JP2006114493A - 発光装置 - Google Patents
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- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims abstract description 121
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 180
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 15
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims description 13
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 8
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 36
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 4
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 4
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 abstract 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 abstract 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000000452 restraining effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 399
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 117
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 69
- 239000000463 material Substances 0.000 description 69
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 description 37
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 30
- 239000002585 base Substances 0.000 description 28
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 28
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 22
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 21
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 20
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 16
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 16
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 12
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 12
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 10
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 9
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 7
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 7
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical group C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 6
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 229910018125 Al-Si Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910018520 Al—Si Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 5
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 5
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 5
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 5
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 5
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 5
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N (S)-camphorsulfonic acid Chemical compound C1C[C@@]2(CS(O)(=O)=O)C(=O)C[C@@H]1C2(C)C MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 4
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 4
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 4
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 4
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 4
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 4
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 4
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 4
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- YLYPIBBGWLKELC-UHFFFAOYSA-N 4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(4-(dimethylamino)styryl)-4H-pyran Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C=CC1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N nile red Chemical compound C1=CC=C2C3=NC4=CC=C(N(CC)CC)C=C4OC3=CC(=O)C2=C1 VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 3
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000005072 1,3,4-oxadiazoles Chemical class 0.000 description 2
- IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n-diphenyl-4-n,4-n-bis[4-(n-phenylanilino)phenyl]benzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000282 Poly(3-cyclohexylthiophene) Polymers 0.000 description 2
- 229920000291 Poly(9,9-dioctylfluorene) Polymers 0.000 description 2
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N benzo[h]quinoline Chemical compound C1=CN=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 2
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N oxalonitrile Chemical compound N#CC#N JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegallium Chemical compound [Te]=[Ga] OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DTZWGKCFKSJGPK-VOTSOKGWSA-N (e)-2-(2-methyl-6-(2-(1,1,7,7-tetramethyl-1,2,3,5,6,7-hexahydropyrido[3,2,1-ij]quinolin-9-yl)vinyl)-4h-pyran-4-ylidene)malononitrile Chemical compound O1C(C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 DTZWGKCFKSJGPK-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 2-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNILPZLJSRHNPD-UHFFFAOYSA-N 3,4-dicyclohexylthiophene Chemical compound C1CCCCC1C1=CSC=C1C1CCCCC1 LNILPZLJSRHNPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEWTUGLUENRXFN-UHFFFAOYSA-N 3-(4-octylphenyl)-2-thiophen-2-ylthiophene Chemical compound C1=CC(CCCCCCCC)=CC=C1C1=C(C=2SC=CC=2)SC=C1 YEWTUGLUENRXFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CHMILGIDWWDNMF-UHFFFAOYSA-N 3-(4-octylphenyl)thiophene Chemical compound C1=CC(CCCCCCCC)=CC=C1C1=CSC=C1 CHMILGIDWWDNMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical group CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SCZWJXTUYYSKGF-UHFFFAOYSA-N 5,12-dimethylquinolino[2,3-b]acridine-7,14-dione Chemical compound CN1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3N(C)C1=C2 SCZWJXTUYYSKGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C2=CC3=CC=CC=C3C=C2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1 VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 9,10-diphenylanthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXGIRTCIFPJUEQ-UHFFFAOYSA-N 9-anthracen-9-ylanthracene Chemical group C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C(C=3C4=CC=CC=C4C=C4C=CC=CC4=3)=C21 SXGIRTCIFPJUEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSDMPJCOOXURQD-UHFFFAOYSA-N C545T Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC=4C=C5C6=C(C=4OC3=O)C(C)(C)CCN6CCC5(C)C)=NC2=C1 MSDMPJCOOXURQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001101998 Galium Species 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016978 MnOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000109 alkoxy-substituted poly(p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004984 aromatic diamines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L beryllium;benzo[h]quinolin-10-olate Chemical compound [Be+2].C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21.C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21 GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N diboron Chemical compound B#B ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Abstract
【解決手段】 無機系の膜、有機系の膜、無機系の膜という積層構造がシール材の下部から発光素子の陰極の下部まで連続して設けられないようにする。また、無機系の膜、有機系の膜、無機系の膜という積層構造が陰極の下部まで連続して設けられたとしても有機膜の上部に形成する無機系の膜の形状を規定することで水の侵入を抑制する。
【選択図】 図1
Description
図1(A)の断面図は本発明の発光装置の断面の一部である。基板100上に下地絶縁膜101、第1の有機絶縁膜102が形成され、第1の有機絶縁膜102上に第1の有機絶縁膜に接して配線103が形成されている。また、第1の有機絶縁膜102上にはまた、発光素子の下部電極104が設けられ、下部電極104の端部を覆って第2の有機絶縁膜105が形成されている。また、第2の有機絶縁膜105上から下部電極104の露出部を覆って連続的に発光積層体106が設けられる。さらに発光積層体106を覆って発光素子の上部電極107が設けられている。これら下地絶縁膜101、第1の有機絶縁膜102、配線103、発光素子の下部電極104、第2の有機絶縁膜105、発光積層体106及び発光素子の上部電極107が形成された基板100は対向基板109とシール材108によって固着される。
図1(B)は本発明の発光装置の構成の一つである。図1(A)と同じ構成については同じ符号を付し材料なども同様の材料を使用することができる。また、繰り返しとなる説明も省略するため図1(A)の説明を参照されたい。
図2は本発明の発光装置の構成の一つである。図1(A)と同じ構成については同じ符号を付し材料なども同様の材料を使用することができる。また、繰り返しとなる説明も省略するため図1(A)の説明を参照されたい。なお、図2(A)は図2(B)をA−Bで切断した断面図であり、図2(C)は図2(B)をC−Dで切断した断面図である。
図3は本発明の発光装置の構成の一つである。図1(A)と同じ構成については同じ符号を付し材料なども同様の材料を使用することができる。また、繰り返しとなる説明も省略するため図1(A)の説明を参照されたい。なお、図3(A)は図3(B)をA−Bで切断した断面図であり、図3(C)は図3(B)をC−Dで切断した断面図である。
図4は本発明の発光装置の構成の一つである。図1(A)と同じ構成については同じ符号を付し材料なども同様の材料を使用することができる。また、繰り返しとなる説明も省略するため図1(A)の説明を参照されたい。なお、図4(A)は図4(B)をA−Bで切断した断面図であり、図4(C)は図4(B)をC−Dで切断した断面図である。
図5は本発明の発光装置の構成の一つである。図1(A)と同じ構成については同じ符号を付し材料なども同様の材料を使用することができる。
図6、図7は本発明の発光装置の構成の一つである。図1(A)と同じ構成については同じ符号を付し材料なども同様の材料を使用することができる。
続いて本発明の発光装置の作製方法について図8、図9を参照しながら説明する。
実施の形態8を適用して作製された発光装置のパネルの外観について図10を用いて説明する。なお、符号については実施の形態8と同じ部分に関しては同じ符号を付してある。図10は基板200上に形成されたトランジスタおよび発光素子を対向基板226との間に形成したシール材によって封止したパネルの上面図であり、図9(C)は図10のE−Fにおける断面図に相応する。なお、図1〜図7の断面図は図10のG−HもしくはI−Jに相当する。もちろん、本発明の構成はパネルの外周部のどの部分にも適用することができる上、一部分へのみの適用も可能である。
図11にその一例を示したようなモジュールを搭載した本発明の電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオコンポ等)、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等)、記録媒体を備えた画像再生装置(具体的にはDigital Versatile Disc(DVD)等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置)などが挙げられる。それらの電子機器の具体例を図11に示す。
(実施の形態11)
比較例3として示した図14(C)〜(E)には配線幅1mm、5mm、10mmの配線が形成されている。なお、配線幅5mm以上については写真の中におさまらないため、画素のみの写真となっている。この結果より本発明の構成を有する実施例3の配線幅5μm、20μm及び100μmの配線部分においては劣化が発生しておらず、比較例3の配線幅1mm、5mm及び10mmの配線部分においては配線幅が増えるほど大きな劣化となっている。このように本発明の有用性が認められる。
101 下地絶縁膜
102 有機絶縁膜
103 配線
103a 配線
103b 配線
103c 配線
104 下部電極
105 有機絶縁膜
106 発光積層体
107 上部電極
108 シール材
109 対向基板
110a パッシベーション膜
110b パッシベーション膜
111 パッシベーション膜
112 下部電極
113 有機絶縁膜
114 パッシベーション膜
114a パッシベーション膜
114b パッシベーション膜
115 パッシベーション膜
116 凹部
117 乾燥材
126 P+領域
127 P−領域
142 発光積層体
144 シール材
153 配線
163 配線
200 基板
200 基板
201 下地絶縁層
202 下地絶縁層
203 半導体層
204 ゲート絶縁膜
205 導電膜
206 導電膜
207 導電層
208 導電層
209 導電層
210 導電層
211 P−領域
212 P+領域
213 絶縁膜(水素化膜)
214 層間絶縁層
216 ドレイン電極
217 配線
218 配線
220 下部電極
221 外部接続部
222 隔壁
223 発光積層体
224 上部電極
225 シール材
226 対向基板
226 対向基板
227 異方性導電膜
228 フレキシブルプリントサーキット(FPC)
2001 筐体
2003 表示部
2004 スピーカー部
2101 本体
2102 筐体
2103 表示部
2104 音声入力部
2105 音声出力部
2106 操作キー
2108 アンテナ
2201 本体
2202 筐体
2203 表示部
2204 キーボード
2205 外部接続ポート
2206 ポインティングマウス
2301 本体
2302 表示部
2303 スイッチ
2304 操作キー
2305 赤外線ポート
2401 筐体
2402 表示部
2403 スピーカー部
2404 操作キー
2405 記録媒体挿入部
4003 信号線駆動回路
4004 走査線駆動回路
Claims (15)
- 第1の基板と、
第2の基板と、
前記第1の基板上に形成された第1の有機絶縁膜と、
前記第1の有機絶縁膜に接して形成された無機膜と、
前記第1の有機絶縁膜上に形成された第2の有機絶縁膜と、
前記第2の有機絶縁膜上に一部が接して形成された発光素子の電極と、
前記第1の基板と前記第2の基板を固着するシール材とを有し、
前記無機膜はその一部が前記シール材と接して形成されており、
前記無機膜と前記電極とは重なっておらず、
前記シール材と前記電極との間には間隙があることを特徴とする発光装置。 - 第1の基板と、
第2の基板と、
前記第1の基板上に形成された第1の有機絶縁膜と、
前記第1の有機絶縁膜に接して形成された第1の無機膜及び第2の無機膜と、
前記第1の有機絶縁膜上に形成された第2の有機絶縁膜と、
前記第2の有機絶縁膜上に一部が接して形成された発光素子の電極と、
前記第1の基板と前記第2の基板を固着するシール材とを有し、
前記第1の無機膜はその一部が前記シール材と接して形成されており、
前記第2の無機膜はその一部が前記電極の下部に形成されており、
前記第1の無機膜と前記第2の無機膜との間、及び前記シール材と前記電極との間には間隙があることを特徴とする発光装置。 - 第1の基板と、
第2の基板と、
第1の基板上に形成された第1の有機絶縁膜と、
前記第1の有機絶縁膜に接して形成された複数の無機膜と、
前記第1の有機絶縁膜上に形成された第2の有機絶縁膜と、
前記第2の有機絶縁膜上に一部が接して形成された発光素子の電極と、
前記第1の基板と第2の基板を固着するシール材とを有し、
前記無機膜はその幅が1mm未満である部分を前記電極より外側に有し、
前記シール材と前記電極との間には間隙があることを特徴とする発光装置。 - 第1の基板と、
第2の基板と、
前記第1の基板上に形成された第1の有機絶縁膜と、
前記第1の有機絶縁膜に接して形成された複数の無機膜と、
前記第1の有機絶縁膜上に形成された第2の有機絶縁膜と、
前記第2の有機絶縁膜上に一部が接して形成された発光素子の電極と、
前記第1の基板と前記第2の基板を固着するシール材とを有し、
前記無機膜はその幅が1mm未満である部分を前記電極より外側に有し、
前記シール材と前記電極は重なっており、前記シール剤と前記電極が重なっている幅は15μm以下であることを特徴とする発光装置。 - 第1の基板と、
第2の基板と、
前記第1の基板上に形成された第1の有機絶縁膜と、
前記第1の有機絶縁膜に接して形成された複数の無機膜と、
前記第1の有機絶縁膜上に形成された第2の有機絶縁膜と、
前記第2の有機絶縁膜上に一部が接して形成された発光素子の電極と、
前記第1の基板と前記第2の基板を固着するシール材とを有し、
前記複数の無機膜はその幅が1mm未満である部分を有し、
隣り合う前記複数の無機膜同士の間は5μm以上離れており、
前記シール材と前記電極との間には間隙があることを特徴とする発光装置。 - 第1の基板と、
第2の基板と、
第1の基板上に形成された第1の有機絶縁膜と、
前記第1の有機絶縁膜に接して形成された複数の無機膜と、
前記第1の有機絶縁膜上に形成された第2の有機絶縁膜と、
前記第2の有機絶縁膜上に一部が接して形成された発光素子の電極と、
前記第1の基板と前記第2の基板を固着するシール材とを有し、
前記複数の無機膜はその幅が1mm未満である部分を有し、
隣り合う前記複数の無機膜同士の間は5μm以上離れており、
前記シール材と前記電極は重なっており、前記シール剤と前記電極が重なっている幅は15μm以下であることを特徴とする発光装置。 - 第1の基板と、
第2の基板と、
第1の基板上に形成された第1の有機絶縁膜と、
前記第1の有機絶縁膜に接して形成された無機膜と、
前記第1の有機絶縁膜上に形成された第2の有機絶縁膜と、
前記第2の有機絶縁膜上に一部が接して形成された発光素子の電極と、
前記第1の基板と前記第2の基板を固着するシール材とを有し、
前記無機膜には前記電極の外周側端部より外周側において、短辺方向の幅が5μm以上である開口部が複数設けられており、
前記複数の開口部は短辺方向を隣り合わせに並んで配置されており、
前記複数の開口部は隣り合う開口部との間が1mm未満であり、
前記シール材と前記電極との間には間隙があることを特徴とする発光装置。 - 第1の基板と、
第2の基板と、
第1の基板上に形成された第1の有機絶縁膜と、
前記第1の有機絶縁膜に接して形成された無機膜と、
前記第1の有機絶縁膜上に形成された第2の有機絶縁膜と、
前記第2の有機絶縁膜上に一部が接して形成された発光素子の電極と、
前記第1の基板と前記第2の基板を固着するシール材とを有し、
前記無機膜には前記電極の外周側端部より外周側において、短辺方向の幅が5μm以上である開口部が複数設けられており、
前記複数の開口部は短辺方向を隣り合わせに並んで配置されており、
前記複数の開口部は隣り合う開口部との間が1mm未満であり、
前記シール材と前記電極は重なっており、前記シール剤と前記電極が重なっている幅は15μm以下であることを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至請求項8のいずれか一項において、
前記無機膜は導電性を有する膜であることを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至請求項9のいずれか一項において、
前記無機膜は配線であることを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至請求項8のいずれか一項において、
前記無機膜は絶縁膜であることを特徴とする発光装置。 - 請求項11において、
前記絶縁膜は窒化ケイ素を主成分とする膜であることを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至請求項8のいずれか一項において、
前記無機膜は絶縁膜と導電膜との積層構造を有することを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至請求項13のいずれか一項において、
前記第1の有機絶縁膜はアクリル、ポリイミド及びシロキサンのうちの一種であることを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至請求項14のいずれか一項において、
前記第2の有機絶縁膜はアクリル、ポリイミド及びシロキサンのうちの一種であることを特徴とする発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005270770A JP2006114493A (ja) | 2004-09-17 | 2005-09-16 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004272644 | 2004-09-17 | ||
JP2005270770A JP2006114493A (ja) | 2004-09-17 | 2005-09-16 | 発光装置 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011177438A Division JP5412478B2 (ja) | 2004-09-17 | 2011-08-15 | 発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006114493A true JP2006114493A (ja) | 2006-04-27 |
JP2006114493A5 JP2006114493A5 (ja) | 2008-10-23 |
Family
ID=36382806
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005270770A Withdrawn JP2006114493A (ja) | 2004-09-17 | 2005-09-16 | 発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006114493A (ja) |
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