JP2007234931A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体基板1の一方の面に備えた第1電極3への逆方向電圧の印加によって生じる電界集中を空乏層の形成で緩和するためのガードリングを前記一方の面に備えた半導体装置10において、ガードリングは、空乏層を前記半導体基板の他方の面に誘因するためのコンタクト領域7と、誘因された空乏層を前記他方の面において展開するための展開領域8とを備えることを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
他方の面において、空乏層の展開を停止させるためのチャネルストッパを備えることを特徴とする。
他方の面において、第2電極への逆方向電圧の印加によって生じる電界集中を空乏層の形成で緩和するための第2電極用ガードリングを備えることを特徴とする。
他方の面において、空乏層の展開を停止させるためのチャネルストッパを備えており、展開領域および第2電極用ガードリング間にチャネルストッパを配置することができる。
ところで、チャネル拡散領域6は、半導体基板1の濃度より高い例えば1×1019cm−3乃至1×1020cm−3で示される濃度でn型の不純物を所定の間隔を有して拡散した一対のソース拡散領域9を備えている。チャネル拡散領域6内の各ソース拡散領域9は、ソース電極3と電気的に接続されており、ゲート電極2に閾値以上の電圧が印加された際に反転層を形成するためのチャネル幅を有してチャネル拡散領域6内に配置されている。
2 ゲート電極
3 ソース電極
4 絶縁膜
5 ショットキー電極
6 チャネル拡散領域
7 コンタクト領域
8 展開領域
9 ソース拡散領域
10 半導体装置
11 ショットキー電極のためのガードリング
12 チャネルストッパ
21 シリコン酸化膜層
22 ポリシリコン膜層
23 絶縁膜層
Claims (6)
- 半導体基板の一方の面に備えた第1電極への逆方向電圧の印加によって生じる電界集中を空乏層の形成で緩和するためのガードリングを前記一方の面に備えた半導体装置において、
前記ガードリングは、空乏層を前記半導体基板の他方の面に誘因するためのコンタクト領域と、
誘因された空乏層を前記他方の面において展開するための展開領域とを備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記他方の面に第2電極と、
前記一方の面に前記第1電極および前記第2電極間の電流制御を行なうための第3電極と、を備えることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 前記他方の面において、空乏層の展開を停止させるためのチャネルストッパを備えることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記他方の面において、前記第2電極への逆方向電圧の印加によって生じる電界集中を空乏層の形成で緩和するための第2電極用ガードリングを備えることを特徴とする請求項2記載の半導体装置。
- 前記展開領域を前記第2電極用ガードリングとして共用することを特徴とする請求項4記載の半導体装置。
- 前記他方の面において、空乏層の展開を停止させるためのチャネルストッパを備えており、
前記展開領域および前記第2電極用ガードリング間に前記チャネルストッパを配置することを特徴とする請求項4記載の半導体装置。
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JP2013229547A (ja) * | 2012-03-26 | 2013-11-07 | Toshiba Corp | 半導体装置および半導体モジュール |
JP2021158388A (ja) * | 2015-12-11 | 2021-10-07 | ローム株式会社 | 半導体装置、半導体パッケージおよび電源装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10173174A (ja) * | 1996-12-06 | 1998-06-26 | Toshiba Corp | 半導体装置とその製造方法 |
JP2000200906A (ja) * | 1999-01-07 | 2000-07-18 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置およびその製造方法 |
JP2002533935A (ja) * | 1998-12-18 | 2002-10-08 | サーントル ナスィヨナル ドゥ ラ ルシェルシュ スイヤンティフィック | モノリシック電力素子の周縁部構造 |
JP2005252212A (ja) * | 2003-04-10 | 2005-09-15 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 逆阻止型半導体装置およびその製造方法 |
JP2005354031A (ja) * | 2004-05-13 | 2005-12-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2006319218A (ja) * | 2005-05-13 | 2006-11-24 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10173174A (ja) * | 1996-12-06 | 1998-06-26 | Toshiba Corp | 半導体装置とその製造方法 |
JP2002533935A (ja) * | 1998-12-18 | 2002-10-08 | サーントル ナスィヨナル ドゥ ラ ルシェルシュ スイヤンティフィック | モノリシック電力素子の周縁部構造 |
JP2000200906A (ja) * | 1999-01-07 | 2000-07-18 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置およびその製造方法 |
JP2005252212A (ja) * | 2003-04-10 | 2005-09-15 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 逆阻止型半導体装置およびその製造方法 |
JP2005354031A (ja) * | 2004-05-13 | 2005-12-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2006319218A (ja) * | 2005-05-13 | 2006-11-24 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013229547A (ja) * | 2012-03-26 | 2013-11-07 | Toshiba Corp | 半導体装置および半導体モジュール |
JP2021158388A (ja) * | 2015-12-11 | 2021-10-07 | ローム株式会社 | 半導体装置、半導体パッケージおよび電源装置 |
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