JP4969697B2 - 発光装置 - Google Patents
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Description
た素子)を用いたアクティブマトリクス型表示装置に関する。また、アクティブマトリク
ス型表示装置を、表示部に用いた電子機器に関する。
置が注目されている。
層は通常、積層構造となっている。代表的には、コダック・イーストマン・カンパニーの
Tangらが提案した「正孔輸送層/発光層/電子輸送層」という積層構造が挙げられる。こ
の構造は非常に発光効率が高く、現在、研究開発が進められているEL表示装置は殆どこ
の構造を採用している。
層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層の順に積層する構造でも良い。発光層
に対して蛍光性色素等をドーピングしても良い。
て上述した正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等は、全てEL層
に含まれる。
においてキャリアの再結合が起こって発光する。なお本明細書においてEL素子が発光す
ることを、EL素子が駆動すると呼ぶ。また、本明細書中では、陽極、EL層及び陰極で
形成される発光素子をEL素子と呼ぶ。
を利用するものと、三重項励起子からの発光(燐光)を利用するものの両方を示すものと
する。
トリクス型EL表示装置では、各画素が薄膜トランジスタ(以下、TFTと表記する)を
有している。ゲート信号線駆動回路から選択信号を入力するゲート信号線(G1〜Gy)
は、各画素が有するスイッチング用TFT901のゲート電極に接続されている。また、
各画素が有するスイッチング用TFT901のソース領域とドレイン領域は、一方がソー
ス信号線駆動回路から信号を入力するソース信号線(S1〜Sx)に、他方がEL駆動用
TFT902のゲート電極及び各画素が有するコンデンサ903の一方の電極に接続され
ている。コンデンサ903のもう一方の電極は、電源供給線(V1〜Vx)に接続されて
いる。各画素の有するEL駆動用TFT902のソース領域とドレイン領域の一方は、電
源供給線(V1〜Vx)に、他方は、各画素が有するEL素子904に接続されている。
信号線G1に接続されたスイッチングTFT901がオンになる。ここで、ソース信号線
駆動回路よりソース信号線S1〜Sxに信号が入力されると、信号が入力された画素にお
いて、EL駆動用TFT902がオンになり、電源供給線(V1〜Vx)よりEL素子9
04に電流が流れて、EL素子904は発光する。この動作をすべてのゲート信号線G1
〜Gyについて繰り返し、画像の表示を行う。
EL素子904の陽極がEL駆動用TFT902のソース領域またはドレイン領域と接続
している場合、EL素子904の陽極が画素電極、陰極が対向電極となる。逆に、EL素
子904の陰極がEL駆動用TFT902のソース領域またはドレイン領域と接続してい
る場合、EL素子904の陰極が画素電極、陽極が対向電極となる。
位を与える電源を対向電源と呼ぶ。画素電極の電位と対向電極の電位の電位差がEL駆動
電圧であり、このEL駆動電圧がEL層に印加される。
層を形成した後、大気中に出さずに窒素雰囲気中で、紫外線硬化樹脂により封止するのが
一般的である。図4にEL表示装置の封止の例を示す。
号線駆動回路403及びソース信号線駆動回路404を有する絶縁基板41上に、画素部
402、ゲート信号線駆動回路403及びソース信号線駆動回路404を囲むようにシー
ル材401を形成する。この際、後に充填材43を注入するための注入口として開口部(
図示せず)を設けておく。その後スペーサー(図示せず)を撒布してカバー材42を貼り
合わせる。シール材401を紫外線照射により硬化させた後、カバー材42とシール材4
01で囲まれた領域に充填材43を注入し、充填材43を封止材(図示せず)により注入
口を封止する。
413及び画素部402を構成するEL駆動用TFT414とEL素子417のみを示す
。絶縁基板41を画素基板と呼ぶことにする。EL素子417は、画素電極407とEL
層416及び対向電極408により構成される。シール材401により、カバー材42が
取り付けられ、画素基板41とカバー材42との間に充填材43が封入されている。充填
材43には、吸湿性物質(図示せず)が添加されている。この様にして、水分によるEL
素子417の劣化を防いでいる。
層間絶縁膜である。
入力される信号は、FPC(フレキシブルプリントサーキット)基板410より配線41
2(412a〜412c)を通して入力される(図4(A)参照)。ここで、配線412
は、画素基板41とシール材401の間をとおって、FPC基板410と各駆動回路を接
続している。なお、FPC基板410は、外部入力端子409において、異方性導電性膜
(図示せず)により、配線412と接続されている。
ー材を貼り合わせEL素子を封止する必要がある。
い部分である。従来の表示装置では、表示画面に対して、この画像を表示しない部分の占
める割合が大きく、表示装置を小型化する上で問題となっていた。
ール材に紫外線を照射したときに、配線上部のシール材が、紫外線に十分露光される様に
、この配線の線幅を設定する。
積を減らし、表示装置を小型化することができる。
画素と、前記複数の画素に信号を入力するための駆動回路とを有し、 前記複数の画素は
それぞれ、EL素子を有し、 前記カバー材は、遮光性を有し、 前記シール材は、紫外
線により硬化する材料を有し、 前記複数の画素と、前記駆動回路とを囲んで、前記基板
上に前記シール材を配置し、前記カバー材と前記基板とを、前記シール材をはさんで密着
させ、前記EL素子を密封した表示装置において、 前記シール材と、前記基板との間に
第1の配線が形成され、 前記第1の配線は、並列に接続された複数の第2の配線を有す
ることを特徴とする表示装置が提供される。
とする表示装置であってもよい。
板上に、複数の画素と、前記複数の画素に信号を入力するための駆動回路とを有し、 前
記第2の基板は、遮光性を有し、 前記シール材は、紫外線により硬化する材料を有し、
前記複数の画素と、前記駆動回路とを囲んで、前記第1の基板上にシール材を配置し、
前記第2の基板と前記第1の基板とを、前記シール材をはさんで密着させ、前記第1の基
板と、前記第2の基板と、前記シール材とによって囲まれた領域に、液晶を封入した表示
装置において、 前記シール材と前記第1の基板との間に第1の配線が形成され、 前記
第1の配線は、並列に接続された複数の第2の配線を有することを特徴とする表示装置が
提供される。
を特徴とする表示装置であってもよい。
配線の間隔Sの比L/Sが、0.7〜1.5の値をとることを特徴とする表示装置であっ
てもよい。
、 前記並列に接続された複数の第2の配線の間隔Sは、50μm〜150μmの値をと
ることを特徴とする表示装置であってもよい。
イン配線を構成する物質と同じ物質で形成されていることを特徴とする表示装置であって
もよい。
数の画素は、EL素子を有する表示装置において、 前記EL素子に電流を供給する陽極
線は、前記複数の外部入力端子に接続されていることを特徴とする表示装置が提供される
。
数の画素は、EL素子を有する表示装置において、 前記EL素子から電流を引き出す陰
極線は、前記複数の外部入力端子に接続されていることを特徴とする表示装置が提供され
る。
近傍にあり、その他の外部入力端子は、前記基板の一端とは異なる、前記基板の一端の近
傍にあることを特徴とする表示装置であってもよい。
の他は、第2のFPC基板に接続されていることを特徴とした表示装置であってもよい。
ことを特徴とする表示装置であってもよい。
光性を有するカバー材と、シール材とを有する表示装置であって、 前記基板上に形成さ
れた複数の画素は、前記シール材及び前記カバー材によって密封されており、 前記第1
の配線は前記シール材に覆われており、 前記シール材は紫外線により硬化する材料を有
しており、 前記第1の配線は、並列に接続された複数の第2の配線を有することを特徴
とする表示装置が提供される。
光性を有するカバー材と、シール材とを有する表示装置であって、 前記基板上に形成さ
れた複数の画素は、前記シール材及び前記カバー材によって密封されており、 前記複数
の画素はEL素子をそれぞれ有しており、 前記第1の配線は前記シール材に覆われてお
り、 前記シール材は紫外線により硬化する材料を有しており、 前記第1の配線は、並
列に接続された複数の第2の配線を有することを特徴とする表示装置が提供される。
光性を有するカバー材と、シール材と、液晶とを有する表示装置であって、 前記基板上
に形成された複数の画素と、前記液晶とは、前記シール材及び前記カバー材によって密封
されており、 前記第1の配線は前記シール材に覆われており、 前記シール材は紫外線
により硬化する材料を有しており、 前記第1の配線は、並列に接続された複数の第2の
配線を有することを特徴とする表示装置が提供される。
ディスプレイ、携帯電話、携帯情報端末であってもよい。
分や、シール材が形成された部分等、画像を表示しない部分の占める面積が大きく、表示
装置の小型化において問題となっていた。
することができる。これにより、小型の表示装置を提供することができる。
る。なお、本明細書では、画素基板上のシール材で覆われた部分を、封止領域と呼ぶこと
にする。
1及びゲート信号線駆動回路702、ソース信号線駆動回路703が形成されている。こ
の周りを囲んでシール材704が形成され、カバー材705が貼り付けられている。FP
C基板706は、外部入力端子707によって画素基板701上に接続されている。配線
708は、外部入力端子707において、FPC基板706からの信号を受け取り、ゲー
ト信号線駆動回路702に伝達する、信号線や電源線等の複数の配線を示す。配線709
は、外部入力端子707において、FPC基板706からの信号を受け取り、ソース信号
線駆動回路703に伝達する、信号線や電源線等の複数の配線を示す。配線710(配線
710a及び配線710b)は、外部入力端子707において、FPC基板706からの
信号を受け取り、画素部711に伝達する、電源線等の複数の配線を示す。ここで、配線
708〜710は、封止領域に形成されている。
てTFT712、画素部711を構成する素子としてEL駆動用TFT713のみを示す
。EL駆動用TFT713のソース領域もしくはドレイン領域のどちらか一方が、EL素
子721の画素電極714と接続され、EL素子721に入力される電流を制御する。こ
こで、716は層間絶縁膜、715はEL層、717は絶縁膜、718は対向電極、71
9は充填材、720はゲート絶縁膜である。なお、ここでは、層間絶縁膜716は無機物
質によって形成されているものとする。
質と同様の物質を用い、配線708、配線710a及び配線710bが形成されている。
び配線710bと同様に形成されるので、説明を省略する。
カバー材705として遮光性を有する材料を用いる場合が多い。そのため、カバー材70
5側から紫外線照射してもシール材704を露光することができず、シール材704を硬
化させることができない。そこで、画素基板701側から、配線708、配線710a及
び配線710bを介して紫外線照射し、シール材704を露光させる必要がある。
などは、比較的幅の狭い配線を用いる。一方、画素部の電源供給線へ電流を供給する電源
線や、ソース信号線駆動回路やゲート信号線駆動回路の電源線等に入力される電圧は、ビ
デオ信号線やパルス線に入力される電圧と比べて大きい。そのため、これらの電源線は、
ビデオ信号線やパルス線と比較して幅の広い配線を使用する必要がある。
ったシール材部分に、十分に紫外線が照射されない。すると、シール材が十分に硬化しな
い可能性がある。
。なお、図3(A)は、図1の封止領域の一部666の拡大図に相当する。
している。電源線777は、配線(第2の配線)A1〜A6を並列に接続することにより
形成されている。ここで、この様な形状の配線777を介してシール材704に紫外線を
照射する場合の説明をする。
よって構成しているが、本発明はこの構成に限定されない。一般に、1本の配線が、n(
nは、2以上の自然数)本の配線(第2の配線)A1〜Anを並列に接続することによっ
て構成されていてもよい。
)と同じ符号は同じ部分を示す。
材の部分660は陰になるが、配線の幅Lが十分に小さく、かつ配線の間隔Sが十分に大
きいとき、照射された紫外線は陰660の部分にも回り込む。
なお、配線のすぐ上部600の部分は紫外線によって露光されないが、配線幅が大きい場
合と比べて、この600の部分は十分に小さく、全体としてシール材を十分に露光するこ
とができる。
A6のそれぞれの配線間の間隔Sが50μm〜150μmの値をとり、L/Sが0.7〜
1.5になるような形状の配線の場合、その配線を介して照射された紫外線は、配線上部
のシール材を十分に露光し、シール材を十分に硬化することができる。
のそれぞれの配線間の間隔Sが、100μm以上の値をとり、L/Sが、1.5以下の値
となるような形状の配線の場合、その配線上部のシール材を十分に硬化することができる
。
域に形成された、その他の配線幅が問題となる配線においても、同様の形状とすることが
できる。
面積を少なくすることができ、表示装置を小型化することができる。
装置について図2を用いて説明する。なお、図1と同じ部分は、同じ符号を用いて表す。
1及びゲート信号線駆動回路702、ソース信号線駆動回路703が形成されている。こ
の周りを囲んでシール材704が形成され、カバー材705が貼り付けられている。FP
C基板706は、外部入力端子707によって画素基板701上に接続されている。配線
708は、外部入力端子707において、FPC基板706からの信号を受け取り、ゲー
ト信号線駆動回路702に伝達する、信号線や電源線等の複数の配線を示す。配線709
は、外部入力端子707において、FPC基板706からの信号を受け取り、ソース信号
線駆動回路703に伝達する、信号線や電源線等の複数の配線を示す。配線710a及び
配線710bは、外部入力端子707において、FPC基板706からの信号を受け取り
、画素部711に伝達する、電源線等の複数の配線を示す。ここで、配線708〜710
は、封止領域に形成されている。
してTFT712、画素部711を構成する素子としてEL駆動用TFT713のみを示
す。EL駆動用TFT713のソース領域もしくはドレイン領域のどちらか一方が、EL
素子721の画素電極714と接続され、EL素子721に入力される電流を制御する。
ここで、層間絶縁膜716、EL層715、絶縁膜717、対向電極718、充填材71
9、ゲート絶縁膜720である。なお、ここでは、層間絶縁膜716は有機物質によって
形成されているものとする。
質と同様の物質を用い、配線708、配線710a及び配線710bが形成されている。
び配線710bと同様に形成されるので、説明を省略する。
線708、配線710a及び配線710bを形成すると密着性が悪い。
また、有機物質から配線708、配線710a及び配線710bを構成する材料に不純物
が導入されて配線708、配線710a及び配線710bが劣化するなどの問題がある。
そこで、有機物質で形成された層間絶縁膜716を除いて配線708、配線710a及び
配線710bを形成する必要がある。
を取り除く工程は、TFT712や画素TFT713のソース配線及びドレイン配線を形
成する際、それらのTFTのソース領域に達するコンタクトホールを形成する時に同時に
行うことができる。
カバー材705として遮光性を有する材料を用いる場合が多い。そのため、カバー材側か
ら紫外線照射してもシール材を硬化させることができない。そこで、画素基板701側か
ら、配線708、配線710a及び配線710bを介して紫外線照射し、シール材704
を硬化させる必要がある。しかし配線708、配線710a及び配線710bとして、幅
の広い配線を用いると、配線の陰になったシール材704の部分は、十分に紫外線が照射
されずシール材704が十分に硬化しない可能性がある。
いる代わりに、図3に示した様に、複数の配線を並列に接続したものを用いる。
隔Sが50μm〜150μmの値をとり、複数の配線の幅Lと複数の配線の間隔Sとの比
L/Sが、0.7〜1.5になるような形状の配線を用いる。
このような形状の配線の場合、その配線を介して照射された紫外線は、配線上部のシール
材を十分に露光し、シール材を十分に硬化することができる。
が、100μm以上の値をとり、L/Sが、1.5以下の値となるような形状の配線の場
合、その配線上部のシール材を十分に硬化することができる。
面積を少なくすることができ、表示装置を小型化することができる。
給する電源線の配線例について説明する。
び配線710bの電源線を通って、画素部711の電源供給線に入力される。画素部71
1の電源供給線は、710a及び710bの電源線により、2箇所から電流が供給されて
いる。
電源線より、1箇所から電流が供給されている。本発明のアクティブマトリクス型EL表
示装置において、画素部の2箇所から画素部に電流を供給している理由を説明する。
が供給される場合と、外部入力端子が二箇所に分割してあり、それぞれにFPC基板(第
1のFPC基板及び第2のFPC基板)が接続され、画素部の2方向から電源供給線に電
流が供給される場合の、電源線の配線例を図5に模式的に示す。電源線として、EL素子
の陽極に接続する陽極線と、陰極に接続する陰極線を示す。図5(A)は、外部入力端子
707が一箇所にある。一方、図5(B)では外部入力端子707を二箇所(基板の一端
及び前記基板の一端とは異なる基板の一端近傍)に分割し、それぞれから、陽極線及び陽
極線を画素部に配線している。
さの分だけ配線抵抗が増加し、それによる電位降下のため、電源供給線よりEL素子に印
加される電圧が低下し、画質の低下を招く。
の入力口2を設け、入力口1及び入力口2の両方から電源供給線に電流を供給する。これ
により、配線抵抗による電圧の低下に由来する、画質の低下を軽減することができる。
の距離を、画素部の形成された基板の長辺の長さの1/2以上離すことで、配線抵抗によ
る電圧の低下に由来する画質の低下を軽減する効果が高まる。
い。
ある。
する。
アクティブマトリクス型液晶表示装置では、各画素がそれぞれTFTを有している。ゲー
ト信号線駆動回路からの選択信号が入力されるゲート信号線(G1〜Gy)は、各画素が
有する画素TFT1002のゲート電極に接続されている。また、各画素の有する画素T
FT1002のソース領域とドレイン領域は、一方がソース信号線駆動回路から信号が入
力されるソース信号線(S1〜Sx)に、他方が、保持容量1001の一方の電極と、液
晶1003を挟む2つの電極の一方と接続されている。
FT1002のゲート電極に信号が入力され、画素TFT1002は、オンになる。画素
TFT1002がオンになった画素に、ソース信号線(S1〜Sx)から信号が入力され
ると、保持容量1001に電荷が保持され、この保持された電荷により液晶1003を挟
んだ電極間に電圧が印加される。この印加電圧により、液晶分子の配向を制御し、透過光
量を制御する。すべてのゲート信号線(G1〜Gy)に関してこの動作を繰り返し、画像
の表示を行う。
配向を制御し、表示を行う。ここで、電極間に液晶を挟んだ状態を保持する為、それぞれ
に電極が形成された2つの絶縁基板を、それぞれの電極が向かい合う向きにシール材で接
着し、その間に液晶を封入する必要がある。
模式図を示す。
脂等が用いられる。配向膜(図示せず)を形成し、ラビング処理を施された基板31にお
いて、画素部302及びゲート信号線駆動回路303、ソース信号線駆動回路304を囲
むようにシール材301を形成する。この際、後に液晶を注入する為の注入口として開口
部(図示せず)をシール材301の一部に形成しておく。次にスペーサー(図示せず)を
散布し、もう一方の基板32と貼り合わせる。
は基板32を介して、シール材301部分に紫外線を照射したり、熱を加えるなどして、
シール材301を硬化させ、基板31と基板32とを密着させる。
貼り合わせる手法では、加圧しながら熱処理する必要があり、基板31と基板32の熱膨
張により、張り合わせの位置がずれる問題が深刻である。また、熱硬化には時間がかかる
という問題もある。その為、熱硬化ではなく、紫外線照射により、シール材を硬化させる
工程が多く使用される。
さいで液晶33が外部に流れ出てこないようにする。なお、この封止材としては、熱硬化
の材料ではなく、紫外線により硬化する材料を用いる。これは、液晶33を注入した後に
熱を加えた場合、液晶33が劣化するのを防ぐためである。
せないようにする働きもある。
伝達する配線について説明する。
304に入力され、画素部302に入力される信号が構成される。ここで、外部からゲー
ト信号線駆動回路303及びソース信号線駆動回路304に入力される信号は、画素基板
31上の外部入力端子309に貼り付けられた、FPC基板310より入力される。FP
C基板310は、外部入力端子309において、異方性導電性膜(図示せず)によって画
素基板上に形成された配線312と接続される。この配線312(312a、312b)
は、シール材301の間を通ってゲート信号線駆動回路303及びソース信号線駆動回路
304に接続されている。
り、ゲート信号線駆動回路303に伝達する配線である。配線312bは、外部入力端子
309において、FPC基板310からの信号を受け取り、ソース信号線駆動回路304
に伝達する配線である。ここで、配線312a及び配線312bは、画素基板31上のシ
ール材301に覆われた部分(封止領域)に形成されている。
同じ符号で表す。
4及び画素部302を構成する画素TFT314のみを示す。画素部及び駆動回路を構成
するTFTが形成された基板31を画素基板と呼ぶことにする。また、画素基板上に取り
付けられた電極307を画素電極と呼ぶ。もう一方の基板32は、対向基板と呼ぶことに
する。また、対向基板側に取り付けられた電極308を対向電極と呼ぶ。この画素電極3
07や対向電極308に印加される電圧を制御して画像の表示を行う。
また、315は層間絶縁膜、112は遮光層である。なお、ここでは配向膜は図示してい
ない。
7と接続し、画素電極307に印加される電圧を制御している。なお、ここでは、層間絶
縁膜315は無機物質によって形成されているものとする。
質と同様の物質を用い、配線312が形成されている。
側から紫外線照射しても、遮光層112があるためシール材301を硬化させることがで
きない。そこで、画素基板31側から、配線312aを介して紫外線照射し、シール材3
01を硬化させる必要がある。しかし、配線312aとして幅の広い配線を用いると、配
線の陰になったシール材704の部分は、十分に紫外線が照射されずシール材704が十
分に硬化しない可能性がある。
に、複数の配線を並列に接続したものを用いる。
隔Sが50μm〜150μmの値をとり、複数の配線の幅Lと複数の配線の間隔Sとの比
L/Sが、0.7〜1.5になるような形状の配線を用いる。
このような形状の配線の場合、その配線を介して照射された紫外線は、配線上部のシール
材を十分に露光し、シール材を十分に硬化することができる。
が、100μm以上の値をとり、L/Sが、1.5以下の値となるような形状の配線の場
合、その配線上部のシール材を十分に硬化することができる。
を硬化させるために対向基板32側から紫外線を照射する必要がある。
この時は、配線312aは、照射される紫外線を遮ることは無いので、幅の広い形状のも
のを用いても問題ない。
面積を少なくすることができ、表示装置を小型化することができる。
て説明する。なお、図7において、図6と同じ部分は同じ符号を用いて表す。
及びゲート信号線駆動回路303、ソース信号線駆動回路304が形成されている。この
周りを囲んでシール材301が形成され、対向基板32が貼り付けられ、間に液晶33が
封入されている。FPC基板310は、外部入力端子309によって画素基板31上に接
続されている。配線312aは、外部入力端子309において、FPC基板310からの
信号を受け取り、ゲート信号線駆動回路303に伝達する配線である。配線312bは、
外部入力端子309において、FPC基板310からの信号を受け取り、ソース信号線駆
動回路304に伝達する配線である。ここで、配線312a及び配線312bは、封止領
域に形成されている。
)と同じ符号は同じ部分を表す。
FT114のみを示す。また、画素部302を構成する素子として画素TFT314のみ
を示す。画素TFT314のソース領域もしくはドレイン領域のどちらか一方が、画素電
極307と接続し、画素電極307に印加される電圧を制御している。
の物質を用い、配線312が形成されている。なお、ここでは、層間絶縁膜315は有機
物質によって形成されているものとする。
線312を形成すると密着性が悪い。また、有機物質から配線312を構成する材料に不
純物が導入されて配線312が劣化するなどの問題がある。そこで、有機物質で形成され
た層間絶縁膜315を除いて配線312を形成する必要がある。
4や画素TFT314のソース配線及びドレイン配線を形成する際、それらのソース領域
及びドレイン領域に達するコンタクトホールを形成する時に同時に行うことができる。
側から紫外線照射しても、遮光層112があるためシール材301を硬化させることがで
きない。そこで、画素基板31側から、配線312aを介して紫外線照射し、シール材3
01を硬化させる必要がある。しかし、配線312aとして幅の広い配線を用いると、配
線の陰になったシール材704の部分は、十分に紫外線が照射されずシール材704が十
分に硬化しない可能性がある。
、複数の配線を並列に接続したものを用いる。
隔Sが50μm〜150μmの値をとり、複数の配線の幅Lと複数の配線の間隔Sとの比
L/Sが、0.7〜1.5になるような形状の配線を用いる。
このような形状の配線の場合、その配線を介して照射された紫外線は、配線上部のシール
材を十分に露光し、シール材を十分に硬化することができる。
が、100μm以上の値をとり、L/Sが、1.5以下の値となるような形状の配線の場
合、その配線上部のシール材を十分に硬化することができる。
を硬化させるために対向基板32側から紫外線を照射する事となる。この時は、配線31
2aは、照射される紫外線を遮ることは無いので、幅の広い形状のものを用いても問題な
い。
面積を少なくすることができ、表示装置を小型化することができる。
器について説明する。
レイ(ゴーグル型ディスプレイ)、ゲーム機、カーナビゲーション、パーソナルコンピュ
ータ、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書籍等)などが挙げら
れる。それらの一例を図8に示す。
003、キーボード2004等を含む。本発明の表示装置はパーソナルコンピュータの表
示部2003に用いることができる。
3、操作スイッチ2104、バッテリー2105、受像部2106等を含む。本発明の表
示装置はビデオカメラの表示部2102に用いることができる。
ケーブル2302、頭部固定バンド2303、表示モニタ2304、光学系2305、表
示部2306等を含む。本発明の表示装置は頭部取り付け型の表示装置の表示部2306
に用いることができる。
体2401、記録媒体(CD、LDまたはDVD等)2402、操作スイッチ2403、
表示部(a)2404、表示部(b)2405等を含む。表示部(a)は主として画像情
報を表示し、表示部(b)は主として文字情報を表示するが、本発明の表示装置は記録媒
体を備えた画像再生装置の表示部(a)2404、表示部(b)2405に用いることが
できる。なお、記録媒体を備えた画像再生装置としては、CD再生装置、ゲーム機器など
に本発明を用いることができる。
2、受像部2503、操作スイッチ2504、表示部2505等を含む。本発明の表示装
置2505は携帯型(モバイル)コンピュータの表示部2505に用いることができる。
が可能である。また、本実施例の電子機器は実施例1〜4のどのような組み合わせからな
る構成を用いても実現することができる。
Claims (5)
- 第1の基板と、
前記第1の基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された有機物質からなる層間絶縁膜と、
前記有機物質からなる層間絶縁膜上に形成された発光素子と、
前記第1の基板に対向して設けられた第2の基板と、を有する発光装置であって、
前記第1の基板と前記第2の基板は、光を用いてシール材で接着され、
前記シール材と開口を有する配線が重ねて設けられ、
前記シール材と前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜は重ねて設けられ、
前記シール材と前記有機物質からなる層間絶縁膜の少なくとも一部は重ねられていないことを特徴とする発光装置。 - 第1の基板と、
前記第1の基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された有機物質からなる層間絶縁膜と、
前記有機物質からなる層間絶縁膜上に形成された発光素子と、
前記第1の基板に対向して設けられた第2の基板と、を有する発光装置であって、
前記第1の基板と前記第2の基板は、光を用いてシール材で接着され、
前記シール材と開口を有する配線が重ねて設けられ、
前記開口を有する配線が前記シール材を挟んで対向する位置は遮光され、
前記シール材と前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜は重ねて設けられ、
前記シール材と前記有機物質からなる層間絶縁膜は重ねられていないことを特徴とする発光装置。 - 第1の基板と、
前記第1の基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された無機物質からなる層間絶縁膜と、
前記無機物質からなる層間絶縁膜上に形成された発光素子と、
前記第1の基板に対向して設けられた第2の基板と、を有する発光装置であって、
前記第1の基板と前記第2の基板は、光を用いてシール材で接着され、
前記シール材と開口を有する配線が重ねて設けられ、
前記シール材と前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜は重ねて設けられ、
前記シール材と前記無機物質からなる層間絶縁膜は重ねられていることを特徴とする発光装置。 - 第1の基板と、
前記第1の基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された無機物質からなる層間絶縁膜と、
前記無機物質からなる層間絶縁膜上に形成された発光素子と、
前記第1の基板に対向して設けられた第2の基板と、を有する発光装置であって、
前記第1の基板と前記第2の基板は、光を用いてシール材で接着され、
前記シール材と開口を有する配線が重ねて設けられ、
前記開口を有する配線が前記シール材を挟んで対向する位置は遮光され、
前記シール材と前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜は重ねて設けられ、
前記シール材と前記無機物質からなる層間絶縁膜は重ねられていることを特徴とする発光装置。 - 第1の基板と、
前記第1の基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された無機物質からなる層間絶縁膜と、
前記無機物質からなる層間絶縁膜上に形成された発光素子と、
前記第1の基板に対向して設けられた第2の基板と、を有する発光装置であって、
前記第1の基板と前記第2の基板は、光を用いてシール材で接着され、
前記シール材と開口を有する配線が重ねて設けられ、
前記開口を有する配線が前記シール材を挟んで対向する位置は遮光され、
前記シール材と前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜は重ねて設けられ、
前記シール材と前記無機物質からなる層間絶縁膜は接して重ねられていることを特徴とする発光装置。
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