JP2015008235A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】イオン注入装置のチャンバー内の真空度の低下、イオン注入用レジストマスクのパターンだれ、および灰化処理後のレジスト残渣を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】まず、n型不純物の第1イオン注入を行い、n-半導体ウエハ1の裏面全面にn+不純物層12aを形成する。n-半導体ウエハ1の裏面に、n+カソード層の形成領域に対応する部分を覆うレジストマスク32を形成する。次に、レジストマスク32をマスクとしてp型不純物の第2イオン注入33を行い、n+不純物層12a内部にp+不純物層11aを形成する。第2イオン注入33は、2回以上に分割して行う。また、第2イオン注入33におけるp型不純物のドーズ量は、第1イオン注入におけるn型不純物のドーズ量よりも多くする。次に、レジストマスク32の除去後、p+不純物層11aおよびn+不純物層12aを活性化させる。【選択図】図3
Description
この発明は、半導体装置の製造方法に関する。
従来、FWD(還流ダイオード)や、IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)、MOSFET(絶縁ゲート型電界効果トランジスタ)に代表されるパワー半導体装置は、半導体チップのおもて面側だけでなく、裏面側にも不純物層および電極を形成し、縦型構造とすることが一般的である。通常、縦型半導体装置では、半導体ウエハのおもて面側におもて面素子構造を形成した後または形成途中に、半導体ウエハの裏面を研削して半導体ウエハを薄化し、半導体ウエハの研削された裏面全面に裏面素子構造として1つの不純物層を形成する。
一方、IGBTとFWDとを同一の半導体チップに内蔵して一体化した逆導通型IGBT(RC−IGBT)は、半導体チップの裏面側に、裏面素子構造として、チップ主面に水平な方向に並列に配置された導電型の異なる2つの不純物層を備える。このため、RC−IGBTでは、半導体ウエハの裏面を研削して半導体ウエハを薄化した後、半導体ウエハの研削された裏面に、導電型の異なる2つの不純物層を形成するためのそれぞれのイオン注入を行う必要がある。
RC−IGBTの裏面素子構造を形成する方法として、導電型の異なる2つの不純物層のうち、一方の不純物層の形成領域に対応する部分をレジストマスクで覆い、レジストマスクの開口部に露出する他方の不純物層の形成領域に対応する部分にイオン注入により他方の不純物層を形成する工程を、レジストマスクで覆う部分およびイオン注入する不純物の導電型を変えて2回繰り返す方法が公知である。この方法では、レジストマスクを形成するためのパターニング回数が2回となるため、製造コストが高くなるという問題がある。
RC−IGBTの裏面素子構造を形成する別の方法として、半導体ウエハの裏面全面に、導電型の異なる2つの不純物層のうちの一方の不純物層を形成した後、一方の不純物層の形成領域に対応する部分をレジストマスクで覆い、レジストマスクの開口部に露出する他方の不純物層の形成領域に対応する部分の導電型をイオン注入により反転させて他方の不純物層を形成する方法が公知である。この方法では、レジストマスクを形成するためのパターニング回数を1回に減らすことができる。
このようにレジストマスクを形成するためのパターニング回数を1回にした裏面素子構造の形成方法として、半導体ウエハの裏面全面にp型不純物層を形成し、レジストマスクを形成するためのパターニング後に、当該レジストマスクをマスクとして選択的にn型不純物層を形成する第1の方法と、半導体ウエハの裏面全面にn型不純物層を形成し、レジストマスクを形成するためのパターニング後に、当該レジストマスクをマスクとして選択的にp型不純物層を形成する第2の方法と、の2通りの方法が提案されている(例えば、下記特許文献1〜4参照。)。
第1の方法では、先に形成されているp型不純物層の一部を、n型不純物のイオン注入によりn型に反転させてn型不純物層を形成する。図6〜8は、従来の半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。具体的には、第1の方法では、まず、ボロン(B)のイオン注入121により、n-半導体ウエハ101の裏面全面にp+不純物層111aを形成する(図6)。次に、レジストマスク122をマスクとしてn-半導体ウエハ101の裏面にリン(P)をイオン注入123し、p+不純物層111aの一部をn型に反転させることでn+不純物層112aを形成する(図7)。
その後、熱処理によりp+不純物層111aおよびn+不純物層112aを活性化させることで、p+コレクタ層111およびn+カソード層112が形成される(図8)。一方、第2の方法では、第1の方法とは反対に、n-半導体ウエハの裏面全面にn+不純物層を形成し、先に形成されたn+不純物層の一部をp型不純物のイオン注入によりp型に反転させてp+不純物層を形成する。第1,2の方法では、ともに、2回目に行うレジストマスクを用いたイオン注入(以下、高ドーズイオン注入とする)は、導電型の異なる不純物層を反転させるために高いドーズ量で行われる。
このため、上述したレジストマスクを用いたイオン注入では、イオン処理中にイオン注入装置のチャンバー内の真空度が低下する虞がある。その理由は、不純物イオンの衝突によりレジストマスクが受けた運動エネルギーによってウエハ温度が上昇し、レジストマスクを構成する有機溶剤成分が気化することで、チャンバー内にガス(いわゆる脱ガス)が発生するからである。また、ウエハ温度の上昇によりレジストパターンが変形するという、いわゆるパターンだれが発生し、レジストマスクの外周部の厚さが部分的に薄くなるため、レジストマスクの厚さが薄くなった部分において不純物イオンが突き抜けてしまう虞がある。
脱ガスの発生を抑制したイオン注入装置として、注入処理室に隣接して設けられ、真空排気手段およびベント手段によって室内が真空状態と大気状態とに選択的に切り替えられるエアーロック室と、エアーロック室内の被処理物の表面に光を照射する光源とを備えている装置が提案されている(例えば、下記特許文献5参照。)。また、レジストパターンの変形を防止したイオン注入装置として、ウエハを載置するプラテン上に温度センサを配置し、該温度センサで検出した温度が設定条件範囲内においてのみイオンビームを走査する制御部を備えた装置が提案されている(例えば、下記特許文献6参照。)。
また、イオン注入処理中に半導体ウエハの温度が上昇することにより、また、レジストマスクの表面層が高温化して硬化されることでレジストマスクの表面層に変質層が形成されることにより、灰化処理(アッシング)時にレジストマスクを完全に除去しきれずにレジスト残渣が生じる虞がある。レジストマスクの表面層が硬化されてなる変質層は、通常のレジストよりもアッシングレートが著しく低いため、レジスト残渣が生じる原因となる。イオン注入に用いたレジストマスクを残渣なく除去する方法として、導電型の不純物元素のイオンと希ガス元素のイオンとを同時に注入する工程後にレジストマスクを除去する方法が提案されている(例えば、下記特許文献7参照。)。
また、イオン注入に用いたレジストマスクを残渣なく除去する別の方法として、イオン注入等で硬化したレジストを除去するために、被処理ウエハを、常圧下でベークした後、実質的に酸素ガスからなる酸素単ガス雰囲気下において、摂氏300℃前後の高温領域でプラズマ・アッシング処理する方法が提案されている(例えば、下記特許文献8参照。)。また、レジストマスクを変質させることなく除去する方法として、前アッシャ室におけるライトアッシングと、後アッシャ室におけるメインアッシングと、更に前アッシャ室におけるアフタライトアッシングとをそれぞれ行い、前記3回のアッシングにより、レジストの高剥離性、高処理能力を持たせる方法が提案されている(例えば、下記特許文献9参照。)。
しかしながら、半導体ウエハの厚さが薄くなるほど、放熱性が悪くなるため、イオン注入処理中にレジストマスクが受けた運動エネルギーによって生じる半導体ウエハの温度上昇がより顕著になる。上記特許文献5〜9には、耐圧2000V以下の半導体装置に適用する(耐圧≒n-半導体基板の厚さ×10)、すなわちウエハ厚が例えば200μm以下となる薄い半導体ウエハに適用することについて言及されていない。したがって、例えば200μm以下の厚さの薄い半導体ウエハでは、イオン注入処理中に温度が上昇する虞がある。
イオン注入処理中に半導体ウエハの温度が上昇した場合、上述したようにレジストマスクから脱ガスが発生し、イオン注入装置のチャンバー内の真空度が低下する。これにより、イオン注入装置によって例えばメンテナンスなど操作員の介入を要求する異常時として処理され、イオン注入処理が中断される虞がある。また、イオン注入処理中に半導体ウエハの温度が上昇することにより、イオン注入装置のチャンバー内の真空度が低下し、イオン注入のドーズ量のばらつきが大きくなる虞がある。
さらに、イオン注入処理中に半導体ウエハの温度が上昇することにより、レジストマスクを構成する有機溶剤成分が突沸してレジストマスク内部から噴出して飛散し(レジストマスクの発泡)、パーティクルなどの異物が半導体ウエハに付着する虞がある。また、イオン注入処理中に半導体ウエハの温度が上昇することにより、レジストマスクのパターンだれが発生し、所望のレジストパターンでイオン注入を行うことができない虞がある。そして、このように半導体ウエハの温度上昇によって生じる問題により、良品率が低下する虞がある。
このようなイオン注入処理中におけるチャンバー内の真空度の低下やレジストマスクのパターンだれは、上述した第2の方法よりも第1の方法で顕著となる。その理由は、ボロン(B)などのp型不純物をイオン注入してn型不純物層をp型に反転させる第2の方法に比べて、p型不純物よりも質量数の大きいリン(P)や砒素(As)、アンチモン(Sb)などのn型不純物をイオン注入してp型不純物層をn型に反転させる第1の方法のほうが、レジストマスクが受ける運動エネルギーが大きいからである。
また、イオン注入処理中におけるチャンバー内の真空度の低下やレジストマスクのパターンだれは、高ドーズイオン注入であるほどより顕著となる。具体的には、第1の方法では、例えば1.0×1015/cm2以上の高ドーズ量でn型不純物の高ドーズイオン注入が行われる。イオン注入のビーム電流を減少させることにより、チャンバー内の真空度の低下やレジストマスクのパターンだれを抑制することができる。しかしながら、この場合、スループットが低下するという問題がある。
また、チャンバー内の真空度の低下およびレジストマスクのパターンだれを抑制するための対策として、通常、レジストマスクをマスクとしてイオン注入を行う前に、パターニングされたレジストマスクに対して紫外線による硬化(キュア)処理や熱処理による焼き締め(ベーク)処理などが行われている。しかしながら、上述したように、半導体ウエハの厚さが薄い場合に半導体ウエハの温度上昇が著しくなるため、これらの方法では、チャンバー内の真空度の低下およびレジストマスクのパターンだれを抑制することができない虞がある。
また、第1の方法のように質量数の大きい不純物を高ドーズ量で高ドーズイオン注入する場合、灰化処理時のレジスト残渣も多くなる。その理由は、イオン注入する不純物の質量数が大きいほど、レジストマスクに与えるダメージが大きく、変質層の厚さが厚くなるからである。また、レジスト残渣が生じた状態でその後の工程を継続した場合、このレジスト残渣が後の工程において半導体ウエハを汚染する原因になったり、処理装置が汚染され他の半導体ウエハも汚染される、いわゆるクロスコンタミネーションが発生する原因となる虞がある。このため、レジスト残渣が生じた半導体ウエハの歩留まりが低下するだけでなく、他の半導体ウエハの歩留まりも低下するという問題がある。
この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、イオン注入装置のチャンバー内の真空度の低下を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。また、この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、イオン注入に用いるレジストマスクのパターンだれを抑制することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。また、この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、レジスト残渣を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、次の特徴を有する。まず、半導体ウエハの表面に第1ドーズ量でn型不純物をイオン注入し、前記半導体ウエハの表面層にn型不純物層を形成する第1イオン注入工程を行う。次に、前記半導体ウエハの前記n型不純物層が形成された側の表面にレジストを塗布する塗布工程を行う。次に、前記レジストをパターニングし、前記半導体ウエハを選択的に露出させる露出工程を行う。次に、前記レジストの残部をマスクとして、前記第1ドーズ量よりも多い第2ドーズ量で前記半導体ウエハにp型不純物をイオン注入し、前記n型不純物層の内部にp型不純物層を形成する第2イオン注入工程を行う。
また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記第2イオン注入工程では、前記p型不純物のドーズ量が前記第2ドーズ量に達するまで2回以上に分けて前記p型不純物のイオン注入を行い、前記2回以上のイオン注入の、1回ごとのイオン注入のドーズ量を前記第2ドーズ量よりも少なくして行うことを特徴とする。
また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記第1イオン注入工程の前記n型不純物の平均飛程をRp1とし、前記平均飛程Rp1の標準偏差をΔRp1とし、前記第2イオン注入工程の前記p型不純物の平均飛程をRp2とし、前記平均飛程Rp2の標準偏差をΔRp2としたときに、下記(1)式を満たすことを特徴とする。
Rp2+3・ΔRp2≧Rp1+3・ΔRp1 ・・・(1)
また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記第2イオン注入工程後、熱処理により、前記n型不純物層および前記p型不純物層を活性化させる熱処理工程をさらに含む。そして、前記第1ドーズ量をN1とし、前記第2ドーズ量をN2とし、前記熱処理工程後の前記n型不純物層の拡散深さをxj1とし、前記熱処理工程後の前記p型不純物層の拡散深さをxj2としたときに、下記(2)式を満たすことを特徴とする。
N2>N1・(xj2/xj1) ・・・(2)
また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記p型不純物層の前記第2ドーズ量は、1.0×1015/cm2以上であることを特徴とする。
また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記第1イオン注入工程前に、前記半導体ウエハの主面を研削し、前記半導体ウエハの厚さを薄くする薄化工程をさらに含む。前記薄化工程では、前記半導体ウエハの厚さを200μm以下にする。前記第1イオン注入工程では、前記半導体ウエハの研削された面に前記n型不純物をイオン注入することを特徴とする。
上述した発明によれば、n型不純物層の形成後、レジストマスクを用いてn型不純物よりも質量数の小さいp型不純物をイオン注入し、n型不純物層の一部をp型に反転させてp型不純物層を形成することで、n型不純物のイオン注入によりp型不純物層をn型に反転させる場合よりも、イオン注入に用いるレジストマスクが受ける運動エネルギーを小さくすることができる。これにより、イオン注入による半導体ウエハの温度上昇を抑制することができる。
また、上述した発明によれば、レジストマスクを用いて行うp型不純物のイオン注入を2回以上に分割することにより、1回のイオン注入で注入するp型不純物のドーズ量をp型不純物層の最終的な第2ドーズ量よりも少なくすることができるため、イオン注入によってレジストマスクが受ける運動エネルギーをさらに小さくすることができる。これにより、p型不純物のイオン注入が例えばドーズ量1.0×1015/cm2以上の高ドーズイオン注入であっても、また、半導体ウエハの厚さが200μm以下と薄い場合であっても、イオン注入による半導体ウエハの温度上昇をさらに抑制することができる。
また、上述した発明によれば、イオン注入による半導体ウエハの温度上昇が抑制されることで、レジストマスクのパターンだれを抑制することができるため、パターニングされたレジストマスクに対して硬化処理や焼き締め処理などを行う必要がなくなる。また、レジストマスクに衝突する不純物イオンがn型不純物よりも質量数の小さいp型不純物であるため、レジストマスクに与えるダメージを小さくすることができる。このため、レジストマスクの表面層が硬化されてなる変質層の厚さを薄くすることができる。
本発明にかかる半導体装置の製造方法によれば、イオン注入装置のチャンバー内の真空度の低下を抑制することができるという効果を奏する。また、本発明にかかる半導体装置の製造方法によれば、イオン注入に用いるレジストマスクのパターンだれを抑制することができるという効果を奏する。また、本発明にかかる半導体装置の製造方法によれば、レジスト残渣を抑制することができるという効果を奏する。
以下に添付図面を参照して、この発明にかかる半導体装置の製造方法の好適な実施の形態を詳細に説明する。本明細書および添付図面においては、nまたはpを冠記した層や領域では、それぞれ電子または正孔が多数キャリアであることを意味する。また、nやpに付す+および−は、それぞれそれが付されていない層や領域よりも高不純物濃度および低不純物濃度であることを意味する。なお、以下の実施の形態の説明および添付図面において、同様の構成には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
(実施の形態)
実施の形態にかかる半導体装置の製造方法によって製造される半導体装置の構成について説明する。図1は、実施の形態にかかる半導体装置の製造方法により製造される半導体装置の構成を示す断面図である。図1に示すように、実施の形態にかかる半導体装置は、n-ドリフト層1となる同一のn-半導体基板(半導体チップ)上に、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)が設けられたIGBT部21と、還流用ダイオード(FWD)が設けられたFWD部22と、を備える。すなわち、図1に示す実施の形態にかかる半導体装置は、FWD部22のFWDがIGBT部21のIGBTに逆並列に接続された逆導通型IGBT(RC−IGBT)である。
実施の形態にかかる半導体装置の製造方法によって製造される半導体装置の構成について説明する。図1は、実施の形態にかかる半導体装置の製造方法により製造される半導体装置の構成を示す断面図である。図1に示すように、実施の形態にかかる半導体装置は、n-ドリフト層1となる同一のn-半導体基板(半導体チップ)上に、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)が設けられたIGBT部21と、還流用ダイオード(FWD)が設けられたFWD部22と、を備える。すなわち、図1に示す実施の形態にかかる半導体装置は、FWD部22のFWDがIGBT部21のIGBTに逆並列に接続された逆導通型IGBT(RC−IGBT)である。
IGBT部21において、n-半導体基板のおもて面の表面側には、pベース層2、n+エミッタ領域3、p+コンタクト領域4、トレンチ5、ゲート酸化膜6およびゲート電極7からなる一般的なトレンチゲート型のMOSゲート(金属−酸化膜−半導体からなる絶縁ゲート)構造が設けられている。n-半導体基板の厚さは、例えば10μm以上200μm以下と薄くてもよい。例えば耐圧100V〜2000V程度である場合に(耐圧≒n-半導体基板の厚さ×10)、本発明の効果が得られるとともに、電気的損失を少なくすることができるからである。n-半導体基板の厚さを150μm以下(耐圧1500V以下)とする場合、本発明の効果がより顕著となる。
エミッタ電極8は、n+エミッタ領域3およびp+コンタクト領域4に接し、層間絶縁膜9によってゲート電極7と電気的に絶縁されている。pベース層2、トレンチ5、エミッタ電極8および層間絶縁膜9は、IGBT部21からFWD部22にわたって設けられている。n+エミッタ領域3およびp+コンタクト領域4は、FWD部22には設けられていない。すなわち、FWD部22において、n-半導体基板のおもて面の表面層には、IGBT部21と同様に、pベース層2、トレンチ5、エミッタ電極8および層間絶縁膜9が設けられている。
FWD部22において、pベース層2はアノードとして機能する。エミッタ電極8は、pベース層2に接し、アノード電極を兼ねる。n-ドリフト層1の内部には、n-半導体基板の裏面側に、オフ時にn-ドリフト層1とpベース層2との間のpn接合から伸びる空乏層がp+コレクタ層11に達しないように抑制するnフィールドストップ(FS)層10が設けられている。また、n-ドリフト層1の内部には、他の領域よりもキャリアのライフタイムの短い領域(以下、短ライフタイム領域とする)14が設けられている。
n-半導体基板の裏面の表面層には、IGBT部21においてp+コレクタ層11が設けられ、FWD部22においてn+カソード層12が設けられている。p+コレクタ層11とn+カソード層12とは、n-半導体基板の主面に水平な方向に並んで設けられている。p+コレクタ層11の拡散深さは、n+カソード層12の拡散深さよりも深い。すなわち、p+コレクタ層11の厚さは、n+カソード層12の厚さよりも厚い。p+コレクタ層11の不純物濃度は、n+カソード層12の不純物濃度よりも低くてもよい。コレクタ電極13は、p+コレクタ層11に接する。また、コレクタ電極13は、カソード電極を兼ねており、n+カソード層12に接する。
次に、実施の形態にかかる半導体装置の製造方法について説明する。図2〜4は、実施の形態にかかる半導体装置の製造途中の状態を模式的に示す断面図である。図2〜4では、RC−IGBTのおもて面構造を図示省略する。まず、一般的な方法により、n-ドリフト層1となるn-半導体ウエハ(以下、n-半導体ウエハ1とする)のおもて面側に、pベース層2、n+エミッタ領域3、p+コンタクト領域4、トレンチ5、ゲート酸化膜6およびゲート電極7からなるトレンチゲート型のMOSゲート構造、エミッタ電極8、層間絶縁膜9などを形成する。次に、n-半導体ウエハ1のMOSゲート構造などが形成されたおもて面を例えばレジスト(不図示)で保護する。
次に、n-半導体ウエハ1の裏面を研削し、n-半導体ウエハ1の厚さを例えば150μm程度まで薄くする(薄化)。次に、n-半導体ウエハ1の内部に、nFS層10となるn型不純物層を形成する。次に、図2に示すように、例えばリン(P)、砒素(As)およびアンチモン(Sb)などのn型不純物を第1イオン注入31し、n-半導体ウエハ1の裏面全面にn+不純物層12aを形成する。n+不純物層12aは、後述する熱拡散処理によりn+カソード層12となる領域である。第1イオン注入31は、例えば、ドーズ量2.0×1014/cm2〜1.0×1015/cm2程度とし、加速エネルギーを60keV〜80keV程度としてもよい。
次に、n-半導体ウエハ1の裏面にレジスト膜を形成する。次に、レジスト膜をパターニングし、p+コレクタ層11の形成領域に対応する部分(IGBT部21)のレジスト膜を除去する。これにより、図3に示すように、p+コレクタ層11の形成領域に対応する部分が露出され、n+カソード層12の形成領域に対応する部分(FWD部22)を覆うレジストマスク32が形成される。次に、レジストマスク32をマスクとしてボロン(B)などのp型不純物を第2イオン注入33し、n+不純物層12aの一部をp型に反転させる。これにより、n+不純物層12a内部にp+不純物層11aが形成される。p+不純物層11aは、後述する熱拡散処理によりp+コレクタ層11となる領域である。
第2イオン注入33におけるp型不純物のドーズ量は、第1イオン注入31におけるn型不純物のドーズ量よりも多く、かつ1.0×1015/cm2以上とする。具体的には、第2イオン注入33は、例えば、最終的なドーズ量を1.0×1015/cm2〜3.0×1015/cm2程度とし、加速エネルギーを30keV〜70keV程度としてもよい。第1,2イオン注入31,33の加速エネルギーは、p+コレクタ層11の拡散深さxj2がn+カソード層12の拡散深さxj1よりも深くなるように設定される。第1,2イオン注入31,33のドーズ量および加速エネルギーの具体的な設定方法について説明する。
第2イオン注入33は、2回以上に分割して行うのが好ましい。このとき、分割して行う2回以上のイオン注入(以下、分割イオン注入とする)は、1回ごとのイオン注入ドーズ量を、第2イオン注入33の上記最終的なドーズ量よりも少なくして行う。また、2回以上の分割イオン注入は、n+不純物層12aに注入されるn型不純物のドーズ量が第2イオン注入33の最終的な上記ドーズ量になるまで繰り返し行う。第2イオン注入33を2回以上に分割して行うことにより、第2イオン注入33時のn-半導体ウエハ1の温度上昇を抑制することができる。
分割イオン注入を繰り返すタイミングは、種々変更可能である。例えば、分割イオン注入は、1回行うごとにn-半導体ウエハ1の温度を確認しながら、1枚のn-半導体ウエハ1に対して連続して行ってもよい。また、分割イオン注入は、1回行うごとにn-半導体ウエハ1をチャンバーから出し入れしながら、1枚のn-半導体ウエハ1に対して連続して行ってもよい。また、2枚以上のn-半導体ウエハ1を1単位とし、1単位内の複数のn-半導体ウエハ1に順に分割イオン注入を行うことを、1単位内の複数のn-半導体ウエハ1に対して繰り返し行ってもよい。
次に、灰化処理(アッシング)により、レジストマスク32を除去する。次に、SC−1溶液(NH4OHとH2O2とH2Oとの混合溶液)や硫酸過水(H2SO4とH2O2との混合液)などによりウエット処理し、レジスト残渣などを除去する。次に、熱処理により、n-半導体ウエハ1に注入した不純物、すなわちp+不純物層11aと、n+不純物層12aやnFS層10となるn型不純物層とを活性化させる。このとき、p+不純物層11aは横方向(基板主面に平行な方向)にも拡散する。このため、p+不純物層11aの横方向拡散も考慮して、上述したレジストマスク32を形成するためのパターニングを行うのがよい。
この熱処理により、図4に示すように、p+コレクタ層11およびn+カソード層12が不純物のドーズ量に応じた深さで形成される。また、p+コレクタ層11およびn+カソード層12とともに、p+コレクタ層11およびn+カソード層12よりも深い位置にnFS層10が形成される。次に、n-半導体ウエハ1の裏面から当該裏面全面に所定の飛程でヘリウムやプロトンなどの軽イオンを照射し、n-半導体ウエハ1の内部に欠陥層(短ライフタイム領域14)を形成する。図4には、nFS層10および短ライフタイム領域14を図示省略する。次に、一般的な方法により、n-半導体ウエハ1の裏面全面にコレクタ電極13を形成することで、図1に示すRC−IGBTが完成する。
次に、第1,2イオン注入31,33のドーズ量の設定方法について具体的に説明する。第1イオン注入31におけるn型不純物のドーズ量N1、および、第2イオン注入33におけるp型不純物のドーズ量N2は、下記(3)式を満たすように設定される。xj1は、n+カソード層12の拡散深さである。xj2は、p+コレクタ層11の拡散深さである。
N2>N1・(xj2/xj1) ・・・(3)
上記(3)式を用いて、第1イオン注入31のドーパント(n型不純物)をリンとし、第2イオン注入33のドーパント(p型不純物)をボロンとし、熱拡散処理を900℃の温度で1時間行った場合の、第2イオン注入33におけるp型不純物のドーズ量N2を具体的に算出する。熱拡散処理を900℃の温度で1時間行った場合、ボロンが拡散されてなるp+コレクタ層11の拡散深さxj2は約0.5μmとなる。リンが拡散されてなるn+カソード層12の拡散深さxj1は0.35μmとなる。したがって、第1イオン注入31のドーズ量を例えば5.0×1014/cm2とした場合、上記(3)式より、第2イオン注入33におけるp型不純物のドーズ量N2は、5.0×1014/cm2×(0.5/0.35)≒7.14×1014/cm2より大きくする必要がある。最終的なp+コレクタ層11のピーク濃度を1.0×1018/cm3程度とする場合、さらに上記算出値に1.0×1014/cm2のドーズ量を加算し、第2イオン注入33におけるp型不純物のドーズ量N2を8.2×1014/cm2とすればよい。
また、第1,2イオン注入31,33の加速エネルギーは、第1イオン注入31のn型不純物の飛程(Rp1+3・ΔRp1)とし、第2イオン注入33のp型不純物の飛程(Rp2+3・ΔRp2)としたときに、下記(4)式を満たすように設定する。イオン注入の不純物の飛程(Rp+3・ΔRp)とは、イオン注入される不純物の平均飛程Rpと、イオン注入される不純物の最大飛程Rpmaxと平均飛程Rpとの差分(平均飛程Rpの標準偏差σの約3倍=+3・ΔRp)との総和である。
Rp2+3・ΔRp2≧Rp1+3・ΔRp1 ・・・(4)
イオン注入の不純物の飛程(Rp+3・ΔRp)と加速エネルギーとの関係について図5に示す。図5は、イオン注入の加速エネルギーとイオン注入された不純物の飛程との関係を示す特性図である。図5には、第1イオン注入31のドーパント(n型不純物)をリンとし、第2イオン注入33のドーパント(p型不純物)をボロンとしている。図5に示すように、第1イオン注入31の加速エネルギーを80keVとした場合、第1イオン注入31のn型不純物の飛程は約0.21μmである。このため、第2イオン注入33のp型不純物の飛程が0.21μm以上となるように、第2イオン注入33の加速エネルギーを30keV以上とする必要がある。第1イオン注入31のドーパント(n型不純物)を砒素やアンチモンにした場合も、第1イオン注入31のドーパント(n型不純物)をリンとした場合と同様に、第2イオン注入33の加速エネルギーを算出可能である。
以上、説明したように、実施の形態によれば、n型不純物の第1イオン注入によりn+不純物層を形成した後に、レジストマスクを用いてp型不純物を第2イオン注入しn+不純物層の一部をp型に反転させてp+不純物層を形成することで、p+不純物層の不純物濃度がn+不純物層の不純物濃度よりも低い場合であっても、レジストマスクを形成するためのパターニングを1回行うことで、n-半導体ウエハの一方の主面に異なる導電型の不純物層を所定の不純物濃度で形成することができる。これにより、レジストマスクを形成するためのパターニングを2回行う従来方法に比べて製造コストを低減することができる。また、レジストマスクを形成するためのパターニングを1回にすることができるため、アライメントずれを低減することができ、アライメント誤差を含んだ設計を行う必要がなくなるため、チップサイズが増大することを防止することができる。
また、実施の形態によれば、n+不純物層の形成後、レジストマスクを用いてn型不純物よりも質量数の小さいp型不純物を第2イオン注入し、n+不純物層の一部をp型に反転させてp+不純物層を形成することで、n型不純物のイオン注入によりp+不純物層をn型に反転させる場合よりも、イオン注入に用いるレジストマスクが受ける運動エネルギーを小さくすることができる。これにより、イオン注入による半導体ウエハの温度上昇を抑制することができ、レジストマスクの発泡、レジストマスクからの脱ガスの発生、イオン注入装置のチャンバー内の真空度の低下、およびレジストマスクのパターンだれを抑制することができる。したがって、不純物ドーズ量のばらつきを抑制することができ、良品率が低下することを抑制することができる。
また、実施の形態によれば、レジストマスクを用いて行うp型不純物の第2イオン注入を2回以上に分割することにより、1回のイオン注入で注入するp型不純物のドーズ量をp型不純物層の最終的なドーズ量よりも少なくすることができるため、第2イオン注入によってレジストマスクが受ける運動エネルギーをさらに小さくすることができる。これにより、p型不純物の第2イオン注入が例えばドーズ量1.0×1015/cm2以上の高ドーズイオン注入であっても、また、半導体ウエハの厚さが200μm以下と薄い場合であっても、第2イオン注入による半導体ウエハの温度上昇をさらに抑制することができる。
また、実施の形態によれば、レジストマスクのパターンだれを抑制することができるため、パターニングされたレジストマスクに対して硬化処理や焼き締め処理などを行う必要がなくなる。また、レジストマスクに衝突する不純物イオンがn型不純物よりも質量数の小さいp型不純物であるため、レジストマスクに与えるダメージを小さくすることができる。このため、レジストマスクの表面層が硬化されてなる変質層の厚さを薄くすることができ、灰化処理後におけるレジスト残渣を抑制することができるため、イオン注入装置が汚染されることで生じるクロスコンタミネーションを抑制することができる。したがって、処理中の半導体ウエハだけでなく、その後処理する他の半導体ウエハにおいても歩留まりの低下を抑制することができる。
以上において本発明では、RC−IGBTを作製する場合を例に説明しているが、上述した実施の形態に限らず、半導体ウエハの一方の主面にn型半導体領域とp型半導体領域とを有する半導体装置に適用可能である。また、上述した実施の形態では、おもて面素子構造を完成させた後に、n-半導体ウエハの裏面を研削して裏面素子構造を形成しているが、おもて面素子構造の形成途中に、n-半導体ウエハの裏面を研削して裏面素子構造を形成してもよい。また、上述した実施の形態では、トレンチゲート型のおもて面素子構造に代えて、プレーナゲート型のおもて面素子構造としてもよい。
以上のように、本発明にかかる半導体装置の製造方法は、半導体ウエハの一方の主面に少なくともn型半導体領域とp型半導体領域とを有するデバイス厚の薄いパワー半導体装置に有用である。
1 n-ドリフト層、n-半導体ウエハ
2 pベース層
3 n+エミッタ領域
4 p+コンタクト領域
5 トレンチ
6 ゲート酸化膜
7 ゲート電極
8 エミッタ電極
9 層間絶縁膜
10 nFS層
11 p+コレクタ層
11a p+不純物層
12 n+カソード層
12a n+不純物層
13 コレクタ電極
14 短ライフタイム領域
21 IGBT部
22 FWD部
31 n型不純物のイオン注入(第1イオン注入)
32 レジストマスク
33 p型不純物のイオン注入(第2イオン注入)
2 pベース層
3 n+エミッタ領域
4 p+コンタクト領域
5 トレンチ
6 ゲート酸化膜
7 ゲート電極
8 エミッタ電極
9 層間絶縁膜
10 nFS層
11 p+コレクタ層
11a p+不純物層
12 n+カソード層
12a n+不純物層
13 コレクタ電極
14 短ライフタイム領域
21 IGBT部
22 FWD部
31 n型不純物のイオン注入(第1イオン注入)
32 レジストマスク
33 p型不純物のイオン注入(第2イオン注入)
Claims (6)
- 半導体ウエハの表面に第1ドーズ量でn型不純物をイオン注入し、前記半導体ウエハの表面層にn型不純物層を形成する第1イオン注入工程と、
前記半導体ウエハの前記n型不純物層が形成された側の表面にレジストを塗布する塗布工程と、
前記レジストをパターニングし、前記半導体ウエハを選択的に露出させる露出工程と、
前記レジストの残部をマスクとして、前記第1ドーズ量よりも多い第2ドーズ量で前記半導体ウエハにp型不純物をイオン注入し、前記n型不純物層の内部にp型不純物層を形成する第2イオン注入工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第2イオン注入工程では、前記p型不純物のドーズ量が前記第2ドーズ量に達するまで2回以上に分けて前記p型不純物のイオン注入を行い、前記2回以上のイオン注入の、1回ごとのイオン注入のドーズ量を前記第2ドーズ量よりも少なくして行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1イオン注入工程の前記n型不純物の平均飛程をRp1とし、前記平均飛程Rp1の標準偏差をΔRp1とし、前記第2イオン注入工程の前記p型不純物の平均飛程をRp2とし、前記平均飛程Rp2の標準偏差をΔRp2としたときに、下記(1)式を満たすことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
Rp2+3・ΔRp2≧Rp1+3・ΔRp1 ・・・(1) - 前記第2イオン注入工程後、熱処理により、前記n型不純物層および前記p型不純物層を活性化させる熱処理工程をさらに含み、
前記第1ドーズ量をN1とし、前記第2ドーズ量をN2とし、前記熱処理工程後の前記n型不純物層の拡散深さをxj1とし、前記熱処理工程後の前記p型不純物層の拡散深さをxj2としたときに、下記(2)式を満たすことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
N2>N1・(xj2/xj1) ・・・(2) - 前記p型不純物層の前記第2ドーズ量は、1.0×1015/cm2以上であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1イオン注入工程前に、前記半導体ウエハの主面を研削し、前記半導体ウエハの厚さを薄くする薄化工程をさらに含み、
前記薄化工程では、前記半導体ウエハの厚さを200μm以下にし、
前記第1イオン注入工程では、前記半導体ウエハの研削された面に前記n型不純物をイオン注入することを特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
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