JP2001236025A - 発光装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 72
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 25
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 25
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 14
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 abstract description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 64
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 6
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 5
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- KOPBYBDAPCDYFK-UHFFFAOYSA-N caesium oxide Chemical compound [O-2].[Cs+].[Cs+] KOPBYBDAPCDYFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001942 caesium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
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- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/14—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices
- H01L31/147—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
- H01L31/153—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers formed in, or on, a common substrate
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K1/0298—Multilayer circuits
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- H10K59/10—OLED displays
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- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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Abstract
の基板)101に向かい合ってプリント配線板(第2の
基板)107が設けられる。プリント配線板107上の
PWB側配線(第2の配線群)110は異方導電性フィ
ルム105a、105bにより素子側配線(第1の配線
群)103、104と電気的に接続される。このとき、
PWB側配線110として低抵抗な銅箔を用いるため、
素子側配線103、104の電圧降下や信号遅延を低減
することができ、画質の均質性の向上及び駆動回路部の
動作速度の向上が図れる。
Description
料を挟んだ素子(以下、発光素子という)を有する装置
(以下、発光装置という)及びその作製方法に関する。
特に、EL(Electro Luminescence)が得られる発光性
材料(以下、EL材料という)を用いた発光装置に関す
る。
料は、一重項励起もしくは三重項励起または両者の励起
を経由して発光(燐光および/または蛍光)するすべて
の発光性材料を含む。
発光素子(以下、EL素子という)を用いた発光装置
(EL表示装置)の開発が進んでいる。EL表示装置は
発光素子自体に発光能力があるため、液晶ディスプレイ
のようなバックライトが不要である。さらに視野角が広
く、軽量であり、且つ、低消費電力という利点をもつ。
の間にEL材料を挟んだ構造のEL素子を有した構造か
らなる。この陽極と陰極との間に電圧を加えてEL材料
中に電流を流することによりキャリアを再結合させて発
光させる。このような駆動方法は電流駆動と呼ばれる。
問題となる現象に配線抵抗による電圧降下(IRドロッ
プともいう)がある。これは同一配線であっても電源か
らの距離が遠くなるに従って電圧が低下してしまうとい
う現象である。この問題は特に配線長が長くなった場合
に顕著であり、EL表示装置の大画面化にとって大きな
障害となっている。
はシリコンなどの材料を用いる場合は配線抵抗の影響を
受けやすく、画質の均質性を大幅に落とす原因となりう
る。また、アルミニウムや銅などの低抵抗な材料を用い
た場合においても、引き回しの距離が長くなればやはり
同様のことが言える。
説明する。図2に示したのはアクティブマトリクス型E
L表示装置の画素部の一部であり、図面の上下方向にA
1、A2…Anで示されるn個の画素が配列されている。
ここで201はゲート配線、202はソース配線、20
3は電流供給線である。また、ゲート配線201、ソー
ス配線202及び電流供給線203で囲まれた領域に
は、スイッチング用TFT204、保持容量205、電
流制御用TFT206及びEL素子207が形成されて
いる。
響により図面の下方にいくほど電圧が下がる。即ち、画
素部の上方ではV1であった電圧が画素部の下方ではV2
となり、V1>V2の関係となる。この影響は画素部(画
像表示領域)の面積が大きくなるほど顕著となる。
発光させた場合において、A1で示される画素とA2で示
される画素はほぼ同じ輝度で発光するが、Anで示され
る画素はA1で示される画素とA2で示される画素に比べ
て輝度が低下することになる。これはAnで示される画
素のEL素子に加わる電圧が電圧降下によって低下した
ことに起因する。
給線203だけでなくゲート配線201やソース配線2
02に対しても与えられる。即ち、ゲート配線201は
電圧降下によってスイッチング用TFT204のゲート
を開くことができなくなる恐れがある。また、ソース配
線202は電圧降下によって所望の電圧を電流制御用T
FT206のゲートに加えることができなくなり、EL
素子の輝度が変化してしまったり発光しなかったりする
恐れがある。
下によって所望の電圧を伝達することが不可能となり、
その結果として画素部において画質の均質性を著しく損
ねるといった不具合を生じる。こういった問題を配線の
両端から電圧を加えるなどの工夫により改善しようとす
る試みがなされている。しかしながら、配線を長く引き
まわすことになるため結局は電圧降下の影響を無視でき
ない。
はゲート駆動回路及びソース駆動回路を含む)を一体形
成したモノリシック型の発光装置を形成する場合、駆動
回路部と電気信号の入力端子との間を引き回す配線の配
線抵抗が問題となる。配線抵抗は電気信号の遅延を招
き、ゲート駆動回路やソース駆動回路の動作速度を低下
させてしまう恐れがある。
下や信号の遅延によって画質の均質性を著しく損ねた
り、駆動回路部の動作速度が極端に低下したりするとい
った不具合を生じる。こういった問題は、対角数十イン
チといった大画面の発光装置においては特に顕著な問題
となる。
な配線抵抗に起因する電圧降下の影響を抑え、発光装置
の画質を均質なものとすることを課題とする。また、駆
動回路部と入出力端子とを電気的に接続する配線の遅延
を抑え、駆動回路部の動作速度を向上させることを課題
とする。
光素子の形成された基板(以下、素子形成基板または第
1の基板という)と硬度の大きいプリント配線板(PW
B:Printed wiring board)とを導電体(異方導電性フ
ィルムまたはバンプ)により電気的に接続した構造から
なり、素子形成基板に形成された各種配線(第1の配線
群)の抵抗を低減していることを特徴とする。
下、プリント配線板または第2の基板という)とは、多
少の衝撃では屈曲したり湾曲したりしない程度の硬度を
有するプリント配線板を指し、典型的にはガラス布−エ
ポキシ、ガラス布−耐熱エポキシ、セラミックス、アル
ミナ、紙ベース−フェノールもしくは紙ベース−エポキ
シから選ばれた材料で形成されたプリント配線板をい
う。また、透光性のガラス基板、石英基板もしくはプラ
スチック基板を用いることも可能である。
に、上面図を図1(B)に示す。なお、図1(B)をA
−A’で切断した断面図が図1(A)に相当する。
り、その上に発光素子(代表的にはEL素子もしくは半
導体ダイオード素子)102、発光素子102に電気信
号を伝送する配線(以下、素子側配線という)103、
104が形成されている。これらが上述の素子形成基板
に相当する。なお、基板101としては、ガラス基板、
石英基板、プラスチック基板、シリコン基板、セラミッ
クス基板もしくは金属基板を用いることが可能である。
の上には導電体105a、105bが設けられ、導電体1
05a、105bを介してプリント配線板107が電気的
に接続されている。なお、106aと106bは素子形成
基板101とプリント配線板107を接着するためのシ
ール剤である。
面、裏面もしくは内部に配線群(第2の配線群)が形成
されている。本明細書では異なる二層以上に配線が形成
されている場合を多層配線(または積層配線)と呼び、
表面、裏面もしくは内部のいずれか一層しか形成されて
いない場合を単層配線と呼ぶ。本発明においてプリント
配線板107は多層配線であっても単層配線であっても
良い。
は、異方導電性フィルム、導電性ペーストもしくはバン
プを用いることができる。バンプとしては、代表的に、
はんだバンプ、金バンプ、ニッケルバンプもしくは銅バ
ンプを用いることができる。また、導電性ペーストとし
ては銀やニッケル等の金属粒子を分散させた樹脂を用い
ることができる。
FPC(Flexible Printed circuit)108が取り付け
られ、さらに異方導電性フィルム109に伝送されてき
た電気信号を導電体105a、105bに伝送するための
配線(以下、PWB側配線または第2の配線群という)
110が1〜20μmの厚さで形成されている。PWB
側配線108としては、代表的には銅箔、金箔、銀箔、
ニッケル箔もしくはアルミニウム箔からなるパターンが
用いられる。なお、FPCも広義にはプリント配線板で
あるが、本発明におけるプリント配線板の定義には含ま
ない。
は、FPC108に伝送されてきた電気信号を、PWB
側配線108により導電体105a、105bに伝送し、
素子側配線103、104を介して発光素子102に伝
送することができる。このとき、PWB側配線108が
非常に低抵抗な配線であるため配線抵抗に起因する電圧
降下を大幅に抑制することができ、素子側配線103、
104にほぼ等しい電気信号を伝送することが可能であ
る。また、同様にPWB側配線108の配線抵抗が小さ
いために信号遅延も大幅に抑制され、駆動回路の動作速
度が低下するといった不具合を改善することが可能であ
る。
料として、ガラス布−エポキシ、ガラス布−耐熱エポキ
シ、セラミックス、アルミナ、紙ベース−フェノールも
しくは紙ベース−エポキシから選ばれた材料を用い、プ
リント配線板107に耐衝撃性を持たせる点にも特徴が
ある。その結果、発光素子を外部の衝撃から保護するこ
とが可能となり、信頼性の高い発光装置を得ることがで
きる。
てEL表示装置を作製した場合について説明する。本発
明を用いて作製したEL表示装置の上面図を図3に示
す。
(A)及び図3(B)に、断面図を図3(C)に示す。
図3(A)及び図3(B)に示す上面図をA−A’で切
断した断面図が図3(B)である。また、本実施の形態
ではプリント配線板が二層構造からなり、各々の層を図
3(A)及び図3(B)に示すこととする。
配線板であり、その上に電流供給線を補助するための配
線(以下、電流供給補助線という)301が形成されて
いる。本明細書において電流供給線とは、EL素子に流
す電流を各EL素子へ供給するための配線であり、電流
供給線を補助するための配線とは、電流供給線の配線抵
抗を見かけ上低減するために電流供給線に並列接続させ
た配線である。
回路、303a及び303bで示される点線はゲート駆動
回路、304で示される点線は画素部を示している。こ
れらの駆動回路及び画素部は素子形成基板330(図3
(C)参照)に形成されている。さらに、305で示さ
れる太い点線は、素子形成基板に形成された電流供給線
である。このとき、電流供給補助線301はコンタクト
部306において導電体307に電気的に接続され、さ
らにその導電体307を介して電流供給線305に電気
的に接続される。
には銅箔等の低抵抗な材料からなる電流供給補助線30
1が形成され、それがコンタクト部306を介して素子
形成基板330上の電流供給線305と電気的に接続し
ている。これにより電流供給線305のいずれの位置に
おいても電位を等しくすることが可能となり、電流供給
線305の電圧降下を大幅に抑制することができる。
リント配線板であり、その上にゲート用制御配線を補助
するための配線(以下、ゲート用制御補助線という)3
11が形成されている。本明細書においてゲート用制御
配線とは、ゲート駆動回路の電源信号、クロック信号も
しくはスタート信号を伝送するための配線であり、ゲー
ト用制御配線を補助するための配線とは、ゲート用制御
配線の配線抵抗を見かけ上低減するためにゲート用制御
配線に並列接続させた配線である。
形成基板に形成されたゲート用制御配線である。このと
き、ゲート用制御補助線311はコンタクト部313を
介して導電体314に電気的に接続され、さらに導電体
314を介してゲート用制御配線315に電気的に接続
される。
には銅箔等の低抵抗な材料からなるゲート用制御補助線
311が形成され、それがコンタクト部313を介して
素子形成基板330上のゲート用制御配線312と電気
的に接続している。これによりゲート用制御配線312
のいずれの位置においても電位を等しくでき、ゲート用
制御配線312の電圧降下を大幅に抑制することができ
る。
板300と第2プリント配線板310とを貼り合わせた
もの(プリント配線板320と示す)を、シール剤33
1により素子形成基板330と貼り合わせる。また、第
1プリント配線板300もしくは第2プリント配線板3
10と、素子形成基板330とは導電体307や314
により電気的に接続されている。なお、導電体307や
314を設ける位置に制限はない。
20と素子形成基板330との間隔(ギャップ)は異方
導電性フィルム、導電性ペーストもしくはバンプの高さ
で規定される。この間隔は5μm〜1mm(好ましくは
10〜100μm)とすることが望ましい。間隔が狭す
ぎるとプリント配線板320と発光素子とが接触してし
まい、広すぎると異方導電性フィルム、導電性ペースト
もしくはバンプによるギャップの確保が困難になるから
である。なお、液晶で用いられるスペーサもしくはフィ
ラーを間隔の確保に用いても良い。
線板320との間の密閉空間321には、不活性ガス
(好ましくはアルゴンガス、ネオンガス、窒素ガスもし
くはヘリウムガス)もしくは樹脂を充填すれば良い。樹
脂としては、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂、シリコーン
樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、
フェノール樹脂、PVC(ポリビニルクロライド)、P
VB(ポリビニルブチラル)またはEVA(エチレンビ
ニルアセテート)を用いると良い。
性材料(代表的には酸化バリウムもしくは酸化セシウ
ム)を密閉空間321の内部に設けることは有効であ
る。
題となりやすい電流供給線305やゲート用制御配線3
12に、プリント配線板に設けた低抵抗な配線パターン
を電気的に接続させる点である。これにより電流供給線
305やゲート用制御配線312の配線抵抗により生じ
る電圧降下を抑制することができ、均質な画像表示の可
能なEL表示装置を作製することができる。
作製したアクティブマトリクス型EL表示装置について
図4(A)、(B)を用いて説明する。図4(A)は、
EL素子の形成された素子形成基板(図4(B)にて4
00で示される)の上面図である。点線で示された40
1はソース駆動回路、402はゲート駆動回路、403
は画素部である。
の上にはPWB側配線405が形成されている。また、
406で示される点線は第1シール材であり、第1シー
ル材406で囲まれた内側ではプリント配線板404と
素子形成基板400との間に樹脂(図4(B)にて40
7で示される)が設けられている。なお、本実施例では
樹脂407に吸湿性物質として酸化バリウム(図4
(B)にて408で示される)が添加されている。
形成基板400に形成された接続配線410a〜410c
とを電気的に接続するコンタクト部である。外部機器と
の接続端子となるFPC(フレキシブルプリントサーキ
ット)411から入力されたビデオ信号やクロック信号
等の電気信号は、PWB側配線405に伝送され、コン
タクト部409を介して電流供給線に伝送される。
断面に相当する断面図を図4(B)に示す。なお、図4
(A)、(B)では同一の部位に同一の符号を用いてい
る。図4(B)に示すように、基板400上には画素部
403、ソース側駆動回路401が形成されており、画
素部403はEL素子に流れる電流を制御するためのT
FT(以下、電流制御用TFTという)431とそのド
レインに電気的に接続された画素電極432を含む複数
の画素により形成される。また、ソース側駆動回路40
1はnチャネル型TFT433とpチャネル型TFT4
34とを相補的に組み合わせたCMOS回路を用いて形
成される。
は酸化インジウムと酸化スズとの化合物からなる膜)で
形成され、EL素子の陽極として機能する。また、画素
電極432の両端には絶縁膜435が形成され、さらに
赤色に発光する発光層436a、緑色に発光する発光層
436b、青色に発光する発光層(図示せず)が形成さ
れる。その上にはEL素子の陽極437が遮光性導電膜
(本実施例ではリチウムとアルミニウムとの合金膜)で
もって形成される。
の如何なる手段を用いても良いし、材料として有機材料
または無機材料を用いることができる。また、発光層だ
けでなく電子注入層、電子輸送層、正孔輸送層もしくは
正孔注入層などを組み合わせた積層構造としても良い。
素に共通の配線としても機能し、接続配線410a、4
10cに電気的に接続される。また、接続配線410a〜
410cは異方導電性フィルム440a〜440cにより
PWB側配線405に電気的に接続される。さらに、P
WB側配線405はFPC411に電気的に接続されて
いるため、結果的に接続配線410a〜410cとFPC
411とが電気的に接続されることになる。
ディスペンサー等で形成し、スペーサ(図示せず)を撒
布してプリント配線板404を貼り合わせる。そして、
素子形成基板400、プリント配線板404及び第1シ
ール材406で囲まれた領域内に樹脂407を充填して
いる。本実施例では吸湿性物質として酸化バリウムを樹
脂に添加して用いるが、塊状に分散させて樹脂中に封入
することもできる。また、図示されていないがスペーサ
の材料として吸湿性物質を用いることも可能である。
により硬化させた後、第1シール材406に形成された
開口部(図示せず)を塞ぐ。さらに、第1シール材40
6、プリント配線板404及びFPC411の一部を覆
うように第2シール材412を設ける。第2シール材4
12は第1シール材406と同様の材料を用いれば良
い。
407に封入することにより、EL素子を外部から完全
に遮断することができ、外部から水分や酸素等の有機材
料の酸化を促す物質が侵入することを防ぐことができ
る。従って、信頼性の高いEL表示装置を作製すること
ができる。
に設けられた電流供給線やゲート用制御配線の配線抵抗
により生じる電圧降下を抑制することができ、均質な画
像表示の可能なEL表示装置を作製することができる。
て作製したパッシブマトリクス型EL表示装置について
図5を用いて説明する。なお、図5(A)は上面図を、
図5(B)は図5(A)をA−A’で切断した断面図を
示している。
クからなる素子形成基板、502は酸化インジウムと酸
化亜鉛との化合物からなる陽極である。本実施例では、
陽極502を蒸着法により形成する。なお、図5では図
示されていないが、複数本の陰極が紙面に平行な方向へ
ストライプ状に配列されている。
2と直交するように絶縁膜503が形成される。また、
この絶縁膜503は陽極502の各々を絶縁分離するた
めに陽極502の隙間にも設けられる。そのため、絶縁
膜503を上面から見るとマトリクス状にパターニング
されている。
バンク504が形成される。バンク504は陽極502
に直交するように、紙面に垂直な方向に形成されてい
る。また、形状は逆三角形状(逆テーパー形状)に加工
される。なお、二層構造にして上層が下層に対してひさ
し状に乗った構造としても良い。
からなる陰極506が連続的に形成される。発光層50
5が水分や酸素に弱いため、真空中または不活性雰囲気
中で両者を連続的に成膜することが望ましい。発光層5
05は公知の如何なる材料であっても良いが、成膜の簡
便性からポリマー系有機材料が好ましい。また、陰極5
06は蒸着法で設けることが好ましい。発光層505及
び陰極506どちらもはバンク504によって形成され
た溝に沿って形成され、紙面に垂直な方向にストライプ
状に配列される。
506との間にバッファ層として正孔輸送層や正孔注入
層を設けることは有効である。正孔注入層としては銅フ
タロシアニン、ポリチオフェン、PEDOT等を用いる
ことができる。
にEL素子を形成する。なお、本実施例では下側の電極
が透光性の陽極となっているため、発光層505で発生
した光は紙面において下面側(素子形成側基板501の
方向)に放射される。
内部に設けられた異方導電性フィルム508a、508b
によりプリント配線板510に形成されたPWB側配線
511に電気的に接続される。本実施例ではPWB側配
線511をプリント配線板510の表面に設けた配線5
11a、内部に設けた配線511b及び裏面に設けた配線
511cの三層構造としている。また、プリント配線板
510としては、図1の説明で用いた材料を用いること
ができる。
ント配線板510の表面に設けた配線511aとプリン
ト配線板510の内部に設けた配線511bとは互いに
直交するように形成されている。また、プリント配線板
510の表面に設けた配線511aは陽極502に電気
的に接続され、プリント配線板510の裏面に設けた配
線511bは陰極506に電気的に接続される。また、
プリント配線板510の表面に設けた配線511aは、
FPC512に電気的に接続され、外部機器からの信号
を伝送する。
リント配線板510との間に樹脂513及び樹脂513
に添加された吸湿性物質514を設けることによってE
L素子を酸素や水分から保護している。勿論、樹脂を充
填するのではなく、不活性ガスを充填して空間としても
良い。さらに、本実施例では、プリント配線板510全
体を第2シール材515で覆うことでEL素子の劣化を
抑制する。
508に封入することにより、EL素子を外部から完全
に遮断することができ、外部から水分や酸素等の有機材
料の酸化を促す物質が侵入することを防ぐことができ
る。従って、信頼性の高いEL表示装置を作製すること
ができる。
に設けられた陽極や陰極の配線抵抗により生じる電圧降
下を抑制することができ、均質な画像表示の可能なEL
表示装置を作製することができる。
たEL表示装置の構造の変形例を示す。説明には図6を
用いるが、素子形成側基板400上に形成されたTFT
やEL素子の構造は図4と同一であるので、異なる部分
に符号を付して説明する。
成されたら、さらに陰極437を覆って厚さ50〜50
0nm(好ましくは300〜400nm)のパッシベー
ション膜601を形成する。パッシベーション膜601
としては、酸化タンタル膜、窒化シリコン膜、酸化シリ
コン膜、窒化酸化シリコン膜もしくはこれらを組み合わ
せた積層膜を用いれば良い。成膜方法はEL素子が劣化
しないように150℃以下の温度で気相成膜を行うこと
が望ましい。
によってEL素子の封入を完了する。即ち、パッシベー
ション膜601によって外部の酸素や水分からEL素子
を保護し、EL表示装置の信頼性を向上させる点に特徴
がある。従って、図4ではEL素子を保護するために樹
脂407で封入するといった構造を用いたが、本実施例
では特にそのような封入を行う必要がなく、EL表示装
置の構造を簡略化することができる。
02bは接続配線410a、410cとプリント配線板6
03上に形成されたPWB側配線604とを電気的に接
続するだけでなく、素子形成側基板400とプリント配
線板603との間隔を決定するスペーサとしての役割も
担う。勿論、別途スペーサを設けても良い。
シベーション膜601によって保護することにより、E
L素子を外部から完全に遮断することができ、外部から
水分や酸素等の有機材料の酸化を促す物質が侵入するこ
とを防ぐことができる。従って、信頼性の高いEL表示
装置を作製することができる。
に設けられた電流供給線やゲート用制御配線の配線抵抗
により生じる電圧降下を抑制することができ、均質な画
像表示の可能なEL表示装置を作製することができる。
組み合わせることが可能である。
したEL表示装置の構造の変形例を示す。説明には図7
を用いるが、素子形成側基板400上に形成されたTF
TやEL素子の構造は基本的には図4と同一であるの
で、異なる部分に符号を付して説明する。
逆であり、画素電極(陰極)701として遮光性導電膜
(本実施例ではアルミニウム合金膜)を用い、陽極70
2として透明導電膜(本実施例では酸化インジウムと酸
化亜鉛との化合物膜)を用いている。そのため、発光方
向は図面の上方に向かう方向(矢印の方向)となる。
3によりカバー材704を貼り合わせ、内側に吸湿性物
質705を添加した樹脂706を設ける。カバー材70
4としては透光性の材料を用いることができ、樹脂フィ
ルム、樹脂基板、プラスチック基板、ガラス基板もしく
は石英基板を用いれば良い。
ビアホールを形成し、接続配線707a、707bを形成
する。さらに、接続配線707a、707bは、金、半田
もしくはニッケルからなるバンプ708a、708bを介
してプリント配線板709に形成されたPWB側配線7
10に電気的に接続される。また、PWB側配線710
はFPC711に電気的に接続される。なお、712は
素子形成側基板400とプリント配線板709とを貼り
合わせるための樹脂であるが、これを設けない構成とす
ることも可能である。
板に設けられた電流供給線やゲート用制御配線の配線抵
抗により生じる電圧降下を抑制することができ、均質な
画像表示の可能なEL表示装置を作製することができ
る。
用いた発光装置を例にして説明してきたが、本発明はE
C(エレクトロクロミクス)表示装置、フィールドエミ
ッションディスプレイ(FED)または半導体を用いた
発光ダイオードを有する発光装置に用いることも可能で
ある。
光装置は、自発光型であるため液晶表示装置に比べて明
るい場所での視認性に優れ、しかも視野角が広い。従っ
て、様々な電気器具の表示部として用いることができ
る。例えば、TV放送等を大画面で鑑賞するには対角2
0〜60インチのディスプレイとして本発明の発光装置
を筐体に組み込んだディスプレイを用いるとよい。
プレイには、パソコン用ディスプレイ、TV放送受信用
ディスプレイ、広告表示用ディスプレイ等の全ての情報
表示用ディスプレイが含まれる。また、その他にも様々
な電気器具の表示部として本発明の発光装置を用いるこ
とができる。
オカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ
(ヘッドマウントディスプレイ)、ナビゲーションシス
テム、音響再生装置(カーオーディオ、オーディオコン
ポ等)、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機
器、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話、
携帯型ゲーム機または電子書籍等)、記録媒体を備えた
画像再生装置(具体的にはデジタルバーサタイルディス
ク(DVD)等の記録媒体を再生し、その画像を表示し
うるディスプレイを備えた装置)などが挙げられる。特
に、斜め方向から見ることの多い携帯情報端末は視野角
の広さが重要視されるため、EL表示装置を用いること
が望ましい。それら電気器具の具体例を図8、図9に示
す。
ディスプレイであり、筐体2001、支持台2002、
表示部2003等を含む。本発明は表示部2003に用
いることができる。このようなディスプレイは発光型で
あるためバックライトが必要なく、液晶ディスプレイよ
りも薄い表示部とすることができる。
101、表示部2102、音声入力部2103、操作ス
イッチ2104、バッテリー2105、受像部2106
等を含む。本発明の発光装置は表示部2102に用いる
ことができる。
プレイの一部(右片側)であり、本体2201、信号ケ
ーブル2202、頭部固定バンド2203、表示部22
04、光学系2205、発光装置2206等を含む。本
発明は発光装置2206に用いることができる。
置(具体的にはDVD再生装置)であり、本体230
1、記録媒体(DVD等)2302、操作スイッチ23
03、表示部(a)2304、表示部(b)2305等
を含む。表示部(a)は主として画像情報を表示し、表
示部(b)は主として文字情報を表示するが、本発明の
発光装置はこれら表示部(a)、(b)に用いることが
できる。なお、記録媒体を備えた画像再生装置には家庭
用ゲーム機器なども含まれる。
ータであり、本体2401、カメラ部2402、受像部
2403、操作スイッチ2404、表示部2405等を
含む。本発明の発光装置は表示部2405に用いること
ができる。
り、本体2501、筐体2502、表示部2503、キ
ーボード2504等を含む。本発明の発光装置は表示部
2503に用いることができる。
ば、出力した画像情報を含む光をレンズや光ファイバー
等で拡大投影してフロント型若しくはリア型のプロジェ
クターに用いることも可能となる。
を消費するため、発光部分が極力少なくなるように情報
を表示することが望ましい。従って、携帯情報端末、特
に携帯電話や音響再生装置のような文字情報を主とする
表示部に発光装置を用いる場合には、非発光部分を背景
として文字情報を発光部分で形成するように駆動するこ
とが望ましい。
2601、音声出力部2602、音声入力部2603、
表示部2604、操作スイッチ2605、アンテナ26
06を含む。本発明の発光装置は表示部2604に用い
ることができる。なお、表示部2604は黒色の背景に
白色の文字を表示することで携帯電話の消費電力を抑え
ることができる。
にはカーオーディオであり、本体2701、表示部27
02、操作スイッチ2703、2704を含む。本発明
の発光装置は表示部2702に用いることができる。ま
た、本実施例では車載用オーディオを示すが、携帯型や
家庭用の音響再生装置に用いても良い。なお、表示部2
704は黒色の背景に白色の文字を表示することで消費
電力を抑えられる。これは携帯型の音響再生装置におい
て特に有効である。
く、あらゆる分野の電気器具に用いることが可能であ
る。また、本実施例の電気器具は実施例1〜5に示した
いずれの構成の発光装置を用いても良い。
する電気器具を屋外で使う場合、当然暗い所で見る場合
も明るい所で見る場合もある。このとき、暗い所ではさ
ほど輝度が高くなくても十分に認識できるが、明るい所
では輝度が高くないと認識できない場合がありうる。
電流量または電圧に比例して変化するため、輝度を高く
する場合は消費電力も増してしまう。しかし、発光輝度
をそのような高いレベルに合わせてしまうと、暗い所で
は消費電力ばかり大きくで必要以上に明るい表示となっ
てしまうことになる。
置に外部の明るさをセンサーで感知して、明るさの程度
に応じて発光輝度を調節する機能を持たせることは有効
である。即ち、明るい所では発光輝度を高くし、暗い所
では発光輝度を低くする。その結果、消費電力の増加を
防ぐとともに観測者に疲労感を与えない発光装置を実現
することができる。
しては、CMOSセンサーやCCD(チャージカップル
ドデバイス)を用いることができる。CMOSセンサー
は公知の技術を用いて発光素子の形成された基板上に一
体形成することもできるし、半導体チップを外付けして
も良い。また、CCDを形成した半導体チップを発光素
子の形成された基板に取り付けても良いし、発光装置を
表示部として用いた電気器具の一部にCCDやCMOS
センサーを設ける構造としても構わない。
によって得られた信号に応じて、発光素子を動作させる
電流量または電圧を変えるための制御回路を設け、それ
により外部の明るさに応じて発光素子の発光輝度を調節
しうる。なお、このような調節は自動で行われるように
しても良いし、手動で行えるようにしても良い。
たどの電気器具においても実施することが可能である。
ブマトリクス型の発光装置において、配線抵抗により生
じる電圧降下や信号遅延を低減し、駆動回路部の動作速
度の向上及び画素部における画像の均質性を向上させる
ことができる。
図。
図。
Claims (8)
- 【請求項1】発光素子及び該発光素子に電気的に接続さ
れた第1の配線群を有した第1の基板、端子部及び該端
子部に電気的に接続された第2の配線群を有した第2の
基板並びに前記第1の配線群及び前記第2の配線群を電
気的に接続する導電体を有することを特徴とする発光装
置。 - 【請求項2】発光素子及び該発光素子に電気的に接続さ
れた第1の配線群を有した第1の基板、端子部及び該端
子部に電気的に接続された第2の配線群を有した第2の
基板、前記第1の配線群及び前記第2の配線群を電気的
に接続する導電体、並びに前記第1の基板及び前記第2
の基板を貼り合わせるシール剤を有することを特徴とす
る発光装置。 - 【請求項3】発光素子及び該発光素子に電気的に接続さ
れた第1の配線群を有した第1の基板、端子部及び該端
子部に電気的に接続された第2の配線群を有した第2の
基板、前記第1の配線群及び前記第2の配線群を電気的
に接続する導電体、並びに前記第1の基板及び前記第2
の基板を貼り合わせるシール剤を有し、前記第1の基板
及び前記第2の基板の間には樹脂が充填されていること
を特徴とする発光装置。 - 【請求項4】請求項1乃至請求項3のいずれか一におい
て、前記発光素子とはEL素子であることを特徴とする
発光装置。 - 【請求項5】請求項1乃至請求項3のいずれか一におい
て、前記第2の配線群は銅、銀、金、アルミニウムもし
くはニッケルからなる金属膜又は銅、銀、金、アルミニ
ウムもしくはニッケルを主成分とする合金膜からなるこ
とを特徴とする発光装置。 - 【請求項6】請求項1乃至請求項3のいずれか一におい
て、前記第2の配線群は銅、銀、金、アルミニウムもし
くはニッケルから選ばれた異なる二種類以上の元素から
なる金属膜を積層してなることを特徴とする発光装置。 - 【請求項7】請求項1乃至請求項3のいずれか一におい
て、前記第2の配線群は前記第2の基板の表面、裏面も
しくは内部に形成されていることを特徴とする発光装
置。 - 【請求項8】請求項1乃至請求項3のいずれか一におい
て、前記第2の基板には前記第2の配線群に被覆された
ビアホールが形成されていることを特徴とする発光装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000379725A JP4727035B2 (ja) | 1999-12-15 | 2000-12-14 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1999356736 | 1999-12-15 | ||
JP35673699 | 1999-12-15 | ||
JP11-356736 | 1999-12-15 | ||
JP2000379725A JP4727035B2 (ja) | 1999-12-15 | 2000-12-14 | 発光装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011052451A Division JP5094983B2 (ja) | 1999-12-15 | 2011-03-10 | 発光装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001236025A true JP2001236025A (ja) | 2001-08-31 |
JP2001236025A5 JP2001236025A5 (ja) | 2007-12-13 |
JP4727035B2 JP4727035B2 (ja) | 2011-07-20 |
Family
ID=18450523
Family Applications (8)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000379725A Expired - Fee Related JP4727035B2 (ja) | 1999-12-15 | 2000-12-14 | 発光装置 |
JP2011052451A Expired - Fee Related JP5094983B2 (ja) | 1999-12-15 | 2011-03-10 | 発光装置 |
JP2011247238A Expired - Lifetime JP5492862B2 (ja) | 1999-12-15 | 2011-11-11 | 発光装置 |
JP2012238837A Withdrawn JP2013057958A (ja) | 1999-12-15 | 2012-10-30 | 発光装置 |
JP2014151370A Expired - Fee Related JP5997731B2 (ja) | 1999-12-15 | 2014-07-25 | 発光装置 |
JP2016073892A Expired - Lifetime JP6352328B2 (ja) | 1999-12-15 | 2016-04-01 | 発光装置 |
JP2017095432A Withdrawn JP2017174826A (ja) | 1999-12-15 | 2017-05-12 | 発光装置 |
JP2018132823A Withdrawn JP2018189979A (ja) | 1999-12-15 | 2018-07-13 | 発光装置 |
Family Applications After (7)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011052451A Expired - Fee Related JP5094983B2 (ja) | 1999-12-15 | 2011-03-10 | 発光装置 |
JP2011247238A Expired - Lifetime JP5492862B2 (ja) | 1999-12-15 | 2011-11-11 | 発光装置 |
JP2012238837A Withdrawn JP2013057958A (ja) | 1999-12-15 | 2012-10-30 | 発光装置 |
JP2014151370A Expired - Fee Related JP5997731B2 (ja) | 1999-12-15 | 2014-07-25 | 発光装置 |
JP2016073892A Expired - Lifetime JP6352328B2 (ja) | 1999-12-15 | 2016-04-01 | 発光装置 |
JP2017095432A Withdrawn JP2017174826A (ja) | 1999-12-15 | 2017-05-12 | 発光装置 |
JP2018132823A Withdrawn JP2018189979A (ja) | 1999-12-15 | 2018-07-13 | 発光装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (9) | US6894431B2 (ja) |
EP (1) | EP1109224B1 (ja) |
JP (8) | JP4727035B2 (ja) |
KR (1) | KR100687087B1 (ja) |
CN (3) | CN100514668C (ja) |
DE (1) | DE60044419D1 (ja) |
TW (1) | TW465122B (ja) |
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---|---|---|---|---|
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- 2000-11-29 TW TW089125380A patent/TW465122B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-12-07 US US09/732,049 patent/US6894431B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-12 KR KR1020000075431A patent/KR100687087B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-12-14 JP JP2000379725A patent/JP4727035B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-12-15 CN CNB2006101014134A patent/CN100514668C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2000-12-15 CN CN200510059434XA patent/CN1662107B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2000-12-15 EP EP00127536A patent/EP1109224B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-15 DE DE60044419T patent/DE60044419D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-15 CN CNB001307800A patent/CN1204624C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-03-17 US US11/083,189 patent/US7145289B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-07-11 US US11/484,195 patent/US7514864B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-04-01 US US12/416,356 patent/US8049419B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-03-10 JP JP2011052451A patent/JP5094983B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-10-28 US US13/284,031 patent/US8319424B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-11-11 JP JP2011247238A patent/JP5492862B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2012
- 2012-10-30 JP JP2012238837A patent/JP2013057958A/ja not_active Withdrawn
- 2012-11-21 US US13/683,593 patent/US8716933B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-04-17 US US14/255,394 patent/US9368517B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2014-07-25 JP JP2014151370A patent/JP5997731B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
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- 2016-04-01 JP JP2016073892A patent/JP6352328B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2016-05-26 US US15/165,169 patent/US9515098B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2016-11-30 US US15/364,604 patent/US9843015B2/en not_active Expired - Fee Related
-
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071026 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071026 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100914 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100921 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101118 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101118 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110118 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110315 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110405 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110413 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140422 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140422 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |