JPH08330600A - 薄膜トランジスタ、有機ｅｌディスプレイ装置及び有機ｅｌディスプレイ装置の製造方法 - Google Patents
薄膜トランジスタ、有機ｅｌディスプレイ装置及び有機ｅｌディスプレイ装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】有機ＥＬディスプレイ装置の薄膜トランジスタ
において、バリアメタルの溶出にもとづく短絡や断線を
防止すること。 【解決手段】薄膜トランジスタのソース領域１０５また
はドレイン領域１０７を構成するシリコン活性層１０２
と、該シリコン活性層１０２に接続されるアルミニウム
配線１１３、１１４との間に、チタンまたは窒素含有量
が５０ａｔｍ％以下の窒化チタンよりなるバリアメタル
１１０、１１１を設ける。
において、バリアメタルの溶出にもとづく短絡や断線を
防止すること。 【解決手段】薄膜トランジスタのソース領域１０５また
はドレイン領域１０７を構成するシリコン活性層１０２
と、該シリコン活性層１０２に接続されるアルミニウム
配線１１３、１１４との間に、チタンまたは窒素含有量
が５０ａｔｍ％以下の窒化チタンよりなるバリアメタル
１１０、１１１を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機エレクトロル
ミネセンス（ＥＬ）ディスプレイ装置に使用される薄膜
トランジスタ、有機ＥＬディスプレイ装置及びその製造
方法に係り、有機ＥＬディスプレイの信頼性を向上する
ものに関する。
ミネセンス（ＥＬ）ディスプレイ装置に使用される薄膜
トランジスタ、有機ＥＬディスプレイ装置及びその製造
方法に係り、有機ＥＬディスプレイの信頼性を向上する
ものに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年において、有機ＥＬ素子を用いた、
ディスプレイ装置が開発されている。有機ＥＬ素子を多
数使用した有機ＥＬディスプレイをアクティブマトリッ
クス回路により駆動する場合、各ＥＬのピクセル（画
素）には、このピクセルに対して供給する電流を制御す
るための薄膜トランジスタが一組ずつ接続される。
ディスプレイ装置が開発されている。有機ＥＬ素子を多
数使用した有機ＥＬディスプレイをアクティブマトリッ
クス回路により駆動する場合、各ＥＬのピクセル（画
素）には、このピクセルに対して供給する電流を制御す
るための薄膜トランジスタが一組ずつ接続される。
【０００３】従来のアクティブマトリックス型の有機Ｅ
Ｌディスプレイ装置の回路図の一例を図４に示す。この
有機ＥＬディスプレイ装置は、Ｘ方向信号線３０１−
１、３０１−２・・・、Ｙ方向信号線３０２−１、３０
２−２・・・、電源（Ｖｄｄ）線３０３−１、３０３−
２・・・、スイッチ用薄膜トランジスタ３０４−１、３
０４−２・・・、電流制御用薄膜トランジスタ３０５−
１、３０５−２・・・、有機ＥＬ素子３０６−１、３０
６−２・・・、コンデンサ３０７−１、３０７−２・・
・、Ｘ方向周辺駆動回路３０８、Ｙ方向周辺駆動回路３
０９等により構成される。
Ｌディスプレイ装置の回路図の一例を図４に示す。この
有機ＥＬディスプレイ装置は、Ｘ方向信号線３０１−
１、３０１−２・・・、Ｙ方向信号線３０２−１、３０
２−２・・・、電源（Ｖｄｄ）線３０３−１、３０３−
２・・・、スイッチ用薄膜トランジスタ３０４−１、３
０４−２・・・、電流制御用薄膜トランジスタ３０５−
１、３０５−２・・・、有機ＥＬ素子３０６−１、３０
６−２・・・、コンデンサ３０７−１、３０７−２・・
・、Ｘ方向周辺駆動回路３０８、Ｙ方向周辺駆動回路３
０９等により構成される。
【０００４】Ｘ方向信号線３０１、Ｙ方向信号線３０２
により画素が特定され、その画素においてスイッチ用薄
膜トランジスタ３０４がオンにされる。これにより電流
制御用薄膜トランジスタ３０５がオンにされ、電源線３
０３より供給される電流により有機ＥＬ素子３０６に電
流が流れ、これが発光される。
により画素が特定され、その画素においてスイッチ用薄
膜トランジスタ３０４がオンにされる。これにより電流
制御用薄膜トランジスタ３０５がオンにされ、電源線３
０３より供給される電流により有機ＥＬ素子３０６に電
流が流れ、これが発光される。
【０００５】例えばＸ方向信号線３０１−１に画像デー
タに応じた信号が出力され、Ｙ方向信号線３０２−１に
Ｙ方向走査信号が出力されると、これにより特定された
画素のスイッチ用薄膜トランジスタ３０４−１がオンに
なり、画像データに応じた信号により電流制御用薄膜ト
ランジスタ３０５−１が導通されて有機ＥＬ素子３０６
−１にこの画像データに応じた電流が流れ、発光され
る。
タに応じた信号が出力され、Ｙ方向信号線３０２−１に
Ｙ方向走査信号が出力されると、これにより特定された
画素のスイッチ用薄膜トランジスタ３０４−１がオンに
なり、画像データに応じた信号により電流制御用薄膜ト
ランジスタ３０５−１が導通されて有機ＥＬ素子３０６
−１にこの画像データに応じた電流が流れ、発光され
る。
【０００６】図３に従来の有機ＥＬディスプレイ装置の
画素部の構成の部分的断面図を示す。この図３では、電
流制御用薄膜トランジスタと、有機ＥＬ素子を示す。図
３において、ガラス等の基板２０１上に、活性シリコン
層２０２、ゲート絶縁膜２０３、ゲート電極２０４が形
成される。そして活性シリコン層２０２には、ソース領
域２０５、チャネル形成領域２０６、ドレイン領域２０
７が設けられ、薄膜トランジスタが構成される。
画素部の構成の部分的断面図を示す。この図３では、電
流制御用薄膜トランジスタと、有機ＥＬ素子を示す。図
３において、ガラス等の基板２０１上に、活性シリコン
層２０２、ゲート絶縁膜２０３、ゲート電極２０４が形
成される。そして活性シリコン層２０２には、ソース領
域２０５、チャネル形成領域２０６、ドレイン領域２０
７が設けられ、薄膜トランジスタが構成される。
【０００７】さらに層間絶縁膜２０８に設けられたコン
タクトホールに、バリアメタル２１０、２１１を介し
て、ソース領域２０５、ドレイン領域２０７にそれぞれ
アルミニウム製のソース電極２１３−１、ドレイン電極
２１４−１が設けられている。
タクトホールに、バリアメタル２１０、２１１を介し
て、ソース領域２０５、ドレイン領域２０７にそれぞれ
アルミニウム製のソース電極２１３−１、ドレイン電極
２１４−１が設けられている。
【０００８】またガラス等の基板２０１に設けられたＩ
ＴＯ（酸化インジューム・スズ）の透明電極２０９上
に、有機ＥＬ層２１５、上部電極２１６が設けられてＥ
Ｌ素子部を構成している。このＩＴＯの透明電極２０９
には密着用金属２１２を介して、その一端が前記ドレイ
ン電極２１４−１となるアルミニウム配線２１４が接続
されている。
ＴＯ（酸化インジューム・スズ）の透明電極２０９上
に、有機ＥＬ層２１５、上部電極２１６が設けられてＥ
Ｌ素子部を構成している。このＩＴＯの透明電極２０９
には密着用金属２１２を介して、その一端が前記ドレイ
ン電極２１４−１となるアルミニウム配線２１４が接続
されている。
【０００９】そして有機ＥＬ素子の上部電極２１６の上
面以外の部分に、薄膜トランジスタ部分を覆うように、
保護膜２１７が設けられ、有機ＥＬ素子の上部電極２１
６の上面には、アルミニウム等により共通電極２１８が
設けられている。
面以外の部分に、薄膜トランジスタ部分を覆うように、
保護膜２１７が設けられ、有機ＥＬ素子の上部電極２１
６の上面には、アルミニウム等により共通電極２１８が
設けられている。
【００１０】図３に示すように、一般に薄膜トランジス
タでは、シリコン活性層のソース領域２０５、ドレイン
領域２０７と、これらにそれぞれ接続されるアルミニウ
ム製のソース電極２１３−１、ドレイン電極２１４−１
との間には、バリアメタル２１０と２１１が介在されて
いる。これらのバリアメタル２１０、２１１は、活性シ
リコン層２０２におけるシリコン原子がアルミニウム製
のソース電極２１３−１、ドレイン電極２１４−１側へ
の拡散、消失することを防止するために設けられてい
る。なおこのバリアメタル２１０、２１１は、従来では
主にクロムが使用されていた。
タでは、シリコン活性層のソース領域２０５、ドレイン
領域２０７と、これらにそれぞれ接続されるアルミニウ
ム製のソース電極２１３−１、ドレイン電極２１４−１
との間には、バリアメタル２１０と２１１が介在されて
いる。これらのバリアメタル２１０、２１１は、活性シ
リコン層２０２におけるシリコン原子がアルミニウム製
のソース電極２１３−１、ドレイン電極２１４−１側へ
の拡散、消失することを防止するために設けられてい
る。なおこのバリアメタル２１０、２１１は、従来では
主にクロムが使用されていた。
【００１１】一方、有機ＥＬ素子部において、ＩＴＯよ
りなる透明電極２０９とアルミニウム配線２１４を直接
接触させると、電食や密着性低下等の不良が発生し易
い。このような不良の発生を防ぎ、アルミニウム配線２
１４と透明電極２０９との良好な密着性を保つため、透
明電極２０９とアルミニウム配線２１４との間に密着用
金属２１２を挟むことが必要であった。そして従来では
この密着用金属２１２として、前記薄膜トランジスタの
バリアメタル２１０、２１１と同じく、主にクロムが使
用されていた。なお図３において２１３はアルミニウム
配線である。
りなる透明電極２０９とアルミニウム配線２１４を直接
接触させると、電食や密着性低下等の不良が発生し易
い。このような不良の発生を防ぎ、アルミニウム配線２
１４と透明電極２０９との良好な密着性を保つため、透
明電極２０９とアルミニウム配線２１４との間に密着用
金属２１２を挟むことが必要であった。そして従来では
この密着用金属２１２として、前記薄膜トランジスタの
バリアメタル２１０、２１１と同じく、主にクロムが使
用されていた。なお図３において２１３はアルミニウム
配線である。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】このような有機ＥＬデ
ィスプレイ装置において、薄膜トランジスタのバリアメ
タル２１０、２１１として用いられたクロムが、ＥＬ素
子を構成する上部電極２１６や透明電極２０９の方に溶
出し、即ち電食によりこれらと薄膜トランジスタとの間
に、溶出したクロムによる導線が形成され、短絡状態と
なってしまうことがあった。
ィスプレイ装置において、薄膜トランジスタのバリアメ
タル２１０、２１１として用いられたクロムが、ＥＬ素
子を構成する上部電極２１６や透明電極２０９の方に溶
出し、即ち電食によりこれらと薄膜トランジスタとの間
に、溶出したクロムによる導線が形成され、短絡状態と
なってしまうことがあった。
【００１３】さらに動作を続けると、薄膜トランジスタ
のバリアメタル２１０、２１１を構成していたクロムが
全て溶出してしまい、ソース領域２０５やドレイン領域
２０７と、アルミニウム電極２１３−１、２１４−１と
の間が抜けて空隙が生じ、断線状態に至ることがあっ
た。
のバリアメタル２１０、２１１を構成していたクロムが
全て溶出してしまい、ソース領域２０５やドレイン領域
２０７と、アルミニウム電極２１３−１、２１４−１と
の間が抜けて空隙が生じ、断線状態に至ることがあっ
た。
【００１４】その結果、薄膜トランジスタとしての機能
を果たすことができなくなり、有機ＥＬディスプレイ装
置としての信頼性を大幅に低下させることになる。本発
明者等はこの原因を検討した結果、下記の理由に基づく
ものと解明することができた。
を果たすことができなくなり、有機ＥＬディスプレイ装
置としての信頼性を大幅に低下させることになる。本発
明者等はこの原因を検討した結果、下記の理由に基づく
ものと解明することができた。
【００１５】まず有機ＥＬ層２１５を構成する有機ＥＬ
材料は、吸湿性が強く、大気中の水分を吸収し易い性質
を有するので、有機ＥＬ層２１５から水分が発生する。
また有機ＥＬ層２１５を発光させて、ピクセルを表示す
るために、有機ＥＬ層２１５に接続された電流制御用薄
膜トランジスタ及びそれを動作させるスイッチ用薄膜ト
ランジスタには、比較的大きな直流電流（バイアス電
流）が連続的に流れる。
材料は、吸湿性が強く、大気中の水分を吸収し易い性質
を有するので、有機ＥＬ層２１５から水分が発生する。
また有機ＥＬ層２１５を発光させて、ピクセルを表示す
るために、有機ＥＬ層２１５に接続された電流制御用薄
膜トランジスタ及びそれを動作させるスイッチ用薄膜ト
ランジスタには、比較的大きな直流電流（バイアス電
流）が連続的に流れる。
【００１６】このように、有機ＥＬ層２１５中から発生
する水分と、バイアス電流により、薄膜トランジスタの
バリアメタル２１０、２１１を構成するクロムがイオン
化して有機ＥＬ素子側に移動し、短絡や断線の原因とな
ることが解明された。
する水分と、バイアス電流により、薄膜トランジスタの
バリアメタル２１０、２１１を構成するクロムがイオン
化して有機ＥＬ素子側に移動し、短絡や断線の原因とな
ることが解明された。
【００１７】この現象は、電流制御用薄膜トランジスタ
のみではなく、スイッチ用薄膜トランジスタにおいても
みられることがあった。従って、本発明の目的は、有機
ＥＬディスプレイにおいて、このような薄膜トランジス
タの動作における短絡や断線という不良の発生を防止
し、有機ＥＬディスプレイの信頼性を高めることであ
る。
のみではなく、スイッチ用薄膜トランジスタにおいても
みられることがあった。従って、本発明の目的は、有機
ＥＬディスプレイにおいて、このような薄膜トランジス
タの動作における短絡や断線という不良の発生を防止
し、有機ＥＬディスプレイの信頼性を高めることであ
る。
【００１８】
【課題を解決するための手段】このような本発明の目的
は、下記（１）〜（１４）の如く構成あるいは製造方法
により達成することができる。 （１）ソースまたはドレインを構成するシリコン活性層
と、該シリコン活性層に接続されるアルミニウム配線と
の間に、チタンよりなるバリアメタルを設けたことを特
徴とする薄膜トランジスタ。
は、下記（１）〜（１４）の如く構成あるいは製造方法
により達成することができる。 （１）ソースまたはドレインを構成するシリコン活性層
と、該シリコン活性層に接続されるアルミニウム配線と
の間に、チタンよりなるバリアメタルを設けたことを特
徴とする薄膜トランジスタ。
【００１９】（２）ソースまたはドレインを構成するシ
リコン活性層と、該シリコン活性層に接続されるアルミ
ニウム配線との間に、窒素を５０ａｔｍ％以下含有する
窒化チタンよりなるバリアメタルを設けたことを特徴と
する薄膜トランジスタ。
リコン活性層と、該シリコン活性層に接続されるアルミ
ニウム配線との間に、窒素を５０ａｔｍ％以下含有する
窒化チタンよりなるバリアメタルを設けたことを特徴と
する薄膜トランジスタ。
【００２０】（３）有機ＥＬ素子と、該有機ＥＬ素子に
接続された電流制御用薄膜トランジスタを有するアクテ
ィブマトリックス駆動型の有機ＥＬディスプレイ装置で
あって、前記電流制御用薄膜トランジスタは、シリコン
活性層と、該シリコン活性層に接続されるアルミニウム
配線との間に、チタンよりなるバリアメタルが設けられ
ていることを特徴とする有機ＥＬディスプレイ装置。
接続された電流制御用薄膜トランジスタを有するアクテ
ィブマトリックス駆動型の有機ＥＬディスプレイ装置で
あって、前記電流制御用薄膜トランジスタは、シリコン
活性層と、該シリコン活性層に接続されるアルミニウム
配線との間に、チタンよりなるバリアメタルが設けられ
ていることを特徴とする有機ＥＬディスプレイ装置。
【００２１】（４）有機ＥＬ素子と、該有機ＥＬ素子に
接続された電流制御用薄膜トランジスタを有するアクテ
ィブマトリックス駆動型の有機ＥＬディスプレイ装置で
あって、前記電流制御用薄膜トランジスタは、シリコン
活性層と、該シリコン活性層に接続されるアルミニウム
配線との間に、窒素を５０ａｔｍ％以下含有する窒化チ
タンよりなるバリアメタルを設けたことを特徴とする有
機ＥＬディスプレイ装置。
接続された電流制御用薄膜トランジスタを有するアクテ
ィブマトリックス駆動型の有機ＥＬディスプレイ装置で
あって、前記電流制御用薄膜トランジスタは、シリコン
活性層と、該シリコン活性層に接続されるアルミニウム
配線との間に、窒素を５０ａｔｍ％以下含有する窒化チ
タンよりなるバリアメタルを設けたことを特徴とする有
機ＥＬディスプレイ装置。
【００２２】（５）有機ＥＬ素子と、該有機ＥＬ素子に
接続された電流制御用薄膜トランジスタと、前記電流制
御用薄膜トランジスタのスイッチングを行うスイッチ用
薄膜トランジスタを有するアクティブマトリックス駆動
型の有機ＥＬディスプレイ装置であって、前記電流制御
用薄膜トランジスタと、前記スイッチ用薄膜トランジス
タのそれぞれにおいて、シリコン活性層と、該シリコン
活性層に接続されるアルミニウム配線との間に、チタン
よりなるバリアメタルを設けたことを特徴とする有機Ｅ
Ｌディスプレイ装置。
接続された電流制御用薄膜トランジスタと、前記電流制
御用薄膜トランジスタのスイッチングを行うスイッチ用
薄膜トランジスタを有するアクティブマトリックス駆動
型の有機ＥＬディスプレイ装置であって、前記電流制御
用薄膜トランジスタと、前記スイッチ用薄膜トランジス
タのそれぞれにおいて、シリコン活性層と、該シリコン
活性層に接続されるアルミニウム配線との間に、チタン
よりなるバリアメタルを設けたことを特徴とする有機Ｅ
Ｌディスプレイ装置。
【００２３】（６）有機ＥＬ素子と、該有機ＥＬ素子に
接続された電流制御用薄膜トランジスタと、前記電流制
御用薄膜トランジスタのスイッチングを行うスイッチ用
薄膜トランジスタを有するアクティブマトリックス駆動
型の有機ＥＬディスプレイ装置であって、前記電流制御
用薄膜トランジスタと、前記スイッチ用薄膜トランジス
タのそれぞれにおいて、シリコン活性層と、該シリコン
活性層に接続されるアルミニウム配線との間に、窒素を
５０ａｔｍ％以下含有する窒化チタンよりなるバリアメ
タルを設けたことを特徴とする有機ＥＬディスプレイ装
置。
接続された電流制御用薄膜トランジスタと、前記電流制
御用薄膜トランジスタのスイッチングを行うスイッチ用
薄膜トランジスタを有するアクティブマトリックス駆動
型の有機ＥＬディスプレイ装置であって、前記電流制御
用薄膜トランジスタと、前記スイッチ用薄膜トランジス
タのそれぞれにおいて、シリコン活性層と、該シリコン
活性層に接続されるアルミニウム配線との間に、窒素を
５０ａｔｍ％以下含有する窒化チタンよりなるバリアメ
タルを設けたことを特徴とする有機ＥＬディスプレイ装
置。
【００２４】（７）有機ＥＬ素子がマトリックス状に設
けられた、アクティブマトリックス駆動型の有機ＥＬデ
ィスプレイ装置であって、前記有機ＥＬ素子を構成する
透明電極と、前記透明電極に接続されるアルミニウム配
線との間に、チタンよりなるバリアメタルを設けたこと
を特徴とする有機ＥＬディスプレイ装置。
けられた、アクティブマトリックス駆動型の有機ＥＬデ
ィスプレイ装置であって、前記有機ＥＬ素子を構成する
透明電極と、前記透明電極に接続されるアルミニウム配
線との間に、チタンよりなるバリアメタルを設けたこと
を特徴とする有機ＥＬディスプレイ装置。
【００２５】（８）有機ＥＬ素子がマトリックス状に設
けられた、アクティブマトリックス駆動型の有機ＥＬデ
ィスプレイ装置であって、前記有機ＥＬ素子を構成する
透明電極と、前記透明電極に接続されるアルミニウム配
線との間に、窒素を５０ａｔｍ％以下含有する窒化チタ
ンよりなるバリアメタルを設けたことを特徴とする有機
ＥＬディスプレイ装置。
けられた、アクティブマトリックス駆動型の有機ＥＬデ
ィスプレイ装置であって、前記有機ＥＬ素子を構成する
透明電極と、前記透明電極に接続されるアルミニウム配
線との間に、窒素を５０ａｔｍ％以下含有する窒化チタ
ンよりなるバリアメタルを設けたことを特徴とする有機
ＥＬディスプレイ装置。
【００２６】（９）有機ＥＬ素子と、該有機ＥＬ素子に
接続された電流制御用薄膜トランジスタを有するアクテ
ィブマトリックス駆動型の有機ＥＬディスプレイ装置で
あって、前記電流制御用薄膜トランジスタは、シリコン
活性層と、該シリコン活性層に接続されるアルミニウム
配線との間に、チタンよりなるバリアメタルが設けられ
ており、前記有機ＥＬ素子を構成する透明電極と、前記
透明電極に接続されるアルミニウム配線との間に、チタ
ンよりなる密着用金属が設けられていることを特徴とす
る有機ＥＬディスプレイ装置。
接続された電流制御用薄膜トランジスタを有するアクテ
ィブマトリックス駆動型の有機ＥＬディスプレイ装置で
あって、前記電流制御用薄膜トランジスタは、シリコン
活性層と、該シリコン活性層に接続されるアルミニウム
配線との間に、チタンよりなるバリアメタルが設けられ
ており、前記有機ＥＬ素子を構成する透明電極と、前記
透明電極に接続されるアルミニウム配線との間に、チタ
ンよりなる密着用金属が設けられていることを特徴とす
る有機ＥＬディスプレイ装置。
【００２７】（１０）有機ＥＬ素子と、該有機ＥＬ素子
に接続された電流制御用薄膜トランジスタを有するアク
ティブマトリックス駆動型の有機ＥＬディスプレイ装置
であって、前記電流制御用薄膜トランジスタは、シリコ
ン活性層と、該シリコン活性層に接続されるアルミニウ
ム配線との間に、窒素を５０ａｔｍ％以下含有する窒化
チタンよりなるバリアメタルが設けられており、前記有
機ＥＬ素子を構成する透明電極と、前記透明電極に接続
されるアルミニウム配線との間に、窒素を５０ａｔｍ％
以下含有する窒化チタンよりなる密着用金属が設けられ
ていることを特徴とする有機ＥＬディスプレイ装置。
に接続された電流制御用薄膜トランジスタを有するアク
ティブマトリックス駆動型の有機ＥＬディスプレイ装置
であって、前記電流制御用薄膜トランジスタは、シリコ
ン活性層と、該シリコン活性層に接続されるアルミニウ
ム配線との間に、窒素を５０ａｔｍ％以下含有する窒化
チタンよりなるバリアメタルが設けられており、前記有
機ＥＬ素子を構成する透明電極と、前記透明電極に接続
されるアルミニウム配線との間に、窒素を５０ａｔｍ％
以下含有する窒化チタンよりなる密着用金属が設けられ
ていることを特徴とする有機ＥＬディスプレイ装置。
【００２８】（１１）有機ＥＬ素子と、該有機ＥＬ素子
に接続された電流制御用薄膜トランジスタと、前記電流
制御用薄膜トランジスタのスイッチングを行うスイッチ
用薄膜トランジスタを有するアクティブマトリックス駆
動型の有機ＥＬディスプレイ装置であって、前記電流制
御用薄膜トランジスタと、前記スイッチ用薄膜トランジ
スタのそれぞれにおいて、シリコン活性層と、該シリコ
ン活性層に接続されるアルミニウム配線との間に、チタ
ンよりなるバリアメタルが設けられており、前記有機Ｅ
Ｌ素子を構成する透明電極と、前記透明電極に接続され
るアルミニウム配線との間に、チタンよりなる密着用金
属が設けられていることを特徴とする有機ＥＬディスプ
レイ装置。
に接続された電流制御用薄膜トランジスタと、前記電流
制御用薄膜トランジスタのスイッチングを行うスイッチ
用薄膜トランジスタを有するアクティブマトリックス駆
動型の有機ＥＬディスプレイ装置であって、前記電流制
御用薄膜トランジスタと、前記スイッチ用薄膜トランジ
スタのそれぞれにおいて、シリコン活性層と、該シリコ
ン活性層に接続されるアルミニウム配線との間に、チタ
ンよりなるバリアメタルが設けられており、前記有機Ｅ
Ｌ素子を構成する透明電極と、前記透明電極に接続され
るアルミニウム配線との間に、チタンよりなる密着用金
属が設けられていることを特徴とする有機ＥＬディスプ
レイ装置。
【００２９】（１２）有機ＥＬ素子と、該有機ＥＬ素子
に接続された電流制御用薄膜トランジスタと、前記電流
制御用薄膜トランジスタのスイッチングを行うスイッチ
用薄膜トランジスタを有するアクティブマトリックス駆
動型の有機ＥＬディスプレイ装置であって、前記電流制
御用薄膜トランジスタと、前記スイッチ用薄膜トランジ
スタのそれぞれにおいて、シリコン活性層と、該シリコ
ン活性層に接続されるアルミニウム配線との間に、窒素
を５０ａｔｍ％以下含有する窒化チタンよりなるバリア
メタルが設けられており、前記有機ＥＬ素子を構成する
透明電極と、前記透明電極に接続されるアルミニウム配
線との間に、窒素を５０ａｔｍ％以下含有する窒化チタ
ンよりなる密着用金属が設けられていることを特徴とす
る有機ＥＬディスプレイ装置。
に接続された電流制御用薄膜トランジスタと、前記電流
制御用薄膜トランジスタのスイッチングを行うスイッチ
用薄膜トランジスタを有するアクティブマトリックス駆
動型の有機ＥＬディスプレイ装置であって、前記電流制
御用薄膜トランジスタと、前記スイッチ用薄膜トランジ
スタのそれぞれにおいて、シリコン活性層と、該シリコ
ン活性層に接続されるアルミニウム配線との間に、窒素
を５０ａｔｍ％以下含有する窒化チタンよりなるバリア
メタルが設けられており、前記有機ＥＬ素子を構成する
透明電極と、前記透明電極に接続されるアルミニウム配
線との間に、窒素を５０ａｔｍ％以下含有する窒化チタ
ンよりなる密着用金属が設けられていることを特徴とす
る有機ＥＬディスプレイ装置。
【００３０】（１３）有機ＥＬ素子と、該有機ＥＬ素子
に接続された電流制御用薄膜トランジスタを有するアク
ティブマトリックス駆動型の有機ＥＬディスプレイ装置
を製造するに際し、前記電流制御用薄膜トランジスタの
シリコン活性層と、該シリコン活性層に接続されるアル
ミニウム配線との間に設けられたバリアメタルと、前記
有機ＥＬ素子を構成する透明電極と、前記透明電極に接
続されるアルミニウム配線との間に設けられる密着用金
属とがチタンにより同時に形成されることを特徴とする
有機ＥＬディスプレイ装置の製造方法。
に接続された電流制御用薄膜トランジスタを有するアク
ティブマトリックス駆動型の有機ＥＬディスプレイ装置
を製造するに際し、前記電流制御用薄膜トランジスタの
シリコン活性層と、該シリコン活性層に接続されるアル
ミニウム配線との間に設けられたバリアメタルと、前記
有機ＥＬ素子を構成する透明電極と、前記透明電極に接
続されるアルミニウム配線との間に設けられる密着用金
属とがチタンにより同時に形成されることを特徴とする
有機ＥＬディスプレイ装置の製造方法。
【００３１】（１４）有機ＥＬ素子と、該有機ＥＬ素子
に接続された電流制御用薄膜トランジスタを有するアク
ティブマトリックス駆動型の有機ＥＬディスプレイ装置
を製造するに際し、前記電流制御用薄膜トランジスタの
シリコン活性層と、該シリコン活性層に接続されるアル
ミニウム配線との間に設けられたバリアメタルと、前記
有機ＥＬ素子を構成する透明電極と、前記透明電極に接
続されるアルミニウム配線との間に設けられる密着用金
属とが窒素を５０ａｔｍ％以下含有する窒化チタンによ
り同時に形成されることを特徴とする有機ＥＬディスプ
レイ装置の製造方法。
に接続された電流制御用薄膜トランジスタを有するアク
ティブマトリックス駆動型の有機ＥＬディスプレイ装置
を製造するに際し、前記電流制御用薄膜トランジスタの
シリコン活性層と、該シリコン活性層に接続されるアル
ミニウム配線との間に設けられたバリアメタルと、前記
有機ＥＬ素子を構成する透明電極と、前記透明電極に接
続されるアルミニウム配線との間に設けられる密着用金
属とが窒素を５０ａｔｍ％以下含有する窒化チタンによ
り同時に形成されることを特徴とする有機ＥＬディスプ
レイ装置の製造方法。
【００３２】このように、有機ＥＬ素子に接続された薄
膜トランジスタにおいて、薄膜トランジスタのソース又
はドレインである活性シリコン層と、有機ＥＬ素子に接
続されたアルミニウム配線との接触部において、バリア
メタルとしてチタンまたは窒素の含有量が５０ａｔｍ％
以下含有される窒化チタンを用いることにより、発明者
は有機ＥＬ素子と共に使用されていても、バリアメタル
の流出がないということを発見した。そしてこれにより
バリアメタルの溶出による短絡や断線を防ぎ、有機ＥＬ
ディスプレイ装置の信頼性を向上させることができた。
膜トランジスタにおいて、薄膜トランジスタのソース又
はドレインである活性シリコン層と、有機ＥＬ素子に接
続されたアルミニウム配線との接触部において、バリア
メタルとしてチタンまたは窒素の含有量が５０ａｔｍ％
以下含有される窒化チタンを用いることにより、発明者
は有機ＥＬ素子と共に使用されていても、バリアメタル
の流出がないということを発見した。そしてこれにより
バリアメタルの溶出による短絡や断線を防ぎ、有機ＥＬ
ディスプレイ装置の信頼性を向上させることができた。
【００３３】また有機ＥＬ素子を構成するＩＴＯの透明
電極と、このＩＴＯの透明電極に接続されるアルミニウ
ム配線との間に設けられる密着金属として、チタン又は
窒素の含有量が５０ａｔｍ％以下の窒化チタンの層を設
けることにより、ＩＴＯの透明電極とアルミニウム配線
との密着性を向上することができ、この点からも有機Ｅ
Ｌディスプレイ装置の信頼性を向上することができた。
電極と、このＩＴＯの透明電極に接続されるアルミニウ
ム配線との間に設けられる密着金属として、チタン又は
窒素の含有量が５０ａｔｍ％以下の窒化チタンの層を設
けることにより、ＩＴＯの透明電極とアルミニウム配線
との密着性を向上することができ、この点からも有機Ｅ
Ｌディスプレイ装置の信頼性を向上することができた。
【００３４】
【発明の実施の形態】本発明の第１の実施の形態を図１
に基づき説明する。第１の実施の形態ではバリアメタル
として窒化チタンを用いた薄膜トランジスタを有する有
機ＥＬディスプレイ装置を構成した例を示し、図３にお
ける電流制御用薄膜トランジスタ３０５と、有機ＥＬ素
子３０６に対する部分を示す。
に基づき説明する。第１の実施の形態ではバリアメタル
として窒化チタンを用いた薄膜トランジスタを有する有
機ＥＬディスプレイ装置を構成した例を示し、図３にお
ける電流制御用薄膜トランジスタ３０５と、有機ＥＬ素
子３０６に対する部分を示す。
【００３５】図１（Ａ）に示す如く、先ず基板１０１上
に通常の固相成長法により多結晶シリコン薄膜を形成
し、この多結晶シリコン薄膜を島状に加工して、シリコ
ン活性層１０２を得る。この基板１０１としては、例え
ば石英基板を使用することができる。
に通常の固相成長法により多結晶シリコン薄膜を形成
し、この多結晶シリコン薄膜を島状に加工して、シリコ
ン活性層１０２を得る。この基板１０１としては、例え
ば石英基板を使用することができる。
【００３６】次に、このシリコン活性層１０２の上にＳ
ｉＯ2 よりなるゲート絶縁膜１０３、アルミニウムより
なるゲート電極１０４を形成する。その後シリコン活性
層１０２に不純物をドープして、ソース領域１０５、チ
ャネル形成領域１０６及びドレイン領域１０７が形成さ
れる。そしてこれらの上全面に、ＳｉＯ2 よりなる層間
絶縁膜１０８が形成される。
ｉＯ2 よりなるゲート絶縁膜１０３、アルミニウムより
なるゲート電極１０４を形成する。その後シリコン活性
層１０２に不純物をドープして、ソース領域１０５、チ
ャネル形成領域１０６及びドレイン領域１０７が形成さ
れる。そしてこれらの上全面に、ＳｉＯ2 よりなる層間
絶縁膜１０８が形成される。
【００３７】次に、図１（Ｂ）に示す如く、層間絶縁膜
１０８にエッチング処理を施し、ソース領域１０５、ド
レイン領域１０７及びＥＬ素子形成領域に開孔を設け
る。そしてＩＴＯ（酸化インジューム・スズ）膜がスパ
ッタ法により形成され、加工されてＥＬ素子形成領域に
透明電極１０９が形成される。この場合、層間絶縁膜１
０８のＥＬ素子形成領域には開孔を設けず、層間絶縁膜
１０８上に透明電極１０９を設けてもよい。
１０８にエッチング処理を施し、ソース領域１０５、ド
レイン領域１０７及びＥＬ素子形成領域に開孔を設け
る。そしてＩＴＯ（酸化インジューム・スズ）膜がスパ
ッタ法により形成され、加工されてＥＬ素子形成領域に
透明電極１０９が形成される。この場合、層間絶縁膜１
０８のＥＬ素子形成領域には開孔を設けず、層間絶縁膜
１０８上に透明電極１０９を設けてもよい。
【００３８】次に窒化チタン膜を形成する。この場合、
窒素を１０ａｔｍ％含有する窒化チタン膜を、膜厚１０
０Å〜１０００Å、例えば５００Åの厚さで、基板全面
に形成した。
窒素を１０ａｔｍ％含有する窒化チタン膜を、膜厚１０
０Å〜１０００Å、例えば５００Åの厚さで、基板全面
に形成した。
【００３９】その後これをエッチング処理して、ソース
領域１０５とドレイン領域１０７と、透明電極１０９の
上部であってアルミニウム配線が接続される部分に、い
ずれも窒化チタン膜よりなるバリアメタル１１０、１１
１及び密着用金属１１２が同時に形成される。
領域１０５とドレイン領域１０７と、透明電極１０９の
上部であってアルミニウム配線が接続される部分に、い
ずれも窒化チタン膜よりなるバリアメタル１１０、１１
１及び密着用金属１１２が同時に形成される。
【００４０】勿論スイッチ用薄膜トランジスタや、周辺
駆動回路を構成する薄膜トランジスタの窒化チタンより
なるバリアメタルを、この工程において同時に形成して
もよい。このようにして、窒化チタンよりなるバリアメ
タル及び密着用金属を同時に形成することができる。
駆動回路を構成する薄膜トランジスタの窒化チタンより
なるバリアメタルを、この工程において同時に形成して
もよい。このようにして、窒化チタンよりなるバリアメ
タル及び密着用金属を同時に形成することができる。
【００４１】それから、図１（Ｃ）に示す如く、全面に
アルミニウム膜が６０００Å形成され、これがエッチン
グ処理されて、ソース電極１１３−１が形成されるアル
ミニウム配線１１３と、ドレイン電極１１４−１と密着
用金属１１２とを接続するアルミニウム配線１１４が設
けられる。
アルミニウム膜が６０００Å形成され、これがエッチン
グ処理されて、ソース電極１１３−１が形成されるアル
ミニウム配線１１３と、ドレイン電極１１４−１と密着
用金属１１２とを接続するアルミニウム配線１１４が設
けられる。
【００４２】そして、図１（Ｄ）に示す如く、有機ＥＬ
層１１５とＥＬ素子の上部電極１１６が有機ＥＬ素子形
成領域に設けられた。これらは、それぞれメタルマスク
が設けられた状態で、真空蒸着法を行うことにより形成
された。この上部電極１１６は、例えば銀を含むマグネ
シウム膜により構成される。
層１１５とＥＬ素子の上部電極１１６が有機ＥＬ素子形
成領域に設けられた。これらは、それぞれメタルマスク
が設けられた状態で、真空蒸着法を行うことにより形成
された。この上部電極１１６は、例えば銀を含むマグネ
シウム膜により構成される。
【００４３】次に、有機ＥＬ素子の上部電極１１６上に
開孔が設けられてＳｉＯ2 膜の保護膜１１７が形成さ
れ、更に共通電極１１８が、マトリックス部全面にアル
ミニウムを設けることで形成され、有機ＥＬディスプレ
イ装置が完成された。
開孔が設けられてＳｉＯ2 膜の保護膜１１７が形成さ
れ、更に共通電極１１８が、マトリックス部全面にアル
ミニウムを設けることで形成され、有機ＥＬディスプレ
イ装置が完成された。
【００４４】本発明の第２の実施の形態について説明す
る。本発明の第２の実施の形態ではバリアメタル１１
０、１１１や密着用金属１１２等にチタンを使用したも
のである。その製造工程図は図１と全く同じであるの
で、図１に従って簡単に説明する。
る。本発明の第２の実施の形態ではバリアメタル１１
０、１１１や密着用金属１１２等にチタンを使用したも
のである。その製造工程図は図１と全く同じであるの
で、図１に従って簡単に説明する。
【００４５】図１（Ａ）に示す如く、基板１０１上に多
結晶シリコン薄膜を形成し、これを島状に加工して、シ
リコン活性層１０２を得る。このシリコン活性層１０２
の上にＳｉＯ2 よりなるゲート絶縁膜１０３、アルミニ
ウムよりなるゲート電極１０４を形成し、不純物をドー
プしてソース領域１０５、チャネル形成領域１０６及び
ドレイン領域１０７を形成し、これらにＳｉＯ2 よりな
る層間絶縁膜１０８を形成する。
結晶シリコン薄膜を形成し、これを島状に加工して、シ
リコン活性層１０２を得る。このシリコン活性層１０２
の上にＳｉＯ2 よりなるゲート絶縁膜１０３、アルミニ
ウムよりなるゲート電極１０４を形成し、不純物をドー
プしてソース領域１０５、チャネル形成領域１０６及び
ドレイン領域１０７を形成し、これらにＳｉＯ2 よりな
る層間絶縁膜１０８を形成する。
【００４６】次に、図１（Ｂ）に示す如く、層間絶縁膜
１０８をエッチングして、ソース領域１０５、ドレイン
領域１０７、ＥＬ素子形成領域に開孔を設ける。そして
ＩＴＯ膜がスパッタ法により形成され、加工されてＥＬ
素子形成領域に透明電極１０９を形成する。この場合、
ＥＬ素子形成領域には開孔を設けず、層間絶縁膜１０８
上に透明電極１０９を設けてもよい。
１０８をエッチングして、ソース領域１０５、ドレイン
領域１０７、ＥＬ素子形成領域に開孔を設ける。そして
ＩＴＯ膜がスパッタ法により形成され、加工されてＥＬ
素子形成領域に透明電極１０９を形成する。この場合、
ＥＬ素子形成領域には開孔を設けず、層間絶縁膜１０８
上に透明電極１０９を設けてもよい。
【００４７】それからチタン膜を、１００Å〜１０００
Å、例えば５００Åの厚さで基板全面に形成し、これを
エッチング処理して、ソース領域１０５と、ドレイン領
域１０７と、透明電極１０９との上部のアルミニウム配
線が接続される部分に、チタン膜よりなるバリアメタル
１１０′、１１１′及び密着用金属１１２′を同時に形
成する。勿論スイッチ用薄膜トランジスタや周辺駆動回
路を構成する薄膜トランジスタのチタンよりなるバリア
メタル及び密着用金属を同時に形成できる。
Å、例えば５００Åの厚さで基板全面に形成し、これを
エッチング処理して、ソース領域１０５と、ドレイン領
域１０７と、透明電極１０９との上部のアルミニウム配
線が接続される部分に、チタン膜よりなるバリアメタル
１１０′、１１１′及び密着用金属１１２′を同時に形
成する。勿論スイッチ用薄膜トランジスタや周辺駆動回
路を構成する薄膜トランジスタのチタンよりなるバリア
メタル及び密着用金属を同時に形成できる。
【００４８】それから図１（Ｃ）に示す如く、全面にア
ルミニウム膜が６０００Å形成され、これがエッチング
処理されて、ソース電極１１３−１が形成されるアルミ
ニウム配線１１３と、ドレイン電極１１４−１と密着用
金属１１２とを接続するアルミニウム配線１１４が設け
られる。
ルミニウム膜が６０００Å形成され、これがエッチング
処理されて、ソース電極１１３−１が形成されるアルミ
ニウム配線１１３と、ドレイン電極１１４−１と密着用
金属１１２とを接続するアルミニウム配線１１４が設け
られる。
【００４９】そして、図１（Ｄ）に示す如く、有機ＥＬ
層１１５とＥＬ素子の上部電極１１６が設けられる。こ
れらは、それぞれメタルマスクが設けられた状態で、真
空蒸着法で形成された。この上部電極１１６は、例えば
銀を含むマグネシウム膜により構成される。
層１１５とＥＬ素子の上部電極１１６が設けられる。こ
れらは、それぞれメタルマスクが設けられた状態で、真
空蒸着法で形成された。この上部電極１１６は、例えば
銀を含むマグネシウム膜により構成される。
【００５０】次に上部電極１１６上に開孔が設けられて
ＳｉＯ2 膜の保護膜１１７が形成され、アルミニウムの
共通電極１１８が形成され、有機ＥＬディスプレイ装置
が完成される。
ＳｉＯ2 膜の保護膜１１７が形成され、アルミニウムの
共通電極１１８が形成され、有機ＥＬディスプレイ装置
が完成される。
【００５１】本発明の第３の実施の形態について説明す
る。本発明の第３の実施の形態ではバリアメタル１１
０、１１１や密着用金属１１２等にチタンを使用したも
のである。その製造工程図は図１と全く同じであるの
で、図１に従って簡単に説明する。
る。本発明の第３の実施の形態ではバリアメタル１１
０、１１１や密着用金属１１２等にチタンを使用したも
のである。その製造工程図は図１と全く同じであるの
で、図１に従って簡単に説明する。
【００５２】図１（Ａ）に示す如く、基板１０１上に多
結晶シリコン薄膜を形成し、これを島状に加工して、シ
リコン活性層１０２を得る。このシリコン活性層１０２
の上にＳｉＯ2 よりなるゲート絶縁膜１０３、アルミニ
ウムよりなるゲート電極１０４を形成し、不純物をドー
プしてソース領域１０５、チャネル形成領域１０６及び
ドレイン領域１０７を形成し、これらにＳｉＯ2 よりな
る層間絶縁膜１０８を形成する。
結晶シリコン薄膜を形成し、これを島状に加工して、シ
リコン活性層１０２を得る。このシリコン活性層１０２
の上にＳｉＯ2 よりなるゲート絶縁膜１０３、アルミニ
ウムよりなるゲート電極１０４を形成し、不純物をドー
プしてソース領域１０５、チャネル形成領域１０６及び
ドレイン領域１０７を形成し、これらにＳｉＯ2 よりな
る層間絶縁膜１０８を形成する。
【００５３】次に、図１（Ｂ）に示す如く、層間絶縁膜
１０８をエッチングして、ソース領域１０５、ドレイン
領域１０７、ＥＬ素子形成領域に開孔を設ける。そして
ＩＴＯ膜がスパッタ法により形成され、加工されてＥＬ
素子形成領域に透明電極１０９を形成する。この場合、
ＥＬ素子形成領域には開孔を設けず、層間絶縁膜１０８
上に透明電極１０９を設けてもよい。
１０８をエッチングして、ソース領域１０５、ドレイン
領域１０７、ＥＬ素子形成領域に開孔を設ける。そして
ＩＴＯ膜がスパッタ法により形成され、加工されてＥＬ
素子形成領域に透明電極１０９を形成する。この場合、
ＥＬ素子形成領域には開孔を設けず、層間絶縁膜１０８
上に透明電極１０９を設けてもよい。
【００５４】それから窒素を４５ａｔｍ含有する窒化チ
タン膜を、１００Å〜１０００Å、例えば５００Åの厚
さで基板全面に形成し、これをエッチング処理して、ソ
ース領域１０５と、ドレイン領域１０７と、透明電極１
０９との上部のアルミニウム配線が接続される部分に、
窒素を４５ａｔｍ含有する窒化チタン膜よりなるバリア
メタル１１０′、１１１′及び密着用金属１１２′を同
時に形成する。勿論スイッチ用薄膜トランジスタや周辺
駆動回路を構成する薄膜トランジスタのチタンよりなる
バリアメタル及び密着用金属を同時に形成できる。
タン膜を、１００Å〜１０００Å、例えば５００Åの厚
さで基板全面に形成し、これをエッチング処理して、ソ
ース領域１０５と、ドレイン領域１０７と、透明電極１
０９との上部のアルミニウム配線が接続される部分に、
窒素を４５ａｔｍ含有する窒化チタン膜よりなるバリア
メタル１１０′、１１１′及び密着用金属１１２′を同
時に形成する。勿論スイッチ用薄膜トランジスタや周辺
駆動回路を構成する薄膜トランジスタのチタンよりなる
バリアメタル及び密着用金属を同時に形成できる。
【００５５】それから図１（Ｃ）に示す如く、全面にア
ルミニウム膜が６０００Å形成され、これがエッチング
処理されて、ソース電極１１３−１が形成されるアルミ
ニウム配線１１３と、ドレイン電極１１４−１と密着用
金属１１２とを接続するアルミニウム配線１１４が設け
られる。
ルミニウム膜が６０００Å形成され、これがエッチング
処理されて、ソース電極１１３−１が形成されるアルミ
ニウム配線１１３と、ドレイン電極１１４−１と密着用
金属１１２とを接続するアルミニウム配線１１４が設け
られる。
【００５６】そして、図１（Ｄ）に示す如く、有機ＥＬ
層１１５とＥＬ素子の上部電極１１６が設けられる。こ
れらは、それぞれメタルマスクが設けられた状態で、真
空蒸着法で形成された。この上部電極１１６は、例えば
銀を含むマグネシウム膜により構成される。
層１１５とＥＬ素子の上部電極１１６が設けられる。こ
れらは、それぞれメタルマスクが設けられた状態で、真
空蒸着法で形成された。この上部電極１１６は、例えば
銀を含むマグネシウム膜により構成される。
【００５７】次に上部電極１１６上に開孔が設けられて
ＳｉＯ2 膜の保護膜１１７が形成され、アルミニウムの
共通電極１１８が形成され、有機ＥＬディスプレイ装置
が完成される。
ＳｉＯ2 膜の保護膜１１７が形成され、アルミニウムの
共通電極１１８が形成され、有機ＥＬディスプレイ装置
が完成される。
【００５８】ここで図２により窒化チタンＴｉＮの窒素
含有量とその比抵抗の関係を説明する。図２においてＮ
は窒素含有量（Ｎ2 量）特性曲線を示し、Ｒは比抵抗特
性曲線を示し、Ｔは成膜速度特性曲線を示す。なお横軸
は成膜時Ｎ2 分圧であり、窒素ガスとＡｒガスの混合比
を示し、０．２はＮ2 ガス２０％Ａｒガス８０％；また
０．６はＮ2 ガス６０％Ａｒガス４０％のときを示す。
含有量とその比抵抗の関係を説明する。図２においてＮ
は窒素含有量（Ｎ2 量）特性曲線を示し、Ｒは比抵抗特
性曲線を示し、Ｔは成膜速度特性曲線を示す。なお横軸
は成膜時Ｎ2 分圧であり、窒素ガスとＡｒガスの混合比
を示し、０．２はＮ2 ガス２０％Ａｒガス８０％；また
０．６はＮ2 ガス６０％Ａｒガス４０％のときを示す。
【００５９】この図２は、成膜時Ｎ2 分圧が０．１のと
き窒化チタンの窒素含有量はＮ曲線により約３７．５ａ
ｔｍ％、比抵抗はＲ曲線により約２２５マイクロオーム
・センチメータ、成膜速度は約９２Å／分であることを
示している。
き窒化チタンの窒素含有量はＮ曲線により約３７．５ａ
ｔｍ％、比抵抗はＲ曲線により約２２５マイクロオーム
・センチメータ、成膜速度は約９２Å／分であることを
示している。
【００６０】本発明者等は、窒素含有量を３０ａｔｍ％
より増加したところ、図２に示す如く、約３７．５ａｔ
ｍ％を超えたとき窒化チタンの比抵抗が低下する領域の
あることを発見し、これにより窒素含有量が３０ａｔｍ
％を超えた領域でもバリアメタルや密着用金属として使
用可能であることを見出した。
より増加したところ、図２に示す如く、約３７．５ａｔ
ｍ％を超えたとき窒化チタンの比抵抗が低下する領域の
あることを発見し、これにより窒素含有量が３０ａｔｍ
％を超えた領域でもバリアメタルや密着用金属として使
用可能であることを見出した。
【００６１】当然のことながらバリアメタルや密着用金
属としては、比抵抗は低い程よい。またチタンに窒素を
含有すればする程化学的に安定するため、逆に加工性
（エッチング性）は低下することになる。
属としては、比抵抗は低い程よい。またチタンに窒素を
含有すればする程化学的に安定するため、逆に加工性
（エッチング性）は低下することになる。
【００６２】本発明によればチタン又は窒素を５０ａｔ
ｍ％以下含有する窒化チタンを薄膜トランジスタのバリ
アメタルとして使用することにより、バリアメタルとし
ての機能、即ちシリコンのアルミニウム配線への拡散を
防ぐ機能を有するとともに、有機ＥＬ素子が使用されて
もバリアメタルの流出を抑制することができる。
ｍ％以下含有する窒化チタンを薄膜トランジスタのバリ
アメタルとして使用することにより、バリアメタルとし
ての機能、即ちシリコンのアルミニウム配線への拡散を
防ぐ機能を有するとともに、有機ＥＬ素子が使用されて
もバリアメタルの流出を抑制することができる。
【００６３】即ち、従来のようにバリアメタルとしてク
ロムを使用した有機ＥＬディスプレイ装置では、１０分
〜２０分位でクロムの流出が生じ、不良となったもの
が、チタン又は窒素を５０ａｔｍ％以下含有する窒化チ
タンを使用することにより数日以上の長時間使用しても
薄膜トランジスタのバリアメタルや有機ＥＬ素子側の密
着用金属として安定な状態を保持することができる。
ロムを使用した有機ＥＬディスプレイ装置では、１０分
〜２０分位でクロムの流出が生じ、不良となったもの
が、チタン又は窒素を５０ａｔｍ％以下含有する窒化チ
タンを使用することにより数日以上の長時間使用しても
薄膜トランジスタのバリアメタルや有機ＥＬ素子側の密
着用金属として安定な状態を保持することができる。
【００６４】また有機ＥＬ素子を構成する透明電極と、
この透明電極に接続されるアルミニウム配線との間に設
けられる密着用金属として、チタン又は窒素を５０ａｔ
ｍ％以下含有する窒化チタンの層を形成することによ
り、透明電極とアルミニウム配線との密着性を向上させ
ることができる。
この透明電極に接続されるアルミニウム配線との間に設
けられる密着用金属として、チタン又は窒素を５０ａｔ
ｍ％以下含有する窒化チタンの層を形成することによ
り、透明電極とアルミニウム配線との密着性を向上させ
ることができる。
【００６５】従って、従来バリアメタルとして、またＩ
ＴＯ透明電極とアルミニウム配線との密着性向上のため
の密着用金属として、いずれもクロムが用いられたが、
本発明ではこれらをともにチタン又は窒化チタンに置き
換えることができるため、製造工程自体は、材料の変更
以外は従来と同様とすることができる。
ＴＯ透明電極とアルミニウム配線との密着性向上のため
の密着用金属として、いずれもクロムが用いられたが、
本発明ではこれらをともにチタン又は窒化チタンに置き
換えることができるため、製造工程自体は、材料の変更
以外は従来と同様とすることができる。
【００６６】また窒化チタンにおける窒素の含有量は、
窒素が多くなると密着性が高くなるものの導電率が低下
し、また加工性も低下するため、３０ａｔｍ％以下の含
有量が好ましい。特に窒素の含有量が５〜１５ａｔｍ％
程度が導電率と加工性と安定性とがともに良好に得られ
るので極めて好ましい。
窒素が多くなると密着性が高くなるものの導電率が低下
し、また加工性も低下するため、３０ａｔｍ％以下の含
有量が好ましい。特に窒素の含有量が５〜１５ａｔｍ％
程度が導電率と加工性と安定性とがともに良好に得られ
るので極めて好ましい。
【００６７】なお本発明においては、窒素を３０ａｔｍ
％以下含有する窒化チタンをバリアメタルあるいは密着
用金属として使用することにより、比抵抗が小さく加工
性がよく、しかも耐電食性の安定性の良好なものを提供
することができる。また安価なウエットエッチング加工
することが可能となるバリアメタルあるいは密着用金属
として使用することができる。
％以下含有する窒化チタンをバリアメタルあるいは密着
用金属として使用することにより、比抵抗が小さく加工
性がよく、しかも耐電食性の安定性の良好なものを提供
することができる。また安価なウエットエッチング加工
することが可能となるバリアメタルあるいは密着用金属
として使用することができる。
【００６８】本発明において窒素を３０ａｔｍ％を超え
５０ａｔｍ％以下含有する窒化チタンをバリアメタルあ
るいは密着用金属として使用することにより、比抵抗が
小さく、耐電食性の安定性の非常に高いものを提供する
ことができる。この場合、ドライエッチングにより加工
することができる。安定性が非常に高いので、窒化チタ
ンの成膜後の熱が薬品に対する制約がなくなり、プロセ
スの汎用性が向上し、成膜にどんな工程がきても問題が
発生しにくいものを提供することができる。
５０ａｔｍ％以下含有する窒化チタンをバリアメタルあ
るいは密着用金属として使用することにより、比抵抗が
小さく、耐電食性の安定性の非常に高いものを提供する
ことができる。この場合、ドライエッチングにより加工
することができる。安定性が非常に高いので、窒化チタ
ンの成膜後の熱が薬品に対する制約がなくなり、プロセ
スの汎用性が向上し、成膜にどんな工程がきても問題が
発生しにくいものを提供することができる。
【００６９】本発明においてチタンをバリアメタルある
いは密着用金属として使用することにより、耐電食性の
安定性のある、しかも窒化チタンに比較して比抵抗が小
さく加工性の非常にすぐれたものを提供することができ
る。そしてこれまた安価なウエットエッチング加工する
ことが可能なものを提供することができる。
いは密着用金属として使用することにより、耐電食性の
安定性のある、しかも窒化チタンに比較して比抵抗が小
さく加工性の非常にすぐれたものを提供することができ
る。そしてこれまた安価なウエットエッチング加工する
ことが可能なものを提供することができる。
【００７０】前記各実施の形態では、基板として石英基
板を用いた例について説明したが、本発明はこれに限定
されるものではなく、ガラス基板、セラミック基板等を
使用することができる。
板を用いた例について説明したが、本発明はこれに限定
されるものではなく、ガラス基板、セラミック基板等を
使用することができる。
【００７１】前記各実施の形態では透明電極としてＩＴ
Ｏを使用した例について説明したが、本発明はこれに限
定されるものではなく、ＺｎＯ、ＳｎＯ等を使用するこ
とができる。
Ｏを使用した例について説明したが、本発明はこれに限
定されるものではなく、ＺｎＯ、ＳｎＯ等を使用するこ
とができる。
【００７２】前記各実施の形態では窒化チタン又はチタ
ンよりなるバリアメタルは、画素部分の電流制御用薄膜
トランジスタに設けられた例について示したが、本発明
はこれに限定されることなく、これら窒化チタン又はチ
タンよりなるバリアメタルを、スイッチング用薄膜トラ
ンジスタや、Ｘ方向、Ｙ方向の周辺駆動回路を構成する
薄膜トランジスタに設けてもよい。
ンよりなるバリアメタルは、画素部分の電流制御用薄膜
トランジスタに設けられた例について示したが、本発明
はこれに限定されることなく、これら窒化チタン又はチ
タンよりなるバリアメタルを、スイッチング用薄膜トラ
ンジスタや、Ｘ方向、Ｙ方向の周辺駆動回路を構成する
薄膜トランジスタに設けてもよい。
【００７３】特に、同一基板上において、画素部分と、
周辺駆動回路を同時に形成する場合、画素部分を構成す
る電流制御用薄膜トランジスタとスイッチ用薄膜トラン
ジスタと、各周辺駆動回路を構成する薄膜トランジスタ
とにおいて、全てチタン又は窒化チタンよりなるバリア
メタルを設けることで、また更には透明電極とアルミニ
ウム配線との間にチタン又は窒化チタンの密着用金属を
設けることにより、従来に比較して特に製造工程を増加
することなく、信頼性の高い有機ＥＬディスプレイ装置
を得ることができる。
周辺駆動回路を同時に形成する場合、画素部分を構成す
る電流制御用薄膜トランジスタとスイッチ用薄膜トラン
ジスタと、各周辺駆動回路を構成する薄膜トランジスタ
とにおいて、全てチタン又は窒化チタンよりなるバリア
メタルを設けることで、また更には透明電極とアルミニ
ウム配線との間にチタン又は窒化チタンの密着用金属を
設けることにより、従来に比較して特に製造工程を増加
することなく、信頼性の高い有機ＥＬディスプレイ装置
を得ることができる。
【００７４】
【発明の効果】請求項１に記載された本発明によれば薄
膜トランジスタの活性層と、これと接続するアルミニウ
ム配線との間に、加工し易くかつ水分の存在によるも溶
出しないチタンよりなるバリアメタルを設けたので、有
機ＥＬ素子とともに使用してもバリアメタルの溶出によ
る短絡や断線の発生を防止するとともに、バリアメタル
を加工し易く構成することができる。
膜トランジスタの活性層と、これと接続するアルミニウ
ム配線との間に、加工し易くかつ水分の存在によるも溶
出しないチタンよりなるバリアメタルを設けたので、有
機ＥＬ素子とともに使用してもバリアメタルの溶出によ
る短絡や断線の発生を防止するとともに、バリアメタル
を加工し易く構成することができる。
【００７５】請求項２に記載された本発明によれば、薄
膜トランジスタの活性層と、これと接するアルミニウム
配線との間に窒素を５０ａｔｍ％以下含有する、密着性
が高く水分の存在によるも溶出されない安定な窒化チタ
ンよりなるバリアメタルを設けたので、有機ＥＬ素子と
ともに使用してもバリアメタルの溶出による短絡や断線
の発生を防止する薄膜トランジスタを提供することがで
きる。
膜トランジスタの活性層と、これと接するアルミニウム
配線との間に窒素を５０ａｔｍ％以下含有する、密着性
が高く水分の存在によるも溶出されない安定な窒化チタ
ンよりなるバリアメタルを設けたので、有機ＥＬ素子と
ともに使用してもバリアメタルの溶出による短絡や断線
の発生を防止する薄膜トランジスタを提供することがで
きる。
【００７６】請求項３に記載された本発明によれば、有
機ＥＬ素子に接続された電流制御用薄膜トランジスタの
シリコン活性層と、これと接続するアルミニウム配線と
の間にチタンよりなるバリアメタルを設けたので、もっ
とも有機ＥＬ素子に近い電流制御用の薄膜トランジスタ
をバリアメタルの溶出による短絡や断線の発生を防止し
た構成の有機ＥＬディスプレイ装置を提供することがで
きる。
機ＥＬ素子に接続された電流制御用薄膜トランジスタの
シリコン活性層と、これと接続するアルミニウム配線と
の間にチタンよりなるバリアメタルを設けたので、もっ
とも有機ＥＬ素子に近い電流制御用の薄膜トランジスタ
をバリアメタルの溶出による短絡や断線の発生を防止し
た構成の有機ＥＬディスプレイ装置を提供することがで
きる。
【００７７】請求項４に記載された本発明によれば、有
機ＥＬ素子に接続された電流制御用薄膜トランジスタの
シリコン活性層と、これと接続するアルミニウム配線と
の間に窒素を５０ａｔｍ％以下含有する安定な窒化チタ
ンよりなるバリアメタルを設けたので、もっとも有機Ｅ
Ｌ素子に近い電流制御用の薄膜トランジスタをバリアメ
タルの溶出による短絡や断線の発生を防止した構成の有
機ＥＬディスプレイ装置を提供することができる。
機ＥＬ素子に接続された電流制御用薄膜トランジスタの
シリコン活性層と、これと接続するアルミニウム配線と
の間に窒素を５０ａｔｍ％以下含有する安定な窒化チタ
ンよりなるバリアメタルを設けたので、もっとも有機Ｅ
Ｌ素子に近い電流制御用の薄膜トランジスタをバリアメ
タルの溶出による短絡や断線の発生を防止した構成の有
機ＥＬディスプレイ装置を提供することができる。
【００７８】請求項５に記載された本発明によれば、有
機ＥＬ素子に接続された電流制御用薄膜トランジスタの
みならず、この電流制御用薄膜トランジスタのスイッチ
ングを行うスイッチ用薄膜トランジスタに対してもそれ
ぞれチタンよりなるバリアメタルを設けたので、電流制
御用薄膜トランジスタだけではなくスイッチ用薄膜トラ
ンジスタにおいてもバリアメタルの溶出による短絡や断
線の発生を防止した安定性の一層高い有機ＥＬディスプ
レイ装置を提供することができる。
機ＥＬ素子に接続された電流制御用薄膜トランジスタの
みならず、この電流制御用薄膜トランジスタのスイッチ
ングを行うスイッチ用薄膜トランジスタに対してもそれ
ぞれチタンよりなるバリアメタルを設けたので、電流制
御用薄膜トランジスタだけではなくスイッチ用薄膜トラ
ンジスタにおいてもバリアメタルの溶出による短絡や断
線の発生を防止した安定性の一層高い有機ＥＬディスプ
レイ装置を提供することができる。
【００７９】請求項６に記載された本発明によれば、有
機ＥＬ素子に接続された電流制御用薄膜トランジスタの
みならず、この電流制御用薄膜トランジスタのスイッチ
ングを行うスイッチ用薄膜トランジスタに対してもそれ
ぞれ窒素を５０ａｔｍ％以下含有する安定な窒化チタン
よりなるバリアメタルを設けたので、電流制御用薄膜ト
ランジスタだけでなくスイッチ用薄膜トランジスタにお
いてもバリアメタルの溶出による短絡や断線の発生を防
止した、安定性の一層高い有機ＥＬディスプレイ装置を
提供することができる。
機ＥＬ素子に接続された電流制御用薄膜トランジスタの
みならず、この電流制御用薄膜トランジスタのスイッチ
ングを行うスイッチ用薄膜トランジスタに対してもそれ
ぞれ窒素を５０ａｔｍ％以下含有する安定な窒化チタン
よりなるバリアメタルを設けたので、電流制御用薄膜ト
ランジスタだけでなくスイッチ用薄膜トランジスタにお
いてもバリアメタルの溶出による短絡や断線の発生を防
止した、安定性の一層高い有機ＥＬディスプレイ装置を
提供することができる。
【００８０】請求項７に記載された本発明によれば、有
機ＥＬ素子を構成する透明電極と、前記透明電極に接続
されたアルミニウム配線との間に、チタンよりなるバリ
アメタルを設けたので密着性のよい接続を得ることがで
き、信頼性の高い有機ＥＬディスプレイ装置を提供する
ことができる。
機ＥＬ素子を構成する透明電極と、前記透明電極に接続
されたアルミニウム配線との間に、チタンよりなるバリ
アメタルを設けたので密着性のよい接続を得ることがで
き、信頼性の高い有機ＥＬディスプレイ装置を提供する
ことができる。
【００８１】請求項８に記載された本発明によれば、有
機ＥＬ素子を構成する透明電極と、前記透明電極に接続
されたアルミニウム配線との間に、窒素を５０ａｔｍ％
以下含有する、密着性のよい安定な窒化チタンを設けた
ので、密着性のよい安定した接続を得ることができ、信
頼性の高い有機ＥＬディスプレイ装置を提供することが
できる。
機ＥＬ素子を構成する透明電極と、前記透明電極に接続
されたアルミニウム配線との間に、窒素を５０ａｔｍ％
以下含有する、密着性のよい安定な窒化チタンを設けた
ので、密着性のよい安定した接続を得ることができ、信
頼性の高い有機ＥＬディスプレイ装置を提供することが
できる。
【００８２】請求項９に記載された本発明によれば、電
流制御用薄膜トランジスタは、その活性層とこれに接続
されるアルミニウム配線との間にチタンよりなるバリア
メタルが設けられ、また、有機ＥＬ素子を構成する透明
電極と、前記透明電極に接続されるアルミニウム配線と
の間にチタンよりなる密着金属が設けられるので、バリ
アメタルと密着用金属を同時に形成することができ、製
造コストを低下するとともに安定に動作する有機ＥＬデ
ィスプレイ装置を提供することができる。
流制御用薄膜トランジスタは、その活性層とこれに接続
されるアルミニウム配線との間にチタンよりなるバリア
メタルが設けられ、また、有機ＥＬ素子を構成する透明
電極と、前記透明電極に接続されるアルミニウム配線と
の間にチタンよりなる密着金属が設けられるので、バリ
アメタルと密着用金属を同時に形成することができ、製
造コストを低下するとともに安定に動作する有機ＥＬデ
ィスプレイ装置を提供することができる。
【００８３】請求項１０に記載された本発明によれば、
電流制御用薄膜トランジスタは、その活性層とこれに接
続されるアルミニウム配線との間に窒素を５０ａｔｍ％
以下含有する窒化チタンよりなるバリアメタルが設けら
れ、また有機ＥＬ素子を構成する透明電極と、前記透明
電極に接続されるアルミニウム配線との間に窒素を５０
ａｔｍ％以下含有する窒化チタンよりなる密着金属が設
けられているので、電流制御用薄膜トランジスタのバリ
アメタルと密着金属を同時に形成することができ、製造
コストを低下するとともに、密着性の良好なバリアメタ
ルや密着用金属を構成することができるので、信頼性の
高い安定に動作する有機ＥＬディスプレイ装置を提供す
ることができる。
電流制御用薄膜トランジスタは、その活性層とこれに接
続されるアルミニウム配線との間に窒素を５０ａｔｍ％
以下含有する窒化チタンよりなるバリアメタルが設けら
れ、また有機ＥＬ素子を構成する透明電極と、前記透明
電極に接続されるアルミニウム配線との間に窒素を５０
ａｔｍ％以下含有する窒化チタンよりなる密着金属が設
けられているので、電流制御用薄膜トランジスタのバリ
アメタルと密着金属を同時に形成することができ、製造
コストを低下するとともに、密着性の良好なバリアメタ
ルや密着用金属を構成することができるので、信頼性の
高い安定に動作する有機ＥＬディスプレイ装置を提供す
ることができる。
【００８４】請求項１１に記載された本発明によれば、
電流制御用薄膜トランジスタと、スイッチ用薄膜トラン
ジスタのそれぞれにおいて活性層とこれに接続されるア
ルミニウム配線との間にそれぞれチタンよりなるバリア
メタルが設けられ、また有機ＥＬ素子を構成する透明電
極と、前記透明電極に接続されるアルミニウム配線との
間にチタンよりなる密着用金属が設けられているので、
電流制御用薄膜トランジスタのバリアメタルと、スイッ
チ用薄膜トランジスタのバリアメタルと、密着用金属を
同時に形成することができ、製造コストを更に低下する
とともに安定に動作する有機ＥＬディスプレイ装置を提
供することができる。
電流制御用薄膜トランジスタと、スイッチ用薄膜トラン
ジスタのそれぞれにおいて活性層とこれに接続されるア
ルミニウム配線との間にそれぞれチタンよりなるバリア
メタルが設けられ、また有機ＥＬ素子を構成する透明電
極と、前記透明電極に接続されるアルミニウム配線との
間にチタンよりなる密着用金属が設けられているので、
電流制御用薄膜トランジスタのバリアメタルと、スイッ
チ用薄膜トランジスタのバリアメタルと、密着用金属を
同時に形成することができ、製造コストを更に低下する
とともに安定に動作する有機ＥＬディスプレイ装置を提
供することができる。
【００８５】請求項１２に記載された本発明によれば、
電流制御用薄膜トランジスタと、スイッチ用薄膜トラン
ジスタのそれぞれにおいて活性層とこれに接続されるア
ルミニウム配線との間にそれぞれ窒素を５０ａｔｍ％以
下含有する窒化チタンよりなるバリアメタルが設けら
れ、また有機ＥＬ素子を構成する透明電極と、前記透明
電極に接続されるアルミニウム配線との間に窒素を５０
ａｔｍ％以下含有する窒化チタンよりなる密着用金属が
設けられているので、電流制御用薄膜トランジスタのバ
リアメタルと、スイッチ用薄膜トランジスタのバリアメ
タルと、密着用金属を同時に形成することができ、製造
コストを低下するとともに密着性のすぐれたバリアメタ
ルや密着用金属を形成することができ、信頼性の高い安
定に動作する有機ＥＬディスプレイ装置を提供すること
ができる。
電流制御用薄膜トランジスタと、スイッチ用薄膜トラン
ジスタのそれぞれにおいて活性層とこれに接続されるア
ルミニウム配線との間にそれぞれ窒素を５０ａｔｍ％以
下含有する窒化チタンよりなるバリアメタルが設けら
れ、また有機ＥＬ素子を構成する透明電極と、前記透明
電極に接続されるアルミニウム配線との間に窒素を５０
ａｔｍ％以下含有する窒化チタンよりなる密着用金属が
設けられているので、電流制御用薄膜トランジスタのバ
リアメタルと、スイッチ用薄膜トランジスタのバリアメ
タルと、密着用金属を同時に形成することができ、製造
コストを低下するとともに密着性のすぐれたバリアメタ
ルや密着用金属を形成することができ、信頼性の高い安
定に動作する有機ＥＬディスプレイ装置を提供すること
ができる。
【００８６】請求項１３に記載された本発明によれば、
電流制御用薄膜トランジスタの活性層と、この活性層に
接続されるアルミニウム配線との間に形成されたバリア
メタルと、有機ＥＬ素子を構成する透明電極と、この透
明電極に接続されるアルミニウム配線との間に形成され
た密着用金属とを、チタンにより同時に形成することが
できるので、有機ＥＬディスプレイ装置の製造コストを
低下するとともに安定に動作するアクティブマトリック
ス型の有機ＥＬディスプレイ装置の製造方法を提供する
ことができる。
電流制御用薄膜トランジスタの活性層と、この活性層に
接続されるアルミニウム配線との間に形成されたバリア
メタルと、有機ＥＬ素子を構成する透明電極と、この透
明電極に接続されるアルミニウム配線との間に形成され
た密着用金属とを、チタンにより同時に形成することが
できるので、有機ＥＬディスプレイ装置の製造コストを
低下するとともに安定に動作するアクティブマトリック
ス型の有機ＥＬディスプレイ装置の製造方法を提供する
ことができる。
【００８７】請求項１４に記載された本発明によれば、
電流制御用薄膜トランジスタの活性層と、この活性層に
接続されるアルミニウム配線との間に形成されたバリア
メタルと、有機ＥＬ素子を構成する透明電極と、この透
明電極に接続されるアルミニウム配線との間に形成され
た密着用金属とを、窒素を５０ａｔｍ％以下含有する窒
化チタンにより同時に形成することができ、有機ＥＬデ
ィスプレイ装置の製造コストを低下するとともに、密着
性の良好なバリアメタルや密着用金属を有し、信頼性の
高い安定に動作するアクティブマトリックス型の有機Ｅ
Ｌディスプレイ装置の製造方法を提供することができ
る。
電流制御用薄膜トランジスタの活性層と、この活性層に
接続されるアルミニウム配線との間に形成されたバリア
メタルと、有機ＥＬ素子を構成する透明電極と、この透
明電極に接続されるアルミニウム配線との間に形成され
た密着用金属とを、窒素を５０ａｔｍ％以下含有する窒
化チタンにより同時に形成することができ、有機ＥＬデ
ィスプレイ装置の製造コストを低下するとともに、密着
性の良好なバリアメタルや密着用金属を有し、信頼性の
高い安定に動作するアクティブマトリックス型の有機Ｅ
Ｌディスプレイ装置の製造方法を提供することができ
る。
【図１】本発明の実施の形態説明図である。
【図２】本発明で使用される窒化チタン特性説明図であ
る。
る。
【図３】従来例説明図である。
【図４】有機ＥＬディスプレイ装置の回路構成図であ
る。
る。
１０１ 基板 １０２ シリコン活性層 １０３ ゲート絶縁膜 １０４ ゲート電極 １０５ ソース領域 １０６ チャネル形成領域 １０７ ドレイン領域 １０８ 層間絶縁膜 １０９ 透明電極 １１０、１１０′ バリアメタル １１１、１１１′ バリアメタル １１２、１１２′ 密着用金属 １１３ ソース電極 １１４ ドレイン電極 １１５ 有機ＥＬ層 １１６ 上部電極 １１７ 保護膜 １１８ 共通電極
Claims (14)
- 【請求項１】ソースまたはドレインを構成するシリコン
活性層と、該シリコン活性層に接続されるアルミニウム
配線との間に、チタンよりなるバリアメタルを設けたこ
とを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 【請求項２】ソースまたはドレインを構成するシリコン
活性層と、該シリコン活性層に接続されるアルミニウム
配線との間に、窒素を５０ａｔｍ％以下含有する窒化チ
タンよりなるバリアメタルを設けたことを特徴とする薄
膜トランジスタ。 - 【請求項３】有機ＥＬ素子と、該有機ＥＬ素子に接続さ
れた電流制御用薄膜トランジスタを有するアクティブマ
トリックス駆動型の有機ＥＬディスプレイ装置であっ
て、 前記電流制御用薄膜トランジスタは、シリコン活性層
と、該シリコン活性層に接続されるアルミニウム配線と
の間に、チタンよりなるバリアメタルが設けられている
ことを特徴とする有機ＥＬディスプレイ装置。 - 【請求項４】有機ＥＬ素子と、該有機ＥＬ素子に接続さ
れた電流制御用薄膜トランジスタを有するアクティブマ
トリックス駆動型の有機ＥＬディスプレイ装置であっ
て、 前記電流制御用薄膜トランジスタは、シリコン活性層
と、該シリコン活性層に接続されるアルミニウム配線と
の間に、窒素を５０ａｔｍ％以下含有する窒化チタンよ
りなるバリアメタルを設けたことを特徴とする有機ＥＬ
ディスプレイ装置。 - 【請求項５】有機ＥＬ素子と、該有機ＥＬ素子に接続さ
れた電流制御用薄膜トランジスタと、前記電流制御用薄
膜トランジスタのスイッチングを行うスイッチ用薄膜ト
ランジスタを有するアクティブマトリックス駆動型の有
機ＥＬディスプレイ装置であって、 前記電流制御用薄膜トランジスタと、前記スイッチ用薄
膜トランジスタのそれぞれにおいて、シリコン活性層
と、該シリコン活性層に接続されるアルミニウム配線と
の間に、チタンよりなるバリアメタルを設けたことを特
徴とする有機ＥＬディスプレイ装置。 - 【請求項６】有機ＥＬ素子と、該有機ＥＬ素子に接続さ
れた電流制御用薄膜トランジスタと、前記電流制御用薄
膜トランジスタのスイッチングを行うスイッチ用薄膜ト
ランジスタを有するアクティブマトリックス駆動型の有
機ＥＬディスプレイ装置であって、 前記電流制御用薄膜トランジスタと、前記スイッチ用薄
膜トランジスタのそれぞれにおいて、シリコン活性層
と、該シリコン活性層に接続されるアルミニウム配線と
の間に、窒素を５０ａｔｍ％以下含有する窒化チタンよ
りなるバリアメタルを設けたことを特徴とする有機ＥＬ
ディスプレイ装置。 - 【請求項７】有機ＥＬ素子がマトリックス状に設けられ
た、アクティブマトリックス駆動型の有機ＥＬディスプ
レイ装置であって、 前記有機ＥＬ素子を構成する透明電極と、前記透明電極
に接続されるアルミニウム配線との間に、チタンよりな
るバリアメタルを設けたことを特徴とする有機ＥＬディ
スプレイ装置。 - 【請求項８】有機ＥＬ素子がマトリックス状に設けられ
た、アクティブマトリックス駆動型の有機ＥＬディスプ
レイ装置であって、 前記有機ＥＬ素子を構成する透明電極と、前記透明電極
に接続されるアルミニウム配線との間に、窒素を５０ａ
ｔｍ％以下含有する窒化チタンよりなるバリアメタルを
設けたことを特徴とする有機ＥＬディスプレイ装置。 - 【請求項９】有機ＥＬ素子と、該有機ＥＬ素子に接続さ
れた電流制御用薄膜トランジスタを有するアクティブマ
トリックス駆動型の有機ＥＬディスプレイ装置であっ
て、 前記電流制御用薄膜トランジスタは、シリコン活性層
と、該シリコン活性層に接続されるアルミニウム配線と
の間に、チタンよりなるバリアメタルが設けられてお
り、 前記有機ＥＬ素子を構成する透明電極と、前記透明電極
に接続されるアルミニウム配線との間に、チタンよりな
る密着用金属が設けられていることを特徴とする有機Ｅ
Ｌディスプレイ装置。 - 【請求項１０】有機ＥＬ素子と、該有機ＥＬ素子に接続
された電流制御用薄膜トランジスタを有するアクティブ
マトリックス駆動型の有機ＥＬディスプレイ装置であっ
て、 前記電流制御用薄膜トランジスタは、シリコン活性層
と、該シリコン活性層に接続されるアルミニウム配線と
の間に、窒素を５０ａｔｍ％以下含有する窒化チタンよ
りなるバリアメタルが設けられており、 前記有機ＥＬ素子を構成する透明電極と、前記透明電極
に接続されるアルミニウム配線との間に、窒素を５０ａ
ｔｍ％以下含有する窒化チタンよりなる密着用金属が設
けられていることを特徴とする有機ＥＬディスプレイ装
置。 - 【請求項１１】有機ＥＬ素子と、該有機ＥＬ素子に接続
された電流制御用薄膜トランジスタと、前記電流制御用
薄膜トランジスタのスイッチングを行うスイッチ用薄膜
トランジスタを有するアクティブマトリックス駆動型の
有機ＥＬディスプレイ装置であって、 前記電流制御用薄膜トランジスタと、前記スイッチ用薄
膜トランジスタのそれぞれにおいて、シリコン活性層
と、該シリコン活性層に接続されるアルミニウム配線と
の間に、チタンよりなるバリアメタルが設けられてお
り、 前記有機ＥＬ素子を構成する透明電極と、前記透明電極
に接続されるアルミニウム配線との間に、チタンよりな
る密着用金属が設けられていることを特徴とする有機Ｅ
Ｌディスプレイ装置。 - 【請求項１２】有機ＥＬ素子と、該有機ＥＬ素子に接続
された電流制御用薄膜トランジスタと、前記電流制御用
薄膜トランジスタのスイッチングを行うスイッチ用薄膜
トランジスタを有するアクティブマトリックス駆動型の
有機ＥＬディスプレイ装置であって、 前記電流制御用薄膜トランジスタと、前記スイッチ用薄
膜トランジスタのそれぞれにおいて、シリコン活性層
と、該シリコン活性層に接続されるアルミニウム配線と
の間に、窒素を５０ａｔｍ％以下含有する窒化チタンよ
りなるバリアメタルが設けられており、 前記有機ＥＬ素子を構成する透明電極と、前記透明電極
に接続されるアルミニウム配線との間に、窒素を５０ａ
ｔｍ％以下含有する窒化チタンよりなる密着用金属が設
けられていることを特徴とする有機ＥＬディスプレイ装
置。 - 【請求項１３】有機ＥＬ素子と、該有機ＥＬ素子に接続
された電流制御用薄膜トランジスタを有するアクティブ
マトリックス駆動型の有機ＥＬディスプレイ装置を製造
するに際し、 前記電流制御用薄膜トランジスタのシリコン活性層と、
該シリコン活性層に接続されるアルミニウム配線との間
に設けられたバリアメタルと、 前記有機ＥＬ素子を構成する透明電極と、前記透明電極
に接続されるアルミニウム配線との間に設けられる密着
用金属とがチタンにより同時に形成されることを特徴と
する有機ＥＬディスプレイ装置の製造方法。 - 【請求項１４】有機ＥＬ素子と、該有機ＥＬ素子に接続
された電流制御用薄膜トランジスタを有するアクティブ
マトリックス駆動型の有機ＥＬディスプレイ装置を製造
するに際し、 前記電流制御用薄膜トランジスタのシリコン活性層と、
該シリコン活性層に接続されるアルミニウム配線との間
に設けられたバリアメタルと、 前記有機ＥＬ素子を構成する透明電極と、前記透明電極
に接続されるアルミニウム配線との間に設けられる密着
用金属とが窒素を５０ａｔｍ％以下含有する窒化チタン
により同時に形成されることを特徴とする有機ＥＬディ
スプレイ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8065774A JPH08330600A (ja) | 1995-03-24 | 1996-03-22 | 薄膜トランジスタ、有機ｅｌディスプレイ装置及び有機ｅｌディスプレイ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-65943 | 1995-03-24 | ||
| JP6594395 | 1995-03-24 | ||
| JP8065774A JPH08330600A (ja) | 1995-03-24 | 1996-03-22 | 薄膜トランジスタ、有機ｅｌディスプレイ装置及び有機ｅｌディスプレイ装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004352663A Division JP3967748B2 (ja) | 1995-03-24 | 2004-12-06 | エレクトロルミネッセンスディスプレイ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08330600A true JPH08330600A (ja) | 1996-12-13 |
Family
ID=13301566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8065774A Withdrawn JPH08330600A (ja) | 1995-03-24 | 1996-03-22 | 薄膜トランジスタ、有機ｅｌディスプレイ装置及び有機ｅｌディスプレイ装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5640067A (ja) |
| JP (1) | JPH08330600A (ja) |
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