JP4794546B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
Claims (5)
- 対向する第1および第2の主面を有し、第1導電型の半導体からなる第1の半導体層と、
前記第1の主面に接し、前記第1の半導体層よりも不純物濃度の低い第1導電型の半導体からなる第2の半導体層と、
前記第2の半導体層の表面に形成された複数の溝と、
前記溝に形成されたゲート電極と、
前記第2の半導体層の表面において、2つの前記溝の間に形成された第2導電型の第1の領域と、
前記第2の半導体層の表面において、前記第1の領域と接する前記溝に接すると共に、前記第1の領域と接するように形成された第2導電型の第1のキャリア引き抜き領域と、
前記第2の半導体層の表面において、前記第1のキャリア引き抜き領域と接する前記溝に接し、前記第1のキャリア引き抜き領域と離れて形成された第2導電型の第2のキャリア引き抜き領域と、
前記第1のキャリア引き抜き領域の表面において、前記第1のキャリア引き抜き領域よりも不純物濃度の高い第2導電型の第2の領域と、
前記第2のキャリア引き抜き領域の表面において、前記第2のキャリア引き抜き領域よりも不純物濃度の高い第2導電型の第3の領域と、
前記第1の領域の表面において、前記第2の半導体層よりも不純物濃度の高い第1導電型の第4の領域と、
前記第2の領域、前記第3の領域、および前記4の領域の表面に接し、金属からなる第1の電極と、
前記第2の主面に接し、金属からなる第2の電極と、
を備え、
前記第1のキャリア引き抜き領域および前記第2のキャリア引き抜き領域は、前記第1のキャリア引き抜き領域と前記第2のキャリア引き抜き領域の両方に接する前記溝を挟んで分離形成され、
前記第2の半導体層の表面からの前記第1のキャリア引き抜き領域の深さは、前記第2の半導体層の表面からの前記第2のキャリア引き抜き領域の深さよりも大きいことを特徴とする半導体装置。 - 前記第2の半導体層の表面からの前記第2のキャリア引き抜き領域の深さは、前記第1のキャリア引き抜き領域と前記第2のキャリア引き抜き領域の両方に接する前記溝の前記第2の半導体層の表面からの深さよりも小さいことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1のキャリア引き抜き領域と前記第2のキャリア引き抜き領域の両方に接する前記溝の幅は、他の前記溝の幅よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1のキャリア引き抜き領域と前記第2のキャリア引き抜き領域の両方に接する前記溝の前記第2の半導体層の表面からの深さは、他の前記溝の前記第2の半導体層の表面からの深さよりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 対向する第1および第2の主面を有し、第1導電型の半導体からなる第1の半導体層の前記第1の主面上に形成された、前記第1の半導体層よりも不純物濃度の低い第1導電型の半導体からなる第2の半導体層上に、半導体の酸化物からなる酸化膜のパターンを形成する工程と、
前記酸化膜のパターンをマスクとして、第2導電型の不純物を注入すると共に、前記不純物を前記第2の半導体層内に拡散することにより、第2導電型の第1のキャリア引き抜き領域を形成すると共に、前記第1のキャリア引き抜き領域とは分離した第2導電型の第2のキャリア引き抜き領域を形成する工程と、
前記第2の半導体層、前記第1のキャリア引き抜き領域、および前記第2のキャリア引き抜き領域の表面を被覆する前記酸化膜のパターンを形成し、前記酸化膜のパターンをマスクとしてエッチングを行うことにより、前記第1のキャリア引き抜き領域および前記第2のキャリア引き抜き領域に接する溝と、他の複数の溝を形成する工程と、
前記溝を埋めるようにゲート電極を形成し、前記複数の溝どうしの間に第2導電型の第1の領域を形成する工程と、
前記第1のキャリア引き抜き領域の表面において、前記第1のキャリア引き抜き領域よりも不純物濃度の高い第2導電型の第2の領域を形成すると共に、前記第2のキャリア引き抜き領域の表面において、前記第2のキャリア引き抜き領域よりも不純物濃度の高い第2導電型の第3の領域を形成し、前記第1の領域の表面において、前記第2の半導体層よりも不純物濃度の高い第1導電型の第4の領域を形成する工程と、
前記第2の領域、前記第3の領域、および前記第4の領域の表面に接し、金属からなる第1の電極を形成し、前記第2の主面上に、金属からなる第2の電極を形成する工程と、
を備え、
前記第1のキャリア引き抜き領域および前記第2のキャリア引き抜き領域は、前記第1のキャリア引き抜き領域と前記第2のキャリア引き抜き領域の両方に接する前記溝を挟んで分離形成され、
前記第2の半導体層の表面からの前記第1のキャリア引き抜き領域の深さは、前記第2の半導体層の表面からの前記第2のキャリア引き抜き領域の深さよりも大きいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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