CN108598039B - 显示基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种显示基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。显示基板的制作方法，包括：对所述显示基板表面的过孔进行填充。本发明的技术方案能够使得显示基板上的过孔平整化，这样可以避免在过孔内残留灰尘杂质，降低显示基板外围电路转接处发生腐蚀的风险。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是指一种显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
现有显示基板的外围电路中，不同层的导电图形以过孔形式进行连接，在显示基板后段制程中过孔内会累积灰尘杂质，该灰尘杂质通过擦拭和清洗无法彻底去除。同时在像素电极刻蚀后难免有酸残留在过孔内，该灰尘杂质与酸、显示基板的金属层(为栅金属层或者源漏金属层)之间形成原电池，造成电化学腐蚀，将影响到显示基板的品质。此时，金属层为阳极，灰尘杂质为阴极，酸残留的氢离子为电解质。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种显示基板及其制作方法、显示装置，能够使得显示基板上的过孔平整化，这样可以避免在过孔内残留灰尘杂质，降低显示基板外围电路转接处发生腐蚀的风险。
为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：
一方面，提供一种显示基板的制作方法，包括：
对所述显示基板表面的过孔进行填充。
进一步地，所述对所述显示基板表面的过孔进行填充包括：
在所述显示基板表面形成绝缘层，去除所述绝缘层位于所述过孔外的部分，形成位于所述过孔内的绝缘图形。
进一步地，所述绝缘层的厚度不大于所述过孔的最大深度。
进一步地，所述绝缘层的厚度等于所述过孔的最大深度。
进一步地，所述制作方法包括：
形成包括有过孔的钝化层的图形；
在所述钝化层的图形上形成透明导电层；
在所述透明导电层上形成所述绝缘层；
通过一次构图工艺形成所述透明导电层的图形和所述绝缘图形。
进一步地，所述显示基板包括过孔区和显示区，所述钝化层的图形包括位于所述过孔区的第一过孔，所述制作方法具体包括：
在包括所述第一过孔的所述钝化层上形成所述透明导电层；
在所述透明导电层上形成所述绝缘层；
在所述绝缘层上形成光刻胶层；
采用掩模板对所述光刻胶层进行曝光，显影后形成光刻胶去除区域和光刻胶部分保留区域和光刻胶完全保留区域，所述光刻胶完全保留区域对应所述第一过孔，所述光刻胶去除区域对应所述显示区的所述透明导电层的待去除部分，所述光刻胶部分保留区域为除所述光刻胶去除区域和所述光刻胶完全保留区域之外的区域；
对光刻胶去除区域的所述绝缘层和所述透明导电层进行刻蚀；
灰化掉光刻胶部分保留区域的光刻胶；
刻蚀掉光刻胶部分保留区域的所述绝缘层；
剥离光刻胶完全保留区域的光刻胶，形成位于所述第一过孔内的绝缘图形和透明导电层的图形。
进一步地，所述显示基板包括过孔区和显示区，所述钝化层包括位于所述过孔区的第二过孔和第三过孔，所述第二过孔的深度小于所述第三过孔的深度，所述制作方法具体包括：
在包括所述第二过孔和所述第三过孔的所述钝化层上形成所述透明导电层；
在所述透明导电层上形成所述绝缘层；
在所述绝缘层上形成光刻胶层；
采用掩模板对所述光刻胶层进行曝光，显影后形成光刻胶去除区域和第一光刻胶部分保留区域、第二光刻胶部分保留区域和光刻胶完全保留区域，所述第二光刻胶部分保留区域的光刻胶厚度大于所述第一光刻胶部分保留区域的光刻胶厚度，所述第二光刻胶部分保留区域对应所述第二过孔，所述光刻胶完全保留区域对应所述第三过孔，所述光刻胶去除区域对应所述显示区的所述透明导电层的待去除部分，所述第一光刻胶部分保留区域为除所述光刻胶完全保留区域、所述第二光刻胶部分保留区域和所述光刻胶去除区域之外的区域；
对光刻胶去除区域的所述绝缘层进行不完全刻蚀；
灰化掉第一光刻胶部分保留区域的光刻胶；
对未被光刻胶覆盖的所述绝缘层进行不完全刻蚀；
灰化掉第二光刻胶部分保留区域的光刻胶；
刻蚀掉第一光刻胶部分保留区域和第二光刻胶部分保留区域的所述绝缘层，刻蚀掉光刻胶去除区域的所述透明导电层；
剥离光刻胶完全保留区域的光刻胶，形成位于所述第二过孔和所述第三过孔内的绝缘图形以及所述透明导电层的图形。
本发明实施例还提供了一种显示基板，采用如上所述的制作方法制作得到。
进一步地，所述显示基板表面的过孔的深度不大于预设阈值。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的显示基板。
本发明的实施例具有以下有益效果：
上述方案中，对显示基板表面的过孔进行填充，能够避免显示基板表面出现较深的过孔，从而避免过孔内累积灰尘杂质，或者即使过孔内累积有灰尘杂质，也能通过擦拭和清洗去除过孔内的灰尘杂质，进而避免发生电化学腐蚀，降低显示基板外围电路转接处发生腐蚀的风险，提高显示基板的品质。
附图说明
图1A-图10B为本发明实施例显示基板的制作流程示意图；
图11为现有技术显示基板的结构示意图；
图12A–图19B为本发明另一实施例显示基板的制作流程示意图。
附图标记
1 栅金属层
2 栅绝缘层
3 源漏金属层
4 钝化层
5 透明导电层
6 绝缘层
7 光刻胶层
8 掩模板
81 第一部分透光图形
82 第二部分透光图形
83 不透光图形
84 透光图形
85 部分透光图形
具体实施方式
为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
本发明的实施例针对现有技术中过孔内累积的灰尘杂质将影响到显示基板的品质的问题，提供一种显示基板及其制作方法、显示装置，能够使得显示基板上的过孔平整化，这样可以避免在过孔内残留灰尘杂质，降低显示基板外围电路转接处发生腐蚀的风险。
本发明实施例提供了一种显示基板的制作方法，包括：
对所述显示基板表面的过孔进行填充。
本实施例中，对显示基板表面的过孔进行填充，能够避免显示基板表面出现较深的过孔，从而避免过孔内累积灰尘杂质，或者即使过孔内累积有灰尘杂质，也能通过擦拭和清洗去除过孔内的灰尘杂质，进而避免发生电化学腐蚀，降低显示基板外围电路转接处发生腐蚀的风险，提高显示基板的品质。
进一步地，所述对所述显示基板表面的过孔进行填充包括：
在所述显示基板表面形成绝缘层，去除所述绝缘层位于所述过孔外的部分，形成位于所述过孔内的绝缘图形，由于不能对显示基板的显示造成影响，因此，需要采用绝缘材料来填充过孔。
进一步地，所述绝缘层的厚度不大于所述过孔的最大深度，即位于过孔内的绝缘图形不会突出于过孔，这样可以降低过孔的深度，即使过孔内累积有灰尘杂质，也能通过擦拭和清洗去除过孔内的灰尘杂质，进而避免发生电化学腐蚀，降低显示基板外围电路转接处发生腐蚀的风险，提高显示基板的品质。
优选地，所述绝缘层的厚度等于所述过孔的最大深度，即过孔内的绝缘图形与过孔周边的膜层保持齐平，这样可以避免显示基板表面存在过孔，即使显示基板表面累积有灰尘杂质，也能通过擦拭和清洗去除显示基板表面的灰尘杂质，进而避免发生电化学腐蚀，降低显示基板外围电路转接处发生腐蚀的风险，提高显示基板的品质。
具体实施例中，显示基板表面为钝化层和位于钝化层上的透明导电层的图形，所述制作方法包括：
形成包括有过孔的钝化层的图形；
在所述钝化层的图形上形成透明导电层；
在所述透明导电层上形成所述绝缘层；
通过一次构图工艺形成所述透明导电层的图形和所述绝缘图形，这样能够在不增加构图工艺次数的前提下对过孔进行填充，不会增加显示基板的生产成本。
一具体实施例中，所述显示基板包括过孔区和显示区，所述钝化层的图形仅包括一种深度的位于过孔区的第一过孔，所述制作方法具体包括：
在包括所述第一过孔的所述钝化层上形成所述透明导电层；
在所述透明导电层上形成所述绝缘层；
在所述绝缘层上形成光刻胶层；
采用掩模板对所述光刻胶层进行曝光，显影后形成光刻胶去除区域和光刻胶部分保留区域和光刻胶完全保留区域，所述光刻胶完全保留区域对应所述第一过孔，所述光刻胶去除区域对应所述显示区的所述透明导电层的待去除部分，所述光刻胶部分保留区域为除所述光刻胶去除区域和所述光刻胶完全保留区域之外的区域；
对光刻胶去除区域的所述绝缘层和所述透明导电层进行刻蚀；
灰化掉光刻胶部分保留区域的光刻胶；
刻蚀掉光刻胶部分保留区域的所述绝缘层；
剥离光刻胶完全保留区域的光刻胶，形成位于所述第一过孔内的绝缘图形和透明导电层的图形。
另一具体实施例中，所述显示基板包括过孔区和显示区，所述钝化层包括不同深度的位于所述过孔区的第二过孔和第三过孔，所述第二过孔的深度小于所述第三过孔的深度，所述制作方法具体包括：
在包括所述第二过孔和所述第三过孔的所述钝化层上形成所述透明导电层；
在所述透明导电层上形成所述绝缘层；
在所述绝缘层上形成光刻胶层；
采用掩模板对所述光刻胶层进行曝光，显影后形成光刻胶去除区域和第一光刻胶部分保留区域、第二光刻胶部分保留区域和光刻胶完全保留区域，所述第二光刻胶部分保留区域的光刻胶厚度大于所述第一光刻胶部分保留区域的光刻胶厚度，所述第二光刻胶部分保留区域对应所述第二过孔，所述光刻胶完全保留区域对应所述第三过孔，所述光刻胶去除区域对应所述显示区的所述透明导电层的待去除部分，所述第一光刻胶部分保留区域为除所述光刻胶完全保留区域、所述第二光刻胶部分保留区域和所述光刻胶去除区域之外的区域；
对光刻胶去除区域的所述绝缘层进行不完全刻蚀；
灰化掉第一光刻胶部分保留区域的光刻胶；
对未被光刻胶覆盖的所述绝缘层进行不完全刻蚀；
灰化掉第二光刻胶部分保留区域的光刻胶；
刻蚀掉第一光刻胶部分保留区域和第二光刻胶部分保留区域的所述绝缘层，刻蚀掉光刻胶去除区域的所述透明导电层；
剥离光刻胶完全保留区域的光刻胶，形成位于所述第二过孔和所述第三过孔内的绝缘图形以及所述透明导电层的图形。
下面结合附图以及具体的实施例对本发明的显示基板的制作方法进行详细介绍，本实施例的显示基板的制作方法具体包括以下步骤：
步骤1、如图1A和图1B所示，在钝化层4上形成透明导电层5，在透明导电层5上形成绝缘层6；
其中，图1A为显示基板的过孔区的截面示意图，图1B为显示基板的显示区的截面示意图；在形成透明导电层5之前，显示基板上已经形成有栅金属层1、栅绝缘层2、源漏金属层3和钝化层4，钝化层4包括有较深的过孔和较浅的过孔，覆盖在钝化层4上的透明导电层5的厚度比较薄，落在钝化层4的图形上后也形成较深的过孔和较浅的过孔。
透明导电层5可以采用ITO、IZO或者其他的透明金属氧化物，绝缘层6可以选用氧化物、氮化物或者氧氮化合物，还可以选用有机树脂。
步骤2、如图2A和图2B所示，在绝缘层6上形成光刻胶层7；
其中，图2A为显示基板的过孔区的截面示意图，图2B为显示基板的显示区的截面示意图。
步骤3、如图3A和图3B所示，采用掩模板8对光刻胶层7进行曝光；
其中，图3A为显示基板的过孔区的截面示意图，图3B为显示基板的显示区的截面示意图。掩模板8包括第一部分透光图形81、第二部分透光图形82、不透光图形83和透光图形84，其中，第一部分透光图形81的透光率高于第二部分透光图形82的透光率。
步骤4、如图4A和图4B所示，显影后形成光刻胶去除区域和第一光刻胶部分保留区域、第二光刻胶部分保留区域和光刻胶完全保留区域；
其中，图4A为显示基板的过孔区的截面示意图，图4B为显示基板的显示区的截面示意图。显影后形成光刻胶去除区域和第一光刻胶部分保留区域、第二光刻胶部分保留区域和光刻胶完全保留区域，所述第二光刻胶部分保留区域的光刻胶厚度大于所述第一光刻胶部分保留区域的光刻胶厚度，所述第二光刻胶部分保留区域对应较浅的过孔，所述光刻胶完全保留区域对应较深的过孔，所述光刻胶去除区域对应显示区的透明导电层5的待去除部分；
步骤5、如图5A和图5B所示，对光刻胶去除区域的绝缘层6进行不完全刻蚀；
其中，图5A为显示基板的过孔区的截面示意图，图5B为显示基板的显示区的截面示意图。
步骤6、如图6A和图6B所示，灰化掉第一光刻胶部分保留区域的光刻胶；
其中，图6A为显示基板的过孔区的截面示意图，图6B为显示基板的显示区的截面示意图，绝缘层6表面的光刻胶均被去除，仅保留较深的过孔和较浅的过孔处的光刻胶。
步骤7、如图7A和图7B所示，对未被光刻胶覆盖的绝缘层6进行不完全刻蚀；
其中，图7A为显示基板的过孔区的截面示意图，图7B为显示基板的显示区的截面示意图。不完全刻蚀后，较深的过孔和较浅的过孔处的光刻胶突出于剩余的绝缘层6表面。
步骤8、如图8A和图8B所示，灰化掉第二光刻胶部分保留区域的光刻胶层7；
其中，图8A为显示基板的过孔区的截面示意图，图8B为显示基板的显示区的截面示意图。灰化后仅保留较深的过孔处的光刻胶。
步骤9、如图9A和图9B所示，刻蚀掉第一光刻胶部分保留区域和第二光刻胶部分保留区域的绝缘层6，刻蚀掉光刻胶去除区域的透明导电层5；
其中，图9A为显示基板的过孔区的截面示意图，图9B为显示基板的显示区的截面示意图。经过步骤8，第一光刻胶部分保留区域和第二光刻胶部分保留区域的光刻胶均被去除，第一光刻胶部分保留区域和第二光刻胶部分保留区域的绝缘层6表面无光刻胶覆盖，刻蚀掉第一光刻胶部分保留区域和第二光刻胶部分保留区域的绝缘层6，同时刻蚀掉光刻胶去除区域的透明导电层5。
步骤10、如图10A和图10B所示，剥离光刻胶完全保留区域的光刻胶，形成位于过孔内的绝缘层6以及透明导电层5的图形。
其中，图10A为显示基板的过孔区的截面示意图，图10B为显示基板的显示区的截面示意图。剥离较深的过孔处的光刻胶后，可以看出，在较深的过孔和较浅的过孔内均填充有绝缘层6，能够使得显示基板的表面平整，同时透明导电层5的图形也在本次构图工艺中形成，这样能够在不增加构图工艺次数的前提下对过孔进行填充，不会增加显示基板的生产成本。
通过上述步骤1-10即可得到本实施例的显示基板，显示基板表面的过孔内的绝缘层6与过孔周边的膜层保持齐平，这样可以避免显示基板表面存在过孔，即使显示基板表面累积有灰尘杂质，也能通过擦拭和清洗去除显示基板表面的灰尘杂质，进而避免发生电化学腐蚀，降低显示基板外围电路转接处发生腐蚀的风险，提高显示基板的品质。
如图11所示，现有另外一种显示基板的表面仅有一种深度的过孔，通过本实施例的技术方案也可以对该种显示基板表面的过孔进行填充，具体地，显示基板的制作方法包括以下步骤：
步骤1、如图12A和图12B所示，在钝化层4上形成透明导电层5，在透明导电层5上形成绝缘层6；
其中，图12A为显示基板的过孔区的截面示意图，图12B为显示基板的显示区的截面示意图；在形成透明导电层5之前，显示基板上已经形成有栅金属层1、栅绝缘层2、源漏金属层3和钝化层4，在过孔区，钝化层4包括有一种深度的过孔。
透明导电层5可以采用ITO、IZO或者其他的透明金属氧化物，绝缘层6可以选用氧化物、氮化物或者氧氮化合物，还可以选用有机树脂。
步骤2、如图13A和图13B所示，在绝缘层6上形成光刻胶层7；
其中，图13A为显示基板的过孔区的截面示意图，图13B为显示基板的显示区的截面示意图。
步骤3、如图14A和图14B所示，采用掩模板8对光刻胶层7进行曝光；
其中，图14A为显示基板的过孔区的截面示意图，图14B为显示基板的显示区的截面示意图。掩模板8包括部分透光图形85、不透光图形83和透光图形84。
步骤4、如图15A和图15B所示，显影后形成光刻胶去除区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶完全保留区域；
其中，图15A为显示基板的过孔区的截面示意图，图15B为显示基板的显示区的截面示意图。显影后形成光刻胶去除区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶完全保留区域，所述光刻胶完全保留区域对应过孔，所述光刻胶去除区域对应显示区的透明导电层5的待去除部分；
步骤5、如图16A和图16B所示，对光刻胶去除区域的绝缘层6和透明导电层5进行刻蚀；
其中，图16A为显示基板的过孔区的截面示意图，图16B为显示基板的显示区的截面示意图。
步骤6、如图17A和图17B所示，灰化掉光刻胶部分保留区域的光刻胶；
其中，图17A为显示基板的过孔区的截面示意图，图17B为显示基板的显示区的截面示意图，绝缘层6表面的光刻胶均被去除，仅保留过孔处的光刻胶。
步骤7、如图18A和图18B所示，对未被光刻胶覆盖的绝缘层6进行刻蚀；
其中，图18A为显示基板的过孔区的截面示意图，图18B为显示基板的显示区的截面示意图。刻蚀后，过孔处的光刻胶突出于显示基板表面。
步骤8、如图19A和图19B所示，灰化掉剩余的光刻胶层，形成位于过孔内的绝缘层6以及透明导电层5的图形。
其中，图19A为显示基板的过孔区的截面示意图，图19B为显示基板的显示区的截面示意图。可以看出，在过孔内填充有绝缘层6，能够使得显示基板的表面平整，同时透明导电层5的图形也在本次构图工艺中形成，这样能够在不增加构图工艺次数的前提下对过孔进行填充，不会增加显示基板的生产成本。
通过上述步骤1-8即可得到本实施例的显示基板，显示基板表面的过孔内的绝缘层6与过孔周边的膜层保持齐平，这样可以避免显示基板表面存在过孔，即使显示基板表面累积有灰尘杂质，也能通过擦拭和清洗去除显示基板表面的灰尘杂质，进而避免发生电化学腐蚀，降低显示基板外围电路转接处发生腐蚀的风险，提高显示基板的品质。
本发明实施例还提供了一种显示基板，采用如上所述的制作方法制作得到。
本实施例中，对显示基板表面的过孔进行填充，能够避免显示基板表面出现较深的过孔，从而避免过孔内累积灰尘杂质，或者即使过孔内累积有灰尘杂质，也能通过擦拭和清洗去除过孔内的灰尘杂质，进而避免发生电化学腐蚀，降低显示基板外围电路转接处发生腐蚀的风险，提高显示基板的品质。
进一步地，所述显示基板表面的过孔的深度不大于预设阈值。
一具体实施例中，显示基板表面存在过孔，但过孔的深度比较小，不大于预设阈值，这样即使过孔内累积有灰尘杂质，也能通过擦拭和清洗去除过孔内的灰尘杂质，进而避免发生电化学腐蚀，降低显示基板外围电路转接处发生腐蚀的风险，提高显示基板的品质。
另一具体实施例中，过孔的深度为0，即过孔内的绝缘图形与过孔周边的膜层保持齐平，这样可以避免显示基板表面存在过孔，即使显示基板表面累积有灰尘杂质，也能通过擦拭和清洗去除显示基板表面的灰尘杂质，进而避免发生电化学腐蚀，降低显示基板外围电路转接处发生腐蚀的风险，提高显示基板的品质。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的显示基板。所述显示装置可以为：液晶电视、液晶显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件，其中，所述显示装置还包括柔性电路板、印刷电路板和背板。
本实施例中，可以使得过孔平整化，这样可以通过传统擦拭灰尘或者通过清洗设备彻底去除显示装置外围电路上的杂质，降低显示装置外围电路转接处发生腐蚀的风险。
在本发明各方法实施例中，所述各步骤的序号并不能用于限定各步骤的先后顺序，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，对各步骤的先后变化也在本发明的保护范围之内。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (8)
1.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括：
对所述显示基板表面的过孔进行填充；
所述对所述显示基板表面的过孔进行填充包括：
在所述显示基板表面形成绝缘层，去除所述绝缘层位于所述过孔外的部分，形成位于所述过孔内的绝缘图形；
所述制作方法包括：
形成包括有过孔的钝化层的图形；
在所述钝化层的图形上形成透明导电层；
在所述透明导电层上形成所述绝缘层；
通过一次构图工艺形成所述透明导电层的图形和所述绝缘图形。
2.根据权利要求1所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述绝缘层的厚度不大于所述过孔的最大深度。
3.根据权利要求2所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述绝缘层的厚度等于所述过孔的最大深度。
4.根据权利要求1所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述显示基板包括过孔区和显示区，所述钝化层的图形包括位于所述过孔区的第一过孔，所述制作方法具体包括：
在包括所述第一过孔的所述钝化层上形成所述透明导电层；
在所述透明导电层上形成所述绝缘层；
在所述绝缘层上形成光刻胶层；
采用掩模板对所述光刻胶层进行曝光，显影后形成光刻胶去除区域和光刻胶部分保留区域和光刻胶完全保留区域，所述光刻胶完全保留区域对应所述第一过孔，所述光刻胶去除区域对应所述显示区的所述透明导电层的待去除部分，所述光刻胶部分保留区域为除所述光刻胶去除区域和所述光刻胶完全保留区域之外的区域；
对光刻胶去除区域的所述绝缘层和所述透明导电层进行刻蚀；
灰化掉光刻胶部分保留区域的光刻胶；
刻蚀掉光刻胶部分保留区域的所述绝缘层；
剥离光刻胶完全保留区域的光刻胶，形成位于所述第一过孔内的绝缘图形和透明导电层的图形。
5.根据权利要求1所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述显示基板包括过孔区和显示区，所述钝化层包括位于所述过孔区的第二过孔和第三过孔，所述第二过孔的深度小于所述第三过孔的深度，所述制作方法具体包括：
在包括所述第二过孔和所述第三过孔的所述钝化层上形成所述透明导电层；
在所述透明导电层上形成所述绝缘层；
在所述绝缘层上形成光刻胶层；
采用掩模板对所述光刻胶层进行曝光，显影后形成光刻胶去除区域和第一光刻胶部分保留区域、第二光刻胶部分保留区域和光刻胶完全保留区域，所述第二光刻胶部分保留区域的光刻胶厚度大于所述第一光刻胶部分保留区域的光刻胶厚度，所述第二光刻胶部分保留区域对应所述第二过孔，所述光刻胶完全保留区域对应所述第三过孔，所述光刻胶去除区域对应所述显示区的所述透明导电层的待去除部分，所述第一光刻胶部分保留区域为除所述光刻胶完全保留区域、所述第二光刻胶部分保留区域和所述光刻胶去除区域之外的区域；
对光刻胶去除区域的所述绝缘层进行不完全刻蚀；
灰化掉第一光刻胶部分保留区域的光刻胶；
对未被光刻胶覆盖的所述绝缘层进行不完全刻蚀；
灰化掉第二光刻胶部分保留区域的光刻胶；
刻蚀掉第一光刻胶部分保留区域和第二光刻胶部分保留区域的所述绝缘层，刻蚀掉光刻胶去除区域的所述透明导电层；
剥离光刻胶完全保留区域的光刻胶，形成位于所述第二过孔和所述第三过孔内的绝缘图形以及所述透明导电层的图形。
6.一种显示基板，其特征在于，采用如权利要求1-5中任一项所述的制作方法制作得到。
7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板表面的过孔的深度不大于预设阈值。
8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求6或7所述的显示基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810401297.0A CN108598039B (zh) | 2018-04-28 | 2018-04-28 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810401297.0A CN108598039B (zh) | 2018-04-28 | 2018-04-28 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108598039A CN108598039A (zh) | 2018-09-28 |
| CN108598039B true CN108598039B (zh) | 2020-11-24 |
Family
ID=63619166
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810401297.0A Active CN108598039B (zh) | 2018-04-28 | 2018-04-28 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108598039B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI684812B (zh) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板 |
| CN109884828B (zh) * | 2019-04-17 | 2022-01-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及移动终端 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6531346B1 (en) * | 1999-08-31 | 2003-03-11 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Fabrication method of thin film transistor substrate for X-ray detector |
| CN103676377A (zh) * | 2013-12-10 | 2014-03-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示装置 |
| CN105304649A (zh) * | 2015-10-28 | 2016-02-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置 |
| CN105957867A (zh) * | 2016-04-28 | 2016-09-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板母板及其制作方法、显示装置 |
-
2018
- 2018-04-28 CN CN201810401297.0A patent/CN108598039B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6531346B1 (en) * | 1999-08-31 | 2003-03-11 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Fabrication method of thin film transistor substrate for X-ray detector |
| CN103676377A (zh) * | 2013-12-10 | 2014-03-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示装置 |
| CN105304649A (zh) * | 2015-10-28 | 2016-02-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置 |
| CN105957867A (zh) * | 2016-04-28 | 2016-09-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板母板及其制作方法、显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108598039A (zh) | 2018-09-28 |
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