JP4687179B2 - ディスプレイパネル - Google Patents
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Description
基板と、
前記基板上に設けられた複数のトランジスタと、
前記複数のトランジスタのゲート、ソース及びドレインとは異なる導電層によって形成された複数の配線と、
前記配線の間において前記配線に沿って前記基板上に配列された複数の画素電極と、
前記各画素電極上に成膜された発光層と、
前記発光層を被覆した対向電極と、
前記対向電極と導通する封止基板と、
を備え、前記対向電極は前記発光層上から前記複数の配線上にかけて連続して被膜され、前記対向電極は前記複数の配線上において前記封止基板と導通している。
前記複数の配線は、前記基板における前記封止基板との対向面で突出していることが好ましい。
また、前記複数の配線は、前記対向電極に接続される共通配線を有することが好ましい。
〔ディスプレイパネルの平面レイアウト〕
図1は、第1の実施形態におけるディスプレイパネルの配線構造を示した略平面図である。図1では、後述する封止基板80を取り除いた状態を示す。このディスプレイパネル1においては、1ピクセルの画素3が、垂直方向に並んだ赤色に発光する1ドットの赤サブピクセルPrと、緑色に発光する1ドットの緑サブピクセルPgと、青色に発光する1ドットの青サブピクセルPbと、からなる。このような画素3が絶縁基板2上にマトリクス状に配列されている。
次に、サブピクセルPr、Pg、Pbの回路構成について図2の等価回路図を用いて説明する。何れのサブピクセルPr、Pg、Pbも同様に構成されており、それぞれのサブピクセルPr、Pg、Pbに有機EL素子20、Nチャネル型のアモルファスシリコン薄膜トランジスタ(以下単にトランジスタと記述する。)21、22、23及びキャパシタ24が設けられている。以下では、トランジスタ21をスイッチトランジスタ21と称し、トランジスタ22を保持トランジスタ22と称し、トランジスタ23を駆動トランジスタ23と称する。
画素3の平面レイアウトについて図3〜図5を用いて説明する。図3は、赤サブピクセルPrの電極を主に示した平面図であり、図4は、緑サブピクセルPgの電極を主に示した平面図であり、図5は、青サブピクセルPbの電極を主に示した平面図である。なお、図3〜図5においては、図面を見やすくするために、有機EL素子20のサブピクセル電極20a及び対向電極20cの図示を省略する。また、図3〜図5では、後述する封止基板80を取り除いた状態を示す。
ディスプレイパネル1の層構造について図3〜図7を用いて説明する。ここで、図6は、図3〜図5に示された線VI−VIに沿って絶縁基板2の厚さ方向に切断した矢視断面図、図7は、図3に示された線VII−VIIに沿って絶縁基板2の厚さ方向に切断した矢視断面図である。
また、各画素3内では、接続線65が供給線Zと全てのサブピクセルPr、Pg、Pbの各駆動トランジスタ23のドレイン23dとを接続している。各サブピクセルPr、Pg、Pbでは、ゲート接続線66が、各スイッチトランジスタ21のゲート21gと各保持トランジスタ22のゲート22gとを接続している。
図8は、ディスプレイパネルの配線構造を示した略平面図である。なお、図8及び後述する図10では、封止基板80を取り除いた状態を示す。また、各サブピクセルPr、Pg、Pbがいわゆる縦長に表現されているが、実際には図1や図3〜図5に示した通りである。
以下、第1の実施形態のディスプレイパネル1の給電配線及び共通配線の幅、断面積及び抵抗率を定義する。これは、後述する第2の実施形態でも同様である。ここでは、ディスプレイパネル1の画素数をWXGA(768×1366)としたときの給電配線61及び共通配線62の望ましい幅、断面積を定義する。なお、以下に述べる共通配線62についての望ましい幅等は封止基板80を設けない場合のものであり、封止基板80を設ける場合にはそれらの条件が緩和される。
VX=Vpo+Vth+Vm+VEL …(1)
MTF=A exp(Ea/KbT)/ρJ2 …(2)
以上のように、供給線Z1〜Zmをそれぞれ流れる電流の大きさは、一行の供給線Ziに接続された3×n個の有機EL素子20に流れる駆動電流の大きさの和になるので、VGA(Video Graphics Array:640×480サイズの表示解像度)以上の画素数で動画駆動するための選択期間に設定した場合、供給線Z1〜Zmのそれぞれの寄生容量が増大してしまい、トランジスタ21〜23のような薄膜トランジスタのゲート電極又はソース、ドレイン電極を構成する薄膜からなる配線では3×n個の有機EL素子20に書込電流(つまり駆動電流)を流すには抵抗が高すぎる。
図17〜図20を用いて、第2の実施形態におけるディスプレイパネル1について説明する。なお、第2の実施形態におけるディスプレイパネル1については、第1の実施形態におけるディスプレイパネル1のいずれかの部分と同一の部分に対しては同一の符号を付し、同一の部分についての説明を省略する。
図17は、第2の実施形態におけるディスプレイパネルの配線構造を示した略平面図である。図17では、封止基板80を取り除いた状態を示す。このディスプレイパネル1においても、第1の実施形態と同様に、1ピクセルの画素3が、水平方向に並んだ赤色に発光する1ドットの赤サブピクセルPrと、緑色に発光する1ドットの緑サブピクセルPgと、青色に発光する1ドットの青サブピクセルPbと、からなる。このような画素3が絶縁基板2上にマトリクス状に配列されている。
次に、サブピクセルPr、Pg、Pbの回路構成については、図18の等価回路図に示されるように何れのサブピクセルPr、Pg、Pbも同様に構成されており、それぞれのサブピクセルPr、Pg、Pbに有機EL素子20、スイッチトランジスタ21、保持トランジスタ22、駆動トランジスタ23及びキャパシタ24が設けられている。
画素3の平面レイアウトについて図19を用いて説明する。なお、図19は、赤サブピクセルPr及び緑サブピクセルPgの電極を示した平面図であるが、青サブピクセルPbについても同様である。また、図面を見やすくするために、有機EL素子20のサブピクセル電極20a、対向電極20c及び封止基板80の図示を省略する。
ディスプレイパネル1の層構造について図19及び図20を用いて説明する。ここで、図20は、図19に示された面XX−XXに沿って絶縁基板2の厚さ方向に切断した矢視断面図である。
本実施形態のディスプレイパネル1では、図19に示したように、サブピクセルP間を水平方向に延在する供給線Zと垂直方向に延在する給電配線61とがコンタクトホール71で導通されている。そのため、第1の実施形態の図9で示したような駆動方法を用いることができないが、図11に示した前記第二のディスプレイパネル1のアクティブマトリクス駆動方法、すなわち、クロック信号を用いた共通駆動を用いて駆動させることができる。この駆動方法については前述した図11の説明の通りであるからここでは説明を省略する。
この給電配線及び共通配線の幅、断面積及び抵抗率についても、第1の実施形態で述べた通りであるから説明を省略する。
以上のような構成及び機能を有するから、本実施形態に係るディスプレイパネル1も前記第1の実施形態に係るディスプレイパネルの効果をすべて発揮することができる。また、トランジスタアレイ基板50から凸設され有機EL素子20部分を構成する際のバンクとなるバンクラインとして、第1の実施形態のように選択配線60を用いず、給電配線61と共通配線62とだけで構成しているから、RGBの画素構成を非常にシンプルにすることが可能となる。
なお、本発明は、上記の第1及び第2の実施形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の改良並びに設計の変更を行っても良い。
また、上記各実施形態では、1ドットのサブピクセルPにつき3つのトランジスタ21〜23が設けられているが、1ドットのサブピクセルPにつき1又は複数のトランジスタが設けられ、これらトランジスタを用いてアクティブ駆動することができるディスプレイパネルであれば、本発明を適用することができる。
また、上記第1の実施形態では、水平方向の緑サブピクセルPgの列と青サブピクセルPbとの間において選択配線60が凸設されているが、共通配線62と同様の共通配線が凸設されるように構成されても良い。その場合、共通配線の下には溝35は設けずに、共通配線が走査線Xに対して絶縁された状態で、撥液性導通層54と同様の撥液性導通層がその共通配線の表面にコーティングされ、その共通配線が対向電極20cに導通するように構成することも可能である。
また、上記実施形態では、信号線Yがゲートレイヤーからパターニングされたものであるが、信号線Yがドレインレイヤーからパターニングされたものでも良い。この場合、走査線X及び供給線Zがゲートレイヤーからパターニングされたものとなり、信号線Yが走査線X及び供給線Zよりも上層になる。
また、上記実施形態では、有機EL素子20の発光をサブピクセル電極20aを介して基板2から出射させたが、これに限らず、下層に光反射性金属膜、上層にITO等の金属酸化物膜を配置したサブピクセル電極20aを用い、導電層82にITO等の透明電極を用いることによって、封止ガラス81側から有機EL素子20の光を出射させてもよい。このとき、接着層83は透過率を下げない程度に薄く被膜するか、共通配線62に対応する位置のみ設ければよい。
2 絶縁基板
20a サブピクセル電極
20b 有機EL層
20c 対向電極
21 スイッチトランジスタ
22 保持トランジスタ
23 駆動トランジスタ
21d、22d、23d ドレイン
21s、22s、23s ソース
21g、22g、23g ゲート
61 給電配線
62 共通配線
80 封止基板
82 導電層
P、Pr、Pg、Pb サブピクセル
Claims (8)
- 基板と、
前記基板上に設けられた複数のトランジスタと、
前記複数のトランジスタのゲート、ソース及びドレインとは異なる導電層によって形成された複数の配線と、
前記配線の間において前記配線に沿って前記基板上に配列された複数の画素電極と、
前記各画素電極上に成膜された発光層と、
前記発光層を被覆した対向電極と、
前記対向電極と導通する封止基板と、
を備え、前記対向電極は前記発光層上から前記複数の配線上にかけて連続して被膜され、前記対向電極は前記複数の配線上において前記封止基板と導通していることを特徴とするディスプレイパネル。 - 前記複数の配線は、前記基板における前記封止基板との対向面で突出していることを特徴とする請求項1に記載のディスプレイパネル。
- 前記封止基板は、導電層が形成され、または導電性の材料で形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のディスプレイパネル。
- 前記複数の配線は、前記対向電極と接続された共通配線を含み、前記共通配線は前記封止基板と導通することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のディスプレイパネル。
- 前記トランジスタは、ソース及びドレインの一方が画素電極に接続された駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタのソース−ドレイン間に書込電流を流すスイッチトランジスタと、発光期間に前記駆動トランジスタのソース−ゲート間の電圧を保持する保持トランジスタとを有することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載のディスプレイパネル。
- 前記複数の配線は、前記駆動トランジスタのドレイン及びソースの他方と接続された給電配線を有することを特徴とする請求項5に記載のディスプレイパネル。
- 前記複数の配線は、前記スイッチトランジスタを選択する選択配線を有することを特徴とする請求項5または請求項6に記載のディスプレイパネル。
- 前記複数の配線は、前記対向電極に接続される共通配線を有することを特徴とする請求項5から請求項7のいずれか一項に記載のディスプレイパネル。
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