CN105304649B - 阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置 - Google Patents

阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN105304649B
CN105304649B CN201510713642.0A CN201510713642A CN105304649B CN 105304649 B CN105304649 B CN 105304649B CN 201510713642 A CN201510713642 A CN 201510713642A CN 105304649 B CN105304649 B CN 105304649B
Authority
CN
China
Prior art keywords
via hole
photoresist
transparency conducting
conducting layer
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201510713642.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105304649A (zh
Inventor
白金超
郭会斌
刘耀
丁向前
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Display Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Beijing BOE Display Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201510713642.0A priority Critical patent/CN105304649B/zh
Publication of CN105304649A publication Critical patent/CN105304649A/zh
Priority to US15/505,376 priority patent/US9958747B2/en
Priority to PCT/CN2016/097180 priority patent/WO2017071397A1/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105304649B publication Critical patent/CN105304649B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133345—Insulating layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136231—Active matrix addressed cells for reducing the number of lithographic steps
    • G02F1/136236—Active matrix addressed cells for reducing the number of lithographic steps using a grey or half tone lithographic process
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/121—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode common or background
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/123—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode pixel

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置，用以减小阵列基板中的过孔上表面与过孔周边的透明导电层的落差，从而解决取向层聚酰亚胺薄膜PI扩散不均的问题，提高显示质量。所述阵列基板的制作方法，其特征在于，该方法包括：采用构图工艺在衬底基板上形成用于连接第二透明导电层和栅线层的过孔、用于连接第二透明导电层和源漏电极层的过孔、以及用于连接第一透明导电层和第二透明导电层的过孔；在形成第二透明导电层图案的同时，对所述过孔进行填平处理，使得填平后的过孔的上表面与过孔周边的第二透明导电层处于同一水平面。

Description

阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置。
背景技术
在薄膜晶体管液晶显示面板(TFT-LCD)制造过程中，需要在面板(Panel)的内部和周边打孔，例如，用于连接透明导电层(ITO)和栅线层、或者连接透明导电层和源漏金属、或者连接透明导电层与公共电极线的过孔。且由于在过孔和过孔周边区域呈现的凹凸不平的形貌，导致涂覆取向层聚酰亚胺薄膜(PolyimideFilm，PI)，出现取向层PI扩散不均的问题，从而严重影响显示区局部显示画面的画面品质。例如，在面板周边出现周边PI黑Mura，即因显示器亮度不均匀造成各种痕迹的现象；或者出现在像素去内会出现M24不良、白污渍等现象，如，呈现不连续的麻点状的黑点，中间发黑两边发白的现象等。
综上所述，现有技术中，在取向层PI扩散时，因为过孔的上表面与过孔周边的透明导电层的落差较大，从而使得取向层PI扩散不均，造成了显示质量较差。
发明内容
本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置，用以减小阵列基板中的过孔上表面与过孔周边的透明导电层的落差，从而解决取向层PI扩散不均的问题，提高显示质量。
本发明实施例提供了一种阵列基板的制作方法，该方法包括：
采用构图工艺在衬底基板上形成用于连接第二透明导电层和栅线层的过孔、用于连接第二透明导电层和源漏电极层的过孔、以及用于连接第一透明导电层和第二透明导电层的过孔；
在形成第二透明导电层图案的同时，对所述过孔进行填平处理，使得填平后的过孔的上表面与过孔周边的第二透明导电层处于同一水平面。
通过本发明实施例提供的阵列基板的制作方法，首先采用构图工艺在衬底基板上形成过孔，其中所述过孔包括需要涂覆PI的过孔，包括用于连接第二透明导电层和栅线层的过孔、用于连接第二透明导电层和源漏电极层的过孔、以及用于连接第一透明导电层和第二透明导电层的过孔；其次，在形成第二透明导电层图案的同时，对所述过孔进行填平处理，使得填平后的过孔的上表面与过孔周边的第二透明导电层处于同一水平面。因此在后续涂覆PI，以及进行取向层PI扩散时，不会因为过孔的上表面与周边的第二透明导电层之间的凹凸不平的原因产生扩散不均的问题。因此，本发明实施例提供的阵列基板的制作方法，减小阵列基板中的过孔上表面与过孔周边的第二透明导电层的落差，从而解决取向层PI扩散不均的问题，提高显示质量。
较佳地，对所述过孔进行填平处理，使得填平后的过孔的上表面与过孔周边的第二透明导电层处于同一水平面，包括：
利用光刻胶对所述过孔进行填平处理，使得填平后的过孔的上表面与过孔周边的第二透明导电层处于同一水平面。
通过利用光刻胶对过孔进行填平处理，方便快捷，不会增加工艺难度，比较容易实现。
较佳地，在形成第二透明导电层图案的同时，利用光刻胶对所述过孔进行填平处理，使得填平后的过孔的上表面与过孔周边的第二透明导电层处于同一水平面，包括：
形成第二透明导电层；
在所述第二透明导电层上形成光刻胶层；
采用掩膜板图形对所述光刻胶层进行曝光显影，形成光刻胶部分保留区域、光刻胶完全去除区域和光刻胶完全保留区域，其中，所述光刻胶完全去除区域与用于刻蚀掉的第二透明导电层部分相对应，所述光刻胶完全保留区域与所述过孔区域相对应；
刻蚀掉光刻胶完全去除区域所对应的第二透明导电层；
对显影后的光刻胶进行灰化工艺，将光刻胶层的光刻胶部分保留区域的光刻胶去除掉，光刻胶层的光刻胶完全保留区域的光刻胶剩余一部分，使得过孔被剩余的光刻胶填满，且与过孔周边的第二透明导电层处于同一水平面。
较佳地，所述光刻胶完全保留区域的高度大于所述光刻胶部分保留区域的高度，且所述光刻胶完全保留区域与所述光刻胶部分保留区域的高度差大于或等于所有需要贴附覆晶薄膜的过孔的孔深。
在具体实施例中，将光刻胶完全保留区域的高度大于所述光刻胶部分保留区域的高度，且所述光刻胶完全保留区域与所述光刻胶部分保留区域的高度差大于或等于所有需要贴附覆晶薄膜(COF)的过孔的孔深，从而确保了光刻胶部分保留区域的光刻胶完全去除，以及光刻胶完全保留区域的光刻胶剩余一部分。
较佳地，所述掩膜板为半色调掩膜板、灰色调掩膜板或具有狭缝的掩膜板。
较佳地，该方法还包括：
在形成用于连接第二透明导电层和栅线层的过孔、用于连接第二透明导电层和源漏电极层的过孔、以及用于连接第一透明导电层和第二透明导电层的过孔的同时，形成用于贴附覆晶薄膜的过孔；
在采用掩膜板图形对所述光刻胶层进行曝光显影，形成光刻胶部分保留区域、光刻胶完全去除区域和光刻胶完全保留区域时，所述光刻胶部分保留区域还与所述用于贴附覆晶薄膜的过孔区域相对应。
在具体实施例中，为了确保用于贴附覆晶薄膜的过孔处的光刻胶完全去除，在光刻胶灰化时，该用于贴附覆晶薄膜的过孔处的光刻胶对应于光刻胶部分保留区域。
本发明实施例提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括在衬底基板上形成用于连接第二透明导电层和栅线层的过孔、用于连接第二透明导电层和源漏电极层的过孔、以及用于连接第一透明导电层和第二透明导电层的过孔，和第二透明导电层图案，所述第二透明导电层在所述过孔处具有填充物，使得所述过孔的上表面与过孔周边的第二透明导电层处于同一水平面。
本发明实施例提供了一种显示面板，包括本发明实施例提供的阵列基板。
本发明实施例提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的阵列基板。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种阵列基板的制作方法的流程示意图；
图2为本发明实施例提供的另一种阵列基板的制作方法的流程示意图；
图3为本发明实施例提供的一种阵列基板中的过孔和光刻胶的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的第三种阵列基板的制作方法的流程示意图；
图5为本发明实施例提供的一种阵列基板的制作方法得到的结构示意图之一；
图6为本发明实施例提供的一种阵列基板的制作方法得到的结构示意图之二；
图7本发明实施例提供的一种阵列基板的制作方法得到的结构示意图之三；
图8本发明实施例提供的一种阵列基板的制作方法得到的结构示意图之四；
图9本发明实施例提供的一种阵列基板的制作方法得到的结构示意图之五；
图10本发明实施例提供的一种阵列基板的制作方法得到的结构示意图之六；
图11本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
附图中各膜层的厚度和区域的大小形状不反映阵列基板各部件的真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
本发明实施例提供了一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置，用以减小阵列基板中的过孔上表面与过孔周边的透明导电层的落差，从而解决取向层PI扩散不均的问题，提高显示质量。
实施例1
参见图1，本发明实施例提供的一种阵列基板的制作方法，该方法包括：
S101、采用构图工艺在衬底基板上形成用于连接第二透明导电层和栅线层的过孔、用于连接第二透明导电层和源漏电极层的过孔、以及用于连接第一透明导电层和第二透明导电层的过孔；
S102、在形成第二透明导电层图案的同时，对过孔进行填平处理，使得填平后的过孔的上表面与过孔周边的第二透明导电层处于同一水平面。
需要说明的是，本发明实施例中的第一透明导电层是指公共电极层，第二透明导电层是指像素电极层，其中用于连接第二透明导电层和栅线层的过孔，是指位于阵列基板中连接像素电极和栅线层的过孔，用于连接第二透明导电层和源漏电极层的过孔是指薄膜晶体管结构中源漏极与像素电极进行连接的过孔，用于连接第一透明导电层和第二透明导电层的过孔是指用于连接像素电极和公共电极线的过孔，当然，上述过孔形成后，在进行PI涂覆时均需要在上述过孔处进行涂覆，所以本发明实施例中在S101中和S102中所述的过孔均是指需要再进行PI涂覆的过孔。
在形成第二透明导电层的图案的同时，对过孔进行填平处理，即是将过孔填充有填充物，使得过孔与过孔周边的第二透明导电层处于同一水平面上，从而使得过孔的上表面与过孔周边的第二透明导电层不再有高度差，其中对过孔进行填平处理的填充物本发明实施例不做具体限定。
需要说明的是，本发明实施中在形成第二透明导电层时，将过孔进行填平处理，是为了进一步较少工艺流程，不增加额外的工艺；当然在不需要考虑工艺流程的情况下，在形成第二透明导电层后，对过孔进行填平处理，也属于本发明实施例的保护范围，无论是形成第二透明导电层的同时，或者形成第二透明导电层之后对过孔进行填平处理，均属于本发明的保护范围。
通过本发明实施例提供的阵列基板的制作方法，首先采用构图工艺在衬底基板上形成过孔，其中过孔包括需要涂覆PI的过孔，包括用于连接第二透明导电层和栅线层的过孔、用于连接第二透明导电层和源漏电极层的过孔、以及用于连接第一透明导电层和第二透明导电层的过孔；其次，在形成第二透明导电层图案的同时，对过孔进行填平处理，使得填平后的过孔的上表面与过孔周边的第二透明导电层处于同一水平面。因此在后续涂覆PI，以及进行取向层PI扩散时，不会因为过孔与周边的第二透明导电层之间的凹凸不平的原因产生扩散不均的问题。因此，本发明实施例提供的阵列基板的制作方法，减小阵列基板中的过孔的上表面与过孔周边的第二透明导电层的落差，从而解决取向层PI扩散不均的问题，提高显示质量。
较佳地，S102中对过孔进行填平处理，使得填平后的过孔的上表面与过孔周边的第二透明导电层处于同一水平面，包括：
利用光刻胶(PR)对过孔进行填平处理，使得填平后的过孔的上表面与过孔周边的第二透明导电层处于同一水平面。
需要说明的是，在进行过孔填平处理时的填充物可以为光刻胶，也可以为其他。本发明中通过利用光刻胶对过孔进行填平处理，方便快捷，不会增加工艺难度，比较容易实现。但是不仅限于利用光刻胶将过孔进行填平处理。
较佳地，参见图2，在形成第二透明导电层图案的同时，利用光刻胶对过孔进行填平处理，使得填平后的过孔的上表面与过孔周边的第二透明导电层处于同一水平面，包括：
S201、形成第二透明导电层2ITO；
需要说明的是，在形成第二透明导电层之前，先在衬底基板上依次形成第一透明导电层1ITO、栅极、公共电极线、栅极绝缘层、源漏电极层和数据线、钝化层，并在形成钝化层时形成用于连接第二透明导电层和栅线层的过孔、用于连接第二透明导电层和源漏电极层的过孔、以及用于连接第一透明导电层和第二透明导电层的过孔。其中本发明实施例中的透明导电层可以为氧化铟锡，本发明不做具体限定。
S202、在第二透明导电层2ITO上形成光刻胶层；
S203、采用掩膜板图形对光刻胶层进行曝光显影，形成光刻胶部分保留区域、光刻胶完全去除区域和光刻胶完全保留区域，其中，光刻胶完全去除区域与用于刻蚀掉的第二透明导电层部分相对应，光刻胶完全保留区域与过孔区域相对应；
需要说明的是，在形成第二透明导电层之后，在不需要第二透明导电层的区域与光刻胶完全去除区域相对应，在本发明实施例中需要进行PI涂覆的过孔所对应区域与光刻胶完全保留区域相对应，在需要第二透明导电层的区域且不属于过孔区域的区域与光刻胶部分保留区域相对应。
S204、刻蚀掉光刻胶完全去除区域所对应的第二透明导电层2ITO；
S205、对显影后的光刻胶进行灰化工艺，将光刻胶层的光刻胶部分保留区域的光刻胶去除掉，光刻胶层的光刻胶完全保留区域的光刻胶剩余一部分，使得过孔被剩余的光刻胶填满，且与过孔周边的第二透明导电层处于同一水平面。
需要说明的是，S205中过孔是指后续需要进行PI涂覆的过孔，即用于连接第二透明导电层和栅线层的过孔、用于连接第二透明导电层和源漏电极层的过孔、以及用于连接第一透明导电层和第二透明导电层的过孔。
通过利用沉积、曝光、刻蚀、灰化等工艺形成第二透明导电层的同时，将用于连接第二透明导电层和栅线层的过孔、用于连接第二透明导电层和源漏电极层的过孔、以及用于连接第一透明导电层和第二透明导电层的过孔利用光刻胶进行填平处理，从而使得过孔的上表面与过孔周边的第二透明导电层处于同一水平面，且未增加工艺流程，简化了工艺，并达到了提高显示质量的目的。
较佳地，光刻胶完全保留区域的高度大于光刻胶部分保留区域的高度，且光刻胶完全保留区域与光刻胶部分保留区域的高度差大于或等于所有需要贴附覆晶薄膜(ChipOn Film，COF)的过孔的孔深。
在一次灰化过程中，灰化掉的光刻胶的厚度相同，为了在对光刻胶进行灰化时，保证光刻胶部分保留区域的光刻胶完全去除，以及光刻胶完全保留区域的光刻胶剩余一部分，在具体实施例中，将光刻胶完全保留区域的高度设置为大于光刻胶部分保留区域的高度，且光刻胶完全保留区域与光刻胶部分保留区域的高度差大于或等于所有需要贴附覆晶薄膜的过孔的孔深。
需要说明的是，所有需要贴附覆晶薄膜的过孔，是指需要后续与COF进行连接的过孔，例如位于显示面板边缘的数据线上的过孔等。光刻胶完全保留区域与光刻胶部分保留区域的高度差大于或等于所有需要贴附覆晶薄膜的过孔的孔深，是指光刻胶完全保留区域与光刻胶部分保留区域的高度差至少要大于或等于需要贴附覆晶薄膜的所有过孔中过孔深度最大的过孔的孔深。
在具体实施例中，参见图3所示，在过孔11、过孔12、和过孔13上的光刻胶的厚度为T1，过孔14上的光刻胶的厚度为T2，过孔11的孔深为T3。在本实施例中，过孔11、过孔12和过孔13是需要涂覆PI的过孔，过孔14是用于贴附覆晶薄膜(COF)的过孔，即不需要再进行涂覆PI胶，过孔14的孔深为T4，图3中没有画出别的需要贴附覆晶薄膜的过孔，假设过孔14的孔深在需要贴附覆晶薄膜的过孔中孔深最大。因此，图中过孔11、过孔12、和过孔13需要利用光刻胶进行填平处理。图3中，在同一水平面上，光刻胶厚度为T1的光刻胶对应于光刻胶完全保留区域，光刻胶厚度为T2的光刻胶对应于光刻胶部分保留区域。为了保证过孔11、过孔12、和过孔13中的光刻胶保留，在灰化时，需要灰化掉的厚度为T1厚度的光刻胶，同时光刻胶部分保留区域中T2厚度的光刻胶完全去除。为了保证贴附覆晶薄膜的过孔14中的光刻胶完全灰化掉，需要灰化掉的厚度为T2+T4，也就是说，TI≥(T2+T4)，即T1-T2≥T4。因此，为了保证过孔14中光刻胶完全被灰化，需要使得光刻胶完全保留区域与光刻胶部分保留区域的高度差(T1-T2)至少要大于或等于需要贴附覆晶薄膜的所有过孔中过孔深度最大的过孔的孔深T4。
在另一实施例中，用于连接栅线和第二透明导电层的过孔11的孔深在需要涂覆PI的过孔孔深最大，且需要贴附COF的过孔14的孔深T4小于需要涂覆PI过孔11的孔深T3。因此，为了进一步保证过孔14中的光刻胶完全去除，也可以利用TI≥T2+T3，即TI-T2≥T3。即需要使得光刻胶完全保留区域与光刻胶部分保留区域的高度差(T1-T2)至少要大于或等于需要涂覆PI的所有过孔中过孔深度最大的过孔的孔深T3。
需要说明的是，本发明实施例，仅是以用于连接第二透明导电层和栅线层的过孔在需要涂覆PI的过孔中的孔深最大为例，以及以需要贴附COF的过孔中过孔14的孔深最大为例进行详细描述了灰化时的注意事项，完成本发明中将过孔进行填平的目的，当然，其他任何过孔的孔深为最大时，只要满足相应的大小关系也能完成本发明中将过孔进行填平的目的，本发明不做具体限定。
较佳地，掩膜板为半色调掩膜板、灰色调掩膜板或具有狭缝的掩膜板。
本发明实施例中利用掩膜板图形对光刻胶进行曝光显影，为了保证将光刻胶层形成光刻胶完全去除区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶完全保留区域，所以掩膜板一般为半色调掩膜板、灰色调掩膜板或具有狭缝的掩膜板。
较佳地，该方法还包括：
在形成用于连接第二透明导电层和栅线层的过孔、用于连接第二透明导电层和源漏电极层的过孔、以及用于连接第一透明导电层和第二透明导电层的过孔的同时，形成用于贴附覆晶薄膜(COF)的过孔；
在采用掩膜板图形对所述光刻胶层进行曝光显影，形成光刻胶部分保留区域、光刻胶完全去除区域和光刻胶完全保留区域时，所述光刻胶部分保留区域还与所述用于贴附覆晶薄膜(COF)的过孔区域相对应。
需要说明的是，在具体实施例中，在形成用于连接第二透明导电层和栅线层的过孔、用于连接第二透明导电层和源漏电极层的过孔、以及用于连接第一透明导电层和第二透明导电层的过孔时，在阵列基板中还包括一些过孔，但是这些过孔是用于贴附COF和阵列基板的过孔，例如，用于连接数据线和COF的过孔等其他过孔。因此，为了防止需要贴附COF的过孔也被填平处理，需要将该过孔处的光刻胶灰化掉。在具体实施例中，为了确保用于贴附覆晶薄膜的过孔处的光刻胶完全去除，在光刻胶灰化时，该用于贴附覆晶薄膜的过孔处的光刻胶对应于光刻胶部分保留区域。
综上所述，本发明实施例提供的阵列基板的制作方法，首先在衬底基板上形成过孔，且该过孔包括后续需要涂覆PI的过孔和需要贴附COF的过孔，然后形成第二透明导电层的图案时，将后续需要涂覆PI的过孔利用光刻胶进行填平处理，且使得填平后的过孔的上表面与该过孔周边的第二透明导电层处于同一水平面。具体地，为了防止需要贴附COF的过孔被填平处理，因此在对光刻胶进行灰化时，需要将该需要贴附COF的过孔处的光刻胶完全去除，因此在形成光刻胶层时，采用掩膜板图形对光刻胶层进行曝光显影，形成光刻胶部分保留区域、光刻胶完全去除区域和光刻胶完全保留区域，其中，光刻胶部分保留区域与需要贴附COF的过孔区域相对应，光刻胶完全去除区域与需要刻蚀掉的第二透明导电层部分相对应，光刻胶完全保留区域与需要涂覆PI的过孔区域相对应，且光刻胶完全保留区域的高度大于光刻胶部分保留区域的高度，光刻胶完全保留区域与光刻胶部分保留区域的高度差大于或等于所有需要贴附覆晶薄膜的过孔的孔深。从而使得只有后续需要涂覆PI的过孔被光刻胶填平，当在该阵列基板上进行取向层PI扩散时，不会因为过孔与过孔周边的第二透明导电层的落差的凹凸不平而产生扩散不均的问题，且影响显示质量。总之，本发明实施例提供的阵列基板的制作方法，减小阵列基板中的过孔的上表面与过孔周边的第二透明导电层的落差，从而解决取向层PI扩散不均的问题，提高显示质量。
下面通过附图详细说明阵列基板的制作方法，参见图4，该方法包括：
S301、参见图5，在衬底基板10上通过沉积、曝光、刻蚀等工艺形成第一透明导电层30、栅极31、栅绝缘层32、有源层33、源漏电极34以及钝化层35，同时在形成栅极的同时，形成栅线层36、公共电极线37，在形成源漏极的同时形成数据线38，同时形成栅线层处的第一过孔11、公共电极线处的第二过孔12、源漏极处的第三过孔13、数据线处的第四过孔14。
S302、参见图6，在图5的基础上沉积第二透明导电层39；
S303、参见图7，在图6的基础上形成光刻胶层310；
S304、参见图8，采用掩膜板图形对光刻胶层310进行曝光显影，形成光刻胶部分保留区域3101、光刻胶完全去除区域3102和光刻胶完全保留区域3103，其中，光刻胶完全去除区域3102与需要刻蚀掉的第二透明导电层部分相对应，光刻胶完全保留区域3103与第一过孔11、第二过孔12和第三过孔13的过孔区域相对应，光刻胶部分保留区域3101与第四过孔14和过孔周边的第二透明导电层相对应。其中，光刻胶完全保留区域3103的高度T1大于光刻胶部分保留区域3101的高度T2，且光刻胶完全保留区域3103与光刻胶部分保留区域3101的高度差(T1-T2)大于或等于第四过孔11的孔深T3。
S305、参见图9，刻蚀掉光刻胶完全去除区域3102所对应的第二透明导电层2ITO，从而形成第二透明导电层的图案。
S306、对显影后的光刻胶进行灰化工艺，将光刻胶层的光刻胶部分保留区域3101的光刻胶去除掉，光刻胶层的光刻胶完全保留区域3103的光刻胶剩余一部分，使得第一过孔11、第二过孔12和第三过孔13的过孔区域被剩余的光刻胶填满，且与过孔周边的第二透明导电层处于同一水平面，且第四过孔14中的光刻胶完全被去除，参见图10。
需要说明的是，该实施例仅以利用光刻胶进行填充过孔为较佳实施例进行举例说明阵列基板的制作过程，当然利用其他填充物，将过孔进行填平的方法也属于本发明的保护范围。
参见图11，本发明实施例提供的一种阵列基板，该阵列基板包括在衬底基板10上形成用于连接第二透明导电层39和栅线层36的过孔11、用于连接第二透明导电层39和源漏电极34的过孔13、以及用于连接第一透明导电层30和第二透明导电层39的过孔12，和第二透明导电层39图案，其中，第二透明导电层在过孔11、过孔12、和过孔13处具有填充物101，使得过孔11、过孔12、和过孔13的上表面与该过孔周边的第二透明导电层39处于同一水平面。
需要说明的是，本发明实施例中的填充物可以为光刻胶或者其他，本发明实施例不做具体限定。
本发明实施例提供的阵列基板，在连接第二透明导电层和栅线层的过孔处、连接第二透明导电层和源漏电极层的过孔处、以及连接第一透明导电层和第二透明导电层的过孔处具有填充物，且使得该过孔的上表面与该过孔周边的第二透明导电层处于同一水平面上，从而使得该阵列基板在进行取向层PI扩散时，不会因为过孔的凹凸不平产生扩散不均的问题，影响画面的显示质量。因此，本发明实施例提供的阵列基板，可以提高显示画面的显示质量。
本发明实施例提供的一种显示面板，包括本发明实施例提供的阵列基板。
本发明实施例提供的一种显示装置，包括本发明实施例提供的阵列基板。
通过本发明实施例提供的阵列基板的制作方法，首先采用构图工艺在衬底基板上形成过孔，其中过孔包括需要涂覆PI的过孔，包括用于连接第二透明导电层和栅线层的过孔、用于连接第二透明导电层和源漏电极层的过孔、以及用于连接第一透明导电层和第二透明导电层的过孔；其次，在形成第二透明导电层图案的同时，对过孔进行填平处理，使得填平后的过孔的上表面与过孔周边的第二透明导电层处于同一水平面。因此在后续涂覆PI，以及进行取向层PI扩散时，不会因为过孔与周边的第二透明导电层之间的凹凸不平的原因产生扩散不均的问题。因此，本发明实施例提供的阵列基板的制作方法，减小阵列基板中的过孔的上表面与过孔周边的第二透明导电层的落差，从而解决取向层PI扩散不均的问题，提高显示质量。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (8)

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，该方法包括：
采用构图工艺在衬底基板上形成用于连接第二透明导电层和栅线层的过孔、用于连接第二透明导电层和源漏电极层的过孔、以及用于连接第一透明导电层和第二透明导电层的过孔；
在形成第二透明导电层图案的同时，对所述过孔进行填平处理，使得填平后的过孔的上表面与过孔周边的第二透明导电层处于同一水平面；
其中，对所述过孔进行填平处理，使得填平后的过孔的上表面与过孔周边的第二透明导电层处于同一水平面，包括：
利用光刻胶对所述过孔进行填平处理，使得填平后的过孔的上表面与过孔周边的第二透明导电层处于同一水平面。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成第二透明导电层图案的同时，利用光刻胶对所述过孔进行填平处理，使得填平后的过孔的上表面与过孔周边的第二透明导电层处于同一水平面，包括：
形成第二透明导电层；
在所述第二透明导电层上形成光刻胶层；
采用掩膜板图形对所述光刻胶层进行曝光显影，形成光刻胶部分保留区域、光刻胶完全去除区域和光刻胶完全保留区域，其中，所述光刻胶完全去除区域与用于刻蚀掉的第二透明导电层部分相对应，所述光刻胶完全保留区域与所述过孔区域相对应；
刻蚀掉光刻胶完全去除区域所对应的第二透明导电层；
对显影后的光刻胶进行灰化工艺，将光刻胶层的光刻胶部分保留区域的光刻胶去除掉，光刻胶层的光刻胶完全保留区域的光刻胶剩余一部分，使得过孔被剩余的光刻胶填满，且与过孔周边的第二透明导电层处于同一水平面。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述光刻胶完全保留区域的高度大于所述光刻胶部分保留区域的高度，且所述光刻胶完全保留区域与所述光刻胶部分保留区域的高度差大于或等于所有需要贴附覆晶薄膜的过孔的孔深。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述掩膜板为半色调掩膜板、灰色调掩膜板或具有狭缝的掩膜板。
5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，该方法还包括：
在形成用于连接第二透明导电层和栅线层的过孔、用于连接第二透明导电层和源漏电极层的过孔、以及用于连接第一透明导电层和第二透明导电层的过孔的同时，形成用于贴附覆晶薄膜的过孔；
在采用掩膜板图形对所述光刻胶层进行曝光显影，形成光刻胶部分保留区域、光刻胶完全去除区域和光刻胶完全保留区域时，所述光刻胶部分保留区域还与所述用于贴附覆晶薄膜的过孔区域相对应。
6.一种阵列基板，采用如权利要求权利1～5任一所述的方法制成，所述阵列基板包括在衬底基板上形成用于连接第二透明导电层和栅线层的过孔、用于连接第二透明导电层和源漏电极层的过孔、以及用于连接第一透明导电层和第二透明导电层的过孔，和第二透明导电层图案，其特征在于，所述第二透明导电层在所述过孔处具有填充物，使得所述过孔的上表面与过孔周边的第二透明导电层处于同一水平面。
7.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求6所述的阵列基板。
8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求7所述的显示面板。
CN201510713642.0A 2015-10-28 2015-10-28 阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置 Active CN105304649B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510713642.0A CN105304649B (zh) 2015-10-28 2015-10-28 阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置
US15/505,376 US9958747B2 (en) 2015-10-28 2016-08-29 Array substrate and manufacturing method thereof, display panel and display device
PCT/CN2016/097180 WO2017071397A1 (zh) 2015-10-28 2016-08-29 阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510713642.0A CN105304649B (zh) 2015-10-28 2015-10-28 阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105304649A CN105304649A (zh) 2016-02-03
CN105304649B true CN105304649B (zh) 2019-01-18

Family

ID=55201687

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510713642.0A Active CN105304649B (zh) 2015-10-28 2015-10-28 阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9958747B2 (zh)
CN (1) CN105304649B (zh)
WO (1) WO2017071397A1 (zh)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105304649B (zh) * 2015-10-28 2019-01-18 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置
CN105629617A (zh) * 2016-04-01 2016-06-01 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及显示装置
CN106206432A (zh) * 2016-08-16 2016-12-07 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、阵列基板的制造方法及显示装置
CN106783747A (zh) * 2017-01-03 2017-05-31 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置
CN106681069A (zh) * 2017-01-03 2017-05-17 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置
CN106941094A (zh) * 2017-05-19 2017-07-11 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板
CN107680975B (zh) * 2017-09-25 2020-11-20 京东方科技集团股份有限公司 显示面板的制造方法、显示面板和显示装置
CN109559643A (zh) * 2017-09-26 2019-04-02 上海和辉光电有限公司 一种显示面板
CN107644880B (zh) * 2017-10-19 2020-04-14 京东方科技集团股份有限公司 氧化物薄膜晶体管显示基板及其制作方法、显示装置
CN108279521B (zh) * 2018-03-30 2020-12-29 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示面板
CN110061058A (zh) * 2018-04-17 2019-07-26 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置
CN108598039B (zh) * 2018-04-28 2020-11-24 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
CN110941123A (zh) * 2019-11-07 2020-03-31 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Coa型阵列基板及其制造方法
CN111223879B (zh) * 2020-02-28 2022-10-18 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制造方法、显示装置
CN114415432B (zh) 2021-12-17 2022-12-27 惠科股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板
CN114420068B (zh) * 2022-01-29 2023-08-08 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002341382A (ja) * 2001-05-21 2002-11-27 Sharp Corp 液晶用マトリクス基板およびその製造方法
CN102650786A (zh) * 2012-04-27 2012-08-29 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法和显示装置
CN103715138A (zh) * 2013-12-31 2014-04-09 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制造方法、显示装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6204081B1 (en) * 1999-05-20 2001-03-20 Lg Lcd, Inc. Method for manufacturing a substrate of a liquid crystal display device
KR100299537B1 (ko) * 1999-08-31 2001-11-01 남상희 엑스-선 검출용 박막트랜지스터 기판 제조방법
KR100382955B1 (ko) 2000-10-10 2003-05-09 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
CN104049393A (zh) * 2014-06-12 2014-09-17 深圳市华星光电技术有限公司 一种覆晶薄膜基板及其制作方法和显示面板
CN105304649B (zh) * 2015-10-28 2019-01-18 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002341382A (ja) * 2001-05-21 2002-11-27 Sharp Corp 液晶用マトリクス基板およびその製造方法
CN102650786A (zh) * 2012-04-27 2012-08-29 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法和显示装置
CN103715138A (zh) * 2013-12-31 2014-04-09 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制造方法、显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2017071397A1 (zh) 2017-05-04
CN105304649A (zh) 2016-02-03
US9958747B2 (en) 2018-05-01
US20170269445A1 (en) 2017-09-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105304649B (zh) 阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置
CN104330915B (zh) 一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置
CN103293811B (zh) 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
US9709864B2 (en) Array substrate and its manufacturing method and display device
CN106024809B (zh) 一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置
CN104503165B (zh) 一种显示面板及显示装置
CN103021940B (zh) 阵列基板及其制造方法、显示装置
CN105932025B (zh) 一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置
CN105068373A (zh) Tft基板结构的制作方法
CN104020604B (zh) 一种双面透明显示装置
CN104733456B (zh) 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
CN105552024B (zh) 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN103151359A (zh) 一种显示装置、阵列基板及其制作方法
CN106842682A (zh) 光学膜材及其制备方法、显示基板、显示装置
CN104319274B (zh) 阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置
CN108594550A (zh) 阵列基板及其制作方法
CN102723308B (zh) 一种阵列基板及其制作方法和显示装置
CN103824865A (zh) 一种阵列基板及其制备方法和显示装置
CN103424925B (zh) 一种阵列基板及其制造方法、显示装置
CN204302626U (zh) 一种阵列基板及显示装置
CN105977267B (zh) 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN106684095A (zh) 阵列基板及其制备方法、显示装置
CN105118834B (zh) 阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置
CN104617049B (zh) 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
CN201489270U (zh) 制造液晶显示面板用掩模板

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant