JP5348132B2 - 薄膜トランジスタ型基板、薄膜トランジスタ型液晶表示装置および薄膜トランジスタ型基板の製造方法 - Google Patents
薄膜トランジスタ型基板、薄膜トランジスタ型液晶表示装置および薄膜トランジスタ型基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5348132B2 JP5348132B2 JP2010508203A JP2010508203A JP5348132B2 JP 5348132 B2 JP5348132 B2 JP 5348132B2 JP 2010508203 A JP2010508203 A JP 2010508203A JP 2010508203 A JP2010508203 A JP 2010508203A JP 5348132 B2 JP5348132 B2 JP 5348132B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent
- conductive film
- transparent conductive
- phase
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 170
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 69
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 347
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 120
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 101
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 100
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 90
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 76
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 65
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 19
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 60
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 57
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 56
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 55
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 50
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 31
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 21
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims description 20
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 20
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 20
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 claims description 17
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 14
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 11
- XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P ceric ammonium nitrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ce+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P 0.000 claims description 10
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 2
- 238000004040 coloring Methods 0.000 claims description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 70
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 70
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 41
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 41
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 40
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 35
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 34
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 33
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 32
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 31
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 29
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 29
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 24
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 description 21
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 19
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 18
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 18
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 18
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 17
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 16
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 15
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 13
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 12
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 11
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 11
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 10
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 10
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 9
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 9
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 6
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 4
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 argon and oxygen Chemical compound 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000009694 cold isostatic pressing Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001903 high density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004700 high-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- 150000002471 indium Chemical class 0.000 description 1
- 150000002472 indium compounds Chemical class 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000752 ionisation method Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000699 topical effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 150000003752 zinc compounds Chemical class 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/453—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zinc, tin, or bismuth oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. zincates, stannates or bismuthates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
- C04B35/645—Pressure sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3286—Gallium oxides, gallates, indium oxides, indates, thallium oxides, thallates or oxide forming salts thereof, e.g. zinc gallate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3293—Tin oxides, stannates or oxide forming salts thereof, e.g. indium tin oxide [ITO]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
- C04B2235/54—Particle size related information
- C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
- C04B2235/5445—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof submicron sized, i.e. from 0,1 to 1 micron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
- C04B2235/6562—Heating rate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/77—Density
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/78—Grain sizes and shapes, product microstructures, e.g. acicular grains, equiaxed grains, platelet-structures
- C04B2235/786—Micrometer sized grains, i.e. from 1 to 100 micron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/80—Phases present in the sintered or melt-cast ceramic products other than the main phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
- C04B2235/963—Surface properties, e.g. surface roughness
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
- G02F2201/123—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode pixel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
Description
前記透明基板上に、非晶質状態のガリウム含有インジウム酸化物、あるいは、非晶質状態のガリウムおよびスズ含有インジウム酸化物を成膜して、透明導電膜を形成する工程と、前記形成された透明導電膜を、酸性のエッチャントを用いて、エッチングすることによって、前記透明画素電極を形成する工程を含むことを特徴とする。
2 ゲート電極
2a ゲート電極配線
3 ゲート絶縁膜:SiN膜
4 α−Si:H(i)膜
5 チャンネル保護層:SiN膜
6 α−Si:H(n)膜
7 ソース電極
8 ドレイン電極
9 透明導電膜(透明画素電極)
10 透明樹脂レジスト
12 コンタクトホール
100 α−SiTFTアクティブマトリックス基板
200 α−SiTFTアクティブマトリックス基板
Al アルミニウム配線
BM バリアメタル(Mo、Cr、Ti、または、Taから選ばれる金属)
(組成)
本発明の第1の態様に係る薄膜トランジスタ型基板においては、透明画素電極に使用する透明導電膜を、ガリウム含有インジウム酸化物で形成する。かかるガリウム含有インジウム酸化物の組成としては、ガリウムの含有量がGa/(In+Ga)原子数比で0.10〜0.35であることが好ましい。0.10未満ではエッチング時に残渣が発生するおそれがある。一方、0.35を超えると抵抗値が高くなり、適用できなくなる場合がある。ただし、前記半導体層として、移動度の高い低温ポリシリコンなどを適用する場合は、その限りではなく、0.35を超えても適用できる場合がある。
上記の通り、本発明の透明導電膜の性状は、非晶質でも結晶質でもよい。しかしながら、非晶質膜となるように成膜し、成膜後の透明導電膜に後述する熱処理を施して、性状を変化させることが好ましい。
本発明の薄膜トランジスタ型基板に使用する透明導電膜の膜厚は、好ましくは20〜500nmであり、より好ましくは30〜300nmであり、さらに好ましくは30〜200nmである。透明導電膜の膜厚が20nm未満では、透明導電膜の表面抵抗が上昇したりする場合があり、一方、透明導電膜の膜厚が500nm超では、透過率が低下したり、加工精度に問題が生じる場合がある。
(成膜)
次に、透明導電膜の成膜、すなわち、透明基板上に、ガリウム含有インジウム酸化物、あるいは、ガリウムおよびスズ含有インジウム酸化物からなる透明導電膜の形成方法について説明する。
酸性のエッチャント(エッチング液)は弱酸であることが好ましい。弱酸のエッチャントを用いてエッチングした場合、前述した透明導電膜は、エッチングによる残渣がほとんど発生しないからである。
本発明の透明導電膜では、成膜した前記ガリウム含有インジウム酸化物で形成された透明導電膜、あるいは、ガリウムおよびスズ含有インジウム酸化物で形成される透明導電膜をエッチングして透明画素電極を形成した後、基板の温度を200℃〜500℃に加熱することにより、該透明導電膜を熱処理してもよい。
本発明の薄膜トランジスタ型基板において、透明基板上に形成される半導体層は、アモルファスシリコン(以下、a−Siと記載する場合もある)、あるいは、ポリシリコン(以下、p−Siと記載する場合もある)でもよく、また、非晶質InGaZnO酸化物(以下、a−IGZOと記載する場合もある)や酸化亜鉛結晶膜などの酸化物でもよい。
また、本発明の薄膜トランジスタ型基板において、透明基板上に形成される配線は、通常、安価で電気抵抗の低いアルミニウムが用いられるが、前述したヒロックの発生を抑制することのできる、アルミニウムにネオジウムやセリウムを添加した合金、あるいは、ヒロックの発生および接触抵抗増大を抑制したアルミニウムに、ニッケルおよびLaなどの希土類元素を添加した合金でも好ましい。
本発明の薄膜トランジスタ型液晶表示装置は、前述した薄膜トランジスタ型基板と、複数色の着色パターンが設けられたカラーフィルター基板と、前記薄膜トランジスタ型基板と前記カラーフィルター基板とに挟持された液晶層とを具備していることを特徴としている。
図1には、本実施例1におけるa−SiTFT(アモルファスシリコン薄膜トランジスタ)アクティブマトリックス基板100の近傍の断面図が示されている。透光性のガラス基板1上に、直流スパッタリング法により、各々の膜厚が150nm、50nmとなるように金属アルミニウム(Al)、バリアメタルBM(金属モリブデン(Mo)を使用)を順に成膜した。
a−SiTFTアクティブマトリックス基板100を、上記実施例1において用いた酸化物焼結体とは異なり、その組成においてガリウムの含有量がGa/(In+Ga)原子数比で0.20となるように調製された酸化物焼結体を用いたこと以外は、実施例1と同様に作製した。なお、かかる酸化物焼結体の構造および特性は、実施例1における酸化物焼結体と同様であった。
a−SiTFTアクティブマトリックス基板100を、上記実施例1および2において用いた酸化物焼結体とは異なり、その組成においてガリウムの含有量がGa/(In+Ga+Sn)原子数比で0.10となるように、またスズの含有量がSn/(In+Ga+Sn)原子数比で0.05となるように調製された酸化物焼結体を用いたこと、および、透明画素電極形成後に熱処理を施したこと以外は、実施例1および実施例2と同様に作製した。なお、かかる酸化物焼結体のターゲットの相対密度は98%であり、また、ターゲット中には、X線回折測定の結果、ビックスバイト型構造のIn2O3相が主たる結晶相として存在することが判明し、またβ−Ga2O3型構造のGaInO3相、またはGaInO3相と(Ga,In)2O3相が分散相として存在することが示唆された。該酸化物焼結体のSEM観察を行った結果、これら分散相が平均粒径5μm以下の結晶粒からなることが確認された。また、SEM付属のEDS(Energy Dispersive x−ray Spectrometer)分析による結晶粒の組成分析の結果、スズはビックスバイト型構造のIn2O3相、およびGaInO3相、あるいは(Ga,In)2O3相のいずれの相にも含まれていることが確認された。
図2には、本実施例4におけるa−SiTFT(アモルファスシリコン薄膜トランジスタ)アクティブマトリックス基板200の近傍の断面図が示されている。このa−SiTFTアクティブマトリックス基板200は、ゲート電極上にバリアメタルBM(金属Mo)を形成せず、金属Alの単独層としたこと、および、ドレイン電極およびソース電極上にバリアメタルBM(金属Mo)を形成せず、金属Mo/金属Alの二層膜としたこと以外は、実施例1の基板100と同様の構造である。従って、製造方法も該バリアメタルBM層の形成が省略されること以外は、基本的には、実施例1と同様である。また、本実施例4でのa−SiTFTアクティブマトリックス基板200における透明導電膜9の組成は、上記実施例1でのa−SiTFTアクティブマトリックス基板100における透明導電膜9の組成と同じである。
a−SiTFTアクティブマトリックス基板100を、上記実施例3において用いた酸化物焼結体とは異なり、その組成においてガリウムの含有量がGa/(In+Ga+Sn)原子数比で0.05となるように、またスズの含有量がSn/(In+Ga+Sn)原子数比で0.09となるように調製された酸化物焼結体を用いたこと以外は、実施例3と同様の条件で作製した。なお、かかる酸化物焼結体のターゲットの相対密度は99%であり、また、ターゲット中には、X線回折測定の結果、ビックスバイト型構造のIn2O3相が主たる結晶相として存在することが判明し、またβ−Ga2O3型構造のGaInO3相、またはGaInO3相と(Ga,In)2O3相が分散相として存在することが示唆された。該酸化物焼結体のSEM観察を行った結果、これら分散相が平均粒径5μm以下の結晶粒からなることが確認された。また、SEM付属のEDS(Energy Dispersive x−ray Spectrometer)分析による結晶粒の組成分析の結果、スズはビックスバイト型構造のIn2O3相、およびGaInO3相、あるいは(Ga,In)2O3相のいずれの相にも含まれていることが確認された。
a−SiTFTアクティブマトリックス基板100を、上記実施例3において用いた酸化物焼結体とは異なり、その組成においてガリウムの含有量がGa/(In+Ga+Sn)原子数比で0.02となるように、またスズの含有量がSn/(In+Ga+Sn)原子数比で0.09となるように調製された酸化物焼結体を用いたこと以外は、実施例3と同様に作製した。なお、かかる酸化物焼結体のターゲットの相対密度は98%であり、また、ターゲット中には、X線回折測定の結果、ビックスバイト型構造のIn2O3相が主たる結晶相として存在することが判明し、またβ−Ga2O3型構造のGaInO3相、またはGaInO3相と(Ga,In)2O3相が分散相として存在することが示唆された。該酸化物焼結体のSEM観察を行った結果、これら分散相が平均粒径5μm以下の結晶粒からなることが確認された。また、SEM付属のEDS(Energy Dispersive x−ray Spectrometer)分析による結晶粒の組成分析の結果、スズはビックスバイト型構造のIn2O3相、およびGaInO3相、あるいは(Ga,In)2O3相のいずれの相にも含まれていることが確認された。
a−SiTFTアクティブマトリックス基板100を、上記実施例3において用いた酸化物焼結体とは異なり、その組成においてガリウムの含有量がGa/(In+Ga)原子数比で0.08となるように、またスズの含有量がSn/(In+Ga+Sn)原子数比で0.11となるように調製された酸化物焼結体を用いたこと以外は、実施例3と同様に作製した。なお、かかる酸化物焼結体のターゲットの相対密度は98%であり、また、ターゲット中には、X線回折測定の結果、ビックスバイト型構造のIn2O3相が主たる結晶相として存在することが判明し、またβ−Ga2O3型構造のGaInO3相、またはGaInO3相と(Ga,In)2O3相が分散相として存在することが示唆された。該酸化物焼結体のSEM観察を行った結果、これら分散相が平均粒径5μm以下の結晶粒からなることが確認された。また、SEM付属のEDS(Energy Dispersive x−ray Spectrometer)分析による結晶粒の組成分析の結果、スズはビックスバイト型構造のIn2O3相、およびGaInO3相、あるいは(Ga,In)2O3相のいずれの相にも含まれていることが確認された。
図2には、実施例4と同様の、本参考例8におけるa−SiTFT(アモルファスシリコン薄膜トランジスタ)アクティブマトリックス基板200の近傍の断面図が示されている。このa−SiTFTアクティブマトリックス基板200は、ゲート電極上にバリアメタルBM(金属Mo)を形成せず、金属Alの単独層としたこと、および、ドレイン電極およびソース電極上にバリアメタルBM(金属Mo)を形成せず、金属Mo/金属Alの二層膜とした構造である。
上記実施例1〜4および7並びに参考例5、6および8においては、透明導電膜9をエッチングする際に用いるエッチャントについては、蓚酸3.2wt%の水溶液である例について示した。しかしながら、透明導電膜9をエッチングする際に用いるエッチャントは、上記蓚酸系水溶液の他にも、燐酸と酢酸と硝酸とからなる混酸であることも好ましく、または、硝酸第二セリウムアンモニウム水溶液であることも好ましい。実際に、これらのエッチャントを上記実施例1〜4および7並びに参考例5、6および8に適用しても、何ら問題はなかった。
a−SiTFTアクティブマトリックス基板100を、上記実施例1において用いた酸化物焼結体とは異なり、その組成においてガリウムの含有量がGa/(In+Ga)原子数比で0.35となるように調製された酸化物焼結体を用いたこと以外は、実施例1と同様に作製した。なお、かかる酸化物焼結体の構造および特性は、実施例1における酸化物焼結体と同様であった。
a−SiTFTアクティブマトリックス基板100を、ターゲット中の亜鉛の含有量がZn/(In+Zn)原子数比で0.107となるように調製された、酸化インジウムと酸化亜鉛からなる酸化物焼結体を用いたこと以外は、実施例1と同様の条件で作製した。
a−SiTFTアクティブマトリックス基板200は、上記実施例4において用いた酸化物焼結体とは、その組成において酸化スズの含有量が質量比で10質量%となるように調製された酸化インジウムと酸化スズからなるITOである酸化物焼結体を用いたこと以外は、実施例1と同様に作製した。なお、かかる酸化物焼結体の構造は、実施例1における酸化物焼結体と同様であった。
a−SiTFTアクティブマトリックス基板100を、上記実施例1において用いた酸化物焼結体とは異なり、ガリウムおよび亜鉛含有インジウム酸化物を用い、その組成においてガリウムの含有量がGa/(In+Ga+Zn)原子数比で0.20、亜鉛の含有量がZn/(In+Ga+Zn)原子数比で0.05となるように調製された酸化物焼結体を用いたこと以外は、実施例1と同様に作製した。なお、かかる酸化物焼結体の構造および特性は、実施例1における酸化物焼結体と同様であった。
Claims (11)
- 透明基板と、該透明基板上に、ゲート電極と、半導体層と、ソース電極およびドレイン電極と、透明画素電極および透明電極とが形成されており、前記透明画素電極は、透明導電膜からなり、前記ソース電極または前記ドレイン電極と電気的に接続している薄膜トランジスタ型基板において、
前記透明画素電極を構成する透明導電膜が、ガリウム含有インジウム酸化物からなり、ガリウム含有量がGa/(In+Ga)原子数比で0.10〜0.35であり、かつ、ガリウムが固溶した酸化インジウム相の微結晶が生成した非晶質状態にあることを特徴する、薄膜トランジスタ型基板。 - 前記透明導電膜の比抵抗が、3.9×10 -4 Ω・cm〜5.3×10 -4 Ω・cmの範囲にある、請求項1に記載の薄膜トランジスタ型基板。
- 透明基板と、該透明基板上に、ゲート電極と、半導体層と、ソース電極およびドレイン電極と、透明画素電極および透明電極とが形成されており、前記透明画素電極は、透明導電膜からなり、前記ソース電極または前記ドレイン電極と電気的に接続している薄膜トランジスタ型基板において、
前記透明画素電極を構成する透明導電膜が、ガリウムおよびスズ含有インジウム酸化物からなり、ガリウム含有量がGa/(In+Ga+Sn)原子数比で0.05を超えて0.30以下であり、スズ含有量がSn/(In+Ga+Sn)原子数比で0.01〜0.11であり、かつ、
該透明導電膜が、ガリウム含有量がGa/(In+Ga+Sn)原子数比で0.05を超えて0.30以下で、スズ含有量がSn/(In+Ga+Sn)原子数比で0.01〜0.11で、ビックスバイト型構造のIn 2 O 3 相が主たる結晶相として存在し、該In 2 O 3 相の中にβ−Ga 2 O 3 型構造のGaInO 3 相、またはGaInO 3 相と(Ga,In) 2 O 3 相が平均粒径が5μm以下の結晶粒として微細に分散している、ガリウムおよびスズ含有インジウム酸化物からなる酸化物焼結体を用いて非晶質状態で成膜され、かつ、200℃〜500℃の熱処理により結晶化していることを特徴する、薄膜トランジスタ型基板。 - 前記透明導電膜の比抵抗が2.1×10 -4 Ω・cm〜3.1×10 -4 Ω・cmの範囲にある、請求項3に記載の薄膜トランジスタ型基板。
- 前記透明導電膜が、亜鉛を含有しないことを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタ型基板。
- 請求項1〜5のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタ型基板と、複数色の着色パターンが設けられたカラーフィルター基板と、前記薄膜トランジスタ型基板と前記カラーフィルター基板とに挟持された液晶層とを具備することを特徴とする、薄膜トランジスタ型液晶表示装置。
- 透明基板と、該透明基板上に、ゲート電極と、半導体層と、ソース電極およびドレイン電極と、透明画素電極および透明電極とが形成されており、前記透明画素電極は、ガリウム含有インジウム酸化物からなり、ガリウム含有量がGa/(In+Ga)原子数比で0.10〜0.35であり、かつ、ガリウムが固溶した酸化インジウム相の微結晶が生成した非晶質状態にある透明導電膜からなり、前記ソース電極または前記ドレイン電極と電気的に接続している薄膜トランジスタ型基板の製造方法であって、
前記透明基板上に、室温から180℃の範囲の基板温度で、ガリウム含有量がGa/(In+Ga)原子数比で0.10〜0.35である、ガリウム含有インジウム酸化物からなる酸化物焼結体を用いて、非晶質状態のガリウム含有インジウム酸化物を成膜して、透明導電膜を形成する工程と、
前記形成された透明導電膜を、酸性のエッチャントを用いて、エッチングすることによって、前記透明画素電極を形成する工程と、
前記透明導電膜に対して200℃〜500℃の温度で熱処理を行い、該透明導電膜に前記微結晶を生成させ、かつ、その非晶質状態を維持させる工程と、
を含むことを特徴とする、薄膜トランジスタ型基板の製造方法。 - 前記酸化物焼結体として、ビックスバイト型構造のIn 2 O 3 相が主たる結晶相として存在し、該In 2 O 3 相の中にβ−Ga 2 O 3 型構造のGaInO 3 相、またはGaInO 3 相と(Ga,In) 2 O 3 相が平均粒径が5μm以下の結晶粒として微細に分散している酸化物焼結体を用いる、請求項7に記載の薄膜トランジスタ型基板の製造方法。
- 透明基板と、該透明基板上に、ゲート電極と、半導体層と、ソース電極およびドレイン電極と、透明画素電極および透明電極とが形成されており、前記透明画素電極は、ガリウムおよびスズ含有インジウム酸化物からなり、ガリウム含有量がGa/(In+Ga+Sn)原子数比で0.05を超えて0.30以下であり、スズ含有量がSn/(In+Ga+Sn)原子数比で0.01〜0.11である、結晶化した透明導電膜からなり、前記ソース電極または前記ドレイン電極と電気的に接続している薄膜トランジスタ型基板の製造方法であって、
前記透明基板上に、室温から180℃の範囲の基板温度で、ガリウム含有量がGa/(In+Ga+Sn)原子数比で0.05を超えて0.30以下で、スズ含有量がSn/(In+Ga+Sn)原子数比で0.01〜0.11で、ビックスバイト型構造のIn 2 O 3 相が主たる結晶相として存在し、該In 2 O 3 相の中にβ−Ga 2 O 3 型構造のGaInO 3 相、またはGaInO 3 相と(Ga,In) 2 O 3 相が平均粒径5μm以下の結晶粒として微細に分散している、ガリウムおよびスズ含有インジウム酸化物からなる酸化物焼結体を用いて、非晶質状態のガリウムおよびスズ含有インジウム酸化物を成膜して、透明導電膜を形成する工程と、
前記形成された透明導電膜を、酸性のエッチャントを用いて、エッチングすることによって、前記透明画素電極を形成する工程と、
前記透明導電膜に対して200℃〜500℃の温度で熱処理を行い、前記透明導電膜を結晶化させる工程を、
を含むことを特徴とする、薄膜トランジスタ型基板の製造方法。 - 前記熱処理を、酸素を含まない雰囲気中で行うことを特徴とする、請求項7〜9のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタ型基板の製造方法。
- 前記酸性のエッチャントとして、蓚酸、燐酸と酢酸と硝酸とからなる混酸、硝酸第二セリウムアンモニウムのいずれか一種又は二種以上を用いる、請求項7〜10のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタ型基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010508203A JP5348132B2 (ja) | 2008-04-16 | 2009-04-13 | 薄膜トランジスタ型基板、薄膜トランジスタ型液晶表示装置および薄膜トランジスタ型基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008106927 | 2008-04-16 | ||
JP2008106927 | 2008-04-16 | ||
JP2008332317 | 2008-12-26 | ||
JP2008332317 | 2008-12-26 | ||
JP2010508203A JP5348132B2 (ja) | 2008-04-16 | 2009-04-13 | 薄膜トランジスタ型基板、薄膜トランジスタ型液晶表示装置および薄膜トランジスタ型基板の製造方法 |
PCT/JP2009/057446 WO2009128424A1 (ja) | 2008-04-16 | 2009-04-13 | 薄膜トランジスタ型基板、薄膜トランジスタ型液晶表示装置および薄膜トランジスタ型基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2009128424A1 JPWO2009128424A1 (ja) | 2011-08-04 |
JP5348132B2 true JP5348132B2 (ja) | 2013-11-20 |
Family
ID=41199115
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010508203A Expired - Fee Related JP5348132B2 (ja) | 2008-04-16 | 2009-04-13 | 薄膜トランジスタ型基板、薄膜トランジスタ型液晶表示装置および薄膜トランジスタ型基板の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110084280A1 (ja) |
JP (1) | JP5348132B2 (ja) |
TW (1) | TWI401771B (ja) |
WO (1) | WO2009128424A1 (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2942337A1 (en) | 2007-07-06 | 2015-11-11 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Oxide sintered body and production method therefor, target, and transparent conductive film and transparent conductive substrate obtained by using the same |
KR20110047308A (ko) * | 2009-10-30 | 2011-05-09 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 산화인듐주석 스퍼터링 타겟 및 이를 이용하여 제조되는 투명전도막 |
JP5596963B2 (ja) * | 2009-11-19 | 2014-09-24 | 出光興産株式会社 | スパッタリングターゲット及びそれを用いた薄膜トランジスタ |
KR101273831B1 (ko) | 2009-12-09 | 2013-06-11 | 샤프 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
JP5437825B2 (ja) * | 2010-01-15 | 2014-03-12 | 出光興産株式会社 | In−Ga−O系酸化物焼結体、ターゲット、酸化物半導体薄膜及びこれらの製造方法 |
KR20110090408A (ko) | 2010-02-03 | 2011-08-10 | 삼성전자주식회사 | 박막 형성 방법, 표시판용 금속 배선 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
JP2011174134A (ja) * | 2010-02-24 | 2011-09-08 | Idemitsu Kosan Co Ltd | In−Ga−Sn系酸化物焼結体、ターゲット、酸化物半導体膜、及び半導体素子 |
JP5689250B2 (ja) * | 2010-05-27 | 2015-03-25 | 出光興産株式会社 | 酸化物焼結体、それからなるターゲット及び酸化物半導体薄膜 |
JP6167039B2 (ja) * | 2011-08-22 | 2017-07-19 | 出光興産株式会社 | In−Ga−Sn系酸化物焼結体 |
JP5301021B2 (ja) * | 2011-09-06 | 2013-09-25 | 出光興産株式会社 | スパッタリングターゲット |
JP2013083758A (ja) * | 2011-10-07 | 2013-05-09 | Sony Corp | 表示装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
US9224820B2 (en) * | 2012-05-31 | 2015-12-29 | Samsung Corning Advanced Glass, Llc | Oxide semiconductor sputtering target, method of manufacturing thin-film transistors using the same, and thin film transistor manufactured using the same |
CN102790012A (zh) * | 2012-07-20 | 2012-11-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板的制造方法及阵列基板、显示装置 |
JP5964967B2 (ja) * | 2012-08-02 | 2016-08-03 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
TWI620323B (zh) | 2012-11-16 | 2018-04-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
JP6329762B2 (ja) | 2012-12-28 | 2018-05-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
TWI602939B (zh) * | 2013-01-15 | 2017-10-21 | 出光興產股份有限公司 | Sputtering targets, oxide semiconductor films, and methods of making them |
CN108962724A (zh) * | 2013-07-16 | 2018-12-07 | 住友金属矿山株式会社 | 氧化物半导体薄膜和薄膜晶体管 |
KR102232539B1 (ko) * | 2013-11-13 | 2021-03-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 표시 기판 및 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
JP5952891B2 (ja) * | 2014-02-14 | 2016-07-13 | 株式会社コベルコ科研 | 酸化物焼結体、およびスパッタリングターゲットの製造方法 |
JP6956748B2 (ja) | 2017-02-01 | 2021-11-02 | 出光興産株式会社 | 酸化物半導体膜、薄膜トランジスタ、酸化物焼結体及びスパッタリングターゲット |
KR102380806B1 (ko) * | 2017-02-22 | 2022-03-30 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 산화물 반도체막, 박막 트랜지스터, 산화물 소결체 및 스퍼터링 타깃 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04272612A (ja) * | 1991-02-26 | 1992-09-29 | Kojundo Chem Lab Co Ltd | 透明電極 |
JPH07182924A (ja) * | 1993-10-27 | 1995-07-21 | At & T Corp | ガリウム−インジウム酸化物を含む透明導電体 |
JPH08160457A (ja) * | 1994-12-08 | 1996-06-21 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
JPH0950711A (ja) * | 1995-08-03 | 1997-02-18 | Kobe Steel Ltd | 透明導電膜 |
JPH09259640A (ja) * | 1996-03-25 | 1997-10-03 | Uchitsugu Minami | 透明導電膜 |
JP2000129432A (ja) * | 1998-10-29 | 2000-05-09 | Tosoh Corp | 導電性金属酸化物焼結体およびその用途 |
JP2005135649A (ja) * | 2003-10-28 | 2005-05-26 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 酸化インジウム系透明導電膜及びその製造方法 |
JP2005347215A (ja) * | 2004-06-07 | 2005-12-15 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 透明導電膜、透明導電膜製造用焼結体ターゲット、透明導電性基材及びそれを用いた表示デバイス |
JP2006210477A (ja) * | 2005-01-26 | 2006-08-10 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに薄膜トランジスタ基板及びその製造方法並びに該薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置及び有機el表示装置並びに透明導電積層基板 |
JP2007210823A (ja) * | 2006-02-08 | 2007-08-23 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化物焼結体および、それを用いて得られる酸化物膜、それを含む透明基材 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6872658B2 (en) * | 2001-11-30 | 2005-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating semiconductor device by exposing resist mask |
CN1918672B (zh) * | 2004-03-09 | 2012-10-03 | 出光兴产株式会社 | 薄膜晶体管、薄膜晶体管基板、液晶显示装置、溅射靶、透明导电膜、透明电极及它们的制造方法 |
JP4888119B2 (ja) * | 2004-09-13 | 2012-02-29 | 住友金属鉱山株式会社 | 透明導電膜及びその製造方法、並びに透明導電性基材、発光デバイス |
JP5121254B2 (ja) * | 2007-02-28 | 2013-01-16 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタおよび表示装置 |
JP2008277326A (ja) * | 2007-04-25 | 2008-11-13 | Canon Inc | アモルファス酸化物半導体、半導体デバイス及び薄膜トランジスタ |
-
2009
- 2009-04-13 WO PCT/JP2009/057446 patent/WO2009128424A1/ja active Application Filing
- 2009-04-13 JP JP2010508203A patent/JP5348132B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-04-16 TW TW098112600A patent/TWI401771B/zh not_active IP Right Cessation
-
2010
- 2010-10-14 US US12/904,411 patent/US20110084280A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04272612A (ja) * | 1991-02-26 | 1992-09-29 | Kojundo Chem Lab Co Ltd | 透明電極 |
JPH07182924A (ja) * | 1993-10-27 | 1995-07-21 | At & T Corp | ガリウム−インジウム酸化物を含む透明導電体 |
JPH08160457A (ja) * | 1994-12-08 | 1996-06-21 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
JPH0950711A (ja) * | 1995-08-03 | 1997-02-18 | Kobe Steel Ltd | 透明導電膜 |
JPH09259640A (ja) * | 1996-03-25 | 1997-10-03 | Uchitsugu Minami | 透明導電膜 |
JP2000129432A (ja) * | 1998-10-29 | 2000-05-09 | Tosoh Corp | 導電性金属酸化物焼結体およびその用途 |
JP2005135649A (ja) * | 2003-10-28 | 2005-05-26 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 酸化インジウム系透明導電膜及びその製造方法 |
JP2005347215A (ja) * | 2004-06-07 | 2005-12-15 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 透明導電膜、透明導電膜製造用焼結体ターゲット、透明導電性基材及びそれを用いた表示デバイス |
JP2006210477A (ja) * | 2005-01-26 | 2006-08-10 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに薄膜トランジスタ基板及びその製造方法並びに該薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置及び有機el表示装置並びに透明導電積層基板 |
JP2007210823A (ja) * | 2006-02-08 | 2007-08-23 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化物焼結体および、それを用いて得られる酸化物膜、それを含む透明基材 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110084280A1 (en) | 2011-04-14 |
TW200952122A (en) | 2009-12-16 |
JPWO2009128424A1 (ja) | 2011-08-04 |
WO2009128424A1 (ja) | 2009-10-22 |
TWI401771B (zh) | 2013-07-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5348132B2 (ja) | 薄膜トランジスタ型基板、薄膜トランジスタ型液晶表示装置および薄膜トランジスタ型基板の製造方法 | |
US8920683B2 (en) | Sputtering target, transparent conductive film and transparent electrode | |
EP2025654B1 (en) | Target obtained from an oxide sintered body | |
JP5994818B2 (ja) | 酸化物膜及び透明基材 | |
US9209257B2 (en) | Oxide sintered body and sputtering target | |
JP4846726B2 (ja) | スパッタリングターゲット、透明導電膜及び透明電極 | |
TWI515167B (zh) | An oxide sintered body and a sputtering target, and a method for producing the oxide sintered body | |
JP5561358B2 (ja) | 透明導電膜 | |
TWI480255B (zh) | Oxide sintered body and sputtering target | |
WO2011016387A1 (ja) | イオンプレーティング用タブレットとその製造方法、および透明導電膜 | |
WO2005086180A1 (ja) | 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタ基板及びこれらの製造方法及びこれらを用いた液晶表示装置及び関連する装置及び方法、並びに、スパッタリングターゲット及びこれを用いて成膜した透明導電膜及び透明電極及び関連する装置及び方法 | |
US20130140502A1 (en) | Sputtering target | |
WO2017122618A1 (ja) | 非晶質複合金属酸化物の製造方法 | |
JP2019038735A (ja) | 酸化物焼結体、酸化物焼結体の製造方法、スパッタリング用ターゲット、及び非晶質の酸化物半導体薄膜 | |
JP4175071B2 (ja) | 酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット | |
JP6277977B2 (ja) | 酸化物焼結体、スパッタリング用ターゲット、及びそれを用いて得られる酸化物半導体薄膜 | |
JP4660667B2 (ja) | Tft基板及びスパッタリングターゲット及び液晶表示装置及び画素電極及び透明電極及びtft基板の製造方法 | |
KR20180117631A (ko) | 산화물 소결체 및 스퍼터링용 타겟 | |
JP5756319B2 (ja) | Cu合金膜、及びそれを備えた表示装置または電子装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110513 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130430 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130701 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130723 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130805 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5348132 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |