JP2002110343A - 表示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 123
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 87
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 66
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 37
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims description 20
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 37
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 16
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 13
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 12
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 9
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 9
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 101100321669 Fagopyrum esculentum FA02 gene Proteins 0.000 description 1
- 101000854908 Homo sapiens WD repeat-containing protein 11 Proteins 0.000 description 1
- 241000283986 Lepus Species 0.000 description 1
- 102100020705 WD repeat-containing protein 11 Human genes 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
め、画素基板上の画素部及び駆動回路を囲んでシール材
を形成し、カバー材をはり合わせてEL素子を封止する
必要があるが、表示装置内でこのシール材部分と画素部
及び駆動回路周辺の配線部分とが占める面積が大きく,
表示装置を小型化する上で問題となっていた。 【解決手段】 画素基板上のシール材で覆われた部分に
配線を形成する。なお、この配線を介してシール材に紫
外線を照射した時に、配線上部のシール材が紫外線に十
分露光される様にこの配線の線幅を設定する。線幅の大
きな配線を用いる代わりに、複数の線幅の小さな配線を
並列に接続した形状の配線を用いる。これにより、表示
装置内で画素部及び駆動回路周辺の配線とシール材とが
占める面積を減らし、表示装置を小型化することができ
る。
Description
表示装置に関する。特に、半導体素子(半導体薄膜を用
いた素子)を用いたアクティブマトリクス型表示装置に
関する。また、アクティブマトリクス型表示装置を、表
示部に用いた電子機器に関する。
EL素子を有したEL表示装置等の電気光学装置が注目
されている。
EL層が挟まれた構造となっているが、EL層は通常、
積層構造となっている。代表的には、コダック・イース
トマン・カンパニーのTangらが提案した「正孔輸送層/
発光層/電子輸送層」という積層構造が挙げられる。こ
の構造は非常に発光効率が高く、現在、研究開発が進め
られているEL表示装置は殆どこの構造を採用してい
る。
送層/発光層/電子輸送層、または正孔注入層/正孔輸
送層/発光層/電子輸送層/電子注入層の順に積層する
構造でも良い。発光層に対して蛍光性色素等をドーピン
グしても良い。
れる全ての層を総称してEL層と呼ぶ。よって上述した
正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注
入層等は、全てEL層に含まれる。
極から所定の電圧をかけ、それにより発光層においてキ
ャリアの再結合が起こって発光する。なお本明細書にお
いてEL素子が発光することを、EL素子が駆動すると
呼ぶ。また、本明細書中では、陽極、EL層及び陰極で
形成される発光素子をEL素子と呼ぶ。
は、一重項励起子からの発光(蛍光)を利用するもの
と、三重項励起子からの発光(燐光)を利用するものの
両方を示すものとする。
トリクス型が挙げられる。
装置の画素部の構成の例を示す。アクティブマトリクス
型EL表示装置では、各画素が薄膜トランジスタ(以
下、TFTと表記する)を有している。ゲート信号線駆
動回路から選択信号を入力するゲート信号線(G1〜G
y)は、各画素が有するスイッチング用TFT901の
ゲート電極に接続されている。また、各画素が有するス
イッチング用TFT901のソース領域とドレイン領域
は、一方がソース信号線駆動回路から信号を入力するソ
ース信号線(S1〜Sx)に、他方がEL駆動用TFT
902のゲート電極及び各画素が有するコンデンサ90
3の一方の電極に接続されている。コンデンサ903の
もう一方の電極は、電源供給線(V1〜Vx)に接続さ
れている。各画素の有するEL駆動用TFT902のソ
ース領域とドレイン領域の一方は、電源供給線(V1〜
Vx)に、他方は、各画素が有するEL素子904に接
続されている。
G1が選択され信号が入力されると、ゲート信号線G1
に接続されたスイッチングTFT901がオンになる。
ここで、ソース信号線駆動回路よりソース信号線S1〜
Sxに信号が入力されると、信号が入力された画素にお
いて、EL駆動用TFT902がオンになり、電源供給
線(V1〜Vx)よりEL素子904に電流が流れて、
EL素子904は発光する。この動作をすべてのゲート
信号線G1〜Gyについて繰り返し、画像の表示を行
う。
と陰極の間に設けられたEL層とを有する。EL素子9
04の陽極がEL駆動用TFT902のソース領域また
はドレイン領域と接続している場合、EL素子904の
陽極が画素電極、陰極が対向電極となる。逆に、EL素
子904の陰極がEL駆動用TFT902のソース領域
またはドレイン領域と接続している場合、EL素子90
4の陰極が画素電極、陽極が対向電極となる。
を対向電位という。なお、対向電極に対向電位を与える
電源を対向電源と呼ぶ。画素電極の電位と対向電極の電
位の電位差がEL駆動電圧であり、このEL駆動電圧が
EL層に印加される。
り、劣化するという問題がある。その為、EL層を形成
した後、大気中に出さずに窒素雰囲気中で、紫外線硬化
樹脂により封止するのが一般的である。図4にEL表示
装置の封止の例を示す。
す。EL素子を有する画素部402、ゲート信号線駆動
回路403及びソース信号線駆動回路404を有する絶
縁基板41上に、画素部402、ゲート信号線駆動回路
403及びソース信号線駆動回路404を囲むようにシ
ール材401を形成する。この際、後に充填材43を注
入するための注入口として開口部(図示せず)を設けて
おく。その後スペーサー(図示せず)を撒布してカバー
材42を貼り合わせる。シール材401を紫外線照射に
より硬化させた後、カバー材42とシール材401で囲
まれた領域に充填材43を注入し、充填材43を封止材
(図示せず)により注入口を封止する。
図を示す。
ート信号線駆動回路403を構成するTFT413及び
画素部402を構成するEL駆動用TFT414とEL
素子417のみを示す。絶縁基板41を画素基板と呼ぶ
ことにする。EL素子417は、画素電極407とEL
層416及び対向電極408により構成される。シール
材401により、カバー材42が取り付けられ、画素基
板41とカバー材42との間に充填材43が封入されて
いる。充填材43には、吸湿性物質(図示せず)が添加
されている。この様にして、水分によるEL素子417
の劣化を防いでいる。
動用TFT414のゲート絶縁膜、415は層間絶縁膜
である。
路403及びソース信号線駆動回路404に入力される
信号は、FPC(フレキシブルプリントサーキット)基
板410より配線412(412a〜412c)を通し
て入力される(図4(A)参照)。ここで、配線412
は、画素基板41とシール材401の間をとおって、F
PC基板410と各駆動回路を接続している。なお、F
PC基板410は、外部入力端子409において、異方
性導電性膜(図示せず)により、配線412と接続され
ている。
て、EL素子の劣化を防ぐため、シール材を用いて、画
素基板とカバー材を貼り合わせEL素子を封止する必要
がある。
などは、画素部とは異なり、画像を表示しない部分であ
る。従来の表示装置では、表示画面に対して、この画像
を表示しない部分の占める割合が大きく、表示装置を小
型化する上で問題となっていた。
分の面積を小さくすることを課題とする。
覆われた部分に、配線を形成する。なお、この配線を介
してシール材に紫外線を照射したときに、配線上部のシ
ール材が、紫外線に十分露光される様に、この配線の線
幅を設定する。
動回路部周辺の配線とシール材とが占める面積を減ら
し、表示装置を小型化することができる。
ール材とを有し、前記基板上に、複数の画素と、前記複
数の画素に信号を入力するための駆動回路とを有し、前
記複数の画素はそれぞれ、EL素子を有し、前記カバー
材は、遮光性を有し、前記シール材は、紫外線により硬
化する材料を有し、前記複数の画素と、前記駆動回路と
を囲んで、前記基板上に前記シール材を配置し、前記カ
バー材と前記基板とを、前記シール材をはさんで密着さ
せ、前記EL素子を密封した表示装置において、前記シ
ール材と、前記基板との間に第1の配線が形成され、前
記第1の配線は、並列に接続された複数の第2の配線を
有することを特徴とする表示装置が提供される。
は、無機物質により形成されていることを特徴とする表
示装置であってもよい。
板と、シール材とを有し、前記第1の基板上に、複数の
画素と、前記複数の画素に信号を入力するための駆動回
路とを有し、前記第2の基板は、遮光性を有し、前記シ
ール材は、紫外線により硬化する材料を有し、前記複数
の画素と、前記駆動回路とを囲んで、前記第1の基板上
にシール材を配置し、前記第2の基板と前記第1の基板
とを、前記シール材をはさんで密着させ、前記第1の基
板と、前記第2の基板と、前記シール材とによって囲ま
れた領域に、液晶を封入した表示装置において、前記シ
ール材と前記第1の基板との間に第1の配線が形成さ
れ、前記第1の配線は、並列に接続された複数の第2の
配線を有することを特徴とする表示装置が提供される。
部分は、無機物質により形成されていることを特徴とす
る表示装置であってもよい。
幅Lと、前記並列に接続された複数の第2の配線の間隔
Sの比L/Sが、0.7〜1.5の値をとることを特徴
とする表示装置であってもよい。
幅Lは、100μm〜200μmの値をとり、前記並列
に接続された複数の第2の配線の間隔Sは、50μm〜
150μmの値をとることを特徴とする表示装置であっ
てもよい。
回路が有するTFTの、ソース配線及びドレイン配線を
構成する物質と同じ物質で形成されていることを特徴と
する表示装置であってもよい。
と、複数の外部入力端子とを有し、前記複数の画素は、
EL素子を有する表示装置において、前記EL素子に電
流を供給する陽極線は、前記複数の外部入力端子に接続
されていることを特徴とする表示装置が提供される。
と、複数の外部入力端子とを有し、前記複数の画素は、
EL素子を有する表示装置において、前記EL素子から
電流を引き出す陰極線は、前記複数の外部入力端子に接
続されていることを特徴とする表示装置が提供される。
も1つの外部入力端子は、前記基板の一端の近傍にあ
り、その他の外部入力端子は、前記基板の一端とは異な
る、前記基板の一端の近傍にあることを特徴とする表示
装置であってもよい。
も1つは、第1のFPC基板に接続され、その他は、第
2のFPC基板に接続されていることを特徴とした表示
装置であってもよい。
記基板の長辺の長さの1/2以上離れていることを特徴
とする表示装置であってもよい。
成された第1の配線及び複数の画素と、遮光性を有する
カバー材と、シール材とを有する表示装置であって、前
記基板上に形成された複数の画素は、前記シール材及び
前記カバー材によって密封されており、前記第1の配線
は前記シール材に覆われており、前記シール材は紫外線
により硬化する材料を有しており、前記第1の配線は、
並列に接続された複数の第2の配線を有することを特徴
とする表示装置が提供される。
成された第1の配線及び複数の画素と、遮光性を有する
カバー材と、シール材とを有する表示装置であって、前
記基板上に形成された複数の画素は、前記シール材及び
前記カバー材によって密封されており、前記複数の画素
はEL素子をそれぞれ有しており、前記第1の配線は前
記シール材に覆われており、前記シール材は紫外線によ
り硬化する材料を有しており、前記第1の配線は、並列
に接続された複数の第2の配線を有することを特徴とす
る表示装置が提供される。
成された第1の配線及び複数の画素と、遮光性を有する
カバー材と、シール材と、液晶とを有する表示装置であ
って、前記基板上に形成された複数の画素と、前記液晶
とは、前記シール材及び前記カバー材によって密封され
ており、前記第1の配線は前記シール材に覆われてお
り、前記シール材は紫外線により硬化する材料を有して
おり、前記第1の配線は、並列に接続された複数の第2
の配線を有することを特徴とする表示装置が提供され
る。
デオカメラ、画像再生装置、ヘッドマウントディスプレ
イ、携帯電話、携帯情報端末であってもよい。
1を用いて説明する。
配線を形成したEL表示装置について説明する。なお、
本明細書では、画素基板上のシール材で覆われた部分
を、封止領域と呼ぶことにする。
面図を示す。画素基板701上に画素部711及びゲー
ト信号線駆動回路702、ソース信号線駆動回路703
が形成されている。この周りを囲んでシール材704が
形成され、カバー材705が貼り付けられている。FP
C基板706は、外部入力端子707によって画素基板
701上に接続されている。配線708は、外部入力端
子707において、FPC基板706からの信号を受け
取り、ゲート信号線駆動回路702に伝達する、信号線
や電源線等の複数の配線を示す。配線709は、外部入
力端子707において、FPC基板706からの信号を
受け取り、ソース信号線駆動回路703に伝達する、信
号線や電源線等の複数の配線を示す。配線710(配線
710a及び配線710b)は、外部入力端子707に
おいて、FPC基板706からの信号を受け取り、画素
部711に伝達する、電源線等の複数の配線を示す。こ
こで、配線708〜710は、封止領域に形成されてい
る。
分を示した断面図である。
ト信号線駆動回路702を構成する素子としてTFT7
12、画素部711を構成する素子としてEL駆動用T
FT713のみを示す。EL駆動用TFT713のソー
ス領域もしくはドレイン領域のどちらか一方が、EL素
子721の画素電極714と接続され、EL素子721
に入力される電流を制御する。ここで、716は層間絶
縁膜、715はEL層、717は絶縁膜、718は対向
電極、719は充填材、720はゲート絶縁膜である。
なお、ここでは、層間絶縁膜716は無機物質によって
形成されているものとする。
のソース配線及びドレイン配線を構成する物質と同様の
物質を用い、配線708、配線710a及び配線710
bが形成されている。
9については、配線708、配線710a及び配線71
0bと同様に形成されるので、説明を省略する。
り硬化する材料を用いる場合が多い。また、カバー材7
05として遮光性を有する材料を用いる場合が多い。そ
のため、カバー材705側から紫外線照射してもシール
材704を露光することができず、シール材704を硬
化させることができない。そこで、画素基板701側か
ら、配線708、配線710a及び配線710bを介し
て紫外線照射し、シール材704を露光させる必要があ
る。
線710bのうち、ビデオ信号線やパルス線などは、比
較的幅の狭い配線を用いる。一方、画素部の電源供給線
へ電流を供給する電源線や、ソース信号線駆動回路やゲ
ート信号線駆動回路の電源線等に入力される電圧は、ビ
デオ信号線やパルス線に入力される電圧と比べて大き
い。そのため、これらの電源線は、ビデオ信号線やパル
ス線と比較して幅の広い配線を使用する必要がある。
介して紫外線を照射した場合に配線の陰になったシール
材部分に、十分に紫外線が照射されない。すると、シー
ル材が十分に硬化しない可能性がある。
状を考えた。その模式図を図3(A)に示す。なお、図
3(A)は、図1の封止領域の一部666の拡大図に相
当する。
0bのうち、ある1本の電源線777に注目している。
電源線777は、配線(第2の配線)A1〜A6を並列
に接続することにより形成されている。ここで、この様
な形状の配線777を介してシール材704に紫外線を
照射する場合の説明をする。
本の配線A1〜A6を並列に接続することによって構成
しているが、本発明はこの構成に限定されない。一般
に、1本の配線が、n(nは、2以上の自然数)本の配
線(第2の配線)A1〜Anを並列に接続することによ
って構成されていてもよい。
面図である。図3(B)において、図3(A)と同じ符
号は同じ部分を示す。
線を照射すると配線A1〜A6の上のシール材の部分6
60は陰になるが、配線の幅Lが十分に小さく、かつ配
線の間隔Sが十分に大きいとき、照射された紫外線は陰
660の部分にも回り込む。なお、配線のすぐ上部60
0の部分は紫外線によって露光されないが、配線幅が大
きい場合と比べて、この600の部分は十分に小さく、
全体としてシール材を十分に露光することができる。
0μm〜200μmの値を取り、配線A1〜A6のそれ
ぞれの配線間の間隔Sが50μm〜150μmの値をと
り、L/Sが0.7〜1.5になるような形状の配線の
場合、その配線を介して照射された紫外線は、配線上部
のシール材を十分に露光し、シール材を十分に硬化する
ことができる。
150μm以下の値を取り、配線A1〜A6のそれぞれ
の配線間の間隔Sが、100μm以上の値をとり、L/
Sが、1.5以下の値となるような形状の配線の場合、
その配線上部のシール材を十分に硬化することができ
る。
る1本の電源線777に注目したが、封止領域に形成さ
れた、その他の配線幅が問題となる配線においても、同
様の形状とすることができる。
ができる。これにより、画素部以外の領域の面積を少な
くすることができ、表示装置を小型化することができ
る。
形態とは異なった構成のアクティブマトリクス型EL表
示装置について図2を用いて説明する。なお、図1と同
じ部分は、同じ符号を用いて表す。
面図を示す。画素基板701上に画素部711及びゲー
ト信号線駆動回路702、ソース信号線駆動回路703
が形成されている。この周りを囲んでシール材704が
形成され、カバー材705が貼り付けられている。FP
C基板706は、外部入力端子707によって画素基板
701上に接続されている。配線708は、外部入力端
子707において、FPC基板706からの信号を受け
取り、ゲート信号線駆動回路702に伝達する、信号線
や電源線等の複数の配線を示す。配線709は、外部入
力端子707において、FPC基板706からの信号を
受け取り、ソース信号線駆動回路703に伝達する、信
号線や電源線等の複数の配線を示す。配線710a及び
配線710bは、外部入力端子707において、FPC
基板706からの信号を受け取り、画素部711に伝達
する、電源線等の複数の配線を示す。ここで、配線70
8〜710は、封止領域に形成されている。
分を示した断面図である。
ート信号線駆動回路702を構成する素子としてTFT
712、画素部711を構成する素子としてEL駆動用
TFT713のみを示す。EL駆動用TFT713のソ
ース領域もしくはドレイン領域のどちらか一方が、EL
素子721の画素電極714と接続され、EL素子72
1に入力される電流を制御する。ここで、層間絶縁膜7
16、EL層715、絶縁膜717、対向電極718、
充填材719、ゲート絶縁膜720である。なお、ここ
では、層間絶縁膜716は有機物質によって形成されて
いるものとする。
のソース配線及びドレイン配線を構成する物質と同様の
物質を用い、配線708、配線710a及び配線710
bが形成されている。
9については、配線708、配線710a及び配線71
0bと同様に形成されるので、説明を省略する。
されているため、この有機物質上に直接、配線708、
配線710a及び配線710bを形成すると密着性が悪
い。また、有機物質から配線708、配線710a及び
配線710bを構成する材料に不純物が導入されて配線
708、配線710a及び配線710bが劣化するなど
の問題がある。そこで、有機物質で形成された層間絶縁
膜716を除いて配線708、配線710a及び配線7
10bを形成する必要がある。
710bを形成する部分の層間絶縁膜716を取り除く
工程は、TFT712や画素TFT713のソース配線
及びドレイン配線を形成する際、それらのTFTのソー
ス領域に達するコンタクトホールを形成する時に同時に
行うことができる。
り硬化する材料を用いる場合が多い。また、カバー材7
05として遮光性を有する材料を用いる場合が多い。そ
のため、カバー材側から紫外線照射してもシール材を硬
化させることができない。そこで、画素基板701側か
ら、配線708、配線710a及び配線710bを介し
て紫外線照射し、シール材704を硬化させる必要があ
る。しかし配線708、配線710a及び配線710b
として、幅の広い配線を用いると、配線の陰になったシ
ール材704の部分は、十分に紫外線が照射されずシー
ル材704が十分に硬化しない可能性がある。
線710bとして、1本の幅の広い配線を用いる代わり
に、図3に示した様に、複数の配線を並列に接続したも
のを用いる。
m〜200μmの値をとり、複数の配線の間隔Sが50
μm〜150μmの値をとり、複数の配線の幅Lと複数
の配線の間隔Sとの比L/Sが、0.7〜1.5になる
ような形状の配線を用いる。このような形状の配線の場
合、その配線を介して照射された紫外線は、配線上部の
シール材を十分に露光し、シール材を十分に硬化するこ
とができる。
0μm以下の値を取り、複数の配線の間隔Sが、100
μm以上の値をとり、L/Sが、1.5以下の値となる
ような形状の配線の場合、その配線上部のシール材を十
分に硬化することができる。
ができる。これにより、画素部以外の領域の面積を少な
くすることができ、表示装置を小型化することができ
る。
トリクス型EL表示装置の画素部の電源供給線に電流を
供給する電源線の配線例について説明する。
素子721を駆動する電流は、配線710a及び配線7
10bの電源線を通って、画素部711の電源供給線に
入力される。画素部711の電源供給線は、710a及
び710bの電源線により、2箇所から電流が供給され
ている。
は、画素部402の電源供給線は、412aの電源線よ
り、1箇所から電流が供給されている。本発明のアクテ
ィブマトリクス型EL表示装置において、画素部の2箇
所から画素部に電流を供給している理由を説明する。
子が一箇所にあり、画素部の一方から、電流が供給され
る場合と、外部入力端子が二箇所に分割してあり、それ
ぞれにFPC基板(第1のFPC基板及び第2のFPC
基板)が接続され、画素部の2方向から電源供給線に電
流が供給される場合の、電源線の配線例を図5に模式的
に示す。電源線として、EL素子の陽極に接続する陽極
線と、陰極に接続する陰極線を示す。図5(A)は、外
部入力端子707が一箇所にある。一方、図5(B)で
は外部入力端子707を二箇所(基板の一端及び前記基
板の一端とは異なる基板の一端近傍)に分割し、それぞ
れから、陽極線及び陽極線を画素部に配線している。
口から離れた側の電源供給線では、R1の長さの分だけ
配線抵抗が増加し、それによる電位降下のため、電源供
給線よりEL素子に印加される電圧が低下し、画質の低
下を招く。
陰極線の入力口1から離れた側に、もう一方の入力口2
を設け、入力口1及び入力口2の両方から電源供給線に
電流を供給する。これにより、配線抵抗による電圧の低
下に由来する、画質の低下を軽減することができる。
箇所に設ける際、この2つの外部入力端子間の距離を、
画素部の形成された基板の長辺の長さの1/2以上離す
ことで、配線抵抗による電圧の低下に由来する画質の低
下を軽減する効果が高まる。
合は、外部入力端子を1箇所に形成してもよい。
施例1と組み合わせて実行することが可能である。
に配線を形成する手法を用いた液晶表示装置について説
明する。
ィブマトリクス型が挙げられる。
晶表示装置の画素部の構成を示す。アクティブマトリク
ス型液晶表示装置では、各画素がそれぞれTFTを有し
ている。ゲート信号線駆動回路からの選択信号が入力さ
れるゲート信号線(G1〜Gy)は、各画素が有する画
素TFT1002のゲート電極に接続されている。ま
た、各画素の有する画素TFT1002のソース領域と
ドレイン領域は、一方がソース信号線駆動回路から信号
が入力されるソース信号線(S1〜Sx)に、他方が、
保持容量1001の一方の電極と、液晶1003を挟む
2つの電極の一方と接続されている。
ート信号線G1に接続されたすべての画素TFT100
2のゲート電極に信号が入力され、画素TFT1002
は、オンになる。画素TFT1002がオンになった画
素に、ソース信号線(S1〜Sx)から信号が入力され
ると、保持容量1001に電荷が保持され、この保持さ
れた電荷により液晶1003を挟んだ電極間に電圧が印
加される。この印加電圧により、液晶分子の配向を制御
し、透過光量を制御する。すべてのゲート信号線(G1
〜Gy)に関してこの動作を繰り返し、画像の表示を行
う。
置の液晶の封止について説明する。
極間に電圧を印加することによって、液晶の配向を制御
し、表示を行う。ここで、電極間に液晶を挟んだ状態を
保持する為、それぞれに電極が形成された2つの絶縁基
板を、それぞれの電極が向かい合う向きにシール材で接
着し、その間に液晶を封入する必要がある。
合わせて、その間に液晶を封入したところの模式図を示
す。
る。シール材301としては、エポキシ系樹脂等が用い
られる。配向膜(図示せず)を形成し、ラビング処理を
施された基板31において、画素部302及びゲート信
号線駆動回路303、ソース信号線駆動回路304を囲
むようにシール材301を形成する。この際、後に液晶
を注入する為の注入口として開口部(図示せず)をシー
ル材301の一部に形成しておく。次にスペーサー(図
示せず)を散布し、もう一方の基板32と貼り合わせ
る。
32との距離が定まったら、基板31もしくは基板32
を介して、シール材301部分に紫外線を照射したり、
熱を加えるなどして、シール材301を硬化させ、基板
31と基板32とを密着させる。
301を硬化させ、基板31と基板32とを貼り合わせ
る手法では、加圧しながら熱処理する必要があり、基板
31と基板32の熱膨張により、張り合わせの位置がず
れる問題が深刻である。また、熱硬化には時間がかかる
という問題もある。その為、熱硬化ではなく、紫外線照
射により、シール材を硬化させる工程が多く使用され
る。
し、封止材(図示せず)により液晶注入口をふさいで液
晶33が外部に流れ出てこないようにする。なお、この
封止材としては、熱硬化の材料ではなく、紫外線により
硬化する材料を用いる。これは、液晶33を注入した後
に熱を加えた場合、液晶33が劣化するのを防ぐためで
ある。
む湿気などの液晶を汚染する物質を、通過させないよう
にする働きもある。
号線駆動回路のそれぞれに入力される信号を伝達する配
線について説明する。
線駆動回路303及びソース信号線駆動回路304に入
力され、画素部302に入力される信号が構成される。
ここで、外部からゲート信号線駆動回路303及びソー
ス信号線駆動回路304に入力される信号は、画素基板
31上の外部入力端子309に貼り付けられた、FPC
基板310より入力される。FPC基板310は、外部
入力端子309において、異方性導電性膜(図示せず)
によって画素基板上に形成された配線312と接続され
る。この配線312(312a、312b)は、シール
材301の間を通ってゲート信号線駆動回路303及び
ソース信号線駆動回路304に接続されている。
いて、FPC基板310からの信号を受け取り、ゲート
信号線駆動回路303に伝達する配線である。配線31
2bは、外部入力端子309において、FPC基板31
0からの信号を受け取り、ソース信号線駆動回路304
に伝達する配線である。ここで、配線312a及び配線
312bは、画素基板31上のシール材301に覆われ
た部分(封止領域)に形成されている。
図を示す。なお、図6(A)と同じ部分は、同じ符号で
表す。
信号線駆動回路303を構成するTFT114及び画素
部302を構成する画素TFT314のみを示す。画素
部及び駆動回路を構成するTFTが形成された基板31
を画素基板と呼ぶことにする。また、画素基板上に取り
付けられた電極307を画素電極と呼ぶ。もう一方の基
板32は、対向基板と呼ぶことにする。また、対向基板
側に取り付けられた電極308を対向電極と呼ぶ。この
画素電極307や対向電極308に印加される電圧を制
御して画像の表示を行う。
画素314のゲート絶縁膜である。また、315は層間
絶縁膜、112は遮光層である。なお、ここでは配向膜
は図示していない。
レイン領域のどちらか一方が、画素電極307と接続
し、画素電極307に印加される電圧を制御している。
なお、ここでは、層間絶縁膜315は無機物質によって
形成されているものとする。
のソース配線及びドレイン配線を構成する物質と同様の
物質を用い、配線312が形成されている。
硬化する材料を用いたとする。対向基板32側から紫外
線照射しても、遮光層112があるためシール材301
を硬化させることができない。そこで、画素基板31側
から、配線312aを介して紫外線照射し、シール材3
01を硬化させる必要がある。しかし、配線312aと
して幅の広い配線を用いると、配線の陰になったシール
材704の部分は、十分に紫外線が照射されずシール材
704が十分に硬化しない可能性がある。
広い配線を用いる代わりに、図3に示した様に、複数の
配線を並列に接続したものを用いる。
m〜200μmの値をとり、複数の配線の間隔Sが50
μm〜150μmの値をとり、複数の配線の幅Lと複数
の配線の間隔Sとの比L/Sが、0.7〜1.5になる
ような形状の配線を用いる。このような形状の配線の場
合、その配線を介して照射された紫外線は、配線上部の
シール材を十分に露光し、シール材を十分に硬化するこ
とができる。
0μm以下の値を取り、複数の配線の間隔Sが、100
μm以上の値をとり、L/Sが、1.5以下の値となる
ような形状の配線の場合、その配線上部のシール材を十
分に硬化することができる。
り付けられている場合には,シール材301を硬化させ
るために対向基板32側から紫外線を照射する必要があ
る。この時は、配線312aは、照射される紫外線を遮
ることは無いので、幅の広い形状のものを用いても問題
ない。
ができる。これにより、画素部以外の領域の面積を少な
くすることができ、表示装置を小型化することができ
る。
べた構造とは異なる構造の表示装置について、図7を用
いて説明する。なお、図7において、図6と同じ部分は
同じ符号を用いて表す。
面図である。画素基板31上に画素部302及びゲート
信号線駆動回路303、ソース信号線駆動回路304が
形成されている。この周りを囲んでシール材301が形
成され、対向基板32が貼り付けられ、間に液晶33が
封入されている。FPC基板310は、外部入力端子3
09によって画素基板31上に接続されている。配線3
12aは、外部入力端子309において、FPC基板3
10からの信号を受け取り、ゲート信号線駆動回路30
3に伝達する配線である。配線312bは、外部入力端
子309において、FPC基板310からの信号を受け
取り、ソース信号線駆動回路304に伝達する配線であ
る。ここで、配線312a及び配線312bは、封止領
域に形成されている。
分を示した断面図である。ここで、図7(A)と同じ符
号は同じ部分を表す。
号線駆動回路303を構成する素子としてTFT114
のみを示す。また、画素部302を構成する素子として
画素TFT314のみを示す。画素TFT314のソー
ス領域もしくはドレイン領域のどちらか一方が、画素電
極307と接続し、画素電極307に印加される電圧を
制御している。
配線及びドレイン配線を構成する物質と同様の物質を用
い、配線312が形成されている。なお、ここでは、層
間絶縁膜315は有機物質によって形成されているもの
とする。
されているため、この有機物質上に直接、配線312を
形成すると密着性が悪い。また、有機物質から配線31
2を構成する材料に不純物が導入されて配線312が劣
化するなどの問題がある。そこで、有機物質で形成され
た層間絶縁膜315を除いて配線312を形成する必要
がある。
絶縁膜315を取り除く工程は、TFT114や画素T
FT314のソース配線及びドレイン配線を形成する
際、それらのソース領域及びドレイン領域に達するコン
タクトホールを形成する時に同時に行うことができる。
硬化する材料を用いたとする。対向基板32側から紫外
線照射しても、遮光層112があるためシール材301
を硬化させることができない。そこで、画素基板31側
から、配線312aを介して紫外線照射し、シール材3
01を硬化させる必要がある。しかし、配線312aと
して幅の広い配線を用いると、配線の陰になったシール
材704の部分は、十分に紫外線が照射されずシール材
704が十分に硬化しない可能性がある。
い配線を用いる代わりに、図3に示した様に、複数の配
線を並列に接続したものを用いる。
m〜200μmの値をとり、複数の配線の間隔Sが50
μm〜150μmの値をとり、複数の配線の幅Lと複数
の配線の間隔Sとの比L/Sが、0.7〜1.5になる
ような形状の配線を用いる。このような形状の配線の場
合、その配線を介して照射された紫外線は、配線上部の
シール材を十分に露光し、シール材を十分に硬化するこ
とができる。
0μm以下の値を取り、複数の配線の間隔Sが、100
μm以上の値をとり、L/Sが、1.5以下の値となる
ような形状の配線の場合、その配線上部のシール材を十
分に硬化することができる。
り付けられている場合には,シール材301を硬化させ
るために対向基板32側から紫外線を照射する事とな
る。この時は、配線312aは、照射される紫外線を遮
ることは無いので、幅の広い形状のものを用いても問題
ない。
ができる。これにより、画素部以外の領域の面積を少な
くすることができ、表示装置を小型化することができ
る。
て形成された表示装置を表示媒体として組み込んだ電子
機器について説明する。
ラ、デジタルカメラ、ヘッドマウントディスプレイ(ゴ
ーグル型ディスプレイ)、ゲーム機、カーナビゲーショ
ン、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末(モバイル
コンピュータ、携帯電話または電子書籍等)などが挙げ
られる。それらの一例を図8に示す。
り、本体2001、筐体2002、表示部2003、キ
ーボード2004等を含む。本発明の表示装置はパーソ
ナルコンピュータの表示部2003に用いることができ
る。
101、表示部2102、音声入力部2103、操作ス
イッチ2104、バッテリー2105、受像部2106
等を含む。本発明の表示装置はビデオカメラの表示部2
102に用いることができる。
一部(右片側)であり、本体2301、信号ケーブル2
302、頭部固定バンド2303、表示モニタ230
4、光学系2305、表示部2306等を含む。本発明
の表示装置は頭部取り付け型の表示装置の表示部230
6に用いることができる。
置(具体的にはDVD再生装置)であり、本体240
1、記録媒体(CD、LDまたはDVD等)2402、
操作スイッチ2403、表示部(a)2404、表示部
(b)2405等を含む。表示部(a)は主として画像
情報を表示し、表示部(b)は主として文字情報を表示
するが、本発明の表示装置は記録媒体を備えた画像再生
装置の表示部(a)2404、表示部(b)2405に
用いることができる。なお、記録媒体を備えた画像再生
装置としては、CD再生装置、ゲーム機器などに本発明
を用いることができる。
ータであり、本体2501、カメラ部2502、受像部
2503、操作スイッチ2504、表示部2505等を
含む。本発明の表示装置2505は携帯型(モバイル)
コンピュータの表示部2505に用いることができる。
く、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能であ
る。また、本実施例の電子機器は実施例1〜4のどのよ
うな組み合わせからなる構成を用いても実現することが
できる。
装置において、駆動回路周辺の配線が占める部分や、シ
ール材が形成された部分等、画像を表示しない部分の占
める面積が大きく、表示装置の小型化において問題とな
っていた。
動回路周辺の配線をシール材の部分にも形成することが
できる。これにより、小型の表示装置を提供することが
できる。
図。
図。
図。
図。
図。
Claims (20)
- 【請求項1】基板と、カバー材と、シール材とを有し、 前記基板上に、複数の画素と、前記複数の画素に信号を
入力するための駆動回路とを有し、 前記複数の画素はそれぞれ、EL素子を有し、 前記カバー材は、遮光性を有し、 前記シール材は、紫外線により硬化する材料を有し、 前記複数の画素と、前記駆動回路とを囲んで、前記基板
上に前記シール材を配置し、前記カバー材と前記基板と
を、前記シール材をはさんで密着させ、前記EL素子を
密封した表示装置において、 前記シール材と、前記基板との間に第1の配線が形成さ
れ、 前記第1の配線は、並列に接続された複数の第2の配線
を有することを特徴とする表示装置。 - 【請求項2】請求項1において、 前記シール材は、前記基板上に形成された無機膜に接し
ていることを特徴とする表示装置。 - 【請求項3】第1の基板と、第2の基板と、シール材と
を有し、 前記第1の基板上に、複数の画素と、前記複数の画素に
信号を入力するための駆動回路とを有し、 前記第2の基板は、遮光性を有し、 前記シール材は、紫外線により硬化する材料を有し、 前記複数の画素と、前記駆動回路とを囲んで、前記第1
の基板上にシール材を配置し、前記第2の基板と前記第
1の基板とを、前記シール材をはさんで密着させ、前記
第1の基板と、前記第2の基板と、前記シール材とによ
って囲まれた領域に、液晶を封入した表示装置におい
て、 前記シール材と前記第1の基板との間に第1の配線が形
成され、 前記第1の配線は、並列に接続された複数の第2の配線
を有することを特徴とする表示装置。 - 【請求項4】請求項3において、 前記シール材は、前記第1の基板上に形成された無機膜
に接していることを特徴とする表示装置。 - 【請求項5】請求項1乃至請求項4のいずれか一項にお
いて、 前記並列に接続された複数の第2の配線の幅Lと、前記
並列に接続された複数の第2の配線の間隔Sの比L/S
が、0.7〜1.5の値をとることを特徴とする表示装
置。 - 【請求項6】請求項1乃至請求項5のいずれか一項にお
いて、 前記並列に接続された複数の第2の配線の幅Lは、10
0μm〜200μmの値をとり、 前記並列に接続された複数の第2の配線の間隔Sは、5
0μm〜150μmの値をとることを特徴とする表示装
置。 - 【請求項7】請求項1乃至請求項6のいずれか一項にお
いて、 前記第1の配線は、前記複数の画素及び前記駆動回路が
有するTFTの、ソース配線及びドレイン配線を構成す
る物質と同じ物質で形成されていることを特徴とする表
示装置。 - 【請求項8】基板上に、複数の画素と、複数の外部入力
端子とを有し、 前記複数の画素は、EL素子を有する表示装置におい
て、 前記EL素子に電流を供給する陽極線は、前記複数の外
部入力端子に接続されていることを特徴とする表示装
置。 - 【請求項9】基板上に、複数の画素と、複数の外部入力
端子とを有し、 前記複数の画素は、EL素子を有する表示装置におい
て、 前記EL素子から電流を引き出す陰極線は、前記複数の
外部入力端子に接続されていることを特徴とする表示装
置。 - 【請求項10】請求項8もしくは請求項9において、 前記複数の外部入力端子のうち、少なくとも1つの外部
入力端子は、前記基板の一端の近傍にあり、その他の外
部入力端子は、前記基板の一端とは異なる、前記基板の
一端の近傍にあることを特徴とする表示装置。 - 【請求項11】請求項8乃至請求項10のいずれか一項
において、 前記複数の外部入力端子のうち、少なくとも1つは、第
1のFPC基板に接続され、その他は、第2のFPC基
板に接続されていることを特徴とした表示装置。 - 【請求項12】請求項8乃至請求項11のいずれか一項
において、 前記複数の外部入力端子の間の距離が、前記基板の長辺
の長さの1/2以上離れていることを特徴とする表示装
置。 - 【請求項13】基板と、前記基板上に形成された第1の
配線及び複数の画素と、遮光性を有するカバー材と、シ
ール材とを有する表示装置であって、 前記基板上に形成された複数の画素は、前記シール材及
び前記カバー材によって密封されており、 前記第1の配線は前記シール材に覆われており、 前記シール材は紫外線により硬化する材料を有してお
り、 前記第1の配線は、並列に接続された複数の第2の配線
を有することを特徴とする表示装置。 - 【請求項14】基板と、前記基板上に形成された第1の
配線及び複数の画素と、遮光性を有するカバー材と、シ
ール材とを有する表示装置であって、 前記基板上に形成された複数の画素は、前記シール材及
び前記カバー材によって密封されており、 前記複数の画素はEL素子をそれぞれ有しており、 前記第1の配線は前記シール材に覆われており、 前記シール材は紫外線により硬化する材料を有してお
り、 前記第1の配線は、並列に接続された複数の第2の配線
を有することを特徴とする表示装置。 - 【請求項15】基板と、前記基板上に形成された第1の
配線及び複数の画素と、遮光性を有するカバー材と、シ
ール材と、液晶とを有する表示装置であって、 前記基板上に形成された複数の画素と、前記液晶とは、
前記シール材及び前記カバー材によって密封されてお
り、 前記第1の配線は前記シール材に覆われており、 前記シール材は紫外線により硬化する材料を有してお
り、 前記第1の配線は、並列に接続された複数の第2の配線
を有することを特徴とする表示装置。 - 【請求項16】請求項1乃至請求項15のいずれか一項
に記載の前記表示装置を用いることを特徴とするビデオ
カメラ。 - 【請求項17】請求項1乃至請求項15のいずれか一項
に記載の前記表示装置を用いることを特徴とする画像再
生装置。 - 【請求項18】請求項1乃至請求項15のいずれか一項
に記載の前記表示装置を用いることを特徴とするヘッド
マウントディスプレイ。 - 【請求項19】請求項1乃至請求項15のいずれか一項
に記載の前記表示装置を用いることを特徴とする携帯電
話。 - 【請求項20】請求項1乃至請求項15のいずれか一項
に記載の前記表示装置を用いることを特徴とする携帯情
報端末。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001220774A JP4671551B2 (ja) | 2000-07-25 | 2001-07-23 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000223488 | 2000-07-25 | ||
JP2000-223488 | 2000-07-25 | ||
JP2001220774A JP4671551B2 (ja) | 2000-07-25 | 2001-07-23 | 表示装置 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010129046A Division JP4672085B2 (ja) | 2000-07-25 | 2010-06-04 | 表示装置及びその作製方法 |
JP2010224639A Division JP4897079B2 (ja) | 2000-07-25 | 2010-10-04 | 表示装置及び電子機器 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002110343A true JP2002110343A (ja) | 2002-04-12 |
JP2002110343A5 JP2002110343A5 (ja) | 2007-12-06 |
JP4671551B2 JP4671551B2 (ja) | 2011-04-20 |
Family
ID=26596609
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4671551B2 (ja) |
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Date | Code | Title | Description |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A02 | Decision of refusal |
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|
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|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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