JP4182323B2 - 複合基板、基板製造方法 - Google Patents
複合基板、基板製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4182323B2 JP4182323B2 JP2002050734A JP2002050734A JP4182323B2 JP 4182323 B2 JP4182323 B2 JP 4182323B2 JP 2002050734 A JP2002050734 A JP 2002050734A JP 2002050734 A JP2002050734 A JP 2002050734A JP 4182323 B2 JP4182323 B2 JP 4182323B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- semiconductor
- carbon
- silicon
- divided
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、特に大面積薄膜半導体基板を形成するための製造工程に用いることが可能な複合基板および基板製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、大面積の薄膜単結晶半導体素子を製造するための方法として、単結晶シリコン基板上にポーラスシリコン層を形成し、その層上に半導体素子層となるエピタキシャル成長層を設け、このエピタキシャル成長層を接着性を有する部材によって単結晶シリコン基板から剥離するような方法が知られている(例えば、特開平8−213645号公報、特開平11−31828号公報参照)。また、このような方法に用いることができる基板として、本件出願人は、炭素含有材料よりなる基板(炭素系基板)にシリコン基板を接合した複合基板およびその製造方法について提案している(例えば、特開平11−2647号公報参照)。従来は、例えば大型のTFT液晶パネル向けのような大面積の薄膜単結晶シリコン基板を作製することが困難であったが、このような方法を用いることにより、大面積(例えば1m×1m等)の薄膜単結晶シリコン基板をガラス基板上に作製することが可能となる。また、このような方法では、複合基板を再利用できる利点がある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述のような大面積の炭素系基板上にシリコン基板を接合した複合基板を作製することが容易でないという問題がある。
【0004】
そこで本発明の目的は、大面積の炭素系基板上にシリコン基板を容易に接合することが可能な複合基板と、その複合基板を作製するための基板製造方法、さらには、その複合基板を用いて薄膜半導体を作製するための基板製造方法を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明は前記目的を達成するため、板状に形成された炭素系基板と、前記炭素系基板の片面または両面に一体に接合される半導体基板とを有し、前記半導体基板は、複数の半導体分割基板片を前記炭素系基板の接合面に並列に配置し、加熱溶融によって結合して一体化し、前記炭素系基板と半導体基板との間に、シリコンとカーボンの混合物の層が配置されることを特徴とする。
【0006】
また本発明は、板状に形成された炭素系基板と、前記炭素系基板の片面または両面に一体に接合される半導体基板とを有する複合基板を作製する基板製造方法であって、前記半導体基板を構成する複数の半導体分割基板片を前記炭素系基板の接合面に並列に配置し、加熱溶融によって炭素系基板に接合する工程と、前記半導体分割基板片を前記炭素系基板の接合面に配置する前に、前記半導体分割基板片または炭素系基板の接合面を親水性にする工程とを有することを特徴とする。
【0007】
また本発明は、板状に形成された炭素系基板の片面または両面に、複数の半導体分割基板片を前記炭素系基板の接合面に並列に配置し、加熱溶融によって結合することにより、前記炭素系基板に半導体基板を一体化した複合基板を作製する工程と、前記半導体基板の表面に陽極化成を行うことにより、多孔質半導体層を形成する工程と、前記多孔質半導体層を形成した後、その表面に酸化処理を行い、その後、前記多孔質半導体層上にエピタキシャル成長層を形成する工程と、前記エピタキシャル成長層を支持基板に貼り合わせる工程と、前記多孔質半導体層を分断することにより、前記エピタキシャル成長層および支持基板を半導体基板から剥離して、前記エピタキシャル成長層による薄膜単結晶半導体基板を作製する工程とを有することを特徴とする。
【0008】
本発明の複合基板では、半導体基板を炭素系基板に一体化した構成により、半導体基板の強度不足を炭素系基板によって補強することができ、また、半導体基板は、複数の半導体分割基板片を炭素系基板の接合面に並列に配置し、加熱溶融によって結合して一体化することにより形成したことから、十分な強度を確保しつつ、容易に大型の半導体基板を得ることができ、例えば種々の大面積半導体装置の作製等に有効な複合基板を提供することが可能である。
【0009】
また、本発明の基板製造方法では、半導体基板を炭素系基板に一体化した複合基板を作製する際に、半導体基板を構成する複数の半導体分割基板片を炭素系基板の接合面に並列に配置し、加熱溶融によって炭素系基板に接合するようにしたので、十分な強度を確保しつつ、容易に大型の半導体基板を得ることができ、種々の大面積型半導体装置の作製等に有効な複合基板を安定的に製造することが可能である。
【0010】
また、本発明の基板製造方法では、上述のような複合基板に含まれる半導体基板に対して陽極化成を行うことにより、多孔質半導体層を形成し、この多孔質半導体層上にエピタキシャル成長層を形成し、このエピタキシャル成長層を支持基板に貼り合わせた後、多孔質半導体層を分断することにより、エピタキシャル成長層および支持基板を半導体基板から剥離して、エピタキシャル成長層による薄膜単結晶半導体基板を作製することから、大面積の薄膜単結晶半導体基板を安定的に製造することが可能である。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による実施の形態例について説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、本発明の好適な具体例であり、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において、特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの態様に限定されないものとする。本実施の形態は、後述するようなポーラスシリコン剥離法等を用いて、大面積の薄膜単結晶半導体基板を作製する場合に用いることができる複合基板を提供するものである。この複合基板は、板状に形成された炭素系基板と、この炭素系基板の片面または両面に一体に接合されるシリコン等の半導体基板とを有するものであり、半導体基板は、複数の半導体分割基板片を炭素系基板の接合面に並列に配置し、アニール処理による全体的な加熱溶融によって炭素系基板に接合し、一体化したものである。
【0012】
一般に、半導体基板を大型化すると大変割れ易くなる。また、半導体基板の板厚を大きくすると材料コストが上昇してしまう。そこで、強度の高い炭素系基板に半導体基板を貼り付けることにより、薄型の半導体基板を炭素系基板で補強した複合基板とし、これをポーラスシリコン剥離法等を用いた大面積薄膜単結晶半導体基板の作製に用いるものである。なお、半導体基板は、炭素系基板の片面だけに貼り付けるだけでなく、両面に貼り付けて2枚の薄膜単結晶半導体基板を一括して作製するようにしてもよい。また、炭素系基板に半導体基板を貼り付ける方法として、半導体ウェーハのサイズや強度を考慮して、複数の半導体分割基板片を炭素系基板に接合し、各分割基板片の継ぎ目については、例えば、レーザアニール処理で結合して一体化することにより、最適な複合基板を容易に作製できる。このような複合基板は、例えば大面積の薄膜単結晶シリコンTFT基板を作製するための大面積薄膜単結晶シリコン基板をポーラスシリコン剥離法を用いて作製する工程で用いることができる。
【0013】
なお、以下の実施例では、半導体基板としてシリコン基板を用いているが、その他にもゲルマニウム基板や化合物半導体にも応用が可能である。例えば、シリコンとゲルマニウムの混合物、ガリウムとヒ素の混合物、ガリウムとインジウムの混合物、ガリウムと窒素の混合物、ガリウムとリンの混合物等にも応用することができる。また、実施例の具体的な特徴として、シリコン分割基板片同士の結合に、両者の接合界面にレーザ照射してアプレーション加工を行うことにより、シリコン分割基板片の継ぎ目をスムーズにすることができる。また、このようなシリコン分割基板片の継ぎ目をスムーズにするために、シリコン基板上にアモルファスシリコンを成膜してランプアニール等の処理を行い、シリコン基板を再結晶化するようにしてもよい。あるいは、シリコン基板上にエピタキシャル成長を行い、全体を一体化させるような方法も可能である。
【0014】
また、シリコン分割基板片間の面方位を一致させることにより、単結晶シリコン基板を作製することができる。例えば、この場合の面方位としては、ミラー指数によって表わされる(100)面、(111)面、(110)面にするとよい。また、各シリコン分割基板片の側面、すなわち隣接するシリコン分割基板片に対向するエッジ部分の面を垂直に研磨する。このとき、エッジ部分の面方位は、ミラー指数によって表わされる(001)面、(011)面、(111)面のいずれかであり、同じ面方位が合致するようにシリコン分割基板片を並べるようにする。なお、エッジ部分の面方位は、それぞれプラスマイナス5°以内に収めるようにする。
【0015】
このような複合基板を用いてポーラスシリコン剥離法を実施することにより、例えば、大面積のガラス基板やプラスチック基板等に転写された薄膜単結晶シリコン基板を製造できる。また、大面積のガラス基板やプラスチック基板等と薄膜単結晶シリコン基板との界面に、熱酸化による酸化膜を形成することにより、SOI(Silicon On Insulator)基板と同等の品質を得ることができる。
【0016】
次に、本発明の具体的な実施例について説明する。なお、以下の実施例では、炭素系基板の片面に半導体基板を設ける例を中心に説明し、炭素系基板の両面に半導体基板を設ける例を補足的に説明する。まず、本発明の第1実施例は、炭素系基板として炭化珪素基板(SiC)を用いた、半導体基板との第1の接合例について説明する。図1は、本実施例による複合基板の一例を示す説明図であり、図1(A)は側面図、図1(B)は平面図、図1(C)はレーザアニール工程を示す側面図である。
【0017】
図示のように、本実施例の複合基板1Aは、大判の炭化珪素基板(SiC)10の上に複数の長尺シリコン分割基板片20A(図では3枚の例を示す)を並列配置した状態でアニール処理によって各シリコン分割基板片20AをSiC10に接合する。なお、各シリコン分割基板片20Aは、横長板状のSiC10に対して縦方向の長尺板状に形成されている。そして、各シリコン分割基板片20Aの継ぎ目にレーザアニール処理を行い、各シリコン分割基板片20Aを一体化してシリコン基板20を得る。このようにして大型の複合基板1Aを容易に作製することが可能となる。
【0018】
以下、本発明の第1実施例の詳細について図2、図3を用いて説明する。図2は、本実施例による複合基板の製造工程を示す断面図である。
(1)まず、図2(A)に示すような大型の平坦なSiC基板10を用意する。これには例えば市販のものを用いることができる。
(2)次に、図2(B)に示すように、このSiC基板10の表面にCVD(chemical vapor deposition )技術により、アモルファスシリコン膜11をコーティングする。そして、このアモルファスシリコン膜11にボロンをドーピングする。
【0019】
(3)また、これと平行して上述した長尺シリコン分割基板片20Aを作製する。図3は、長尺シリコン分割基板片20Aの作製工程を示す説明図である。まず、図3(A)に示すような長尺Siインゴット21を用意する。このSiインゴット21は、例えばCZ法によって形成され、Si単結晶から得た(100)結晶面を板面方向とし、例えばボロンドープがなされたP型の比抵抗0.01〜0.02Ω・cmのシリコンよりなり、長手方向(図中X方向)に数m、幅方向(図3(A)で紙面と垂直方向)に20cmの寸法を有する。そして、このような長尺Siインゴット21を図3(A)に示すように、長手方向に複数切断し、さらに図3(B)に示すように、各切断片21Aを縦方向にスライスし、縦方向の長さが1m、幅が5cm〜20cm、板厚が数mmの長尺シリコン分割基板原材20Bを形成する。
【0020】
(4)次に、図3(C)において、この長尺シリコン分割基板原材20Bの表面を平坦面になるように研磨する。
(5)また、図3(D)において、長尺シリコン分割基板原材20Bの周縁部のエッジが垂直な平坦面になるように研磨する。
(6)次に、図3(E)において、SCl洗浄(NH3 OH:H2 O2 、H2O=1:1:5、80°C、10秒)を行い、表面を親水性にする。このようにして、長尺シリコン分割基板片20Aを得る。
【0021】
(7)次に、図2(C)において、炭素系基板(SiC)10とシリコン分割基板片20Aとを貼り合わせる。このとき、各シリコン分割基板片20Aの面方位が上向きに(100)面になるようにして、例えば5枚のシリコン分割基板片20Aを並列に貼り合わせる(図では3枚の例を示す)。なお、隣接するシリコン分割基板片20Aとシリコン分割基板片20Aの継ぎ目は隙間がないように合わせる。
【0022】
(8)次に、図2(D)において、例えば高温炉の窒素ガス(N2 )雰囲気中でランプアニールを行う。この熱処理工程により、炭素系基板(SiC)10とシリコン分割基板片20Aとが加熱溶融され接合される。なお、この場合のアニール処理方法としては、ランプ加熱方式に限らず、RF誘導加熱方式や抵抗加熱方式、あるいはレーザ照射方式を用いて行うことが可能である。
(9)次に、図2(E)において、隣接するシリコン分割基板片20Aとシリコン分割基板片20Aとの継ぎ目にKrFエキシマレーザを照射して、レーザアブレーションを行う。なお、レーザアニールの方法は、他にも種々採用できるものである。これにより、各シリコン分割基板片20A間の継ぎ目がなくなり、一体化され、大判のシリコン基板20を形成できる。以上の工程により、大型の平坦なSiC基板10上にSi基板20が接合された複合基板1Aを形成できる。
【0023】
次に、本発明の第2実施例を説明する。図4は、本実施例による複合基板の製造工程を示す断面図である。
(1)まず、図4(A)に示すような大型の平坦なアモルファスカーボン基板30を用意する。なお、アモルファスカーボン基板とは、結晶性がアモルファスのカーボンを硬く固めた形状の炭素基板である。いろいろな基板が提供されているが、例えばユニチカ社製の商品名「アモルファスカーボン」を使用することができる。
(2)次に、図4(B)に示すように、このアモルファスカーボン基板30の表面にCVD(chemical vapor deposition )技術により、多結晶シリコン膜31をコーティングする。そして、この多結晶シリコン膜31にボロンをドーピングする。
(3)また、これと平行して上述した長尺シリコン分割基板片20Aを作製する。これは第1実施例の図3で説明したものと同様の方法で、インゴットのスライス、研磨、洗浄等を行うことにより作製できる。
【0024】
(4)次に、図4(C)において、炭素系基板(アモルファスカーボン基板)30とシリコン分割基板片20Aとを貼り合わせる。このとき、各シリコン分割基板片20Aの面方位が上向きにミラー指数によって表わされる(100)面になるようにして、例えば5枚のシリコン分割基板片20Aを並列に貼り合わせる(図では3枚の例を示す)。なお、隣接するシリコン分割基板片20Aとシリコン分割基板片20Aの継ぎ目は隙間がないように合わせる。
(5)次に、図4(D)において、例えば酸素ガス(O2 )雰囲気中で高温ランプアニールを行う。この熱処理工程により、炭素系基板(アモルファスカーボン基板)30とシリコン分割基板片20Aとが加熱溶融され接合される。
【0025】
(6)次に、このアモルファスカーボン基板30とシリコン基板20(シリコン分割基板片20A)との複合基板1Bをフッ酸溶液に浸して、シリコン基板20の表面に形成された酸化膜をエッチング除去した。
(7)この後、図4(E)において、複合基板1Bの表面にアモルファスシリコン膜40を成膜する。
(8)次に、図4(F)において、ランプアニールを行い、アモルファスシリコン膜40を再結晶化する。このときアモルファスシリコン膜40は、種となるシリコン基板20の面方位の影響を受けて単結晶となる。以上の工程により、大型の平坦なアモルファスカーボン基板30上にSi基板20が接合された複合基板1Bが形成できる。
【0026】
次に、本発明の第3実施例を説明する。図5は、本実施例による複合基板の製造工程を示す断面図である。この第3実施例は、シリコン分割基板片20Aの接合面にアモルファスシリコン膜を成膜し、また、炭素基板(黒鉛)の表面にSiC薄膜をコーティングして炭素系基板10を構成し、この炭素系基板10とシリコン分割基板片20Aとをアモルファスシリコン膜を介して接合するようにしたものである。
(1)まず、図5(A)において上述した第1実施例と同様にしてシリコン分割基板片20Aを作製する。
(2)次に、図5(B)において、各シリコン分割基板片20Aの炭素系基板10との接合面にアモルファスシリコン膜41をCVD等によって成膜する。
【0027】
(3)次に、図5(C)において、黒鉛を材料とした板12を用意する。この黒鉛板12は、薄い板状のものである。
(4)次に、図5(D)において、黒鉛板12の表面にSiC薄膜13をコーティングし、炭素系基板10を形成する。
(5)次に、図5(E)において、シリコン分割基板片20Aのアモルファスシリコン膜41が成膜された面を炭素系基板10に貼り合わせる。
(6)そして、図5(F)において、窒素(N2 )ガス雰囲気中でランプ加熱を行う。なお、この場合、ランプ加熱方式に限らず、RF誘導加熱方式や抵抗加熱方式、あるいはレーザ照射方式を用いて行うことが可能である。以上の工程により、大型の平坦なSiC薄膜がコーティングされた黒鉛板上にSi基板が接合された複合基板1Cを形成できる。
【0028】
次に、本発明の第4実施例を説明する。図6は、本実施例による複合基板の製造工程を示す断面図である。この第4実施例は、炭素系基板10上にシリコン分割基板片20Aを接合した複合基板のシリコン上にシリコンエピタキシャル成長を行うものである。
(1)まず、図6(A)において、上述した第1実施例と同様にして、複合基板1Aを作製する。
(2)そして、複合基板1Aの一体化されたシリコン基板20をエピタキシャル成長させてエピタキシャル成長膜50を形成し、複合基板1Dを完成する。
【0029】
次に、以上の各実施例に対応してシリコン基板20を炭素系基板10の両面に設けた構成例について説明する。図7は、それぞれ上述した実施例に対応する両面型複合基板を示す断面図である。なお、上述した図2、図4、図5、図6に対応する要素については同一符号を付している。図7(A)は、図2に示した第1実施例の複合基板1Aにおいて、炭素系基板10の片面に設けたシリコン基板20を両面に設けた例である。
【0030】
また、図7(B)は、図4に示した第2実施例の複合基板1Bにおいて、炭素系基板10の片面に設けたシリコン基板20およびアモルファスシリコン膜40を両面に設けた例である。また、図7(C)は、図5に示した第3実施例の複合基板1Cにおいて、黒鉛板12の表面にSiC薄膜13をコーティングした炭素系基板10の片面に設けたアモルファスシリコン膜41およびシリコン基板20を両面に設けた例である。また、図7(D)は、図6に示した第4実施例の複合基板1Dにおいて、炭素系基板10の片面に設けたシリコン基板20およびエピタキシャルシリコン膜50を両面に設けた例である。
【0031】
次に、以上のような複合基板(例えば第2実施例の複合基板1B)を用いて薄膜単結晶シリコン基板を作製する方法について説明する。図8は、この製造工程を示す断面図である。
(1)まず、大面積炭素系基板10の片面にシリコン基板20を配置した複合基板1Bを用意する(図8(A)(B))。
(2)次に、このシリコン基板20上にポーラスSi(多孔質シリコン基板)を形成するための陽極化成を行う。この陽極化成は、例えば図9に示す陽極化成装置を用いて行う。この陽極化成装置は、テフロン(登録商標)等の絶縁性容器250によって電解溶液の貯留槽251を設け、この貯留槽251の底面開口部252に複合基板1Bのシリコン基板20をOリング253を介して密閉状態で配置したものである(なお、図9ではシリコン基板20の上層にエピタキシャル成長膜を設けた複合基板1Dの例を示している)。
【0032】
また、貯留槽251には、シリコン基板20に対向してPt電極254が配置され、複合基板1Bの炭素系基板10側には下部電極255が配置されている。そして、Pt電極254と下部電極255と間に電流源256を接続したものである。なお、本例では電界溶液として、HF:C2 H5 OH=1:1を注入した。
(3)この陽極化成装置において、電流源256の電流を、まず、7mA/cm2 で8分間通電させる。
(4)次に電流を200mA/cm2 で2〜3秒間電通させる。これにより、図8(C)に示すように、シリコン基板20の上にポーラスSi層60を形成することができる。
【0033】
(5)次に、この複合基板1Bをエピタキシャル成長装置に設置する。
(6)そして、水素雰囲気中で1130°Cに加熱し、この状態で10分間アニールする。
(7)次に、1100°Cに温度を下げ、SiCl4 ガスを導入し、シリコンのエピタキシャル成長を行う(図8(D))。これにより、ポーラスSi層60の上にエピタキシャル成長層70が形成される。
(8)次に、この複合基板1Bをエピタキシャル成長装置から取り出し、熱拡散炉において熱酸化を行う(図8(E))。この熱酸化は950°Cで30分間、バイロ酸化を行う。これにより、エピタキシャル成長層70の上に熱酸化膜80が形成される。
(9)次に、この熱酸化膜80の表面を親水性にするため、SCl洗浄(NH3 OH:H2 O2 :H2 O=1:1:5、80°C、10分)を行う。なお、これと同時にガラス基板を用意し、SCl洗浄を行う。
【0034】
(10)そして、この複合基板1Bとガラス基板90との貼り合わせを行う(図8(F))。
(11)この後、酸素雰囲気中で熱アニールを行う。温度は400°Cで8時間行う。これにより、複合基板1Bの熱酸化膜80とガラス基板90が接合される。
(12)次に、ポーラスシリコン層60を剥離層として、エピタキシャル成長層70からなる薄膜単結晶シリコン基板をシリコン基板20から剥離する(図8(G))。
(13)次に、剥離面のポーラスシリコン層60を除去する(図8(H)、(I))。これは、例えば大型のスピンエッチャーを用いて、フッ酸と硝酸の混合液を注入し、ポーラスシリコン層60を除去することができる。以上の工程によって、大面積薄膜単結晶シリコン基板70を完成できる。また、剥離された複合基板1Bは、再利用して他の薄膜単結晶シリコン基板を作製することが可能となる。
【0035】
なお、図9に示す陽極化成装置は、複合基板の片面を処理する構成であったが、図7に示す両面の陽極化成を行う場合には、図10に示す陽極化成装置を用いることが可能である。この陽極化成装置は、テフロン等の絶縁性容器280によって電解溶液の2つの貯留槽281A、281Bを設け、この貯留槽281A、281Bの中間部に複合基板1BをOリング283を介して密閉状態で配置したものである。複合基板1Bの両側のシリコン基板20は、両側の貯留槽281A、281Bに面して配置される。また、貯留槽281A、281Bには、各シリコン基板20に対向してPt電極284A、284Bが配置され、各Pt電極284A、284Bの間に電流源282を接続したものである。なお、陽極化成に用いる電解溶液や作業工程等は図8で示したものと同様であるので説明は省略する。
【0036】
以上のような本実施の形態による基板製造方法では次のような効果を得ることが可能である。
(1)大面積の薄膜単結晶シリコン基板を容易かつ安価に作製することができる。
(2)大面積液晶装置のTFT基板は、従来アモルファスシリコンかポリシリコンを用いて作製されていたが、これを薄膜単結晶シリコンに置き換えることができる。
(3)シリコン基板を大面積化すると割れやすく、扱いが大変であるが、強度の強い炭素系基板にシリコン基板を貼り付けたことによって、シリコン基板を割れにくくすることができる。
【0037】
(4)シリコン基板が割れにくいので、再利用回数を大幅に増やすことができる。
(5)TFT基板の材料をアモルファスシリコンやポリシリコンから単結晶シリコンに変えることにより、移動度が大幅に向上する(1000cm2 /Vs以上)。
(6)大面積の単結晶シリコンにより、1枚のパネルにTFTの素子と、駆動回路、MPU等を形成できる。
(7)TFT液晶装置の開口率が大幅に向上できる。
(8)種となる単結晶シリコン基板は、強度の強い炭素系基板に貼り合わせられているので、工程途中で割れにくく、種となる単結晶シリコン基板の再利用回数を多くできるので、薄膜単結晶シリコン基板のコストを低下させることができる。
【0038】
なお、本発明は以上の実施例に限定されるものではなく、例えば、上述した各作業工程で示した温度や寸法等の例は適宜変更が可能である。また、本発明の複合基板および基板製造方法は、上述したTFT基板に係るものに限らず、例えば太陽電池や集積回路、大型ディスプレイ等に用いられる種々の薄膜半導体基板の作製に適用し得るものである。
【0039】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の複合基板によれば、半導体基板を炭素系基板に一体化した構成により、半導体基板の強度不足を炭素系基板によって補強することができ、また、半導体基板は、複数の半導体分割基板片を炭素系基板の接合面に並列に配置し、加熱溶融によって結合して一体化することにより形成したことから、十分な強度を確保しつつ、容易に大型の半導体基板を得ることができ、例えば種々の大面積半導体装置の作製等に有効な複合基板を提供することが可能である。
【0040】
また、本発明の基板製造方法によれば、半導体基板を炭素系基板に一体化した複合基板を作製する際に、半導体基板を構成する複数の半導体分割基板片を炭素系基板の接合面に並列に配置し、加熱溶融によって炭素系基板に接合するようにしたので、十分な強度を確保しつつ、容易に大型の半導体基板を得ることができ、種々の大面積型半導体装置の作製等に有効な複合基板を安定的に製造することが可能である。
【0041】
また、本発明の基板製造方法によれば、上述のような複合基板に含まれる半導体基板に対して陽極化成を行うことにより、多孔質半導体層を形成し、この多孔質半導体層上にエピタキシャル成長層を形成し、このエピタキシャル成長層を支持基板に貼り合わせた後、多孔質半導体層を分断することにより、エピタキシャル成長層および支持基板を半導体基板から剥離して、エピタキシャル成長層による薄膜単結晶半導体基板を作製することから、大面積の薄膜単結晶半導体基板を安定的に製造することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例による複合基板の一例を示す説明図であり、(A)は側面図、(B)は平面図、(C)はレーザアニール工程を示す側面図である。
【図2】本発明の第1実施例による複合基板の製造工程を示す断面図である。
【図3】本発明の各実施例による複合基板で用いるシリコン分割基板片の製造工程を示す説明図である。
【図4】本発明の第2実施例による複合基板の製造工程を示す断面図である。
【図5】本発明の第3実施例による複合基板の製造工程を示す断面図である。
【図6】本発明の第4実施例による複合基板の製造工程を示す断面図である。
【図7】上記第1〜第4実施例に対応する両面型複合基板を示す断面図である。
【図8】上記第1〜第4実施例による複合基板を用いた薄膜単結晶シリコン基板の製造工程を示す断面図である。
【図9】図8に示す製造工程で用いる陽極化成装置の一例を示す断面図である。
【図10】図8に示す製造工程で用いる陽極化成装置の他の例を示す断面図である。
【符号の説明】
1A、1B、1C、1D……複合基板、10……炭素系基板、11……アモルファスシリコン膜、20……シリコン基板、20A……シリコン分割基板片、21……長尺シリコンインゴット、30……アモルファスカーボン基板、31……多結晶シリコン膜、40、41……アモルファスシリコン膜、50、70……エピタキシャル成長膜、60……ポーラスシリコン層、80……熱酸化膜、90……ガラス基板。
Claims (12)
- 板状に形成された炭素系基板と、前記炭素系基板の片面または両面に一体に接合される半導体基板とを有し、
前記半導体基板は、複数の半導体分割基板片を前記炭素系基板の接合面に並列に配置し、加熱溶融によって結合して一体化し、
前記炭素系基板と半導体基板との間に、シリコンとカーボンの混合物の層が配置される、
ことを特徴とする複合基板。 - 前記複数の半導体分割基板片の継ぎ目が加熱溶融によって結合されていることを特徴とする請求項1記載の複合基板。
- 板状に形成された炭素系基板と、前記炭素系基板の片面または両面に一体に接合される半導体基板とを有する複合基板を作製する基板製造方法であって、
前記半導体基板を構成する複数の半導体分割基板片を前記炭素系基板の接合面に並列に配置し、加熱溶融によって炭素系基板に接合する工程と、
前記半導体分割基板片を前記炭素系基板の接合面に配置する前に、前記半導体分割基板片または炭素系基板の接合面を親水性にする工程と、
を有することを特徴とする基板製造方法。 - 前記半導体分割基板片を前記炭素系基板の接合面に配置する前に、前記炭素系基板の接合面または半導体分割基板片の接合面にアモルファス半導体層を成膜する工程を有することを特徴とする請求項3記載の基板製造方法。
- 前記半導体分割基板片を前記炭素系基板の接合面に配置する前に、前記炭素系基板の接合面または半導体分割基板片の接合面に多結晶半導体層を成膜する工程を有することを特徴とする請求項3記載の基板製造方法。
- 前記半導体分割基板片を炭素系基板の接合面に加熱溶融する工程は、ランプ加熱方式の高温炉を用いて行うことを特徴とする請求項3記載の基板製造方法。
- 前記半導体分割基板片を炭素系基板の接合面に加熱溶融する工程は、抵抗加熱方式の高温炉を用いて行うことを特徴とする請求項3記載の基板製造方法。
- 前記半導体分割基板片を炭素系基板の接合面に加熱溶融する工程は、レーザ照射を用いて行うことを特徴とする請求項3記載の基板製造方法。
- 前記複数の半導体分割基板片の継ぎ目を加熱溶融によって結合する工程を有することを特徴とする請求項3記載の基板製造方法。
- 前記複数の半導体分割基板片の継ぎ目を加熱溶融によって結合する工程は、レーザ照射を用いて行うことを特徴とする請求項9記載の基板製造方法。
- 前記炭素系基板に一体に接合される半導体基板の表面にアモルファス半導体層を成膜する工程と、前記アモルファス半導体層を加熱して前記半導体基板と単結晶になるように再結晶化する工程とを有することを特徴とする請求項3記載の基板製造方法。
- 板状に形成された炭素系基板の片面または両面に、複数の半導体分割基板片を前記炭素系基板の接合面に並列に配置し、加熱溶融によって結合することにより、前記炭素系基板に半導体基板を一体化した複合基板を作製する工程と、
前記半導体基板の表面に陽極化成を行うことにより、多孔質半導体層を形成する工程と、
前記多孔質半導体層を形成した後、その表面に酸化処理を行い、その後、前記多孔質半導体層上にエピタキシャル成長層を形成する工程と、
前記エピタキシャル成長層を支持基板に貼り合わせる工程と、
前記多孔質半導体層を分断することにより、前記エピタキシャル成長層および支持基板を半導体基板から剥離して、前記エピタキシャル成長層による薄膜単結晶半導体基板を作製する工程と、
を有することを特徴とする基板製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002050734A JP4182323B2 (ja) | 2002-02-27 | 2002-02-27 | 複合基板、基板製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002050734A JP4182323B2 (ja) | 2002-02-27 | 2002-02-27 | 複合基板、基板製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003257804A JP2003257804A (ja) | 2003-09-12 |
JP2003257804A5 JP2003257804A5 (ja) | 2005-10-27 |
JP4182323B2 true JP4182323B2 (ja) | 2008-11-19 |
Family
ID=28662890
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002050734A Expired - Fee Related JP4182323B2 (ja) | 2002-02-27 | 2002-02-27 | 複合基板、基板製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4182323B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10357942B2 (en) | 2015-07-16 | 2019-07-23 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Graphite-silicon composite and production method thereof |
WO2020138202A1 (ja) | 2018-12-28 | 2020-07-02 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | グラファイト薄膜/シリコン基板積層体、及びその製造方法、高排熱型電子デバイス用基板 |
Families Citing this family (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4103447B2 (ja) * | 2002-04-30 | 2008-06-18 | 株式会社Ihi | 大面積単結晶シリコン基板の製造方法 |
US7033912B2 (en) | 2004-01-22 | 2006-04-25 | Cree, Inc. | Silicon carbide on diamond substrates and related devices and methods |
US7612390B2 (en) | 2004-02-05 | 2009-11-03 | Cree, Inc. | Heterojunction transistors including energy barriers |
JP2006190703A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-20 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | エピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャルウェーハ |
US7709269B2 (en) | 2006-01-17 | 2010-05-04 | Cree, Inc. | Methods of fabricating transistors including dielectrically-supported gate electrodes |
US7592211B2 (en) | 2006-01-17 | 2009-09-22 | Cree, Inc. | Methods of fabricating transistors including supported gate electrodes |
US7825007B2 (en) * | 2007-05-11 | 2010-11-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of joining a plurality of SOI substrates on a glass substrate by a heat treatment |
WO2009001836A1 (en) * | 2007-06-28 | 2008-12-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
JP5498670B2 (ja) | 2007-07-13 | 2014-05-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体基板の作製方法 |
JP2009094488A (ja) | 2007-09-21 | 2009-04-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体膜付き基板の作製方法 |
JP5250228B2 (ja) | 2007-09-21 | 2013-07-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
TWI437696B (zh) | 2007-09-21 | 2014-05-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
JP5452900B2 (ja) | 2007-09-21 | 2014-03-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体膜付き基板の作製方法 |
US8236668B2 (en) | 2007-10-10 | 2012-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate |
JP5506172B2 (ja) | 2007-10-10 | 2014-05-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体基板の作製方法 |
TWI493609B (zh) | 2007-10-23 | 2015-07-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體基板、顯示面板及顯示裝置的製造方法 |
US7781308B2 (en) | 2007-12-03 | 2010-08-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate |
US7842583B2 (en) | 2007-12-27 | 2010-11-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor substrate and method for manufacturing semiconductor device |
CN101504930B (zh) * | 2008-02-06 | 2013-10-16 | 株式会社半导体能源研究所 | Soi衬底的制造方法 |
KR20090108951A (ko) | 2008-04-14 | 2009-10-19 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치의 제조 방법 |
JP2010087345A (ja) * | 2008-10-01 | 2010-04-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体基板の作製方法 |
JP5619474B2 (ja) | 2009-05-26 | 2014-11-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Soi基板の作製方法 |
JP2011102947A (ja) * | 2009-11-12 | 2011-05-26 | Seiko Epson Corp | 表示装置用パネルおよび表示装置 |
CN102388433A (zh) * | 2009-11-13 | 2012-03-21 | 住友电气工业株式会社 | 制造半导体衬底的方法 |
JPWO2011058830A1 (ja) * | 2009-11-13 | 2013-03-28 | 住友電気工業株式会社 | 半導体基板の製造方法 |
JPWO2011058829A1 (ja) * | 2009-11-13 | 2013-03-28 | 住友電気工業株式会社 | 半導体基板の製造方法 |
JP5447206B2 (ja) * | 2010-06-15 | 2014-03-19 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素単結晶の製造方法および炭化珪素基板 |
JP2012004296A (ja) * | 2010-06-16 | 2012-01-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 複合基板の製造方法および複合基板 |
KR20130136431A (ko) * | 2010-08-06 | 2013-12-12 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 서포트 기판 |
CN102687238A (zh) * | 2010-09-16 | 2012-09-19 | 住友电气工业株式会社 | 用于制造半导体器件的方法 |
JP2012089613A (ja) * | 2010-10-18 | 2012-05-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素基板を有する複合基板の製造方法 |
JP2012089612A (ja) * | 2010-10-18 | 2012-05-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素基板を有する複合基板 |
WO2013055967A1 (en) * | 2011-10-12 | 2013-04-18 | Integrated Photovoltaic, Inc. | Photovoltaic substrate |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2560765B2 (ja) * | 1988-01-20 | 1996-12-04 | 富士通株式会社 | 大面積半導体基板の製造方法 |
JPH04372109A (ja) * | 1991-06-21 | 1992-12-25 | Hitachi Ltd | 貼り合わせ基板とその製造方法及びその基板を用いた半導体装置 |
JPH0832038A (ja) * | 1994-07-15 | 1996-02-02 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | 貼り合わせsoi基板の製造方法および貼り合わせsoi基板 |
JP4035862B2 (ja) * | 1997-07-11 | 2008-01-23 | ソニー株式会社 | 半導体基板の製造方法 |
-
2002
- 2002-02-27 JP JP2002050734A patent/JP4182323B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10357942B2 (en) | 2015-07-16 | 2019-07-23 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Graphite-silicon composite and production method thereof |
WO2020138202A1 (ja) | 2018-12-28 | 2020-07-02 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | グラファイト薄膜/シリコン基板積層体、及びその製造方法、高排熱型電子デバイス用基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003257804A (ja) | 2003-09-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4182323B2 (ja) | 複合基板、基板製造方法 | |
JP4075021B2 (ja) | 半導体基板の製造方法および薄膜半導体部材の製造方法 | |
KR100300279B1 (ko) | 반도체기판의제조방법 | |
US6605518B1 (en) | Method of separating composite member and process for producing thin film | |
CN1188898C (zh) | 生产半导体部件的方法和生产太阳能电池的方法 | |
US6448155B1 (en) | Production method of semiconductor base material and production method of solar cell | |
WO2005069356A1 (ja) | 単結晶薄膜の製造方法及びその単結晶薄膜デバイス | |
JP2009516929A (ja) | ガラス絶縁体上の大面積半導体 | |
KR19990063376A (ko) | 반도체 기판, 박막 반도체 소자,이들의 제조 방법 및 양극화성 장치 | |
JP2000077287A (ja) | 結晶薄膜基板の製造方法 | |
JPH10200080A (ja) | 半導体部材の製造方法 | |
JP2003257804A5 (ja) | ||
CA2233132C (en) | Semiconductor substrate and process for producing same | |
WO2011052321A1 (ja) | 炭化珪素基板の製造方法および炭化珪素基板 | |
JP2001094136A (ja) | 半導体素子モジュールの製造方法および太陽電池モジュールの製造方法 | |
JP2001509095A (ja) | 大きな寸法を有した半導体材料ウェハの作製方法ならびに絶縁体上に半導体を配したタイプの基板の作製に際しての得られた基板の利用 | |
JP2000100738A (ja) | 結晶成長方法および、半導体装置とその製造方法 | |
CN110565066B (zh) | 一种共掺杂金刚石及制备方法与半导体材料、装置 | |
CN104488081A (zh) | Sos基板的制造方法和sos基板 | |
EP2216428A1 (en) | PROCESS FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL SiC SUBSTRATE AND SINGLE CRYSTAL SiC SUBSTRATE PRODUCED BY THE PROCESS | |
JP4035862B2 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
JP3472197B2 (ja) | 半導体基材及び太陽電池の製造方法 | |
JP3951340B2 (ja) | 半導体基体と、半導体基体および薄膜半導体の製造方法 | |
JPH10326883A (ja) | 基板及びその作製方法 | |
JP2003300793A (ja) | 加熱装置および半導体薄膜製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041125 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050729 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060616 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080603 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080714 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080806 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080819 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110912 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110912 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |