JP5098151B2 - 薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents
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徴とする請求項1または2に記載の薄膜トランジスタの製造方法である。適当なゲート絶縁膜や電極材料を選定しこれらも含めフレキシブル基板上に形成することで、トランジスタを含めた基板全体を曲げることが可能になる。
薄膜トランジスタの活性層の材料としてInGaSnOx(4≦x≦5)を用いることで、フレキシブル基板上に室温で非単結晶材料InGaSnOx(4≦x≦5)半導体を、広いプロセスウィンドウで成膜することが可能になり、曲がる薄膜トランジスタを製品間のばらつきを最小限に抑えて作製することが可能になる。
2・・・ゲート電極
3・・・ゲート絶縁膜
4・・・活性層
5・・・ソース・ドレイン電極
Claims (3)
- InGaSnOx(4≦x≦5)薄膜を活性層に用いた薄膜トランジスタの製造方法であって、前記InGaSnOx(4≦x≦5)薄膜をスパッタ法で形成し、前記スパッタ法に用いるターゲットとして、InGaSnO 5 ターゲットを用い、前記スパッタ法における酸素流量比が2〜4%であることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記InGaSnOx(4≦x≦5)が非単結晶薄膜であることを特徴とする請求項1記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記薄膜トランジスタの基板がフレキシブル基板であることを特徴とする請求項1または2に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
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