TWI549283B

TWI549283B - 有機發光二極體顯示器以及製造其之方法

Info

Publication number: TWI549283B
Application number: TW100129910A
Authority: TW
Inventors: 柳道亨
Original assignee: 三星顯示器有限公司
Priority date: 2011-12-29
Filing date: 2011-12-29
Publication date: 2016-09-11
Also published as: TW201327795A

Description

有機發光二極體顯示器以及製造其之方法

本發明一般涉及到有機發光二極體(OLED)顯示器。更具體地說，本發明涉及一種用於密封顯示器的密封基板和一種製造該密封基板的方法。

在顯示器裝置內的有機發光二極體(OLED)顯示器是平坦的並且它自己發出光。

有機發光二極體(OLED)顯示器是一種自發光顯示器，其提供了能自己發出光來顯示圖像的有機發光二極體。該顯示器單元的功能，包括複數個有機發光元件，其可能會降低外部水分和氧氣的滲透，使得用於為了抑制外部氧氣和水分滲透的密封顯示器單元的技術是非常重要的。

上述披露於「先前技術」章節的資訊只是用於增強所描述的技術的背景認識，因此它可能包含不構成先前技術的資訊，其中該先前技術是在這個國家中已為該領域通常技藝人士所知曉的。

本發明已努力發展以提供用於增加顯示器的密封功能的有機發光二極體(OLED)顯示器。

本發明也努力開發以提供一種用於低成本製造密封基板的製造有機發光二極體(OLED)顯示器的方法。

本發明的一示範性實施例提供了一種有機發光二極體(OLED)顯示器，包括：基板；顯示器，其形成在該基板上並且包括共同電源線和共同電極；接面層，其提供在該基板上的顯示器外面；以及密封基板，其藉由該接面層固定在該基板上。

該密封基板包括：支撐膜；第一金屬層，其提供在朝向該基板的支撐膜的一側上；複數個第二金屬層，其提供在該第一金屬層上然而與該第一金屬層傳導，並供應第一電信號到該共同電源線；以及第三金屬層，其提供在該第一金屬層上然而與該第一金屬層絕緣，並供應第二電信號到該共同電極。

該第一金屬層是與該支撐膜相同的大小。

該密封基板進一步包括：複數個傳導層，其形成在該第一金屬層與該第二金屬層之；絕緣層，其形成在該第一金屬層和該第三金屬層之間。

該傳導層具有與該絕緣層相同的厚度，並由傳導膠帶或各向異性傳導膜形成。

該第二金屬層沿著該密封基板的邊緣相互分離地提供，並且該第三金屬層包括：中間單元，其面對顯示器；以及複數個延伸器，其提供在該密封基板的邊緣上的第二金屬層之間。

該接面層是傳導接面層，並且該第二金屬層和延伸器接觸傳導接面層。

該傳導接面層具有在該基板的厚度方向中的傳導性，並具有在厚度方向以外的方向中的絕緣性。

該有機發光二極體顯示器進一步包含複數個第一襯墊，其提供在該基板上的顯示器外面並且連接到共同電源線。

該第一襯墊接觸該傳導接面層，並且通過該傳導接面層電連接到該第二金屬層。

該有機發光二極體顯示器進一步包含複數個第二襯墊，其提供在該基板上的顯示器外面並且連接到共同電極。

該第二襯墊接觸該傳導接面層，並且通過該傳導接面層電連接到該延伸器。

共同電源線包括第一個共同的電源線和電源線的第二個共同的互相交叉該共同電源線包括相互交叉的第一共同電源線和第二共同電源線。

該第一襯墊和該第二襯墊係提供在該基板的四個邊緣上。

該第一金屬層、該第二金屬層、該第三金屬層由包括銅或鋁的金屬箔所形成。

該第二金屬層和該第三金屬層形成抗氧化膜。

本發明的另一個實施例提供了一種製造有機發光二極體(OLED)顯示器的方法，該方法包括以下步驟：(a)在支撐膜上形成第一金屬層；(b)在該第一金屬層上形成具有複數個開口的絕緣層；(c)在透過該開口所暴露的該第一金屬層上形成複數個傳導層；以及(d)在該傳導層上形成複數個第二金屬層，並且在該絕緣層上形成第三金屬層，以製造密封基板。

該支撐膜是可撓的，並且依序經過步驟(a)至(d)，而其係藉由第一驅動卷和第二驅動卷以一個方向傳遞。

該方法包括在該支撐膜上塗覆黏著劑的步驟，由螺旋纏繞卷展開第一金屬片，並且在支撐膜上堆疊經展開的第一金屬片。

在步驟(d)之後，該支撐膜和該第一金屬片被切斷，並且該第一金屬片成為該第一金屬層。

在步驟(b)中，藉由使用印刷機將該絕緣層絲網印刷(screen-printing)在該第一金屬層上。

在步驟(c)中，該傳導層係以具有與該絕緣層相同厚度來形成，並且由傳導膠帶或各向異性傳導膜來形成。

步驟(d)包括從螺旋纏繞卷展開第二金屬片，以在該絕緣層和該傳導層上堆疊經展開的第二金屬片，並且切料(blanking)和形成該第二金屬片，以將其分成第二金屬層和第三金屬層。

步驟(d)進一步包括，在切料和形成該第二金屬片之後，使用熱壓裝置將熱和壓力應用到該第二金屬層和第三金屬層的步驟。

根據示範性實施例的有機發光二極體(OLED)顯示器是大型顯示器，並且增加螢幕的亮度均勻性，並且也簡化了整個結構和製造製程，藉由減少在膜上晶粒(COF)或可撓性電路板(FPC)的數量和接合製程。有機發光二極體(OLED)顯示器的密封基板是根據卷對卷(roll-to-roll)連續製程來製造，以便它可以以低成本大量生產。

10‧‧‧基板

11‧‧‧閘極絕緣層

12‧‧‧層間絕緣層

13‧‧‧平坦化層

14‧‧‧像素定義層

16‧‧‧第二開口

20‧‧‧顯示器

21‧‧‧共同電源線

22‧‧‧共同電極

23‧‧‧像素電極

24‧‧‧有機發光層

25‧‧‧有機發光元件

30‧‧‧傳導接面層

31‧‧‧絕緣接面層

40‧‧‧密封基板

41‧‧‧支撐膜

42‧‧‧第一金屬層

43‧‧‧絕緣層

44‧‧‧傳導層

45‧‧‧第二金屬層

46‧‧‧第三金屬層

47‧‧‧抗氧化膜

48‧‧‧第一金屬片

49‧‧‧第二金屬片

51‧‧‧第一襯墊

52‧‧‧第二襯墊

60‧‧‧薄薄膜電晶體

61‧‧‧半導體層

62‧‧‧閘極電極

63‧‧‧源極電極

64‧‧‧汲極電極

71‧‧‧第一螺旋纏繞卷

72‧‧‧第一驅動卷

73‧‧‧第二驅動卷

74‧‧‧第二螺旋纏繞卷

76‧‧‧噴嘴

77‧‧‧印刷機

78‧‧‧傳導層接附器

79‧‧‧第三螺旋纏繞卷

80‧‧‧形成器

81‧‧‧熱壓裝置

100‧‧‧有機發光二極體顯示器

101‧‧‧基板

131‧‧‧第一開口

132‧‧‧第三開口

151‧‧‧第一襯墊傳導層

152‧‧‧第二襯墊傳導層

153‧‧‧第三襯墊傳導層

154‧‧‧第四襯墊傳導層

155‧‧‧第五襯墊傳導層

211‧‧‧第一共同電源線

212‧‧‧第二共同電源線

431‧‧‧開口

461‧‧‧中間單元

462‧‧‧延伸器

611‧‧‧通道區域

612‧‧‧源極區域

613‧‧‧汲極區域

更完整的本發明的賞識以及隨其之而來的許多好處將在考慮隨附的圖式以及參照以下詳細描述而變得明顯容易並且同時更好地理解，其中相似的參考符號表示了相同或相似的組件，其中：圖1是根據本發明示範性實施例的有機發光二極體(OLED)顯示器的橫截面視圖；圖2是如圖1所示的有機發光二極體(OLED)顯示器中的基板的頂部平面視圖；圖3是如圖1所示的有機發光二極體(OLED)顯示器中的密封基板的內側的頂部平面視圖；圖4是沿圖3中的直線IV-IV擷取的密封基板的橫截面視圖；圖5是如圖4所示的密封基板的絕緣層的內側的頂部平面視圖；圖6至圖8是如圖1所示的有機發光二極體(OLED)顯示器的部分放大橫截面視圖；圖9A至圖9D是根據本發明的的示範性實施例的用於展示製造密封基板的製程的密封基板的橫截面視圖；以及圖10是用於製造密封基板至卷對卷製程被應用處的製程的示意圖。

參照所附圖式，本發明將更充分地描述如下，其中本發明的示範性實施例是顯示的。由於該領域中技術人士會了解，所描述的實施例可以各種不同的方式修改，而未偏離本發明的精神和範圍。

圖式和描述是被視為說明性質，沒有任何限制性。整篇說明書中，相似的參考數字是指相似的元件。此外，顯示在圖式上的構件的大小和厚度係選擇地決定以用於更好的理解和便於說明，並且本發明並不僅限於顯示在圖式中的例子。

將了解的是，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為是在其他元件“上”，它可以直接在其他元件上，或者也可以中間元件來呈現。透過本說明書和申請專利範圍所述，當一個元件被稱為是“耦合”到其他元件，它可以“直接耦合”到其他元件或者透過第三元件來“電性耦合”到其他元件。

圖1是根據本發明示範性實施例的有機發光二極體(OLED)顯示器的橫截面視圖。

參考圖1，有機發光二極體(OLED)顯示器100包括基板10；顯示器20，其形成在基板10上；傳導接面層30，其環繞顯示器20周圍；以及密封基板40，其藉由傳導接面層30固定到基板10。

顯示器20包含複數個像素，其中每個包括有機發光元件和驅動電路。有機發光元件包括像素電極、有機發光層和共同電極22。該驅動電路包括至少兩個薄膜電晶體(包括切換薄膜電晶體和薄膜電晶體)以及至少一個電容器。

閘極線、數據線和共同電源線21被定位在每個像素上。閘極線傳輸掃描信號並且數據線傳輸數據信號。共同電源線21應用共同電壓到驅動薄膜電晶體。共同電源線21包括第一共同電源線和第二共同電源線，其是與該數據線平行或與其交叉。

顯示器單元20的詳細說明將在後面說明，並且圖1概略說明顯示器單元20，其為共同電源線21和共同電極22所形成之處。

基板10是由透明玻璃或透明塑料所製成，並且從顯示器20發出的光通過基板10排放到外面。襯墊區域101提供在傳導接面層30外面的基板10的邊緣上。連接到各種電極和線的襯墊電極係提供在配置顯示器20的襯墊區域101中，並且膜上晶粒(chip on film，COF)或可撓性印刷電路板(FPC)係連接到襯墊電極上，以應用電信號到襯墊電極。

傳導接面層30係以包括傳導構件的紫外線(UV)設置樹脂或熱固性樹脂所形成。在熱固性樹脂的狀態下，傳導接面層30可包括環氧樹脂。圖1 顯示這樣的狀態，其中傳導接面層30係提供在顯示器20的外面，並且絕緣接面層可以係形成在傳導接面層30的內部、外部或兩側。

在傳導接面層30內部，吸濕填料(未顯示)可提供在基板10和密封基板40之間，並且吸收劑(未顯示)可提供在顯示器20和傳導接面層30之間。

圖2是如圖1所示的有機發光二極體(OLED)顯示器中的基板的頂部平面視圖。

參考圖1和圖2，第一襯墊51和第二襯墊52係提供在顯示器20外部。第一襯墊51連接到顯示器20的共同電源線21，並且第二襯墊52連接到顯示器20的共同電極22。第一襯墊51和第二襯墊52係形成在基板10的長邊和短邊兩者上，並且它們可以在基板10的一方向上交替地配置。在圖2中，第二襯墊52顯示為圓點圖案，以將它與第二襯墊51區分。

在基板10的長邊上的第一襯墊51(從複數個第一襯墊51之中)連接到第一共同電源線，並且在基板10的短邊上的第一襯墊51連接到第二共同電源線。如圖2所示的第一襯墊51和第二襯墊52是一個例子，他們的位置和數量是沒有受限於此例子。

第一襯墊51和第二襯墊52係形成在對應於傳導接面層30的位置處。在這種情況下，傳導接面層30顯示了在基板10的厚度方向(關於圖1的垂直方向)中的傳導性，並且顯示在其他方向中沒有傳導性。為此，當一傳導接面層30接觸第一襯墊51和第二襯墊52時，第一襯墊51和第二襯墊52不互相短路。

圖3是如圖1所示的有機發光二極體(OLED)顯示器中的密封基板的內側的頂部平面視圖，並且圖4是沿圖3中的直線IV-IV擷取的密封基板的橫截面視圖。圖1也顯示了關於圖3中的直線IV-IV切割的形式。

參考圖1至圖4，密封基板40係形成以覆蓋包括襯墊區域101的基板10的其他區域。密封基板40包括支撐膜41、第一金屬層42、絕緣層43、傳導層44、第二金屬層45和第三金屬層46。

有機發光二極體(OLED)顯示器100使用第一金屬層42、傳導層44和第二金屬層45以供應第一電信號到共同電源線21，並採用了第三金屬層46以供應第二電信號到共同電極22。為此，共同電源線21和共同電極22沒有連接到接附到襯墊區域101的COF或FPC，並且從密封基板40獲得對應的電信號。

支撐膜41以高分子樹脂所形成，並且係形成以使其厚於第一金屬層42、絕緣層43、第二金屬層45和第三金屬層46。支撐膜41可包括具有內部溫度的聚合物樹脂，其中本質溫度(internal temperature)是大於傳導接面層30的硬化溫度(hardening temperature)，例如，聚酰亞胺(PI)或聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)。

第一金屬層42係形成在朝向基板10的支撐膜41的整個側面上。第一金屬層42包括銅或鋁，並且它可以包括銅或鋁的金屬箔所形成。第一金屬層42具有非常低的電阻並且實質上阻擋水分和氧氣。

絕緣層43係形成在朝向基板10的第一金屬層42的一側上並且覆蓋第一金屬層42。

圖5是如圖4所示的密封基板的絕緣層的內側的頂部平面視圖。參考圖5，絕緣層43具有複數個開口431用於在邊緣上暴露第一金屬層42。在這種情況下，各自的開口431的位置對應於圖2所示的第一襯墊51的位置。

再談到圖1至圖4，傳導層44係提供在第一金屬層42上，用於絕緣層43的每個開口431，並且第二金屬層45是提供在傳導層44上。因此，第二金屬層45透過傳導層44電連接到第一金屬層42。傳導層44具有與絕緣層43相同的厚度，並且係形成為傳導膠帶，其藉由塗覆傳導黏著劑在金屬箔的兩側上所產生，或者係形成為包括傳導球的各向異性傳導膜。

第三金屬層46係在絕緣層43上與第二金屬層45分離形成。第三金屬層46係形成在絕緣層43上，除了在絕緣層43的中間中保持與第二金屬層45距離一距離的部分。第三金屬層46包括：中間單元461(圖3)，其係提供在密封基板40的中間；以及複數個延伸器462，其係提供在密封基板40的邊緣上的第二金屬層45之間。

第二金屬層45和第三金屬層46可由與第一金屬層42相同的材料所製成。例如，第二金屬層45和第三金屬層46可以是由包括銅或鋁的金屬箔所形成。在這種情況下，當密封基板40是被製造時，由於第二金屬層45和第三金屬層46被暴露到空氣中，抗氧化膜47(參見圖4)可形成在其之表面上。抗氧化膜47可以鍍錫層或鍍鎳層所形成。

第二金屬層45和第三金屬層46具有非常低的電阻，並且以很好的方式阻止水分和氧氣。因此，有機發光二極體(OLED)顯示器100的外側的水分和氧氣係藉由第一金屬層42最初地阻擋，然後由第二金屬層45和第三金屬層46所阻擋。密封基板40具有金屬層，其以雙重方式來配置，使得顯示器20的密封功能係增加，導致顯示器20的惡化的抑制，並且增加其壽命。

第二金屬層45在基板10的厚度方向上面對第一襯墊51，並且第三金屬層46的延伸器462在基板10的厚度方向上面對第二襯墊52。傳導接面層30係提供在第二金屬層45和第一襯墊51之間，以電連接第二金屬層45和第一襯墊51，並且其是提供在第三金屬層46的延伸器462和第二襯墊52，以電連接第三金屬層46和第二襯墊52。

外部存取終端(未顯示)連接到複數個第二金屬層45一者和延伸器462一者。藉由外部存取終端施加到第二金屬層45的第一電信號係透過傳導接面層30和第一襯墊51供應到顯示器20的共同電源線21，並且施加到第三金屬層46的延伸器462的第二電信號係透過傳導接面層30和第二襯墊52供應到顯示器20的共同電極22。

在這種情況下，由於第二金屬層45係藉由傳導層44和第一金屬層42相互電連接，所以當外部存取終端連接到第二金屬層45時，第一電信號藉由所有第二金屬層45共享。第三金屬層46係形成為單一層，這樣第二電信號藉由所有延伸器462共享。

因此，第一電信號和第二電信號可以均勻地應用到複數個第一襯墊51和複數個第二襯墊52，其係提供在基板10的四邊。因此，有機發光二極體(OLED)顯示器100實現了廣泛的顯示和提高的亮度均勻性。

此外，第二金屬層45的寬度實質上為2毫米，其中當有機發光二極體(OLED)顯示器100係被製造時，其在允許範圍內。當第二金屬層45沒有連接到第一金屬層42時，第二金屬層45不能供應大於20A的電流容量，因為高的導線電阻。然而，因為具有與支撐膜41相同面積的第一金屬層42連接到在有機發光二極體(OLED)顯示器100中的複數個第二金屬層45，第二金屬層45的導線電阻降低和並且大於20A的電流容量被供應。

金屬層42、45和46，其係提供在密封基板40上，具有用於阻止水分和氧氣的滲透到顯示器20的密封功能，以及用於供應第一電信號和第二電信號的導線功能。由於螢幕的亮度均勻性被惡化，當大螢幕顯示器20是實現時，藉由在基板10的四個邊緣上形成襯墊區域101以及使用接附到襯墊區域101的COF或FPC來供應電信號。

然而，有機發光二極體(OLED)顯示器100可以均勻地供應對應的電信號到共同電源線21和共同電極22，而未形成襯墊區域101在基板10的四個邊緣上。因此，有機發光二極體(OLED)顯示器100的整個配置和製造過程可以藉由減少COF和FPC的數量和接合製程來簡化。

圖6至圖8是如圖1所示的有機發光二極體(OLED)顯示器的部分放大橫截面視圖。

圖6詳細地顯示了第一共同電源線211和第一襯墊51，圖7詳細地顯示了第二共同電源線212和第一襯墊51。圖8詳細地顯示了共同電極22和第二襯墊52。圖6至圖8例證這狀態，其中絕緣接面層31係提供在顯示器和傳導接面層30之間。

參考圖6至圖8，有機發光元件25和驅動電路係形成用於在螢幕中的每個像素。該驅動電路包括至少兩個薄薄膜電晶體和至少一個電容器。圖6至圖8顯示薄薄膜電晶體60和有機發光元件25係提供在顯示器上。有機發光元件25和薄薄膜電晶體60未有限制以範例所示，並且在許多方面是可變的。

薄薄膜電晶體60包括半導體層61、閘極電極62、源極電極63和汲極電極64。半導體層61是由多晶矽層所形成，並包括通道區域611、源極區域612和汲極區域613。通道區域611是雜質非摻雜的本質半導體，並且源極區域612和汲極區域613是雜質摻雜的雜質半導體。

閘極電極62係提供在半導體層61的通道區域611中，其中具有閘極絕緣層11配置其間。源極電極63和汲極電極64係提供在閘極電極62上，其中具有層間絕緣層12配置其間，並且通過形成在層間絕緣層12中的接觸孔分別連接到源極區域612和汲極區域613。平坦化層13係形成在源極電極63和汲極電極64上，並且像素電極23係提供在平坦化層13上。像素電極23係通過平坦化層13的接觸孔連接到汲極電極64。

像素定義層14係形成在像素電極23和平坦化層13上。像素定義層14形成用於每個像素的開口，以暴露像素電極23的部分。有機發光層24係形成在暴露的像素電極23上，並且共同電極22係形成在顯示器上，以覆蓋有機發光層24和像素定義層14。像素電極23、有機發光層24和共同電極22形成有機發光元件25。

像素電極23可以是電洞注入電極，並且共同電極22可以是電子注入電極。在這種情況下，有機發光層24包括電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、發光層、電子傳輸層(ETL)以及電子注入層(EIL)依序從像素電極23堆疊。當電洞和電子從像素電極23和共同電極22注入到有機發光層24，並且當激子(這是一個注入電洞和電子的組合)從激態更改為基態，則光被發射。

像素電極23係由恣意的傳導層所形成，並且共同電極22係由反射傳導層所形成。從有機發光層24所發出的光是藉由共同電極22所反射，並且通過像素電極23與基板10發射到外側。上述指出的發光結構被稱為後發光結構。像素電極23可以銦錫氧化物(ITO)/銀(Ag)/ITO三層來形成，並且共同電極22可包括銀(Ag)、鋁(Al)、銀合金或鋁合金。

第一共同電源線211和第二共同電源線212可形成在如同閘極電極62或源極/汲極電極63和64的同一層。圖6顯示了第一共同電源線211形成在如同源極/汲極電極63和64的同一層上，並且以相同材料所形成，以及圖7顯示了第二共同電源線212是形成在如同閘極電極62的同一層上，並且以相同材料所形成。

參考圖6和圖7，第一共同電源線211和第二共同電源線212的兩端係延伸到顯示器外側。形成在顯示器上的四個絕緣層的至少一個可延伸到顯示器外側。例如，第一共同電源線211的末端係藉由平坦化層13所覆蓋，並且第二共同電源線212的末端係藉由層間絕緣層12和平坦化層13所覆蓋。

平坦化層13具有第一開口131，以暴露第一共同電源線211的末端，並且第一襯墊傳導層151係形成在平坦化層13並透過第一開口131連接到第一共同電源線211。第一襯墊51(其係提供在基板10的長邊上)可以被定義為第一襯墊傳導層151。

層間絕緣層12和平坦化層13具有第二開口16，以暴露第二共同電源線212的末端，並且第二襯墊傳導層152係形成在平坦化層13並且通過第二開口16連接到第二共同電源線212。第一襯墊51(其係提供在基板10的短邊上)可以定義為第二襯墊傳導層152。第一襯墊傳導層151和第二襯墊傳導層152可形成在如同像素電極23的同一層上，並且以相同材料形成。

參考圖8，共同電極22係提供在絕緣接面層31內側，並且第二襯墊52係形成在絕緣接面層31的內側和外側上方，以電連接共同電極22和傳導接面層30。第二襯墊52包括第三襯墊傳導層153、第四襯墊傳導層154和第五襯墊傳導層155。

第三襯墊傳導層153係提供在絕緣接面層31內側並且接觸共同電極22。第四襯墊傳導層154係通過平坦化層13的第三開口132連接到第三襯墊傳導層153，並且係提供在絕緣接面層31的內側和外側上方。第五襯墊傳導層155係提供在傳導接面層30和平坦化層13之間，並透過平坦化層13的第四開口133連接到第四襯墊傳導層154。

第三襯墊傳導層153和第五襯墊傳導層155可係形成在如同像素電極23的同一層上，並且以相同材料所形成。第四襯墊傳導層154可形成在如同閘極電極62或源極/汲極電極63和64的同一層上，並且以相同材料所形成。圖8示範這個狀態，其中第四襯墊傳導層154是形成在如同源極/汲極電極63和64的同一層上。第二襯墊52的詳細配置是不局限於上面的描述，以及用於電連接顯示器的共同電極22和傳導接面層30的任何配置係適用的。

再者，一種用於製造密封基板40的方法將被說明。

圖9A至圖9D是根據本發明的的示範性實施例的用於展示製造密封基板的製程的密封基板的橫截面視圖。

參考圖9A至圖9D，用於製造密封基板40的方法包括提供支撐膜41以及形成第一金屬層42在支撐膜41上(第一階段)，形成具有複數個開口431的絕緣層43在第一金屬層42上(第二階段)，形成傳導層44在藉由開口431所暴露的第一金屬層42上(第三階段)，以及形成第二金屬層45在傳導層44上並且形成與第二金屬層45分開的第三金屬層46在絕緣層43上(第四階段)。

在第一階段中，根據密封基板40的尺寸，支撐膜41可被預先控制。第一金屬層42、絕緣層43、傳導層44、第二金屬層45和第三金屬層46依次堆疊在支撐膜41上。絕緣層43可藉由絲網印刷來形成，並且傳導層44可藉由傳導膠帶或各向異性傳導膜所形成。第二金屬層45和第三金屬層46可藉由配置單一金屬層在絕緣層43和傳導層44上並且切料和形成其來形成。

此外，支撐膜41是可撓的，使得密封基板40可藉由使用卷對卷的漸進製程來製造。

圖10是用於製造密封基板至卷對卷製程被應用處的製程的示意圖。

參考圖10，支撐膜41係提供到製造系統，同時它是纏繞在第一螺旋纏繞卷71上。支撐膜41(其未與第一螺旋纏繞卷71纏繞)係藉由第一驅動卷72和第二驅動卷73在一個方向上傳輸，並依次穿過所述的第一至第四階段。支撐膜41可包括聚酰亞胺(PI)或聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)。

第一階段包括未與第二螺旋纏繞卷74纏繞的第一金屬片48和堆疊其在支撐膜41上。第一金屬片48可是金屬箔，包括銅或鋁。在第一金屬片48堆疊在支撐膜41上之前，黏著劑藉由使用噴嘴76塗在支撐膜41上。堆積的支撐膜41和第一金屬片48是黏結牢固，同時通過使用熱空氣(未顯示)的硬化裝置。

第二階段包括輸入支撐膜41和第一金屬片48到印刷機77，並且絲網印刷絕緣層43在第一金屬片48上。在這種情況下，在圖5所示，絕緣層43具有複數個開口431在其邊緣上，以部分暴露第一金屬片48。

第三階段包括藉由輸入堆積結構到傳導層接附器78將傳導層44接附至第一金屬片48，其藉由絕緣層43的開口431所暴露，其中堆疊結構包括支撐膜41、第一金屬片48和絕緣層43。傳導層44可是藉由塗覆傳導黏著劑在金屬箔的兩側上，或者包括傳導球的各向異性傳導膜所產生的傳導膠帶。傳導層44可具有如同絕緣層43的相同厚度。

第四階段包括未與第三螺旋纏繞卷79纏繞的第二金屬片49以及堆疊其在所堆積結構的頂部上，即，絕緣層43和複數個傳導層44的整個上半部分，並且輸入堆疊結構到形成器80中，以切料並且形成第二金屬板49。

圖3所示，第二金屬片49藉由切料和形成製程而被分為複數個第二金屬層45和第三金屬層46。也就是說，第二金屬層45的外部分(從第二金屬片49之間)是藉由預定的厚度來移除，並且第二金屬片49分為第二金屬層45和的第三金屬層46。在這種情況下，第二金屬層45藉由傳導層44和第一金屬板48相互電連接。

第二金屬片49可是包括銅或鋁的金屬箔。第二金屬片49可被容易地氧化，因為在完成的密封基板40是黏合到基板之前，它是暴露在空氣中。因此，第二金屬片49可具有抗氧化膜(如鍍錫層或鍍鎳層)在其表面上。

具有晶粒的第四階段的堆疊結構是輸入到熱壓裝置81並且在預定溫度處加壓。因此，第二金屬層45和第三金屬層46係分別結合到傳導層44和絕緣層43。堆積的結構係輸入到切割器(未顯示)，並分為個別的密封基板40，並且第一金屬片48製成第一金屬層42。

據此，密封基板40可以低成本來大量生產，因為它是藉由卷對卷的漸進製程來製造。也就是說，產品成本在不包括昂貴製程下可降低，因為第一金屬層42和第二金屬層45可傳導而未圖案化通孔，同時用於形成導線的蝕刻製程或電鍍製程是不包括的。

雖然本發明的披露已被描述在連接的目前被認為是實際的示範性實施例中，它是可以理解成本發明不僅限於披露的實施例，但與此相反，其意圖涵蓋包括在所附加的申請權利範圍中的精神和範疇及其等效物的各種修改和等效的排列。