JP4558679B2 - 有機電界発光表示素子及びその製造方法 - Google Patents
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Description
50、250、450 有機電界発光表示素子
60、260、460 画素領域
270、470 駆動IC
100、300、500 基板
110、310、510 ゲート絶縁膜
130、320、520 共通電源供給Vddライン
330、530 無機絶縁膜
330a、530a シリコン酸化膜
330b、530b シリコン窒化膜
335、435 第2電極電源供給ライン
140、340、540 平坦化膜
345、545 開口部
160、360、560 封止剤
Claims (16)
- 画素領域と非画素領域を有する基板と;
前記基板上部の全面にかけて形成されているゲート絶縁膜と;
前記非画素領域上のゲート絶縁膜上部にパターニングされて形成されている共通電源供給Vddラインと;
前記共通電源供給Vddラインを含んだ基板全面に形成されている無機絶縁膜と;
前記非画素領域上の無機絶縁膜上部に形成されて前記共通電源供給Vddラインと一定間隔離隔されて前記無機絶縁膜の表面一部を露出させる開口部を含む平坦化膜と;
前記平坦化膜の開口部を介して無機絶縁膜とコンタクトする封止剤と;及び
前記共通電源供給Vddラインの垂直上部面の前記無機絶縁膜上部の第2電極電源供給ラインとを含むことを特徴とする有機電界発光表示素子。 - 前記無機絶縁膜はシリコン酸化膜(SiO2)、シリコン窒化膜(SiNx)またはこれらの二重層で形成されることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示素子。
- 前記無機絶縁膜はシリコン酸化膜(SiO2)/シリコン窒化膜(SiNx)の二重層で形成されることを特徴とする請求項2に記載の有機電界発光表示素子。
- 前記封止剤は光硬化性または熱硬化性エポキシ樹脂であることを特徴とする請求項1に
記載の有機電界発光表示素子。 - 画素領域と非画素領域を有する基板と;
前記基板上部の全面にかけて形成されているゲート絶縁膜と;
前記非画素領域上のゲート絶縁膜上部にパターニングされて形成されている共通電源供給Vddラインと;
前記共通電源供給Vddラインを含んだ基板全面に形成されている無機絶縁膜と;
前記非画素領域上の共通電源供給Vddラインと対応する無機絶縁膜上部に形成されて前記無機絶縁膜の表面一部を露出させる開口部を含む平坦化膜; 及び
前記平坦化膜の開口部を介して無機絶縁膜とコンタクトする封止剤を含むことを特徴とする有機電界発光表示素子。 - 前記無機絶縁膜はシリコン酸化膜(SiO2)、シリコン窒化膜(SiNx)またはこれらの二重層で形成されることを特徴とする請求項5に記載の有機電界発光表示素子。
- 前記無機絶縁膜はシリコン酸化膜(SiO2)/シリコン窒化膜(SiNx)の二重層で形成されることを特徴とする請求項6に記載の有機電界発光表示素子。
- 前記封止剤は光硬化性または熱硬化性エポキシ樹脂であることを特徴とする請求項5に記載の有機電界発光表示素子。
- 画素領域と非画素領域を有する基板を提供して;
前記基板上部の全面にかけてゲート絶縁膜を形成して;
前記非画素領域上のゲート絶縁膜上部に、画素領域上のゲート電極形成と同時に、共通電源供給Vddラインをパターニングして形成して;
前記共通電源供給Vddラインを含んだ基板全面に無機絶縁膜を形成して;
前記非画素領域上の無機絶縁膜上部に前記共通電源供給Vddラインと一定間隔離隔されて前記無機絶縁膜の表面一部を露出させる開口部を含む平坦化膜を形成して;
前記平坦化膜の開口部を介して無機絶縁膜とコンタクトするように封止剤を形成して;及び
前記共通電源供給Vddラインの垂直上部面の前記無機絶縁膜上部に画素領域のソース/ドレイン電極形成時に第2電極電源供給ラインを形成することを含むことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。 - 前記無機絶縁膜はシリコン酸化膜(SiO2)、シリコン窒化膜(SiNx)またはこれらの二重層で形成されることを特徴とする請求項9に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
- 前記無機絶縁膜はシリコン酸化膜(SiO2)/シリコン窒化膜(SiNx)の二重層で形成されることを特徴とする請求項10に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
- 前記封止剤は光硬化性または熱硬化性エポキシ樹脂であることを特徴とする請求項9に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
- 画素領域と非画素領域を有する基板を提供して;
前記基板上部の全面にかけてゲート絶縁膜を形成して;
前記非画素領域上のゲート絶縁膜上部に、画素領域のゲート電極形成と同時に、共通電源供給Vddラインをパターニングして形成して;
前記共通電源供給Vddラインを含んだ基板全面に無機絶縁膜を形成して;
前記非画素領域上の共通電源供給Vddラインと対応する無機絶縁膜上部に前記無機絶縁膜の表面一部を露出させる開口部を含む平坦化膜を形成して;及び
前記平坦化膜の開口部を介して無機絶縁膜とコンタクトするように封止剤を形成することを含むことを特徴とする有機電界発光表示素子の製造方法。 - 前記無機絶縁膜はシリコン酸化膜(SiO2)、シリコン窒化膜(SiNx)またはこれらの二重層で形成されることを特徴とする請求項13に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
- 前記無機絶縁膜はシリコン酸化膜(SiO2)/シリコン窒化膜(SiNx)の二重層で形成されることを特徴とする請求項14に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
- 前記封止剤は光硬化性または熱硬化性エポキシ樹脂であることを特徴とする請求項13に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
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