JP5267036B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態に係る半導体装置において、素子形成領域と外周領域との位置関係を示す平面図である。また、図2は、図1に示すII−II線に沿う断面図である。本実施形態に示される半導体装置は、例えばEHV用インバータモジュールに使われるパワースイッチング素子として用いられる。
次に、本発明の第2実施形態を、図3及び図4に基づいて説明する。図3は、第2実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す断面図であり、第1実施形態に示した図2に対応している。図4は、半導体ウェハにおけるレーザー光の照射エリアを示す平面図である。
次に、本発明の第3実施形態を、図5に基づいて説明する。図5は、第3実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す断面図であり、第1実施形態に示した図2に対応している。
16・・・コレクタ領域
17・・・カソード領域
18・・・裏面電極
19・・・フィールドストップ層
30・・・素子形成領域
31・・・IGBT素子
32・・・FWD素子(転流ダイオード素子)
50・・・外周領域
100・・・半導体装置
Claims (3)
- 第1導電型の半導体基板における外周領域に取り囲まれた素子形成領域に、表面側にゲート電極を有するIGBT素子と転流ダイオード素子を形成してなる半導体装置の製造方法であって、
第1導電型の半導体ウェハにおける裏面全面の表層に、第1導電型、若しくは、第2導電型の第1不純物を注入する第1注入工程と、
該第1注入工程後、前記半導体ウェハの裏面上に形成した第1マスクを介して、前記半導体ウェハの裏面側表層における前記素子形成領域内の所定位置に、前記第1不純物とは逆の導電型であって、注入した前記第1不純物を打ち消すのに必要となるイオン注入量よりも多い第2不純物を選択的に注入する第2注入工程と、
前記第2注入工程後、前記半導体ウェハの裏面側における素子形成領域の部位のみにレーザーアニールを行い、注入された前記第1不純物及び前記第2不純物のうち、前記素子形成領域の裏面側表層の部分のみを活性化して、前記IGBT素子を構成する第2導電型のコレクタ領域と、前記転流ダイオード素子を構成する第1導電型のカソード領域とするアニール工程と、
前記アニール工程後、前記半導体ウェハをダイシングし、前記外周領域に取り囲まれた前記素子形成領域を有する前記半導体基板とする工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1注入工程の前に、前記半導体ウェハにおいて、前記外周領域の裏面上を覆う第2マスクを介して前記半導体ウェハを裏面側からエッチングし、前記素子形成領域の厚さを前記外周領域の厚さよりも薄くするエッチング工程を備え、
前記第1注入工程では、前記第2マスクを介して前記半導体ウェハの裏面表層に前記第1不純物を注入することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1注入工程の前に、前記半導体ウェハの裏面表層に第1導電型の第3不純物を注入する工程を備え、
前記アニール工程において、前記レーザーアニールにより、注入された前記第3不純物のうち、前記素子形成領域の裏面側表層の部分のみを活性化して、フィールドストップ層とすることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
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