JP6167039B2 - In−Ga−Sn系酸化物焼結体 - Google Patents
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Description
物理的成膜法で酸化物薄膜を成膜する際は、均一に、安定して、効率よく、高い成膜速度で成膜するために、酸化物焼結体からなるターゲットを用いることが一般的である。
特に、酸化物焼結体からなるターゲットをスパッタリング法に適用すると、量産性に優れているためフラットディスプレイ等大面積の用途に用いることができる。
また、酸化亜鉛を含む非晶質酸化物半導体膜は、ドライエッチィングでパターニングする際にエッチング速度が遅いという課題があった。
しかし、このスパッタリングターゲットは管理すべき元素数が多く、製造工程や品質管理が複雑となるという課題があった。
また、Si基板等のSi含有層の上に種々の素子を作製する際、亜鉛がSi含有層内に拡散して素子特性が劣化するという問題があり、適用できる素子構成が制限されていた。
しかし、透明導電膜を目指した検討であり、酸化物半導体膜、特に薄膜トランジスタとする検討や適した性状の検討はなされていなかった。また、組成比は薄膜トランジスタの作製に適したものではなかった。
また、このターゲットにより、酸化インジウム、酸化ガリウム及び酸化亜鉛からなる半導体膜と同等の特性を示す半導体膜が作製でき、移動度の高い薄膜トランジスタを作製できることを見出した。さらに、酸化錫の組成比を選定することで、ドライエッチングの際の選択比も向上できることを見出した。
本発明によれば、以下の酸化物焼結体等が提供される。
1.In、Ga、Sn及びZnを、下記領域(A)及び(B)に含まれる原子比で含む酸化物焼結体。
領域(A)
0.38≦In/(In+Ga+Sn) <0.70
0.05<Ga/(In+Ga+Sn) <0.40
0.20<Sn/(In+Ga+Sn) ≦0.50
0.00≦Zn/(In+Ga+Sn+Zn)<0.05
領域(B)
0.25≦In/(In+Ga+Sn) <0.69
0.20≦Ga/(In+Ga+Sn) ≦0.55
0.11<Sn/(In+Ga+Sn) ≦0.20
0.00≦Zn/(In+Ga+Sn+Zn)<0.05
2.前記領域(A)において、In、Ga及びSnの原子比が下記式を満たし、不可避的に含まれる不純物以外にZnを含まない1に記載の酸化物焼結体。
0.10<Ga/(In+Ga+Sn) <0.30
0.20<Sn/(In+Ga+Sn) ≦0.30
3.前記領域(B)において、In、Ga及びSnの原子比が下記式を満たし、不可避的に含まれる不純物以外にZnを含まない1に記載の酸化物焼結体。
0.20≦Ga/(In+Ga+Sn) ≦0.30
4.Ga3−xIn5+xSn2O16(式中、Xは0〜1である。)で表される結晶構造の化合物を主成分として含む1〜3のいずれかに記載の酸化物焼結体。
5.実質的にGa3−xIn5+xSn2O16(式中、Xは0〜1である。)で表される結晶構造の化合物からなる4に記載の酸化物焼結体。
6.内部と表面の結晶構造が実質同一である4又は5に記載の酸化物焼結体。
7.円筒状の形状を有する1〜6のいずれかに記載の酸化物焼結体。
8.1〜7のいずれかに記載の酸化物焼結体を用いたスパッタリングターゲット。
9.8に記載のスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング法で形成して得られる酸化物半導体薄膜。
10.9に記載の酸化物半導体薄膜をチャネル層として含む薄膜トランジスタ。
11.10に記載の薄膜トランジスタを備えてなる表示装置。
領域(A)
0.38≦In/(In+Ga+Sn) <0.70 (1)
0.05<Ga/(In+Ga+Sn) <0.40 (2)
0.20<Sn/(In+Ga+Sn) ≦0.50 (3)
0.00≦Zn/(In+Ga+Sn+Zn)<0.05 (4)
領域(B)
0.25≦In/(In+Ga+Sn) <0.69 (5)
0.20≦Ga/(In+Ga+Sn) ≦0.55 (6)
0.11<Sn/(In+Ga+Sn) ≦0.20 (7)
0.00≦Zn/(In+Ga+Sn+Zn)<0.05 (8)
領域(A)を満たす酸化物焼結体を用いることにより、弗酸(無機酸系ウェットエッチング液)耐性の高い酸化物薄膜が得られる。従って、薄膜トランジスタの製造工程の選択肢が広がり、トランジスタ特性が良好な薄膜トランジスタが作製できる。
領域(B)を満たすことにより、より抵抗の低い酸化物焼結体が得られ、トランジスタ特性の良好な薄膜トランジスタが作製できる。
0.10<Ga/(In+Ga+Sn) <0.30
0.20<Sn/(In+Ga+Sn) ≦0.30
0.20≦Ga/(In+Ga+Sn) ≦0.30
0.40≦In/(In+Ga+Sn) <0.70 (1’)
0.07<Ga/(In+Ga+Sn) <0.40 (9)
0.20<Sn/(In+Ga+Sn) ≦0.30 (10)
0.41≦In/(In+Ga+Sn) <0.70 (1’’)
0.10<Ga/(In+Ga+Sn) <0.30 (11)
0.20<Sn/(In+Ga+Sn) ≦0.30 (12)
0.41≦In/(In+Ga+Sn) <0.66 (1’’’)
0.15<Ga/(In+Ga+Sn) <0.30 (13)
0.21≦Sn/(In+Ga+Sn) ≦0.30 (14)
0.36≦In/(In+Ga+Sn) <0.69 (5’)
0.20≦Ga/(In+Ga+Sn) <0.45 (15)
0.11<Sn/(In+Ga+Sn) ≦0.20 (7)
0.46≦In/(In+Ga+Sn) <0.69 (5’’)
0.20≦Ga/(In+Ga+Sn) <0.35 (16)
0.11<Sn/(In+Ga+Sn) ≦0.20 (7)
0.50≦In/(In+Ga+Sn) <0.69 (5’’’)
0.20≦Ga/(In+Ga+Sn) ≦0.30 (17)
0.11<Sn/(In+Ga+Sn) ≦0.20 (7)
また、上記範囲内の焼結体を用いて作製した酸化物薄膜は、有機酸系エッチング液(例えば蓚酸エッチング液)でウェットエッチングでき、かつ無機酸系ウェットエッチング液(例えばリン酸/硝酸/酢酸の混酸ウェットエッチング液)には溶けにくいため、電極に使用するMo(モリブデン)やAl(アルミニウム)等とのウェットエッチングの選択比を大きくできる。
0.00≦Zn/(In+Ga+Sn+Zn)<0.05 (18)
0.00≦Zn/(In+Ga+Sn+Zn)<0.01 (19)
0.00≦Zn/(In+Ga+Sn+Zn)<0.001 (20)
また、焼結体を作製する際、高温で焼結しても表面部分の変質が少なく、その結果、研削厚みを薄くでき、研削せず研磨のみでも表面の性状が安定し得るので、コストダウンが可能となる。
定性分析で含有されている元素を特定後、定量分析で含有量を求め、その結果から各元素の原子比を求める。
Ga3−xIn5+xSn2O16で表される結晶構造の化合物としては、Ga2In6Sn2O16やGa2.4In5.6Sn2O16等が挙げられるが、Ga3−xIn5+xSn2O16で表される結晶構造の化合物であれば制限はない。
より好ましくは、(1)30.5〜31.5°、(2)35.5〜36.5°、(3)51.5〜52.5°、及び(4)61.0〜62.5°の範囲にピークが存在する。
Ga3−xIn5+xSn2O16で表される結晶構造の化合物を主成分とすると、この酸化物焼結体をターゲットとして作製した薄膜トランジスタは、移動度の高い薄膜トランジスタとすることができる。
主成分又は第二成分であるか否かは、後述するX線回析によって得られたピークの高さによって判断する。具体的には、主成分とは最大ピーク強度が最も高いものであり、第二成分とは最大ピーク強度が主成分の次に高いものである。
装置:(株)リガク製Ultima−III
X線:Cu−Kα線(波長1.5406Å、グラファイトモノクロメータにて単色化)
2θ−θ反射法、連続スキャン(1.0°/分)
サンプリング間隔:0.02°
スリット DS、SS:2/3°、RS:0.6mm
本発明のスパッタリングターゲット(酸化物焼結体)は、下記(a)〜(e)の工程を含む製法により得ることができる。
(a)原料化合物粉末を混合して混合物を調製する工程
(b)上記混合物を成形して平均厚み5.5mm以上の成形体を調製する工程
(c)上記成形体を1280℃以上1520℃以下で2時間以上96時間以下焼結する工程
(d)焼結体の表面を研磨する工程
(e)焼結体をバッキングプレートにボンディングする工程
配合工程は、スパッタリングターゲットの原料である金属酸化物を混合する必須の工程である。
原料としては、インジウム化合物の粉末、ガリウム化合物の粉末、スズ化合物の粉末及び亜鉛化合物の粉末等の粉末を用いる。インジウムの化合物としては、例えば、酸化インジウム、水酸化インジウム等が挙げられる。錫、ガリウム及び亜鉛の化合物としては、例えば、それぞれの酸化物、水酸化物等が挙げられる。各々の化合物として、焼結のしやすさ、副生成物の残存のし難さから、酸化物が好ましい。
また、原料の純度は、通常2N(99質量%)以上、好ましくは3N(99.9質量%)以上、特に好ましくは4N(99.99質量%)以上である。純度が2Nより低いと耐久性が低下する、液晶ディスプレイに用いた際に液晶側に不純物が入り、焼き付けが起こるおそれがある。
金属酸化物等のターゲットの製造に用いる原料を混合し、通常の混合粉砕機、例えば、湿式ボールミルやビーズミル又は超音波装置を用いて、均一に混合・粉砕することが好ましい。
仮焼により、得られる焼結体の密度を上げることが容易になり好ましいが、コストアップになるおそれがある。そのため、仮焼を行わずに密度を上げることがより好ましい。
一方、熱処理条件が1200℃を超える場合又は100時間を超える場合には、粒子の粗大化が起こる場合がある。
仮焼は、特に800〜1200℃の温度範囲で、2〜50時間実施することが好ましい。
尚、ここで得られた仮焼物は、下記の成形工程及び焼成工程の前に粉砕することが好ましい。
成形工程は、原料混合物(上記仮焼工程を設けた場合には仮焼物)を加圧成形して成形体とする必須の工程である。この工程により、ターゲットとして好適な形状、例えば円筒形状に成形する。円筒形状は、平板形状と比較して利用効率が高いため好ましい。仮焼工程を設けた場合には、得られた仮焼物の微粉末を造粒した後、所望の形状に成形することができる。
成形体の平均厚みは5.5mm以上が好ましく、6mm以上がより好ましく、8mm以上がさらに好ましく、12mm以上が特に好ましい。5.5mm以上だと、膜厚方向の温度勾配が減少し、表面と深部の結晶型の組合せの変動が生じにくくなることが期待できる。
また、プレス成形(一軸プレス)後に、冷間静水圧(CIP)、熱間静水圧(HIP)等で成形する等、2段階以上の成形工程を設けてもよい。
上記範囲内であると、成形体内部の組成むら等が減り、均一化されることが期待される。面圧が30kgf/cm2未満であると、焼結後の密度が上がらなかったり、抵抗が高くなるおそれがある。面圧4000kgf/cm2超であると、装置が大きくなりすぎて不経済となるおそれがある。保持時間が0.5分未満であると焼結後の密度が上がらなかったり、抵抗が高くなるおそれがある。60分超であると時間が掛かりすぎて不経済となるおそれがある。
尚、成形処理は、ポリビニルアルコールやメチルセルロース、ポリワックス、オレイン酸等の成形助剤を用いてもよい。
焼結工程は、上記成形工程で得られた成形体を焼成する必須の工程である。
焼結条件としては、酸素ガス含有雰囲気、酸素ガス雰囲気又は酸素ガス加圧下で行うことが好ましい。酸素ガスを含有しない雰囲気で焼結すると、得られるターゲットの密度を十分に向上させることができず、スパッタリング時の異常放電の発生を十分に抑制できなくなる場合がある。
尚、昇温の途中で一度昇温を止め所定の温度で保持し、2段階以上で焼結を行ってもよい。
焼結時間は、2時間以上96時間以下が好ましく、4時間以上48時間以下がより好ましく、6時間以上24時間以下が特に好ましい。
還元性ガスによる還元処理の場合、水素、メタン、一酸化炭素や、これらのガスと酸素との混合ガス等を用いることができる。
不活性ガス中での焼成による還元処理の場合、窒素、アルゴンや、これらのガスと酸素との混合ガス等を用いることができる。
尚、本発明では、還元処理は行わないことが好ましい。還元処理を行うと、表面部と深部の抵抗値の違いを発生、又は増幅させるおそれがある。
研削(加工)工程は、上記のようにして焼結して得られた焼結体を、スパッタリング装置への装着に適した形状に切削加工する工程である。本発明では、上記工程(c)で得た焼結体の表面を0.1mm以上研削してもよい。
研削後、焼結体を研磨して表面の平滑性を向上させてもよい。この研磨(鏡面加工)は機械的な研磨、化学研磨、メカノケミカル研磨(機械的な研磨と化学研磨の併用)等の、すでに知られている研磨技術を用いることができる。
例えば、固定砥粒ポリッシャー(ポリッシュ液:水)で#2000以上にポリッシングしたり、又は遊離砥粒ラップ(研磨材:SiCペースト等)にてラッピング後、研磨材をダイヤモンドペーストに換えてラッピングすることによって得ることができる。このような研磨方法には特に制限はない。
研削後の焼結体をバッキングプレートにボンディングする工程である。
尚、研削工程後の酸化物焼結体の清浄処理には、エアーブローや流水洗浄等を使用できる。エアーブローで異物を除去する際には、ノズルの向い側から集塵機で吸気を行なうとより有効に除去できる。尚、エアーブローや流水洗浄では限界があるので、さらに超音波洗浄等を行なうこともできる。この超音波洗浄は周波数25〜300KHzの間で多重発振させて行なう方法が有効である。例えば周波数25〜300KHzの間で、25KHz刻みに12種類の周波数を多重発振させて超音波洗浄を行なうのがよい。
また、酸化物焼結体の相対密度が85%以上であると好ましい。酸化物焼結体の相対密度が85%以上であればスパッタリングターゲットとして用いた時、割れやクラックの発生するおそれが少なくなる。また、成膜速度が速くなる。
また、酸化物焼結体内部において、粒径2μm以上のガリウム酸化物の凝集部分の数が10個/8100μm2以下であることが好ましい。
以下、半導体素子の例として、薄膜トランジスタについて説明する。
特に制限はなく、本技術分野で公知のものを使用できる。例えば、ケイ酸アルカリ系ガラス、無アルカリガラス、石英ガラス等のガラス基板、シリコン基板、アクリル、ポリカーボネート、ポリエチレンナフタレート(PEN)等の樹脂基板、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリアミド等の高分子フィルム基材等が使用できる。
半導体層は、例えば、本発明のスパッタリングターゲットを使用して薄膜を形成することで作製できる。2種以上の組成の異なるターゲットを用いたコスパッタ法、PLD法(パルスレーザーデポジション法)、ゾルゲル法等でも形成することができる。本発明のスパッタリングターゲットを用いることが、工業化が容易であり好ましい。
この場合、半導体層は非晶質膜であることが好ましい。非晶質膜であることにより、絶縁膜や保護層との密着性が改善できる、大面積でも均一なトランジスタ特性が容易に得られることとなる。ここで、半導体層が非晶質膜であるかは、X線結晶構造解析により確認できる。明確なピークが観測されない場合が非晶質である。尚、非晶質中に微結晶が含まれていても構わない。
薄膜トランジスタは、半導体の保護層を有していてもよい。半導体の保護層を形成する材料は特に制限はない。本発明の効果を失わない範囲で一般に用いられているものを任意に選択できる。例えば、SiO2,SiNx,Al2O3,Ta2O5,TiO2,MgO,ZrO2,CeO2,K2O,Li2O,Na2O,Rb2O,Sc2O3,Y2O3,Hf2O3,CaHfO3,PbTi3,BaTa2O6,SrTiO3,AlN等を用いることができる。これらのなかでも、SiO2,SiNx,Al2O3,Y2O3,Hf2O3,CaHfO3を用いるのが好ましく、より好ましくはSiO2,SiNx,Y2O3,Hf2O3,CaHfO3であり、特に好ましくはSiO2,Y2O3,Hf2O3,CaHfO3等の酸化物である。これらの酸化物の酸素数は、必ずしも化学量論比と一致していなくともよい(例えば、SiO2でもSiOxでもよい)。また、SiNxは水素元素を含んでいてもよい。
このような保護膜は、異なる2層以上の絶縁膜を積層した構造でもよい。
ゲート絶縁膜を形成する材料にも特に制限はなく、一般に用いられているものを任意に選択できる。例えば、SiO2,SiNx,Al2O3,Ta2O5,TiO2,MgO,ZrO2,CeO2,K2O,Li2O,Na2O,Rb2O,Sc2O3,Y2O3,Hf2O3,CaHfO3,PbTi3,BaTa2O6,SrTiO3,AlN等を用いることができる。これらのなかでも、SiO2,SiNx,Al2O3,Y2O3,Hf2O3,CaHfO3を用いるのが好ましく、より好ましくはSiO2,SiNx,Y2O3,Hf2O3,CaHfO3である。これらの酸化物の酸素数は、必ずしも化学量論比と一致していなくともよい(例えば、SiO2でもSiOxでもよい)。また、SiNxは水素元素を含んでいてもよい。
また、ゲート絶縁膜は、ポリ(4−ビニルフェノール)(PVP)、パリレン等の有機絶縁膜を用いてもよい。さらに、ゲート絶縁膜は無機絶縁膜及び有機絶縁膜の2層以上積層構造を有してもよい。
ゲート電極、ソ−ス電極及びドレイン電極の各電極を形成する材料に特に制限はなく、本発明の効果を失わない範囲で一般に用いられているものを任意に選択することができる。
例えば、インジウム錫酸化物(ITO)、インジウム亜鉛酸化物、ZnO、SnO2等の透明電極や、Al,Ag,Cr,Ni,Mo,Au,Ti,Ta、Cu等の金属電極、又はこれらを含む合金の金属電極を用いることができる。
形成した膜を各種エッチング法によりパターニングできる。
また、本発明では半導体層と半導体の保護層を形成した後に、70〜350℃で熱処理することが好ましい。70℃より低いと得られるトランジスタの熱安定性や耐熱性が低下したり、移動度が低くなったり、S値が大きくなったり、閾値電圧が高くなるおそれがある。一方、350℃より高いと耐熱性のない基板が使用できなかったり、熱処理用の設備費用がかかるおそれがある。
熱処理は、不活性ガス中で酸素分圧が10−3Pa以下の環境下で行うか、あるいは半導体層を保護層で覆った後に行うことが好ましい。上記条件下だと再現性が向上する。
オンオフ比は、通常108以上が好ましく、109以上がより好ましく、1010以上が特に好ましい。オンオフ比が高いと、画像の明暗が明瞭になり画質の向上が期待できる。
オフ電流は通常50pA以下、10pA以下が好ましく、5pA以下がより好ましく、1pA以下が特に好ましい。オフ電流が50pA以下だと、リーク電流が少なくディスプレイのTFTに用いた場合に画質の向上が期待できる。
閾値電圧(Vth)は、通常−1.0〜3.0V、−0.5〜2.0Vが好ましく、−0.2〜1.0Vがより好ましく、0〜0.5Vが特に好ましい。閾値電圧が上記範囲内だと駆動電圧を下げることができ、消費電力を低減できる。
(1)酸化物焼結体の作製
出発原料としてIn2O3(BET表面積28.5m2/g)、Ga2O3(BET表面積15.3m2/g)、SnO2(BET表面積58m2/g)を使用した。これらの原料を、金属元素の原子比がIn:Ga:Sn=50:20:30となるように秤量した。その後、ステアリン酸を原料粉末全量に対して1wt%加え、遊星ボールミルを使用して8時間混合・粉砕した。
昇温パターン:
室温〜400℃:0.5℃/分にて昇温
400℃〜800℃:2℃/分にて昇温
800℃〜1400℃:1℃/分にて昇温
1400℃(焼結温度):10時間保持
1400℃〜室温:自然冷却
焼結雰囲気:大気下
得られた酸化物焼結体を下記の方法で評価した。
・装置:(株)リガク製Ultima−III
・X線:Cu−Kα線(波長1.5406Å、グラファイトモノクロメータにて単色化)
・2θ−θ反射法、連続スキャン(1.0°/分)
・サンプリング間隔:0.02°
・スリットDS、SS:2/3°、RS:0.6mm
A:色むらがほとんどない
B:色むらが若干ある
C:色むらがある
尚、焼結体に色むらがある場合、例えばターゲットを使用時にその状態の判断が難しくなるおそれがある。
X線回折測定(XRD)の結果を図2に示す。XRD、WPF(全パターンフィッテイング)及びリートベルト解析の結果より、得られた焼結体は、Ga2In6Sn2O16で表される結晶構造の化合物が99.2%であり、実質的にGa3−xIn5+xSn2O16からなることが分かった。
原料を、金属元素の原子比がIn:Ga:Sn=50:30:20となるように秤量した以外は、実施例1と同様に焼結体を作製し、評価した。成形体及び焼結体の密度はそれぞれ3.2(g/cm3)、5.7(g/cm3)であった。
X線回折測定(XRD)の結果を図3に示す。XRD、WPF(全パターンフィッテイング)及びリートベルト解析の結果より、得られた焼結体は、Ga2In6Sn2O16で表される結晶構造の化合物が95.0%であり、実質的にGa3−xIn5+xSn2O16で表される結晶構造の化合物からなることが分かった。
(1)ターゲットの作製
一軸プレス機での加圧成形時の面圧を400kgf/cm2、CIP(静水圧加圧装置)加圧時の面圧を2000kgf/cm2とした以外は、実施例1と同様に酸化物焼結体を作製した。酸化物焼結体の表面を0.5mm研削した後に研磨し、エアーブローし、さらに3分間超音波洗浄を行なった。その後、インジウム半田にて無酸素銅製のバッキングプレートにボンディングしてターゲットとした。
完成したスパッタリングターゲットを用いて、図1のチャネルストッパー型薄膜トランジスタ(逆スタガ型薄膜トランジスタ)を作製した。
基板10は、ガラス基板(Corning 1737)を用いた。まず、基板10上に電子ビーム蒸着法により、厚さ10nmのMoと厚さ80nmのAlと厚さ10nmのMoをこの順で積層した。積層膜をフォトリソグラフィー法とリフトオフ法を用いて、ゲート電極20に形成した。
堆積させた酸化物半導体膜と保護膜は、フォトリソグラフィー法及びエッチング法により、適当な大きさに加工した。
その後、大気中300℃で60分間熱処理し、チャネル長が20μmで、チャネル幅が20μmのトランジスタを作製した。
薄膜トランジスタの移動度(電界効果移動度(μ))、オンオフ比、しきい値電圧(V)は、半導体パラメーターアナライザー(ケースレー4200)を用い、室温、遮光環境下で測定した。
完成したスパッタリングターゲットを用いてガラス基板上に50nmの薄膜をスパッタリング成膜した。
30℃に加熱したリン酸‐硝酸‐酢酸(PAN)の混酸中に所定時間薄膜を浸漬させ、膜厚測定を実施した。この操作を3回以上繰り返し、横軸に浸漬時間、縦軸に初期膜厚から減少した膜厚をとり、その傾きをエッチング速度とした。
原料の金属元素の原子比を表のように変更した以外は、実施例3と同様にターゲット及びTFTを作製し、評価した。
この明細書に記載の文献及び本願のパリ優先の基礎となる日本出願明細書の内容を全てここに援用する。
Claims (9)
- In、Ga、Sn及びZnを、下記領域(A)に含まれる原子比で含む酸化物焼結体。
領域(A)
0.40<In/(In+Ga+Sn) <0.70
0.05<Ga/(In+Ga+Sn) <0.30
0.24≦Sn/(In+Ga+Sn) ≦0.50
0.00≦Zn/(In+Ga+Sn+Zn)<0.05 - 前記領域(A)のIn、Ga及びSnの原子比が下記式を満たし、不可避的に含まれる不純物以外にZnを含まない請求項1に記載の酸化物焼結体。
0.10<Ga/(In+Ga+Sn) <0.30
0.24≦Sn/(In+Ga+Sn) ≦0.30 - 前記領域(A)のIn、Ga及びSnの原子比が下記式を満たし、不可避的に含まれる不純物以外にZnを含まない請求項1に記載の酸化物焼結体。
0.20≦Ga/(In+Ga+Sn) <0.30 - Ga3−xIn5+xSn2O16(式中、Xは0〜1である。)で表される結晶構造の化合物を主成分として含む請求項1〜3のいずれかに記載の酸化物焼結体。
- 実質的にGa3−xIn5+xSn2O16(式中、Xは0〜1である。)で表される結晶構造の化合物からなる請求項4に記載の酸化物焼結体。
- 内部と表面の結晶構造が実質同一である請求項4又は5に記載の酸化物焼結体。
- 円筒状の形状を有する請求項1〜6のいずれかに記載の酸化物焼結体。
- 請求項1〜7のいずれかに記載の酸化物焼結体を用いたスパッタリングターゲット。
- 請求項8に記載のスパッタリングターゲット1種類を用いて、スパッタリング法で形成する酸化物半導体薄膜の製造方法。
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