JP2006332060A - 有機電界発光表示素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は有機電界発光表示素子及びその製造方法に係り、共通電源供給Vddラインの配線構造及び有機膜である平坦化膜の構造を変更することによって、無機絶縁膜とコンタクトする封止剤領域を確保して封止剤の接着力を向上させて、有機発光素子の損傷を減少させることができる有機電界発光表示素子及びその製造方法を提供する。
【選択図】図4
Description
50、250、450 有機電界発光表示素子
60、260、460 画素領域
270、470 駆動IC
100、300、500 基板
110、310、510 ゲート絶縁膜
130、320、520 共通電源供給Vddライン
330、530 無機絶縁膜
330a、530a シリコン酸化膜
330b、530b シリコン窒化膜
335、435 第2電極電源供給ライン
140、340、540 平坦化膜
345、545 開口部
160、360、560 封止剤
Claims (20)
- 画素領域と非画素領域を有する基板と;
前記基板上部に形成される無機絶縁膜と;
前記非画素領域上の無機絶縁膜上部に形成されて前記無機絶縁膜の表面一部を露出させる開口部を含む有機膜;及び
前記有機膜の開口部を介して無機絶縁膜とコンタクトする封止剤を含むことを特徴とする有機電界発光表示素子。 - 前記無機絶縁膜はシリコン酸化膜(SiO2)、シリコン窒化膜(SiNx)またはこれらの二重層で形成されることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示素子。
- 画素領域と非画素領域を有する基板と;
前記基板上部の全面にかけて形成されているゲート絶縁膜と;
前記非画素領域上のゲート絶縁膜上部にパターニングされて形成されている共通電源供給Vddラインと;
前記共通電源供給Vddラインを含んだ基板全面に形成されている無機絶縁膜と;
前記非画素領域上の無機絶縁膜上部に形成されて前記共通電源供給Vddラインと一定間隔離隔されて前記無機絶縁膜の表面一部を露出させる開口部を含む平坦化膜;及び
前記平坦化膜の開口部を介して無機絶縁膜とコンタクトする封止剤を含むことを特徴とする有機電界発光表示素子。 - 前記無機絶縁膜はシリコン酸化膜(SiO2)、シリコン窒化膜(SiNx)またはこれらの二重層で形成されることを特徴とする請求項3に記載の有機電界発光表示素子。
- 前記無機絶縁膜はシリコン酸化膜(SiO2)/シリコン窒化膜(SiNx)の二重層で形成されることを特徴とする請求項4に記載の有機電界発光表示素子。
- 前記封止剤は光硬化性または熱硬化性エポキシ樹脂であることを特徴とする請求項3に記載の有機電界発光表示素子。
- 前記有機電界発光素子は共通電源供給Vddラインの垂直上部面の無機絶縁膜上部に第2電極電源供給ラインをさらに含むことを特徴とする請求項3に記載の有機電界発光表示素子。
- 画素領域と非画素領域を有する基板と;
前記基板上部の全面にかけて形成されているゲート絶縁膜と;
前記非画素領域上のゲート絶縁膜上部にパターニングされて形成されている共通電源供給Vddラインと;
前記共通電源供給Vddラインを含んだ基板全面に形成されている無機絶縁膜と;
前記非画素領域上の共通電源供給Vddラインと対応する無機絶縁膜上部に形成されて前記無機絶縁膜の表面一部を露出させる開口部を含む平坦化膜;及び
前記平坦化膜の開口部を介して無機絶縁膜とコンタクトする封止剤を含むことを特徴とする有機電界発光表示素子。 - 前記無機絶縁膜はシリコン酸化膜(SiO2)、シリコン窒化膜(SiNx)またはこれらの二重層で形成されることを特徴とする請求項8に記載の有機電界発光表示素子。
- 前記無機絶縁膜はシリコン酸化膜(SiO2)/シリコン窒化膜(SiNx)の二重層で形成されることを特徴とする請求項9に記載の有機電界発光表示素子。
- 前記封止剤は光硬化性または熱硬化性エポキシ樹脂であることを特徴とする請求項8に記載の有機電界発光表示素子。
- 画素領域と非画素領域を有する基板を提供して;
前記基板上部の全面にかけてゲート絶縁膜を形成して;
前記非画素領域上のゲート絶縁膜上部に、画素領域上のゲート電極形成と同時に、共通電源供給Vddラインをパターニングして形成して;
前記共通電源供給Vddラインを含んだ基板全面に無機絶縁膜を形成して;
前記非画素領域上の無機絶縁膜上部に前記共通電源供給Vddラインと一定間隔離隔されて前記無機絶縁膜の表面一部を露出させる開口部を含む平坦化膜を形成して;及び
前記平坦化膜の開口部を介して無機絶縁膜とコンタクトするように封止剤を形成することを含むことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。 - 前記無機絶縁膜はシリコン酸化膜(SiO2)、シリコン窒化膜(SiNx)またはこれらの二重層で形成されることを特徴とする請求項12に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
- 前記無機絶縁膜はシリコン酸化膜(SiO2)/シリコン窒化膜(SiNx)の二重層で形成されることを特徴とする請求項13に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
- 前記封止剤は光硬化性または熱硬化性エポキシ樹脂であることを特徴とする請求項12に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
- 前記有機電界発光素子は共通電源供給Vddラインの垂直上部面の前記無機絶縁膜上部に画素領域のソース/ドレイン電極形成時第2電極電源供給ラインをさらに形成することを特徴とする請求項12に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
- 画素領域と非画素領域を有する基板を提供して;
前記基板上部の全面にかけてゲート絶縁膜を形成して;
前記非画素領域上のゲート絶縁膜上部に、画素領域のゲート電極形成と同時に、共通電源供給Vddラインをパターニングして形成して;
前記共通電源供給Vddラインを含んだ基板全面に無機絶縁膜を形成して;
前記非画素領域上の共通電源供給Vddラインと対応する無機絶縁膜上部に前記無機絶縁膜の表面一部を露出させる開口部を含む平坦化膜を形成して;及び
前記平坦化膜の開口部を介して無機絶縁膜とコンタクトするように封止剤を形成することを含むことを特徴とする有機電界発光表示素子の製造方法。 - 前記無機絶縁膜はシリコン酸化膜(SiO2)、シリコン窒化膜(SiNx)またはこれらの二重層で形成されることを特徴とする請求項17に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
- 前記無機絶縁膜はシリコン酸化膜(SiO2)/シリコン窒化膜(SiNx)の二重層で形成されることを特徴とする請求項18に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
- 前記封止剤は光硬化性または熱硬化性エポキシ樹脂であることを特徴とする請求項17に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013171966A1 (ja) * | 2012-05-14 | 2013-11-21 | シャープ株式会社 | 有機el表示装置 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100688792B1 (ko) * | 2006-01-27 | 2007-03-02 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 표시장치 및 그의 제조방법 |
KR100759666B1 (ko) * | 2006-01-27 | 2007-09-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 표시장치 및 그의 제조방법 |
TW200915635A (en) * | 2007-05-24 | 2009-04-01 | Koninkl Philips Electronics Nv | Encapsulation for an electronic thin film device |
KR101084179B1 (ko) * | 2009-12-28 | 2011-11-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 소자의 봉지 방법 |
KR101786801B1 (ko) * | 2010-12-22 | 2017-10-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자용 기판 및 그 제조 방법 |
KR101960388B1 (ko) * | 2012-12-24 | 2019-03-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 다이오드 표시 장치 |
KR102195166B1 (ko) * | 2013-12-26 | 2020-12-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치 및 탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
CN104733504A (zh) | 2015-03-18 | 2015-06-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled基板及制备方法、oled面板及显示装置 |
CN105206618B (zh) | 2015-08-26 | 2018-10-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、显示面板、显示装置及制作方法 |
KR102512718B1 (ko) | 2016-03-17 | 2023-03-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 기판 및 이를 구비한 유기 발광 표시 장치, 박막트랜지스터 기판의 제조방법 |
KR20200074347A (ko) * | 2018-12-14 | 2020-06-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002110343A (ja) * | 2000-07-25 | 2002-04-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
JP2003167258A (ja) * | 2001-12-03 | 2003-06-13 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
JP2003167528A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-06-13 | Optrex Corp | 液晶表示装置 |
JP2004102246A (ja) * | 2002-07-18 | 2004-04-02 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、配線基板及び電子機器 |
WO2004068446A1 (ja) * | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | 有機elディスプレイの製造方法 |
JP2004335267A (ja) * | 2003-05-08 | 2004-11-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機el表示装置 |
JP2005049808A (ja) * | 2003-07-29 | 2005-02-24 | Samsung Sdi Co Ltd | 平板表示装置 |
JP2005108824A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-04-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及び表示装置の作製方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4238704A (en) * | 1979-02-12 | 1980-12-09 | Corning Glass Works | Sealed beam lamp of borosilicate glass with a sealing glass of zinc silicoborate and a mill addition of cordierite |
JP3814810B2 (ja) | 1996-04-05 | 2006-08-30 | 日本電気硝子株式会社 | ビスマス系ガラス組成物 |
JPH1074583A (ja) | 1996-08-30 | 1998-03-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機elディスプレイ及び有機elディスプレイの 製造方法 |
US6555025B1 (en) * | 2000-01-31 | 2003-04-29 | Candescent Technologies Corporation | Tuned sealing material for sealing of a flat panel display |
US6822264B2 (en) * | 2001-11-16 | 2004-11-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
KR100461634B1 (ko) | 2002-04-15 | 2004-12-14 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
SG142140A1 (en) | 2003-06-27 | 2008-05-28 | Semiconductor Energy Lab | Display device and method of manufacturing thereof |
US7928654B2 (en) * | 2003-08-29 | 2011-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
JP4741177B2 (ja) | 2003-08-29 | 2011-08-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
KR100590252B1 (ko) * | 2004-03-17 | 2006-06-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 |
KR100666265B1 (ko) * | 2004-10-18 | 2007-01-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 형광체 및 이를 이용한 발광소자 |
US8164257B2 (en) * | 2006-01-25 | 2012-04-24 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display and method of fabricating the same |
-
2005
- 2005-05-27 KR KR1020050045159A patent/KR100645533B1/ko active IP Right Grant
-
2006
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- 2006-05-25 JP JP2006145660A patent/JP4558679B2/ja active Active
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002110343A (ja) * | 2000-07-25 | 2002-04-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
JP2003167528A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-06-13 | Optrex Corp | 液晶表示装置 |
JP2003167258A (ja) * | 2001-12-03 | 2003-06-13 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
JP2004102246A (ja) * | 2002-07-18 | 2004-04-02 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、配線基板及び電子機器 |
WO2004068446A1 (ja) * | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | 有機elディスプレイの製造方法 |
JP2004335267A (ja) * | 2003-05-08 | 2004-11-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機el表示装置 |
JP2005049808A (ja) * | 2003-07-29 | 2005-02-24 | Samsung Sdi Co Ltd | 平板表示装置 |
JP2005108824A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-04-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及び表示装置の作製方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013171966A1 (ja) * | 2012-05-14 | 2013-11-21 | シャープ株式会社 | 有機el表示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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