JP2006210477A - 薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに薄膜トランジスタ基板及びその製造方法並びに該薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置及び有機el表示装置並びに透明導電積層基板 - Google Patents
薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに薄膜トランジスタ基板及びその製造方法並びに該薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置及び有機el表示装置並びに透明導電積層基板 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】 透明電極である第2電極と、第1電極(ゲート、ソース、ドレイン)とのコンタクト部のコンタクト抵抗を低減し、電池反応を抑制する。
【解決手段】 透明絶縁性基板上に、Al合金を用いて、第1電極である薄膜トランジスタの第1電極(ソースなど)を形成する工程と、第1電極及び基板を覆って絶縁膜を成膜する工程と、絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、絶縁膜上に第2電極(透明電極)を形成し、第2電極と第1電極とを前記コンタクトホールを介して電気的に直接接続する工程と、を含み、Al合金は、Niと、{Mo、Nb、W、Zr}から選択された一種以上の金属と、を含むAl合金であることを特徴とする。
【選択図】 図3
【解決手段】 透明絶縁性基板上に、Al合金を用いて、第1電極である薄膜トランジスタの第1電極(ソースなど)を形成する工程と、第1電極及び基板を覆って絶縁膜を成膜する工程と、絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、絶縁膜上に第2電極(透明電極)を形成し、第2電極と第1電極とを前記コンタクトホールを介して電気的に直接接続する工程と、を含み、Al合金は、Niと、{Mo、Nb、W、Zr}から選択された一種以上の金属と、を含むAl合金であることを特徴とする。
【選択図】 図3
Description
本発明は、薄膜トランジスタ(以下、TFTと称する場合もある)とその製造方法、薄膜トランジスタ基板とその製造方法、さらにTFTを用いた液晶表示装置や有機EL表示装置に関する。
マトリックス型液晶表示装置は、TFTアレイ基板と対向基板との間に液晶などの表示材料を充填し、この表示材料に対して画素ごとに選択的に電圧を印加するように構成されている。ここで、TFTアレイ基板とは、通常は、半導体薄膜(以下、半導体膜と称す)などからなるTFT等が配置されている基板を言う。また、対向基板上には、対向電極、カラーフィルタ及びブラックマトリックスなどが設けられている。このようなTFTアレイ基板を用いた液晶表示装置(Liquid Crystal Display、以下LCDと略記する)を以下、TFT−LCDと称する場合がある。
TFTアレイ基板について
なお、TFT(薄膜トランジスタ)が形成されている基板を薄膜トランジスタ基板、又はTFT基板と称する。一般に、表示装置に用いられる場合は、複数の薄膜トランジスタがアレイ状に形成される場合が多いので、TFTアレイ基板と呼ばれる場合も多い。
なお、TFT(薄膜トランジスタ)が形成されている基板を薄膜トランジスタ基板、又はTFT基板と称する。一般に、表示装置に用いられる場合は、複数の薄膜トランジスタがアレイ状に形成される場合が多いので、TFTアレイ基板と呼ばれる場合も多い。
TFTアレイ基板は、ガラスなどからなる絶縁性基板(典型的にはガラス基板)上に各画素を構成するTFT並びに画素電極が設けられている。各画素中のTFTは、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極及び半導体膜からなるものである。そして、これらのTFTや画素電極がアレイ状に配置されている。このTFTアレイ基板は、基板上に、TFTや画素電極の他に配向膜や必要に応じて蓄積容量などが設けられている。さらに、各画素の間の境界領域には、ゲート配線やソース配線などの信号線が配置されている。これらの信号線は、一般に、複数本ずつまとめられ、互いに並行に張り巡らされている。
このように、TFTアレイ基板の表示領域は、画像の各画素を表す領域と、画素間の境界領域と、からなるものである。この表示領域の外側(外周)には、上記各信号線に対応してそれぞれ入力端子や、各TFTを駆動する駆動回路などが設けられている。本説明では、この表示領域の外側の領域を、便宜上、インターフェース領域と呼ぶことにする。
このようなTFTアレイ基板を用いた液晶表示装置を作製するには、まず、ガラス基板上に、TFT、ゲート、ソース/ドレイン、及びその他の共通配線、をアレイ状に作製して表示領域を構成する。さらに、表示領域の周辺に、入力端子、予備配線及び駆動回路などを配置してインターフェース領域を構成する。このようにしてTFTアレイ基板を作製している。
なお、本説明では、ゲート電極とゲート配線とをあわせて単にゲートと言う。また、ソース電極とソース配線とをあわせて単にソースと言う。また、ドレイン電極とドレイン配線とをあわせて単にドレインと言う。さらに、ソース及びドレインをソース/ドレインと表している。
このとき、表示領域、インターフェース領域、の各領域の機能を発揮可能な状態に置くために(稼働状態にするために)は、導電性薄膜(以下、導電膜と称す)や絶縁性薄膜(以下、絶縁膜と称す)を配設する必要がある。また、対向基板上には対向電極を設けるとともにカラーフィルタ、ブラックマトリックスを設ける。
このようにして、TFTアレイ基板と対向基板とをそれぞれ作製した後、2枚の基板の間に液晶材料が注入するために必要な隙間を開けた状態で、2枚の基板をその周辺の縁を貼り合わせて固定する。周囲の縁部を貼り合わせた後、2枚の基板の間に存在する隙間に液晶材料を注入してLCDを作製する。
LCDに用いられるTFTアレイ基板や対向基板には、薄膜技術を利用して種々の半導体装置、その他の素子などが設けられている。これらの半導体装置には、半導体膜や絶縁膜、導電膜が形成されており、各膜の間の絶縁又は電気的接続をとるために層間絶縁膜や半導体膜を貫通するコンタクトホール等がさらに形成されている。
TFT−LCDにおいては、近年、大型化あるいは高精細化が進められている。これに伴い、TFT−LCDのゲート配線やソース/ドレイン配線には信号の遅延を防止するために、純AlあるいはAlを主成分とする電気的に低抵抗な合金材料を用いることが特性上及びプロセス上からは望ましい。
しかし、透明性の画素電極となるITOやIZOなどからなる第2電極と、これら純AlあるいはAl合金からなる第1電極とを直接コンタクトさせると、そのコンタクト抵抗(接触抵抗)は1E10〜1E12Ωと非常に高くなってしまい、良好なコンタクト特性を得ることは困難であった。
したがって、絶縁膜に開口したコンタクトホールを介して純Al又はAl合金からなる第1電極と、画素電極となるITOやIZOなどの透明性導電膜からなる第2電極とを直接コンタクト(接続)する構成を採用したTFTアレイ基板を実現することは困難であった。
第1電極と第2電極
なお、本説明では、画素電極を構成する透明材料からなる電極を第2電極と呼び、それ以外の信号配線を構成する導電材料(多くの場合、Al(又はAl合金)からなる)からなる電極を第1電極と呼ぶ。そして、第2電極を構成する材料を第2電極材料、第1電極を構成する材料を第1電極材料と呼ぶ。
なお、本説明では、画素電極を構成する透明材料からなる電極を第2電極と呼び、それ以外の信号配線を構成する導電材料(多くの場合、Al(又はAl合金)からなる)からなる電極を第1電極と呼ぶ。そして、第2電極を構成する材料を第2電極材料、第1電極を構成する材料を第1電極材料と呼ぶ。
改良された従来の技術
上述した問題を解決する方法として、従来から種々の手法が提案されている。
上述した問題を解決する方法として、従来から種々の手法が提案されている。
たとえば、良好なコンタクトを得るために、純Al又はAl合金上にCr、Ti、Mo、Cu、Ni、等を成膜する2層構造の第1電極が提案されている。このような技術は、下記特許文献1、特許文献2、特許文献3において見られる。
また、第1の電極と第2の電極が直接コンタクト(接続)する箇所の、第1電極部分に、局所的に、N、O、Si及びCからなる群から選択される少なくとも一種の不純物を添加する手法が知られている。このような不純物を、前記第1電極の上層(すなわち、接続する箇所)に添加して、前記不純物を添加した第2層を形成し、局所的な2層構造をなすものである。このような技術は、下記特許文献4において見られる。
また、Alに、合金成分としてAu、Ag、Zn、Cu、Ni、Sr、Sm、Ge、Biよりなる群から選択される少なくとも一種の物質を0.1〜6原子%含有させた合金を用いて第1電極を構成し、この第1電極を透明電極(第2電極)と直接接合する構成が提案されている。このような技術は、下記特許文献5において見られる。
以上述べたように、従来の改良されていない製造方法においては、ITOやIZO(登録商標)などからなる第2電極と純Al又はAl合金からなる第1電極とのコンタクト抵抗が1×10E10〜1×10E12Ωと非常に高く、良好なコンタクト抵抗が得られなかった。
一方、良好なコンタクトを得るため(接触抵抗を低減するため)に、第1電極を材料の異なる2層構造とする従来の改良された技術を採用する場合は、2種の材料を同一の薬液(エッチング液)を用いて、且つ、同時にエッチングをすることは極めて困難であるので、2種類の薬液による2度のエッチング工程を必要とする。したがって、製造工程の複雑化を招いていた。
また、Alに合金成分としてAu、Ag、Zn、Cu、Ni、Sr、Sm、Ge、Biよりなる群から選択される少なくとも一種を0.1〜6原子%含有させた合金を第1電極として用いることが改良された従来の技術として知られている。この改良された従来の技術を採用する場合は、透明電極(第2電極)と第1電極のコンタクト抵抗は、10E2Ω程度と小さなコンタクト抵抗を実現できるが、エッチング工程で使用する薬液(エッチング液)にて電池反応が生じ、電極の溶解が起きてしまう。その結果、配線の断線が生じること、が知られている。
本発明は、係る課題に鑑みなされたものであり、第2電極と第1電極とのコンタクト部において発生するコンタクト抵抗(接触抵抗)の値を低減し、且つ、電池反応を抑制することが可能なTFT及びその製造方法並びに該TFTを用いたTFT基板及び液晶表示装置を実現することを目的とする。この目的を達成するために、本発明は、第1電極を、Niと、及び、{Mo、Nb、W、Zr}とから選ばれた一種以上の金属を含有するAl配線材料を用いることをその特徴の一つとする。
さらに、本発明は、このようなAl配線材料を用いて生産コストの低下及び生産性の向上を図ることができるTFTとその製造方法及び液晶表示装置を提供することを目的とする。
(1)本発明は、上記課題を解決するために、透明絶縁性基板上で薄膜トランジスタを製造する方法において、前記透明絶縁性基板上に、Al合金を用いて、第1電極である前記薄膜トランジスタのゲート、ソース及びドレインのうちの少なくとも一つを形成する工程、を含み、前記Al合金は、Niと、{Mo、Nb、W、Zr}から選択された一種以上の金属と、を含むAl合金であることを特徴とする薄膜トランジスタの製法である。
このような製法(製造方法)によって作成される薄膜トランジスタは、そのドレインやソースなどを透明電極と直接接触させても高い接触抵抗を示すことがない。
(2)また、本発明の請求項2に係る薄膜トランジスタ基板の製造方法は、透明絶縁性基板上に薄膜トランジスタを形成し、薄膜トランジスタ基板を製造する方法において、前記透明絶縁性基板上に、Al合金を用いて、第1電極である前記薄膜トランジスタのゲート、ソース及びドレインのうちの少なくとも一つを形成する工程と、前記第1電極及び前記基板を覆って絶縁膜を成膜する工程と、該絶縁膜にパターニングを施しコンタクトホールを形成する工程と、前記絶縁膜上に透明電極からなる第2電極を形成して該第2電極と第1電極とを前記コンタクトホールを介して電気的に直接接続する工程と、を少なくとも含み、前記Al合金は、Niと、{Mo、Nb、W、Zr}から選択された一種以上の金属と、を含むAl合金であることを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製法である。
このような製法(製造方法)によって作成される薄膜トランジスタ基板は、その中の薄膜トランジスタのドレインやソースなどを透明電極と直接接触しているが、そこに高い接触抵抗は表れず、表示装置等に十分に使用可能である。
(3)また、本発明は、透明絶縁性基板上に設けられた薄膜トランジスタにおいて、前記透明絶縁性基板上に形成された第1電極である前記薄膜トランジスタのゲート、ソース及びドレインの少なくとも一つと、を備え、前記第1電極は、Niと、{Mo、Nb、W、Zr}から選択された一種以上の金属と、を含むAl合金からなることを特徴とする薄膜トランジスタである。
このような構成の薄膜トランジスタは、そのドレインやソースなどを透明電極と直接接触させても高い接触抵抗を示すことがない。
(4)また、本発明は、透明絶縁性基板と、前記透明絶縁性基板上に形成された第1電極であるゲート、ソース及びドレインの少なくとも一つと、該第1電極及び前記透明絶縁性基板を覆うように形成された絶縁膜であって、所定のコンタクトホールが設けられている絶縁膜と、該絶縁膜上に形成された透明電極である第2電極と、を少なくとも含み、前記第1電極は、Niと、{Mo、Nb、W、Zr}から選択された一種以上の金属と、を含むAl合金からなり、前記第2電極と前記第1電極とが前記コンタクトホールを介して電気的に直接接続されてなる薄膜トランジスタ基板である。
このような構成によって、薄膜トランジスタのドレインやソースなどを透明電極と直接接触させつつ、低い接触抵抗が実現されており、表示装置等に十分に使用可能な薄膜トランジスタ基板が得られる。
(5)また、本発明は、前記透明電極が酸化インジウム、酸化すず、酸化インジウムすず及び酸化亜鉛のいずれかからなる上記(4)記載の薄膜トランジスタ基板である。
(6)また、本発明は、前記第1電極を構成するAl合金中の、Ni及び、{Mo、Nb、W、Zr}から選ばれた一種以上の金属の含有比率が、0.1〜5wt%であることを特徴とする上記(3)記載の薄膜トランジスタである。
(7)また、本発明は、前記第1電極を構成するAl合金中の、Ni及び、{Mo、Nb、W、Zr}から選ばれた一種以上の金属の含有比率が、0.1〜5wt%であることを特徴とする上記(4)記載の薄膜トランジスタ基板である。
このような(6)(7)の構成に示した含有比率が好ましい範囲である。この含有比率はもちろん、「Ni」の含有比率と、{Mo、Nb、W、Zr}のいずれか一種以上の金属の含有比率と、の合計の含有比率である。
(8)また、本発明は、透明絶縁性基板と、前記透明絶縁性基板上に形成された第1電極であるゲート、ソース及びドレインと、該第1電極及び前記透明絶縁性基板を覆って形成された絶縁膜であって、所定のコンタクトホールが設けられた絶縁膜と、該絶縁膜上に形成された透明電極からなる第2電極と、を少なくとも含み、前記第1電極がNiと、{Mo、Nb、W、Zr}から選ばれた一種以上の金属と、を含むAl合金からなり、前記第2電極と前記第1電極とが前記コンタクトホールを介して電気的に直接接続されてなるTFTアレイ基板を少なくとも有する液晶表示装置である。
このような構成によれば、薄膜トランジスタと透明電極とを直接接触させつつ、接触抵抗を低く抑えることができるので、良好な表示を行うことができる。
前記第1電極は、Niと、{Mo、Nb、W、Zr}から選ばれた一種以上の金属と、を少なくとも含むAl合金かなる。そして、このような第1電極は、Niと、{Mo、Nb、W、Zr}から選ばれた一種以上の金属と、を含むAl合金ターゲットを用いて、スパッタリングにより形成されるものである。
前記Niと、{Mo、Nb、W、Zr}から選ばれた一種以上の金属と、を含むAl合金ターゲットは、従来から知られている種々の手法で作成することができる。たとえば、真空溶解方法、スプレイフォーミング法、等により製造されるものである。
前記第1電極は、Niと、{Mo、Nb、W、Zr}から選ばれた一種以上の金属と、を少なくとも含むAl合金である。この第1電極は、ドレインやソース、ゲートであるが、実際にドレイン等として使用するには、所望の形状にパターニングする必要がある。このパターニングは、上記組成のAl合金の薄膜を、燐酸−酢酸−硝酸の混合酸によりエッチングすることによって実行される。もちろん、このAl合金の薄膜自体は、上述したように、Niと、{Mo、Nb、W、Zr}から選ばれた一種以上の金属と、含むAl合金ターゲットを用いて、スパッタリングにより形成される。
(9)また、本発明は、透明絶縁性基板と、前記透明絶縁性基板上に形成された第1電極であるゲート、ソース及びドレインと、該第1電極及び前記透明絶縁性基板を覆って形成された絶縁膜であって、所定のコンタクトホールが設けられた絶縁膜と、該絶縁膜上に形成された透明電極からなる第2電極と、を少なくとも含み、前記第1電極が、Niと、{Mo、Nb、W、Zr}から選ばれた一種以上の金属と、を含むAl合金からなり、前記第2電極と前記第1電極とが前記コンタクトホールを介して電気的に直接接続されてなるTFTアレイ基板を少なくとも有する有機EL表示装置である。
このような構成によれば、薄膜トランジスタと透明電極とを直接接触させつつ、接触抵抗を低く抑えることができるので、良好な表示を行うことができる有機EL装置が得られる。
(10)また、本発明は、透明絶縁性基板と、前記透明絶縁性基板上に形成された第1電極と、前記透明絶縁性基板上に形成された透明電極からなる第2電極と、を具備し、前記第1電極が、Niと、{Mo、Nb、W、Zr}から選ばれた一種以上の金属と、を含むAl合金からなり、前記第1電極が、前記透明電極からなる第2電極と電気的に直接接続されてなる透明導電積層基板である。
このような構成によれば、第1電極と、透明電極である第2電極と、を直接接触させてもその間の接触抵抗の値を小さくすることができる透明導電積層基板が得られる。
このように、薄膜トランジスタを設けていない基板も本発明に含まれる。
以上述べたように、本発明によれば、ゲート、ドレイン、ソースなどの電極を、Ni及び、{Mo、Nb、W、Zr}から選ばれた一種以上の金属を含むAl合金で構成したので、透明電極と直接接触させても低い接触抵抗を実現できる薄膜トランジスタを提供することができる。
また、特に本発明の薄膜トランジスタ基板の製法は、
(1)透明絶縁性基板上に、Ni及び、{Mo、Nb、W、Zr}から選ばれた一種以上の金属を含むAl合金を用いて、第1電極であるゲート、ソース及びドレインのうちの少なくとも一つを形成する工程と、
(2)前記第1電極及び前記基板を覆って絶縁膜を成膜する工程と、
(3)該絶縁膜にパターニングを施しコンタクトホールを形成する工程と、
(4)前記絶縁膜上に透明膜電極からなる第2電極を形成して該第2電極と第1電極とを前記コンタクトホールを介して電気的に直接接続する工程と、
を少なくとも含むものであるので、第1電極をIZOなどと直接的に低コンタクト抵抗が実現できる薄膜トランジスタ基板を容易にうるという効果を奏する。
(1)透明絶縁性基板上に、Ni及び、{Mo、Nb、W、Zr}から選ばれた一種以上の金属を含むAl合金を用いて、第1電極であるゲート、ソース及びドレインのうちの少なくとも一つを形成する工程と、
(2)前記第1電極及び前記基板を覆って絶縁膜を成膜する工程と、
(3)該絶縁膜にパターニングを施しコンタクトホールを形成する工程と、
(4)前記絶縁膜上に透明膜電極からなる第2電極を形成して該第2電極と第1電極とを前記コンタクトホールを介して電気的に直接接続する工程と、
を少なくとも含むものであるので、第1電極をIZOなどと直接的に低コンタクト抵抗が実現できる薄膜トランジスタ基板を容易にうるという効果を奏する。
また、Al合金のみを用い、他の金属層との2層構造等を取っていないので、パターニング時のエッチングが1回で済む。そのために、成膜(配線材料種類の低減)並びにエッチング工程の簡略化、ひいては生産性向上並びにコスト低減という効果を奏する。
また、特に本発明に係る薄膜トランジスタ基板は、透明絶縁性基板と、前記透明絶縁性基板上に形成された第1電極であるゲート、ソース及びドレインの少なくとも一つと、該第1電極及び前記透明絶縁性基板を覆うように形成された絶縁膜であって、所定のコンタクトホールが設けられている絶縁膜と、該絶縁膜上に形成された透明電極である第2電極と、を少なくとも含み、前記第1電極はNiと、{Mo、Nb、W、Zr}から選ばれた一種以上の金属と、を含むAl合金からなり、前記第2電極と前記第1電極とが前記コンタクトホールを介して電気的に直接接続されてなるものであるので、IZOなどと直接的に低コンタクト抵抗が実現できる薄膜トランジスタをうるという効果を奏する。
また、Alのみを用いて、他の金属層との2層構造等を採用する必要がないので、パターニング時のエッチングが1回で済むために、成膜(配線材料種類の低減)並びにエッチング工程の簡略化、ひいては生産性向上並びにコスト低減という効果を奏する。
また、本発明に係る薄膜トランジスタ基板は、前記透明電極が酸化インジウム、酸化すず、酸化インジウムすず及び酸化亜鉛のいずれかからなるものである。したがって、薄膜トランジスタの第1電極(ソースやドレイン、ゲート)を、ITOやIZOなどと直接接続させても、低いコンタクト抵抗を実現できる薄膜トランジスタ基板が得られる。
また、本発明に係る液晶表示装置は、透明絶縁性基板と、前記透明絶縁性基板上に形成された第1電極であるゲート、ソース及びドレインと、該第1電極及び前記透明絶縁性基板を覆って形成された絶縁膜であって、所定のコンタクトホールが設けられている絶縁膜と、該絶縁膜上に形成された透明電極からなる第2電極と、を少なくとも含み、前記第1電極が、Niと、{Mo、Nb、W、Zr}から選ばれた一種以上の金属と、を含むAl合金からなり、前記第2電極と前記第1電極とが前記コンタクトホールを介して電気的に直接接続されてなるTFTアレイ基板を少なくとも有する液晶表示装置である。したがって、薄膜トランジスタの第1電極(ソースやドレイン、ゲート)を、IZOやITOなどと直接接続させても、低いコンタクト抵抗が実現できる薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置である。この薄膜トランジスタはこのような構成を採用しているので、高開口率を実現しやすく、高性能な表示特性を有する。その結果、従来装置よりも生産性が向上し、低い製造コストを実現することができる優れた液晶表示装置をうるという効果を奏する。
以下、添付図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
実施の形態1
図1〜図3は本発明に係わるTFTアレイ基板100のTFT部及び端子部を製造工程順に示す工程断面説明図であり、図1(a)、図1(b)、図2(a)、図2(b)、図3の順に製造工程が進んでいく様子が示されている。
図1〜図3は本発明に係わるTFTアレイ基板100のTFT部及び端子部を製造工程順に示す工程断面説明図であり、図1(a)、図1(b)、図2(a)、図2(b)、図3の順に製造工程が進んでいく様子が示されている。
これらの図において、21はTFT部であり、22は端子部であり、1は透明性絶縁基板であり、2は第1電極(TFT部の第1電極はゲート電極)の第1層である。また、4はゲート絶縁膜であり、5は半導体層a−Si膜であり、6は半導体層n+a−Si膜である(図1参照)。
次に、7は第1電極(TFT部の第1電極はソース/ドレイン電極)の第1層であり、9は層間絶縁膜であり、10はコンタクトホールである(図2参照)。
そして、11は第2電極(画素電極)である(図3参照)。
TFT部21は、TFTアレイ基板100上の互いに直交するゲート配線とソース配線(共に図示せず)の交差部近傍に設けられ、液晶を駆動するスイッチング素子を構成する部分であり、端子部22はゲート配線を延在して表示パネルの外側に配置され、ゲート電極に外部から信号を入力するための部分である。
以下、本実施の形態のTFTアレイ基板100の製造工程を図面に基づき説明する。
まず、透明性絶縁基板1上にスパッタリング法などを用いて、Ni、及び、{Mo、Nb、W、Zr}から選ばれた一種以上の金属を含むAl合金(第1電極材料)を成膜する。
次に、フォトリソグラフィ法にてレジストパターニングを行った後、燐酸、硝酸及び酢酸系のエッチング液を用いてエッチングし、ゲート配線(図示せず)及びゲート電極2(第1電極)並びに端子部22の端子を形成する(図1(a)参照)。
次に、化学的気相成長法(以下、単にCVDと呼ぶ)等を用いて窒化シリコン(SiNx)又は酸化シリコン(SiO2)からなるゲート絶縁膜4を厚さ約4000Å成膜する。
次に、半導体層を成膜する。この半導体層をパターニングすることによって、半導体層a−Si膜5(厚さ1500Å)低抵抗の半導体層n+a−Si膜6(厚さ約300Å)を順次形成する。(図1(b)参照)。
さらに、スパッタリング法を用いてふたたび第1電極材料である、Ni及び、{Mo、Nb、W、Zr}から選ばれた一種以上の金属を含むAl合金を約3000Å成膜し、パターニングを行ってトランジスタのチャネル部並びにソース/ドレイン電極部(すなわち第一電極)を形成する(図2(a)参照)。
次に、層間絶縁膜9を形成したのち、パターニングを行いコンタクトホール10を形成する(図2(b)参照)。コンタクトホール10はゲート端子部及びTFTのドレイン電極7aに接続するように形成される。ここで、層間絶縁膜9は、たとえばCVD法による窒化シリコン膜、又はアクリル系の透明性樹脂などのいずれか一方、あるいは両方の組み合わせで形成することができる(図2の(b)参照)。
最後に透明導電膜としてスパッタリング法を用いIZO膜(酸化インジウム亜鉛)を厚さ約1000Å成膜する(IZOは登録商標)。そして、この透明導電膜をパターニングして画素電極(第2電極)11を形成することによってTFTアレイ基板が基本的な構成が完成する。
ここで、画素電極11は層間絶縁膜9に設けられたコンタクトホール10を介して第1電極材料からなるゲート電極、ソース/ドレイン電極(すなわち、第1電極)と電気的に直接接続されている。
本実施の形態において特徴的なことは、第1電極材料であるAl合金が
・Niと、
・{Mo、Nb、W、Zr}から選ばれた一種以上の金属と、
を含むAl合金であることである。さらに、本実施の形態で特徴的なことは、この第1電極材料を用いてスパッタリングによってゲート電極及び端子部を形成する際に、純Arガスの雰囲気中でスパッタリングを行い、第1電極を約2000Åの厚さで成膜することである。
・Niと、
・{Mo、Nb、W、Zr}から選ばれた一種以上の金属と、
を含むAl合金であることである。さらに、本実施の形態で特徴的なことは、この第1電極材料を用いてスパッタリングによってゲート電極及び端子部を形成する際に、純Arガスの雰囲気中でスパッタリングを行い、第1電極を約2000Åの厚さで成膜することである。
なお、このAl膜は、Ni、及び、{Mo、Nb、W、Zr}から選ばれた一種以上の金属を含むAl合金ターゲットを用いてスパッタリングを行うことによって形成される。また、その後の熱処理により抵抗値を低減することができる。
本実施の形態のAl膜の種々の例についての物理計測結果が表1に示されている。表1には、実施例1、実施例2、実施例3、実施例4と、比較のための比較例1、比較例2、比較例3が示されている。
実施例1
実施例1においては、第1電極を構成するAl合金は、Niを1.5wt%、Wを0.2wt%含有するAl合金である。このAl合金の比抵抗は5.2μΩcmである。このAl合金の薄膜を、室温のTMAH(2.38wt%)水溶液に5分間浸漬しても変化は見られなかった。
実施例1においては、第1電極を構成するAl合金は、Niを1.5wt%、Wを0.2wt%含有するAl合金である。このAl合金の比抵抗は5.2μΩcmである。このAl合金の薄膜を、室温のTMAH(2.38wt%)水溶液に5分間浸漬しても変化は見られなかった。
また、このAl合金薄膜上にITOを積層した後、室温のTMAH(2.38wt%)水溶液に5分間浸漬しても変化は見られなかった。ITOの代わりにIZOを積層して同様に室温のTMAH(2.38wt%)水溶液に5分間浸漬したが、同様に変化は見られなかった。
実施例2
実施例2においては、第1電極を構成するAl合金は、Niを1.5wt%、Moを0.5wt%含有するAl合金である。このAl合金の比抵抗は4.8μΩcmである。このAl合金の薄膜を、室温のTMAH(2.38wt%)水溶液に5分間浸漬しても変化は見られなかった。
実施例2においては、第1電極を構成するAl合金は、Niを1.5wt%、Moを0.5wt%含有するAl合金である。このAl合金の比抵抗は4.8μΩcmである。このAl合金の薄膜を、室温のTMAH(2.38wt%)水溶液に5分間浸漬しても変化は見られなかった。
また、このAl合金薄膜上にITOを積層した後、室温のTMAH(2.38wt%)水溶液に5分間浸漬しても変化は見られなかった。ITOの代わりにIZOを積層して同様に室温のTMAH(2.38wt%)水溶液に5分間浸漬したが、同様に変化は見られなかった。
実施例3
実施例3においては、第1電極を構成するAl合金は、Niを1.5wt%、Nbを0.8wt%含有するAl合金である。このAl合金の比抵抗は5.8μΩcmである。このAl合金の薄膜を、室温のTMAH(2.38wt%)水溶液に5分間浸漬しても変化は見られなかった。
実施例3においては、第1電極を構成するAl合金は、Niを1.5wt%、Nbを0.8wt%含有するAl合金である。このAl合金の比抵抗は5.8μΩcmである。このAl合金の薄膜を、室温のTMAH(2.38wt%)水溶液に5分間浸漬しても変化は見られなかった。
また、このAl合金薄膜上にITOを積層した後、室温のTMAH(2.38wt%)水溶液に5分間浸漬しても変化は見られなかった。ITOの代わりにIZOを積層して同様に室温のTMAH(2.38wt%)水溶液に5分間浸漬したが、同様に変化は見られなかった。
実施例4
実施例4においては、第1電極を構成するAl合金は、Niを1.5wt%、Zrを0.5wt%含有するAl合金である。このAl合金の比抵抗は5.6μΩcmである。このAl合金の薄膜を、室温のTMAH(2.38wt%)水溶液に5分間浸漬した場合、一部に溶解が見られた。
実施例4においては、第1電極を構成するAl合金は、Niを1.5wt%、Zrを0.5wt%含有するAl合金である。このAl合金の比抵抗は5.6μΩcmである。このAl合金の薄膜を、室温のTMAH(2.38wt%)水溶液に5分間浸漬した場合、一部に溶解が見られた。
また、このAl合金薄膜上にITOを積層した後、室温のTMAH(2.38wt%)水溶液に5分間浸漬しても変化は見られなかった。ITOの代わりにIZOを積層して同様に室温のTMAH(2.38wt%)水溶液に5分間浸漬したが、同様に変化は見られなかった。
比較例1
比較例1においては、第1電極を構成するAlは、純Alである。このAlの比抵抗は2.1μΩcmである。このAl薄膜を、室温のTMAH(2.38wt%)水溶液に5分間浸漬しても変化は見られなかった。
比較例1においては、第1電極を構成するAlは、純Alである。このAlの比抵抗は2.1μΩcmである。このAl薄膜を、室温のTMAH(2.38wt%)水溶液に5分間浸漬しても変化は見られなかった。
また、このAl薄膜上にITOを積層した後、室温のTMAH(2.38wt%)水溶液に5分間浸漬した場合、水溶液に溶解した。また、ITOの代わりにIZOを積層して同様に室温のTMAH(2.38wt%)水溶液に5分間浸漬しても、同様に溶解が見られた。
比較例2
比較例2においては、第1電極を構成するAl合金は、Niを1.5wt%含有するAl合金である。このAl合金の比抵抗は3.6μΩcmである。このAl合金の薄膜を、室温のTMAH(2.38wt%)水溶液に5分間浸漬した場合、溶解が見られた。
比較例2においては、第1電極を構成するAl合金は、Niを1.5wt%含有するAl合金である。このAl合金の比抵抗は3.6μΩcmである。このAl合金の薄膜を、室温のTMAH(2.38wt%)水溶液に5分間浸漬した場合、溶解が見られた。
また、このAl合金薄膜上にITOを積層した後、室温のTMAH(2.38wt%)水溶液に5分間浸漬した場合も、水溶液に溶解した。また、ITOの代わりにIZOを積層して同様に室温のTMAH(2.38wt%)水溶液に5分間浸漬しても、同様に溶解が見られた。
比較例3
比較例3においては、第1電極を構成するAl合金は、Ndを0.8wt%含有するAl合金である。このAl合金の比抵抗は4.2μΩcmである。このAl合金薄膜を、室温のTMAH(2.38wt%)水溶液に5分間浸漬した場合、溶解が見られた。
比較例3においては、第1電極を構成するAl合金は、Ndを0.8wt%含有するAl合金である。このAl合金の比抵抗は4.2μΩcmである。このAl合金薄膜を、室温のTMAH(2.38wt%)水溶液に5分間浸漬した場合、溶解が見られた。
また、このAl合金薄膜上にITOを積層した後、室温のTMAH(2.38wt%)水溶液に5分間浸漬した場合も、水溶液に溶解した。また、ITOの代わりにIZOを積層して同様に室温のTMAH(2.38wt%)水溶液に5分間浸漬しても、同様に溶解が見られた。
以上述べたように、本実施例で示した例によれば、TMAH水溶液に浸漬しても全てが溶解してしまうことはない。薄膜トランジスタの製造を安定的に実行することができると考えられる。一部溶解した実施例4においても透明電極を積層した場合は、変化がなく、円滑に製造を行うことができると考えられる。
本実施の形態に適用した、第1電極と、透明導電膜である第2電極とのコンタクト表面部の電気抵抗値(コンタクト抵抗値)は、十分に小さな値となる。たとえば、第1電極としてMoを利用したAl合金を利用した場合は、コンタクト抵抗値のも最小値は約50μm□で約380Ωと低く良好な値を示した。ケルビンパターンによるIZOなどの透明導電膜からなる第2電極とのコンタクト表面部の電気抵抗値(コンタクト抵抗値)の結果が表2に示されている。
なお、本特許における第1電極とは、Ni、及び、{Mo、Nb、W、Zr}から選ばれた一種以上の金属を含むAl合金からなることを特徴とする。また、透明導電膜からなる第2電極は、具体的には、IZOなどから構成される。
さて、表2には、実施例5、実施例6、実施例7、実施例8と、比較のための比較例1、比較例2、比較例3(表1と同じ)が示されている。
実施例5
実施例5においては、第1電極を構成するAl合金は、Niを1.5wt%、Wを0.5wt%含有するAl合金である。このAl合金の比抵抗は8.2μΩcmである。このAl合金薄膜と、IZOからなる透明導電膜を基板上に十字形に交差するように設け、ケルビンパターンによる接触抵抗の計測を行った。このケルビンパターンの様子が図4に示されている。
実施例5においては、第1電極を構成するAl合金は、Niを1.5wt%、Wを0.5wt%含有するAl合金である。このAl合金の比抵抗は8.2μΩcmである。このAl合金薄膜と、IZOからなる透明導電膜を基板上に十字形に交差するように設け、ケルビンパターンによる接触抵抗の計測を行った。このケルビンパターンの様子が図4に示されている。
IZOの金属酸化物の比抵抗は、380μΩcmであった。そして図4におけるケルビンパターンによる接触抵抗(コンタクト抵抗値)の計測値は、230Ωであり、十分に低い値となった。
実施例6
実施例6においては、第1電極を構成するAl合金は、Niを1.5wt%、Moを0.8wt%含有するAl合金である。このAl合金の比抵抗は9.8μΩcmである。このAl合金薄膜と、IZOからなる透明導電膜を基板上に十字形に交差するように設け、ケルビンパターンによる接触抵抗の計測を行った(図4参照)。
実施例6においては、第1電極を構成するAl合金は、Niを1.5wt%、Moを0.8wt%含有するAl合金である。このAl合金の比抵抗は9.8μΩcmである。このAl合金薄膜と、IZOからなる透明導電膜を基板上に十字形に交差するように設け、ケルビンパターンによる接触抵抗の計測を行った(図4参照)。
IZOの金属酸化物の比抵抗は、380μΩcmであった。そして図4におけるケルビンパターンによる接触抵抗(コンタクト抵抗値)の計測値は、340Ωであり、十分に低い値となった。
実施例7
実施例7においては、第1電極を構成するAl合金は、Niを1.5wt%、Nbを0.8wt%含有するAl合金である。このAl合金の比抵抗は5.8μΩcmである。このAl合金薄膜と、IZOからなる透明導電膜を基板上に十字形に交差するように設け、ケルビンパターンによる接触抵抗の計測を行った(図4参照)。
実施例7においては、第1電極を構成するAl合金は、Niを1.5wt%、Nbを0.8wt%含有するAl合金である。このAl合金の比抵抗は5.8μΩcmである。このAl合金薄膜と、IZOからなる透明導電膜を基板上に十字形に交差するように設け、ケルビンパターンによる接触抵抗の計測を行った(図4参照)。
IZOの金属酸化物の比抵抗は、380μΩcmであった。そして図4におけるケルビンパターンによる接触抵抗(コンタクト抵抗値)の計測値は、280Ωであり、十分に低い値となった。
実施例8
実施例8においては、第1電極を構成するAl合金は、Niを1.5wt%、Zrを0.5wt%含有するAl合金である。このAl合金の比抵抗は5.6μΩcmである。このAl合金薄膜と、ITOからなる透明導電膜を基板上に十字形に交差するように設け、ケルビンパターンによる接触抵抗の計測を行った(図4参照)。
実施例8においては、第1電極を構成するAl合金は、Niを1.5wt%、Zrを0.5wt%含有するAl合金である。このAl合金の比抵抗は5.6μΩcmである。このAl合金薄膜と、ITOからなる透明導電膜を基板上に十字形に交差するように設け、ケルビンパターンによる接触抵抗の計測を行った(図4参照)。
ITOの金属酸化物の比抵抗は、220μΩcmであった。そして図4におけるケルビンパターンによる接触抵抗(コンタクト抵抗値)の計測値は、320Ωであり、十分に低い値となった。
比較例1
比較例1においては、表1と同様に、第1電極を構成するのは純Alである。このAlの比抵抗は2.1μΩcmである。このAl薄膜と、ITOからなる透明導電膜を基板上に十字形に交差するように設け、ケルビンパターンによる接触抵抗の計測を行った(図4参照)。
比較例1においては、表1と同様に、第1電極を構成するのは純Alである。このAlの比抵抗は2.1μΩcmである。このAl薄膜と、ITOからなる透明導電膜を基板上に十字形に交差するように設け、ケルビンパターンによる接触抵抗の計測を行った(図4参照)。
ITOの金属酸化物の比抵抗は、220μΩcmであった。そして図4におけるケルビンパターンによる接触抵抗(コンタクト抵抗値)の計測値は、1MΩ以上であり、表示装置に用いるには高い値である。
比較例2
比較例2においては、第1電極を構成するAl合金は、Niを1.5wt%含有するAl合金である。このAl合金の比抵抗は3.6μΩcmである。このAl合金薄膜と、ITOからなる透明導電膜を基板上に十字形に交差するように設け、ケルビンパターンによる接触抵抗の計測を行った(図4参照)。
比較例2においては、第1電極を構成するAl合金は、Niを1.5wt%含有するAl合金である。このAl合金の比抵抗は3.6μΩcmである。このAl合金薄膜と、ITOからなる透明導電膜を基板上に十字形に交差するように設け、ケルビンパターンによる接触抵抗の計測を行った(図4参照)。
ITOの金属酸化物の比抵抗は、220μΩcmであった。そして図4におけるケルビンパターンによる接触抵抗(コンタクト抵抗値)の計測値は、1MΩ以上であり、表示装置に用いるには高い値である。
比較例3
比較例3においては、第1電極を構成するAl合金は、Ndを0.8wt%含有するAl合金である。このAl合金の比抵抗は2.4μΩcmである。このAl合金薄膜と、ITOからなる透明導電膜を基板上に十字形に交差するように設け、ケルビンパターンによる接触抵抗の計測を行った(図4参照)。
比較例3においては、第1電極を構成するAl合金は、Ndを0.8wt%含有するAl合金である。このAl合金の比抵抗は2.4μΩcmである。このAl合金薄膜と、ITOからなる透明導電膜を基板上に十字形に交差するように設け、ケルビンパターンによる接触抵抗の計測を行った(図4参照)。
ITOの金属酸化物の比抵抗は、220μΩcmであった。そして図4におけるケルビンパターンによる接触抵抗(コンタクト抵抗値)の計測値は、1MΩ以上であり、表示装置に用いるには高い値である。
以上述べたように、本実施例で示した例によれば、透明導電膜(第2電極)との間に生じる接触抵抗(コンタクト抵抗)の値を小さな値にすることができる。
また本実施の形態で上述した製造方法で製造したTFTアレイ基板に対して、230℃×30分の熱処理を行った後の同コンタクト抵抗値は約650Ω、さらに300℃×60分の熱処理を行った後も同コンタクト抵抗値は約900Ωと、従来技術の場合の値である1E8〜1E12Ωに比べると極めて低く、優れた耐熱性を有していた。
なお、表1における成膜条件のパラメータ値は、装置によってそれぞ固有に最適化されるものであって、この値に限定されるものではない。また、表1や2における組成は、例示であり、この組成に限定されるものではない。
また。良好なコンタクト抵抗をうるためには、第1電極のNi、及び、{Mo、Nb、W、Zr}から選ばれた一種以上の金属の含有量は、それぞれ0.05〜5wt%にすることが好ましい。
これは、以下の事項を考慮した結果である。
・まず、含有量が0.05wt%未満では、IZOとAl界面のコンタクト抵抗を抑制するのが難しく、さらに、電池反応抑制効果が小さくなるためである。
・次に、含有量が5wt%超では、電極全体の抵抗値が高くなり、Alを用いることによる配線の低抵抗化のメリットを享受できないためである。
なお、含有量は、0.1〜2wt%とすることがより一層好ましい。
以上述べたように、Ni単独を含有するAl合金を用いて第1電極を製造した場合、TMAH(テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド)水溶液中で電池反応を起きし、Al配線の金属自身が溶解し、断線する場合がある。これに対して、Ni、及び、{Mo、Nb、W、Zr}から選ばれた一種以上の金属を含むAl合金を用いることにより電池反応を抑えることができる。
なお、本実施の形態では、スパッタリング法を用いて第1電極材料のNi及び、{Mo、Nb、W、Zr}から選ばれた一種以上の金属を含むAl合金を用いてゲート電極2及び端子部22並びにソース/ドレイン電極7を形成する際に、まずArガス雰囲気中でスパッタリングをして成膜してもよい。
また、第1電極の材料の母体となるAlとしては、Ni及び、{Mo、Nb、W、Zr}から選ばれた一種以上の金属を含むAl合金を用いているが、当該Al合金に、さらに第三元素を添加することも好ましい。
添加する第三元素は、ヒロック抑制や耐食性の向上といった点からCuやSi、あるいは希土類元素が望ましい。その添加量は、Alの電気的低抵抗というメリットを活かすために、第1電極の比抵抗が10μΩ・cmを超えない程度の添加量に抑えるのが好ましい。なお、第三元素の「三」とは、Niを第一、{Mo、Nb、W、Zr}から選ばれた一種以上の金属を第二、とみなし、それらに続く第三番目という意味である。ようするにその他の元素という意味である。
ただし、本実施の形態のように、Ni及び、{Mo、Nb、W、Zr}から選ばれた一種以上の金属を用いた場合には、純Alと比較して、ヒロックの発生防止効果、さらに耐食性も向上する効果を有する。
このため、特に耐ヒロック性に優れる第三元素を添加しなくても極めて信頼性の高いTFTアレイを実現できる可能性が高いことも本実施の形態の大きな特長である。
なお、以上述べたきた実施の形態1では、第1電極材料としてNi及び、{Mo、Nb、W、Zr}から選ばれた一種の金属を含むAl合金、そして第2電極材料としてIZOを用いた場合について説明してきたが、本発明に係る効果はこれらの電極材料に限られない。
たとえば、第2の電極材料としてIn2O3、SnO2、ZnO2などの材料中、いずれかの材料をベースとした他の種類の透明性酸化導電膜を用いた場合でも同様の効果を奏する。
なお、上記説明では、基板上にTFTを設け、そのTFTのソース・ドレイン等として第1電極を利用した。しかし、上記組成の第1電極はTFTの端子として利用する以外の用途に用いてもかまわない。他の電子部品の端子や配線として利用しても、上で説明した作用・効果を奏することは言うまでもない。そのため、本件の発明としては、TFTを設けずに、第1電極と、第2電極(透明電極)とが設けられた透明導電積層基板であれば、本発明に含まれる。
実施の形態2(液晶表示装置等)
上述した実施の形態1で説明したいずれかの実施例を採用して形成したTFTアレイ基板を用い、これと対向電極やカラーフィルタなど有する対向基板を貼り合わせ、さらに液晶材料を注入挾持してTFTアクティブマトリックス型の液晶表示装置(TFT−LCD装置)を製造する(実施の形態2)。
上述した実施の形態1で説明したいずれかの実施例を採用して形成したTFTアレイ基板を用い、これと対向電極やカラーフィルタなど有する対向基板を貼り合わせ、さらに液晶材料を注入挾持してTFTアクティブマトリックス型の液晶表示装置(TFT−LCD装置)を製造する(実施の形態2)。
すなわち本実施の形態2においては、TFTアレイ基板の配線や電極に低抵抗配線であるNi及び、{Mo、Nb、W、Zr}から選ばれた一種以上の金属を含むAl合金が用いられており、またAl以外を主成分とする別の金属層を設けることなくIZO透明膜からなる画素電極が上記Al合金と直接コンタクトした構造を有している。したがって、高開口率で高性能な液晶表示装置を得ることができる。
特に、従来装置に比べて、別の金属層を設ける必要がないので、本実施の形態2の液晶表示装置はその生産性が大きく向上している。さらに、別の金属層を設けるという製造工程が不要となるので、本実施の形態2の液晶表示装置は従来技術に比べて低コストで実施(製造)することができるという優れた特質を有する。
なお、本実施の形態2では液晶材料を用いて液晶表示装置を構成する例を示したが、有機EL材料を用いて有機EL表示装置を構成することも好ましい。
1 透明絶縁性基板
2 ゲート電極
ゲート絶縁膜
5 半導体層a−Si膜
6 半導体層n+a−Si膜
7a ドレイン電極
7b ソース電極
9 層間絶縁膜
10 コンタクトホール
11 画素電極
21 TFT部
22 端子部
100 TFTアレイ基板
2 ゲート電極
ゲート絶縁膜
5 半導体層a−Si膜
6 半導体層n+a−Si膜
7a ドレイン電極
7b ソース電極
9 層間絶縁膜
10 コンタクトホール
11 画素電極
21 TFT部
22 端子部
100 TFTアレイ基板
Claims (10)
- 透明絶縁性基板上で薄膜トランジスタを製造する方法において、
前記透明絶縁性基板上に、Al合金を用いて、第1電極である前記薄膜トランジスタのゲート、ソース及びドレインのうちの少なくとも一つを形成する工程、
を含み、
前記Al合金は、
Niと、
{Mo、Nb、W、Zr}から選択された一種以上の金属と、
を含むAl合金であることを特徴とする薄膜トランジスタの製法。 - 透明絶縁性基板上に薄膜トランジスタを形成し、薄膜トランジスタ基板を製造する方法において、
前記透明絶縁性基板上に、Al合金を用いて、第1電極である前記薄膜トランジスタのゲート、ソース及びドレインのうちの少なくとも一つを形成する工程と、
前記第1電極及び前記基板を覆って絶縁膜を成膜する工程と、
該絶縁膜にパターニングを施しコンタクトホールを形成する工程と、
前記絶縁膜上に透明電極からなる第2電極を形成して該第2電極と第1電極とを前記コンタクトホールを介して電気的に直接接続する工程と、
を少なくとも含み、
前記Al合金は、
Niと、
{Mo、Nb、W、Zr}から選択された一種以上の金属と、
を含むAl合金であることを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製法。 - 透明絶縁性基板上に設けられた薄膜トランジスタにおいて、
前記透明絶縁性基板上に形成された第1電極である前記薄膜トランジスタのゲート、ソース及びドレインの少なくとも一つと、
を備え、前記第1電極は、
Niと、
{Mo、Nb、W、Zr}から選択された一種以上の金属と、
を含むAl合金からなることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 透明絶縁性基板と、
前記透明絶縁性基板上に形成された第1電極であるゲート、ソース及びドレインの少なくとも一つと、
該第1電極及び前記透明絶縁性基板を覆うように形成された絶縁膜であって、所定のコンタクトホールが設けられている絶縁膜と、
該絶縁膜上に形成された透明電極である第2電極と、
を少なくとも含み、
前記第1電極は、
Niと、
{Mo、Nb、W、Zr}から選択された一種以上の金属と、
を含むAl合金からなり、
前記第2電極と前記第1電極とが前記コンタクトホールを介して電気的に直接接続されてなる薄膜トランジスタ基板。 - 前記透明電極が酸化インジウム、酸化すず、酸化インジウムすず及び酸化亜鉛のいずれかからなる請求項4記載の薄膜トランジスタ基板。
- 前記第1電極を構成するAl合金中の、Ni及び、{Mo、Nb、W、Zr}から選ばれた一種以上の金属の含有比率が、0.1〜5wt%であることを特徴とする請求項3記載の薄膜トランジスタ。
- 前記第1電極を構成するAl合金中の、Ni及び、{Mo、Nb、W、Zr}から選ばれた一種以上の金属の含有比率が、0.1〜5wt%であることを特徴とする請求項4記載の薄膜トランジスタ基板。
- 透明絶縁性基板と、
前記透明絶縁性基板上に形成された第1電極であるゲート、ソース及びドレインと、
該第1電極及び前記透明絶縁性基板を覆って形成された絶縁膜であって、所定のコンタクトホールが設けられた絶縁膜と、
該絶縁膜上に形成された透明電極からなる第2電極と、
を少なくとも含み、
前記第1電極が
Niと、
{Mo、Nb、W、Zr}から選ばれた一種以上の金属と、
を含むAl合金からなり、
前記第2電極と前記第1電極とが前記コンタクトホールを介して電気的に直接接続されてなるTFTアレイ基板を少なくとも有する液晶表示装置。 - 透明絶縁性基板と、
前記透明絶縁性基板上に形成された第1電極であるゲート、ソース及びドレインと、
該第1電極及び前記透明絶縁性基板を覆って形成された絶縁膜であって、所定のコンタクトホールが設けられた絶縁膜と、
該絶縁膜上に形成された透明電極からなる第2電極と、
を少なくとも含み、
前記第1電極が
Niと、
{Mo、Nb、W、Zr}から選ばれた一種以上の金属と、
を含むAl合金からなり、
前記第2電極と前記第1電極とが前記コンタクトホールを介して電気的に直接接続されてなるTFTアレイ基板を少なくとも有する有機EL表示装置。 - 透明絶縁性基板と、
前記透明絶縁性基板上に形成された第1電極と、
前記透明絶縁性基板上に形成された透明電極からなる第2電極と、
を具備し、
前記第1電極が、
Niと、
{Mo、Nb、W、Zr}から選ばれた一種以上の金属と、
を含むAl合金からなり、
前記第1電極が、前記透明電極からなる第2電極と電気的に直接接続されてなる透明導電積層基板。
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