除該第二層之一部份使得該第二層之剩餘部份留在該對準區之該等凹處中；(g)移除該高對比材料之一部份使得該高對比材料之剩餘部份留在該對準區之該等凹處中；以及(h)從該精細特徵區移除該第一層以及從該對準區之該等凹處移除該第二層之該剩餘部份。
TW100134562A 2010-09-24 2011-09-26 經由多階壓印處理之高對比對準標記 TWI538011B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US38599310P 2010-09-24 2010-09-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201220360A TW201220360A (en) 2012-05-16
TWI538011B true TWI538011B (zh) 2016-06-11

Family

ID=45869313

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100134562A TWI538011B (zh) 2010-09-24 2011-09-26 經由多階壓印處理之高對比對準標記

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8935981B2 (zh)
EP (1) EP2618978B1 (zh)
JP (1) JP5852123B2 (zh)
KR (1) KR101861644B1 (zh)
TW (1) TWI538011B (zh)
WO (1) WO2012040699A2 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6071221B2 (ja) * 2012-03-14 2017-02-01 キヤノン株式会社 インプリント装置、モールド、インプリント方法及び物品の製造方法
JP2014011254A (ja) * 2012-06-28 2014-01-20 Dainippon Printing Co Ltd 位置合わせマーク、該マークを備えたテンプレート、および、該テンプレートの製造方法
JP6692311B2 (ja) * 2017-03-14 2020-05-13 キオクシア株式会社 テンプレート
US11126083B2 (en) * 2018-01-24 2021-09-21 Canon Kabushiki Kaisha Superstrate and a method of using the same
JP2018133591A (ja) * 2018-05-18 2018-08-23 大日本印刷株式会社 テンプレートの製造方法
JP6607293B2 (ja) * 2018-08-28 2019-11-20 大日本印刷株式会社 テンプレート

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4582722A (en) * 1984-10-30 1986-04-15 International Business Machines Corporation Diffusion isolation layer for maskless cladding process
US6873087B1 (en) 1999-10-29 2005-03-29 Board Of Regents, The University Of Texas System High precision orientation alignment and gap control stages for imprint lithography processes
US6780775B2 (en) * 2001-01-24 2004-08-24 Infineon Technologies Ag Design of lithography alignment and overlay measurement marks on CMP finished damascene surface
US6932934B2 (en) 2002-07-11 2005-08-23 Molecular Imprints, Inc. Formation of discontinuous films during an imprint lithography process
US7077992B2 (en) 2002-07-11 2006-07-18 Molecular Imprints, Inc. Step and repeat imprint lithography processes
US7027156B2 (en) 2002-08-01 2006-04-11 Molecular Imprints, Inc. Scatterometry alignment for imprint lithography
US6916584B2 (en) 2002-08-01 2005-07-12 Molecular Imprints, Inc. Alignment methods for imprint lithography
US7070405B2 (en) 2002-08-01 2006-07-04 Molecular Imprints, Inc. Alignment systems for imprint lithography
US6936194B2 (en) 2002-09-05 2005-08-30 Molecular Imprints, Inc. Functional patterning material for imprint lithography processes
US8349241B2 (en) 2002-10-04 2013-01-08 Molecular Imprints, Inc. Method to arrange features on a substrate to replicate features having minimal dimensional variability
US20040065252A1 (en) 2002-10-04 2004-04-08 Sreenivasan Sidlgata V. Method of forming a layer on a substrate to facilitate fabrication of metrology standards
US7179396B2 (en) 2003-03-25 2007-02-20 Molecular Imprints, Inc. Positive tone bi-layer imprint lithography method
US7396475B2 (en) 2003-04-25 2008-07-08 Molecular Imprints, Inc. Method of forming stepped structures employing imprint lithography
US7157036B2 (en) 2003-06-17 2007-01-02 Molecular Imprints, Inc Method to reduce adhesion between a conformable region and a pattern of a mold
KR100557541B1 (ko) * 2003-06-30 2006-03-03 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의 제조방법
US7136150B2 (en) 2003-09-25 2006-11-14 Molecular Imprints, Inc. Imprint lithography template having opaque alignment marks
US8076386B2 (en) 2004-02-23 2011-12-13 Molecular Imprints, Inc. Materials for imprint lithography
US7309225B2 (en) 2004-08-13 2007-12-18 Molecular Imprints, Inc. Moat system for an imprint lithography template
JP4330168B2 (ja) 2005-09-06 2009-09-16 キヤノン株式会社 モールド、インプリント方法、及びチップの製造方法
TW200801794A (en) 2006-04-03 2008-01-01 Molecular Imprints Inc Method of concurrently patterning a substrate having a plurality of fields and a plurality of alignment marks
US8012395B2 (en) * 2006-04-18 2011-09-06 Molecular Imprints, Inc. Template having alignment marks formed of contrast material
KR100790899B1 (ko) * 2006-12-01 2008-01-03 삼성전자주식회사 얼라인 마크가 형성된 템플릿 및 그 제조 방법
US7837907B2 (en) 2007-07-20 2010-11-23 Molecular Imprints, Inc. Alignment system and method for a substrate in a nano-imprint process
JP2009298041A (ja) * 2008-06-13 2009-12-24 Toshiba Corp テンプレート及びパターン形成方法
US20100092599A1 (en) 2008-10-10 2010-04-15 Molecular Imprints, Inc. Complementary Alignment Marks for Imprint Lithography
US8961852B2 (en) 2010-02-05 2015-02-24 Canon Nanotechnologies, Inc. Templates having high contrast alignment marks

Also Published As

Publication number Publication date
WO2012040699A3 (en) 2012-06-21
WO2012040699A2 (en) 2012-03-29
KR20130105661A (ko) 2013-09-25
JP5852123B2 (ja) 2016-02-03
TW201220360A (en) 2012-05-16
US8935981B2 (en) 2015-01-20
EP2618978A2 (en) 2013-07-31
JP2013543456A (ja) 2013-12-05
EP2618978A4 (en) 2015-06-03
US20120073462A1 (en) 2012-03-29
KR101861644B1 (ko) 2018-05-28
EP2618978B1 (en) 2016-11-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI577533B (zh) 具有高對比對準標記之模板
US7815430B2 (en) Mold, production process of mold, imprint apparatus, and imprint method
US7960090B2 (en) Pattern forming method, pattern formed thereby, mold, processing apparatus, and processing method
TWI662359B (zh) 次２０奈米之形貌體的均勻壓印圖案轉移方法
US8529778B2 (en) Large area patterning of nano-sized shapes
TWI538011B (zh) 經由多階壓印處理之高對比對準標記
JP5404654B2 (ja) テンプレート形成時の限界寸法制御
US8967992B2 (en) Optically absorptive material for alignment marks
KR102046933B1 (ko) 비-볼록 형상의 나노구조의 패터닝
US9122148B2 (en) Master template replication
JP7139751B2 (ja) インプリントモールドの製造方法
US20230205080A1 (en) Template, method of forming a template, apparatus and method of manufacturing an article
TWI421162B (zh) 母模板複製方法
TW201014700A (en) Template having alignment marks formed of contrast material