JP4710724B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
(第1実施形態)
図1は、第1実施形態に係る製造方法を適用した半導体装置の要部の概略構成を示す断面図である。
次に、本発明の第2実施形態を、図4に基づいて説明する。図4は、本発明の第2実施形態に係る半導体装置100の製造方法の一部を示す工程別断面図であり、(a)は保護膜及び層間絶縁膜を形成する工程、(b)は第1除去工程である。
101・・・半導体基板
102・・・ベース領域
106・・・エミッタ領域
107・・・層間絶縁膜
108・・・エミッタ電極(表面電極)
109・・・コンタクトホール
109a・・・未完成のコンタクトホール
110・・・コレクタ層
111・・・コレクタ電極(裏面電極)
112・・・フィールドストップ層(FS層)
Claims (3)
- 半導体基板の第1主面上に、層間絶縁膜を形成する工程と、
コンタクトホール形成予定領域において、前記層間絶縁膜を所定厚さ分残して途中まで除去する工程と、
前記半導体基板を前記第1主面の裏面である第2主面側から所定厚さ除去し、前記半導体基板を薄くする工程と、
薄くされた前記半導体基板に対し、前記第2主面の表層に不純物を導入する工程と、
前記不純物の導入後、前記半導体基板を熱処理する工程と、
前記熱処理後、残された所定厚さの前記層間絶縁膜を除去してコンタクトホールを形成し、前記半導体基板を前記層間絶縁膜から露出させる工程と、
前記コンタクトホール内及び前記層間絶縁膜上に金属電極を形成する工程と、を備え、
前記熱処理する工程において、前記半導体基板を、前記金属電極を構成する材料の融点以上の温度で熱処理し、
前記コンタクトホールを形成する工程において、前記半導体基板の厚さ方向に露出する所定厚さの前記層間絶縁膜を含む前記層間絶縁膜全面をエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板の第1主面上に、保護膜を形成する工程と、
前記保護膜の上に、層間絶縁膜を形成する工程と、
コンタクトホール形成予定領域において、前記保護膜を残して前記層間絶縁膜を除去する工程と、
前記半導体基板を前記第1主面の裏面である第2主面側から所定厚さ除去し、前記半導体基板を薄くする工程と、
薄くされた前記半導体基板に対し、前記第2主面の表層に不純物を導入する工程と、
前記不純物の導入後、前記半導体基板を熱処理する工程と、
前記熱処理後、前記保護膜を除去してコンタクトホールを形成し、前記半導体基板を前記層間絶縁膜から露出させる工程と、
前記コンタクトホール内及び前記層間絶縁膜上に金属電極を形成する工程と、を備え、
前記熱処理する工程において、前記半導体基板を、前記金属電極を構成する材料の融点以上の温度で熱処理し、
前記コンタクトホールを形成する工程において、前記半導体基板の厚さ方向に露出する前記保護膜及び前記層間絶縁膜全面をエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記熱処理する工程において、熱処理温度を、800℃以上、前記半導体基板の第1主面の表層に形成される不純物拡散層の拡散温度未満の範囲内としたことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
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