CN105206618B - 一种阵列基板、显示面板、显示装置及制作方法 - Google Patents

一种阵列基板、显示面板、显示装置及制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105206618B
CN105206618B CN201510531483.2A CN201510531483A CN105206618B CN 105206618 B CN105206618 B CN 105206618B CN 201510531483 A CN201510531483 A CN 201510531483A CN 105206618 B CN105206618 B CN 105206618B
Authority
CN
China
Prior art keywords
display area
array substrate
groove
organic film
area
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201510531483.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105206618A (zh
Inventor
孔益
刘俊豪
薛红伟
徐青松
刘璐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201510531483.2A priority Critical patent/CN105206618B/zh
Priority to US15/525,500 priority patent/US10553814B2/en
Priority to PCT/CN2015/097696 priority patent/WO2017031874A1/zh
Publication of CN105206618A publication Critical patent/CN105206618A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105206618B publication Critical patent/CN105206618B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
    • H01L21/461—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/469—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After-treatment of these layers
    • H01L21/475—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After-treatment of these layers using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明提供一种阵列基板、显示面板、显示装置及制作方法，该阵列基板包括：衬底基板以及设置于所述衬底基板上的有机膜层和钝化层，所述衬底基板包括显示区域和围绕所述显示区域设置的非显示区域，所述有机膜层和所述钝化层同时设置于所述显示区域和非显示区域，其特征在于，位于所述非显示区域的有机膜层和钝化层上设置有贯通所述有机膜层和钝化层的沟槽，所述沟槽为围绕所述显示区域设置的封闭图形，所述沟槽用于填充密封材料。采用上述结构的阵列基板，在后续的高温蒸煮试验过程中，即使有机膜层和/或钝化层出现裂纹，由于沟槽中填充的密封材料的阻隔，水汽也不会进入显示区域。

Description

一种阵列基板、显示面板、显示装置及制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板、显示装置及制作方法。
背景技术
现有的阵列基板中有时会根据需要设置有机膜层(有机膜层厚度较厚，可以减小电容)，例如，在源漏金属层和透明导电层之间设置有机膜层，以降低源漏金属层和透明导电层之间的电容。具有该种结构的阵列基板与对向基板对盒形成显示面板后，通常需要进行高温蒸煮试验(PCT，温度120℃/水汽100％/大气压2atm)，由于有机膜层遇高温容易膨胀，因而在高温蒸煮试验中容易出现裂纹，位于有机膜层之上的钝化层在有机膜层膨胀的应力作用下，也容易出现裂纹，出现裂纹后，高温蒸煮试验产生的水汽会从裂纹处进入显示面板的显示区域，导致产生水泡(Bubble)，影响显示。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种阵列基板、显示面板、显示装置及制作方法，以解决现有的具有有机膜层的显示面板在高温蒸煮试验时，容易产生裂缝，导致水汽进入显示面板的显示区域的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供一种阵列基板，包括：衬底基板以及设置于所述衬底基板上的有机膜层和钝化层，所述衬底基板包括显示区域和围绕所述显示区域设置的非显示区域，所述有机膜层和所述钝化层同时设置于所述显示区域和非显示区域，其特征在于，位于所述非显示区域的有机膜层和钝化层上设置有贯通所述有机膜层和钝化层的沟槽，所述沟槽为围绕所述显示区域设置的封闭图形，所述沟槽用于填充密封材料。
优选地，所述非显示区域包括封框胶设置区，所述封框胶设置区围绕所述显示区域设置，所述沟槽设置于所述封框胶设置区。
优选地，所述阵列基板还包括设置于所述衬底基板上的源漏金属层和第一透明导电层，所述有机膜层位于所述源漏金属层和所述第一透明导电层之间。
优选地，所述源漏金属层包括：
位于所述非显示区域的源漏金属引线，所述源漏金属引线在所述衬底基板上的正投影区域至少部分与所述沟槽的槽底在所述衬底基板上的正投影区域重叠；
所述阵列基板还包括：
防氧化层，设置在所述沟槽中，至少覆盖所述沟槽的槽底。
优选地，所述阵列基板还包括第二透明导电层，位于所述钝化层之上；
所述防氧化层与所述第一透明导电层同层同材料，且通过一次构图工艺形成。
本发明还提供一种显示面板，包括阵列基板和对向基板，所述阵列基板为上述阵列基板。
优选地，所述非显示区域包括封框胶设置区，所述封框胶设置区围绕所述显示区域设置，所述沟槽设置于所述封框胶设置区，所述显示面板还包括：部分设置于所述沟槽内的封框胶。
本发明还提供一种显示装置，包括上述显示面板。
本发明还提供一种阵列基板的制作方法，包括：
提供一衬底基板，所述衬底基板包括显示区域和围绕所述显示区域设置的非显示区域；
在所述衬底基板的显示区域和非显示区域形成有机膜层和钝化层，位于所述非显示区域的有机膜层和钝化层上形成有贯通所述有机膜层和钝化层的沟槽，所述沟槽为围绕所述显示区域设置的封闭图形，所述沟槽用于填充密封材料。
优选地，形成有机膜层的步骤包括：
形成有机材料薄膜；
在所述有机材料薄膜上涂覆光刻胶；
采用一掩膜版，对所述光刻胶进行曝光和显影，形成第一光刻胶保留区域和第一光刻胶去除区域，所述第一光刻胶去除区域包括所述沟槽对应区域；
刻蚀所述第一光刻胶去除区域域的有机材料薄膜，形成有机膜层的图形；
剥离剩余的光刻胶。
优选地，形成钝化层的步骤包括：
形成钝化材料薄膜；
在所述钝化材料薄膜上涂覆光刻胶；
采用一掩膜版，对涂覆在所述钝化材料薄膜上的光刻胶进行曝光和显影，形成第二光刻胶保留区域和第二光刻胶去除区域，所述第二光刻胶去除区域包括所述沟槽对应区域；
刻蚀所述第二光刻胶去除区域域的钝化材料薄膜，形成钝化层的图形；
剥离剩余的光刻胶。
本发明还提供一种显示面板的制作方法，包括形成阵列基板和对向基板的步骤，采用上述方法形成所述阵列基板。
优选地，所述非显示区域包括封框胶设置区，所述封框胶设置区围绕所述显示区域设置，所述沟槽设置于所述封框胶设置区；
所述显示面板的制作方法还包括：
在所述阵列基板或对向基板的封框胶设置区域涂覆封框胶；
将所述阵列基板和所述对象基板对盒，对盒后所述封框胶填充至所述阵列基板上的沟槽中。
本发明的上述技术方案的有益效果如下：
在阵列基板的非显示区域形成贯通有机膜层和钝化层的沟槽，沟槽为围绕显示区域的封闭图形，在沟槽中填充密封材料后，密封材料可以将显示区域和非显示区域的有机膜层和钝化层隔离。在后续的高温蒸煮试验过程中，即使有机膜层和/或钝化层出现裂纹，由于沟槽中填充的密封材料的阻隔，水汽也不会进入显示区域。
附图说明
图1为本发明实施例的阵列基板的一结构示意图；
图2为本发明实施例的显示面板的一结构示意图。
具体实施方式
为解决现有的具有有机膜层的显示面板在高温蒸煮试验时，容易产生裂缝，导致水汽进入显示面板的显示区域的问题，本发明提供一种阵列基板，包括：衬底基板以及设置于所述衬底基板上的有机膜层和钝化层，所述衬底基板包括显示区域和围绕所述显示区域设置的非显示区域，所述有机膜层和所述钝化层同时设置于所述显示区域和非显示区域，其中，位于所述非显示区域的有机膜层和钝化层上设置有贯通所述有机膜层和钝化层的沟槽，所述沟槽为围绕所述显示区域设置的封闭图形，所述沟槽用于填充密封材料。
由于沟槽贯通非显示区域的有机膜层和钝化层，且为围绕显示区域的封闭图形，在沟槽中填充密封材料后，密封材料可以将显示区域和非显示区域的有机膜层和钝化层隔离。在后续的高温蒸煮试验过程中，即使有机膜层和/或钝化层出现裂纹，由于沟槽中填充的密封材料的阻隔，水汽也不会进入显示区域。
在本发明的一些实施例中，所述阵列基板还可以包括填充于所述沟槽内的密封材料，所述密封材料可以为密封胶等。
在本发明的其他一些实施例中，也可以利用阵列基板和对向基板的封框胶填充所述沟槽，即所述非显示区域包括封框胶设置区，所述封框胶设置区围绕所述显示区域设置，所述沟槽设置于所述封框胶设置区。从而，在后续阵列基板和对向基板对盒时，用于封框的封框胶可填充至所述沟槽内。
本发明实施例中的阵列基板还可以包括：设置于所述衬底基板上的源漏金属层和第一透明导电层，其中，所述有机膜层位于所述源漏金属层和所述第一透明导电层之间，用于减小所述源漏金属层和所述第一透明导电层之间的电容。在一些实施例中，所述阵列基板只包括像素电极，不包括公共电极，此时，所述第一透明导电层为像素电极所在层。在另外一些实施例中，所述阵列基板可以同时包括像素电极和公共电极，即所述阵列基板包括两层透明导电层，所述第一透明导电层可以为像素电极所在层，也可以为公共电极所在层。
本发明实施例中的源漏金属层可以包括位于显示区域的数据线以及位于非显示区域的源漏金属引线，源漏金属引线与数据线连接，用于为数据线传输信号。在一些实施例中，所述源漏金属引线在所述衬底基板上的正投影区域至少部分与所述沟槽的槽底在所述衬底基板上的正投影区域重叠，即所述源漏金属引线可能部分会位于所述沟槽的槽底，从而存在被氧化的可能。优选地，本发明实施例中的阵列基板还可以包括：防氧化层，设置在所述沟槽中，至少覆盖所述沟槽的槽底，从而防止位于槽底的源漏金属引线被氧化。所述防氧化层可以采用多种类型的材料制成，例如ITO等。
在所述阵列基板包括两层透明导电层的实施例中，所述阵列基板除了包括位于源漏金属层和有机膜层之间的第一透明导电层之外，还包括位于所述钝化层之上的第二透明导电层。优选地，所述防氧化层可以与所述第一透明导电层同层同材料，且通过一次构图工艺形成，以减少成本。
本发明实施例还提供一种显示面板，包括阵列基板和对向基板，所述阵列基板为上述任一实施例所述的阵列基板。
优选地，所述阵列基板的衬底基板包括显示区域和围绕显示区域设置的非显示区域，所述非显示区域包括封框胶设置区，所述封框胶设置区围绕所述显示区域设置，所述沟槽设置于所述封框胶设置区，所述显示面板还包括：部分设置于所述沟槽内的封框胶，所述封框胶用于封框所述阵列基板和所述对向基板。
本发明还提供一种显示装置，包括上述显示面板。
下面将结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
请参考图1，图1为本发明实施例的阵列基板的一结构示意图，所述阵列基板包括：
衬底基板101，所述衬底基板101包括显示区域201和围绕所述显示区域201设置的非显示区域202；图中仅示出了显示区域201和非显示区域202的部分，并未示出全部。
栅金属层，位于所述衬底基板101上，包括位于显示区域201的栅电极(图未示出)和栅线(图未示出)，以及位于所述非显示区域202的栅金属引线102；
栅绝缘层103，位于所述栅金属层之上；位于非显示区域的所述栅绝缘层103上设置有贯通所述栅绝缘层103的过孔，所述过孔对应栅金属引线102位置；
源漏金属层，位于所述栅绝缘层103之上，包括位于显示区域201的源电极(图未示出)、漏电极(图未示出)和数据线(图未示出)，以及位于所述非显示区域202的源漏金属引线104；所述源漏金属引线104通过所述栅绝缘层103上的过孔与所述栅金属引线102连接。
有机膜层105，位于所述源漏金属层之上，所述有机膜层105同时设置于所述显示区域201和非显示区域202，位于所述非显示区域202的所述有机膜层105上设置有贯通所述有机膜层105的第一子沟槽301，所述第一子沟槽301为围绕所述显示区域201设置的封闭图形。
第一透明导电层，位于所述有机膜层105之上，包括位于显示区域的第一电极(图未示出)以及位于非显示区域202的防氧化层106，所述防氧化层106设置在所述第一子沟槽301中，覆盖所述第一子沟槽301的槽底，用于防止位于槽底的源漏金属引线104被氧化。
钝化层107，位于所述第一透明导电层之上，所述钝化层107同时设置于所述显示区域201和非显示区域202，位于所述非显示区域202的钝化层107上设置有贯通所述钝化层107的第二子沟槽302，所述第二子沟槽302为围绕所述显示区域设置的封闭图形，所述第二子沟槽302与所述第一子沟槽301的位置对应，与所述第一子沟槽301连通，形成贯通所述有机膜层105和钝化层107的沟槽，所述贯通所述有机膜层105和钝化层107的沟槽用于填充密封材料。
请参考图2，图2为本发明实施例的显示面板的一结构示意图，所述显示面板包括阵列基板100和对向基板400，所述阵列基板100为图1所示的阵列基板。
所述阵列基板的衬底基板的非显示区域202包括封框胶设置区，所述封框胶设置区围绕所述显示区域201设置，贯通所述有机膜层105和钝化层107的沟槽设置于所述封框胶设置区。
所述显示面板还包括：部分设置于所述沟槽内的封框胶500，所述封框胶500用于封框所述阵列基板100和所述对向基板400。
本发明还提供一种阵列基板的制作方法，包括：
步骤11：提供一衬底基板，所述衬底基板包括显示区域和围绕所述显示区域设置的非显示区域；
步骤12：在所述衬底基板的显示区域和非显示区域形成有机膜层和钝化层，位于所述非显示区域的有机膜层和钝化层上形成有贯通所述有机膜层和钝化层的沟槽，所述沟槽为围绕所述显示区域设置的封闭图形，所述沟槽用于填充密封材料。
优选地，形成有机膜层的步骤包括：
步骤121：形成有机材料薄膜；
步骤122：在所述有机材料薄膜上涂覆光刻胶；
步骤123：采用一掩膜版，对所述光刻胶进行曝光和显影，形成第一光刻胶保留区域和第一光刻胶去除区域，所述第一光刻胶去除区域包括所述沟槽对应区域；
步骤124：刻蚀所述第一光刻胶去除区域域的有机材料薄膜，形成有机膜层的图形；
步骤125：剥离剩余的光刻胶。
优选地，形成钝化层的步骤包括：
步骤126：形成钝化材料薄膜；
步骤127：在所述钝化材料薄膜上涂覆光刻胶；
步骤128：采用一掩膜版，对涂覆在所述钝化材料薄膜上的光刻胶进行曝光和显影，形成第二光刻胶保留区域和第二光刻胶去除区域，所述第二光刻胶去除区域包括所述沟槽对应区域；
步骤129：刻蚀所述第二光刻胶去除区域域的钝化材料薄膜，形成钝化层的图形；
步骤130：剥离剩余的光刻胶。
本发明实施例还提供一种显示面板的制作方法，包括形成阵列基板和对向基板的步骤，其中，采用上述任一实施例所述的方法形成所述阵列基板。
优选地，所述非显示区域包括封框胶设置区，所述封框胶设置区围绕所述显示区域设置，所述沟槽设置于所述封框胶设置区；
所述显示面板的制作方法还包括：
在所述阵列基板或对向基板的封框胶设置区域涂覆封框胶；
将所述阵列基板和所述对象基板对盒，对盒后所述封框胶填充至所述阵列基板上的沟槽中。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (12)

1.一种阵列基板，包括：衬底基板以及设置于所述衬底基板上的有机膜层和钝化层，所述衬底基板包括显示区域和围绕所述显示区域设置的非显示区域，所述有机膜层和所述钝化层同时设置于所述显示区域和非显示区域，其特征在于，位于所述非显示区域的有机膜层和钝化层上设置有贯通所述有机膜层和钝化层的沟槽，所述沟槽为围绕所述显示区域设置的封闭图形，所述沟槽用于填充密封材料；
还包括设置于所述衬底基板上的源漏金属层和第一透明导电层，所述有机膜层位于所述源漏金属层和所述第一透明导电层之间；
所述钝化层位于所述有机膜层之上。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述非显示区域包括封框胶设置区，所述封框胶设置区围绕所述显示区域设置，所述沟槽设置于所述封框胶设置区。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述源漏金属层包括：
位于所述非显示区域的源漏金属引线，所述源漏金属引线在所述衬底基板上的正投影区域至少部分与所述沟槽的槽底在所述衬底基板上的正投影区域重叠；
所述阵列基板还包括：
防氧化层，设置在所述沟槽中，至少覆盖所述沟槽的槽底。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，还包括第二透明导电层，位于所述钝化层之上；
所述防氧化层与所述第一透明导电层同层同材料，且通过一次构图工艺形成。
5.一种显示面板，包括阵列基板和对向基板，其特征在于，所述阵列基板为如权利要求1-4任一项所述的阵列基板。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述非显示区域包括封框胶设置区，所述封框胶设置区围绕所述显示区域设置，所述沟槽设置于所述封框胶设置区，所述显示面板还包括：部分设置于所述沟槽内的封框胶。
7.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求5或6所述的显示面板。
8.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
提供一衬底基板，所述衬底基板包括显示区域和围绕所述显示区域设置的非显示区域；
在所述衬底基板的显示区域和非显示区域形成有机膜层和钝化层，位于所述非显示区域的有机膜层和钝化层上形成有贯通所述有机膜层和钝化层的沟槽，所述沟槽为围绕所述显示区域设置的封闭图形，所述沟槽用于填充密封材料；
在所述衬底基板上形成源漏金属层和第一透明导电层；
其中，所述有机膜层位于所述源漏金属层和所述第一透明导电层之间，所述钝化层位于所述有机膜层之上。
9.根据权利要求8所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，形成有机膜层的步骤包括：
形成有机材料薄膜；
在所述有机材料薄膜上涂覆光刻胶；
采用一掩膜版，对所述光刻胶进行曝光和显影，形成第一光刻胶保留区域和第一光刻胶去除区域，所述第一光刻胶去除区域包括所述沟槽对应区域；
刻蚀所述第一光刻胶去除区域域的有机材料薄膜，形成有机膜层的图形；
剥离剩余的光刻胶。
10.根据权利要求9所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，形成钝化层的步骤包括：
形成钝化材料薄膜；
在所述钝化材料薄膜上涂覆光刻胶；
采用一掩膜版，对涂覆在所述钝化材料薄膜上的光刻胶进行曝光和显影，形成第二光刻胶保留区域和第二光刻胶去除区域，所述第二光刻胶去除区域包括所述沟槽对应区域；
刻蚀所述第二光刻胶去除区域域的钝化材料薄膜，形成钝化层的图形；
剥离剩余的光刻胶。
11.一种显示面板的制作方法，包括形成阵列基板和对向基板的步骤，其特征在于，采用如权利要求8-10任一项所述的方法形成所述阵列基板。
12.根据权利要求11所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述非显示区域包括封框胶设置区，所述封框胶设置区围绕所述显示区域设置，所述沟槽设置于所述封框胶设置区；
所述显示面板的制作方法还包括：
在所述阵列基板或对向基板的封框胶设置区域涂覆封框胶；
将所述阵列基板和所述对向基板对盒，对盒后所述封框胶填充至所述阵列基板上的沟槽中。
CN201510531483.2A 2015-08-26 2015-08-26 一种阵列基板、显示面板、显示装置及制作方法 Active CN105206618B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510531483.2A CN105206618B (zh) 2015-08-26 2015-08-26 一种阵列基板、显示面板、显示装置及制作方法
US15/525,500 US10553814B2 (en) 2015-08-26 2015-12-17 Array substrate, display panel, display device, method for manufacturing array substrate and method for manufacturing display panel
PCT/CN2015/097696 WO2017031874A1 (zh) 2015-08-26 2015-12-17 阵列基板、显示面板、显示装置、阵列基板制作方法及显示面板制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510531483.2A CN105206618B (zh) 2015-08-26 2015-08-26 一种阵列基板、显示面板、显示装置及制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105206618A CN105206618A (zh) 2015-12-30
CN105206618B true CN105206618B (zh) 2018-10-30

Family

ID=54954189

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510531483.2A Active CN105206618B (zh) 2015-08-26 2015-08-26 一种阵列基板、显示面板、显示装置及制作方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10553814B2 (zh)
CN (1) CN105206618B (zh)
WO (1) WO2017031874A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110556407A (zh) * 2019-08-30 2019-12-10 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105549250B (zh) * 2016-02-26 2017-11-10 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板及其相应制备方法和显示装置
CN105870135A (zh) * 2016-05-19 2016-08-17 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置
CN106783732B (zh) * 2016-11-23 2019-11-05 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板的制备方法及显示面板的制备方法
KR102376502B1 (ko) * 2017-04-19 2022-03-22 삼성디스플레이 주식회사 터치 센서, 이를 포함하는 표시 장치, 및 터치 센서의 제조 방법
CN107315294A (zh) * 2017-07-25 2017-11-03 深圳市华星光电技术有限公司 一种显示基板、显示面板及显示基板的制备方法
CN109560114B (zh) * 2018-12-06 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 显示面板的制造方法、显示面板和显示装置
CN110265443B (zh) * 2019-06-20 2022-03-04 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置
CN110879493B (zh) * 2019-12-10 2023-05-30 厦门天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN111308816A (zh) * 2020-02-28 2020-06-19 重庆京东方光电科技有限公司 有机膜、阵列基板、显示面板及显示装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100972148B1 (ko) * 2002-12-31 2010-07-23 엘지디스플레이 주식회사 씰패턴 하부의 적층구조에 특징을 가지는 액정표시장치
JP2005093134A (ja) 2003-09-12 2005-04-07 Tdk Corp 有機ｅｌ素子及び有機ｅｌディスプレイ
US7538488B2 (en) * 2004-02-14 2009-05-26 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Flat panel display
US20050178498A1 (en) * 2004-02-18 2005-08-18 Au Optronics Corporation Method for sealing electroluminescence display devices
KR100645533B1 (ko) * 2005-05-27 2006-11-14 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시소자 및 그의 제조 방법
JP4783115B2 (ja) 2005-10-18 2011-09-28 東芝モバイルディスプレイ株式会社 基板装置
KR101151799B1 (ko) * 2005-11-09 2012-06-01 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
KR20070117788A (ko) * 2006-06-09 2007-12-13 삼성전자주식회사 표시 기판, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 표시 장치
JP2008147073A (ja) 2006-12-12 2008-06-26 Fujifilm Corp 表示装置
KR101097333B1 (ko) * 2010-02-11 2011-12-23 삼성모바일디스플레이주식회사 액정표시장치
KR20120066497A (ko) * 2010-12-14 2012-06-22 삼성모바일디스플레이주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
US9448441B2 (en) * 2012-05-25 2016-09-20 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
WO2014038159A1 (ja) * 2012-09-04 2014-03-13 シャープ株式会社 液晶表示装置
KR102054233B1 (ko) * 2012-12-26 2019-12-10 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
US9825253B2 (en) * 2013-06-28 2017-11-21 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same
KR20150037105A (ko) * 2013-09-30 2015-04-08 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102431444B1 (ko) * 2015-07-14 2022-08-11 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110556407A (zh) * 2019-08-30 2019-12-10 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN110556407B (zh) * 2019-08-30 2022-05-17 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN105206618A (zh) 2015-12-30
US10553814B2 (en) 2020-02-04
US20180159066A1 (en) 2018-06-07
WO2017031874A1 (zh) 2017-03-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105206618B (zh) 一种阵列基板、显示面板、显示装置及制作方法
CN105609660B (zh) 一种oled显示面板及其封装方法、显示装置
CN105304649B (zh) 阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置
JP6441479B2 (ja) 液晶表示パネル及びそのカラーフィルタ配列基板
CN109256487A (zh) 一种显示面板
CN103454819B (zh) 用于液晶显示器的阵列基板及其制造方法
CN103489922A (zh) 薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法和显示装置
CN105161519B (zh) 薄膜晶体管及制作方法、阵列基板及制作方法和显示装置
CN108292712A (zh) 显示基板、显示面板、显示设备和制造显示基板和显示面板的方法
CN104460147A (zh) 薄膜晶体管阵列基板、制造方法及显示装置
CN105068373A (zh) Tft基板结构的制作方法
CN106444190A (zh) 一种coa基板及其制造方法、液晶面板
CN102983135A (zh) 一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制备方法
CN103904060A (zh) Tft lcd阵列对位标记设计及制造方法
CN108649037A (zh) 显示面板及其制造方法、显示装置
CN104091831A (zh) 一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置
CN105932025A (zh) 一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置
CN104674162B (zh) 一种掩膜板、oled器件封装方法及oled器件
CN108364934A (zh) 一种电子设备、显示面板及其制备方法
CN106873238A (zh) 一种对向基板、显示面板、显示装置及制作方法
CN103489874A (zh) 阵列基板及其制备方法、显示装置
CN105244315A (zh) 显示面板结构及制备方法
CN104766869A (zh) 阵列基板及其制备方法、显示装置
CN104749846B (zh) 一种阵列基板及其制作方法、显示面板
CN103972243B (zh) 一种阵列基板及其制作方法、显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant