CN108550595B - X-ray探测器阵列基板及其制作方法、X-ray探测器 - Google Patents

X-ray探测器阵列基板及其制作方法、X-ray探测器 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种X‑ray探测器阵列基板及其制作方法、X‑ray探测器，涉及探测器技术领域，能够有效避免过刻问题。该阵列基板的制作方法包括：在衬底基板上形成薄膜晶体管以及接收电极；形成第一钝化层；形成第一过孔和第二过孔；形成光电转换层；对光电转换层进行刻蚀，保留第二过孔对应区域的光电转换层，保留第一过孔中的光电转换层中的部分膜层；对树脂层和第二钝化层进行刻蚀，在第一过孔对应区域形成过孔露出第一过孔中的光电转换层中的部分膜层，在第一导电层上的树脂层和第二钝化层上形成过孔，露出第一导电层。该阵列基板的制作方法主要用于X‑ray探测器的制造过程中避免过刻问题。

Description

X-ray探测器阵列基板及其制作方法、X-ray探测器
技术领域
本发明涉及探测器技术领域，尤其涉及一种X-ray探测器阵列基板及其制作方法、X-ray探测器。
背景技术
随着社会的发展和科学技术的不断进步，X-ray探测器在医学影像等领域中逐步得到广泛应用，其中，阵列基板是X-ray探测器的重要元件之一。
目前，X-ray探测器的阵列基板在制作过程中，如图1所示，形成窗口过孔时，A处会有较长时间的过刻，致使容易出现过刻问题。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供一种X-ray探测器阵列基板及其制作方法、X-ray探测器，能够有效避免过刻问题。
为达到上述目的，本发明主要提供如下技术方案：
一方面，本发明实施例提供一种X-ray探测器阵列基板的制作方法，包括：
在衬底基板上形成薄膜晶体管的栅极、栅极绝缘层、有源层、源极、漏极和第一数据线以及接收电极；
在所述衬底基板上形成覆盖所述薄膜晶体管和所述衬底基板的第一钝化层；
在所述第一钝化层上对应于所述第一数据线的区域形成第一过孔，对应于所述接收电极的区域形成第二过孔；
在所述第一钝化层上形成覆盖所述衬底基板的光电转换层，使得所述第一过孔和所述第二过孔内填充有所述光电转换层；
对所述光电转换层进行刻蚀，保留所述第二过孔对应区域的光电转换层，保留所述第一过孔中的光电转换层中的部分膜层；
在所述第二过孔对应区域的光电转换层上形成第一导电层；
在所述衬底基板上依次涂覆整个所述衬底基板的树脂层和第二钝化层；
对所述树脂层和所述第二钝化层进行刻蚀，在所述第一过孔对应区域形成过孔露出所述第一过孔中的光电转换层中的部分膜层，在所述第一导电层上的树脂层和第二钝化层上形成过孔，露出所述第一导电层。
具体地，对所述光电转换层进行刻蚀，保留所述第二过孔对应区域的光电转换层，保留所述第一过孔中的光电转换层中的部分膜层，包括：
在所述光电转换层上形成覆盖整个所述衬底基板的等厚度的光刻胶，通过半色调掩膜曝光工艺，在所述第一过孔对应区域形成第一厚度的光刻胶，在所述第二过孔对应区域形成第二厚度的光刻胶，所述第二厚度大于所述第一厚度，去除其他区域的光刻胶；
以所述第一厚度的光刻胶和所述第二厚度的光刻胶形成的窗口为掩模，对所述光刻胶下方的光电转换层进行部分刻蚀，刻蚀预设厚度后停止刻蚀；
通过灰化方式去除所述第一厚度的光刻胶，保留所述第二厚度的光刻胶；
以相同的刻蚀速率对所述第二过孔区域之外的光电转换层进行刻蚀，完全刻蚀掉所述薄膜晶体管上的光电转换层，保留所述第一过孔内的光电转换层的部分膜层。
具体地，所述预设厚度为所述光电转换层厚度的1/3。
进一步地，上述的阵列基板的制作方法还包括：
在所述第二钝化层上形成第二数据线、遮光层和遮挡电极，所述第二数据线通过所述第三过孔与所述光电转换层的部分膜层部分连接，所述遮光层与所述薄膜晶体管的有源层相对，所述遮挡电极通过所述第四过孔与所述第一导电层连接；
形成第三钝化层，使所述第三钝化层相对于所述衬底基板的投影覆盖所述衬底基板；
通过过孔刻蚀在所述第三钝化层上形成第五过孔，所述第五过孔贯穿至所述遮挡电极；
形成第二导电层，所述第二导电层通过所述第五过孔与所述遮挡电极连接。
具体地，所述在所述第一钝化层上形成光电转换层，所述第一过孔和所述第二过孔内填充有所述光电转换层，具体为：
在所述第一钝化层上依次形成N型非晶硅、I型非晶硅和P型非晶硅，所述第一过孔和所述第二过孔内填充有所述N型非晶硅。
另一方面，本发明实施例提供一种X-ray探测器阵列基板，包括：
衬底基板以及设置于所述衬底基板上的薄膜晶体管和接收电极，所述薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、有源层、源极、漏极和第一数据线；
第一钝化层，设置于所述衬底基板上，且覆盖于所述薄膜晶体管和所述衬底基板，所述第一钝化层上设置有第一过孔和第二过孔，所述第一过孔对应于所述第一数据线的区域，所述第二过孔对应于所述接收电极的区域；
光电转换层的全部膜层部分和光电转换层的部分膜层部分，所述光电转换层的部分膜层部分设置于所述第一过孔内，所述光电转换层的全部膜层部分设置于所述第二过孔内；
第一导电层，设置于所述光电转换层的全部膜层部分远离所述接收电极的一侧；
树脂层和第二钝化层，所述树脂层设置于所述第一钝化层和所述第一导电层上，所述第二钝化层设置于所述树脂层上，所述第二钝化层上设置有第三过孔和第四过孔，所述第三过孔和所述第四过孔分别从所述第二钝化层贯穿至所述光电转换层的部分膜层部分和所述第一导电层。
进一步地，上述的X-ray探测器阵列基板还包括：
设置于所述第二钝化层上的第二数据线、遮光层和遮挡电极，所述第二数据线通过所述第三过孔与所述光电转换层的部分膜层部分连接，所述遮光层与所述薄膜晶体管的有源层相对，所述遮挡电极通过所述第四过孔与所述第一导电层连接；
第三钝化层，所述第三钝化层相对于所述衬底基板的投影覆盖于所述衬底基板，所述第三钝化层上设置有第五过孔；
第二导电层，所述第二导电层通过所述第五过孔与所述遮挡电极连接。
具体地，所述光电转换层的全部膜层部分包括依次设置的N型非晶硅、I型非晶硅和P型非晶硅；
所述光电转换层的部分膜层部分为N型非晶硅。
具体地，所述树脂层通过树脂粘附层粘附于所述第一钝化层和所述第一导电层上。
另一方面，本发明实施例提供一种X-ray探测器，包括：上述的X-ray探测器阵列基板。
另一方面，本发明实施例提供一种X-ray探测器，采用上述的X-ray探测器阵列基板的制作方法制作而成。
本发明实施例提供的一种X-ray探测器阵列基板及其制作方法、X-ray探测器，通过在位于第一数据线上方的第一过孔内存留光电转换层的部分膜层部分，以使在刻蚀第三过孔和第四过孔时，光电转换层的部分膜层部分能够避免过刻致使损坏第一数据线以及在刻蚀过程中第一数据线受到腐蚀，实现过孔刻蚀的均一化，并且在刻蚀第一过孔和第二过孔，以及在刻蚀第三过孔和第四过孔时，均刻蚀相同的膜层，因此刻蚀速率相同，能够较好地控制刻蚀深度，相比现有技术中刻蚀膜层不同，刻蚀速率不同而导致第一数据线由于过刻形成倒角结构，使得通过过孔处的电连接会断线，本发明实施例有效实现了避免因过刻导致的上述倒角和连接问题。
附图说明
图1为现有技术提供的一种阵列基板的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种阵列基板的制作方法的流程图；
图3为本发明实施例提供的一种阵列基板中形成薄膜晶体管后的截面示意图；
图4为本发明实施例提供的一种阵列基板中形成薄膜晶体管后的平面示意图；
图5为本发明实施例提供的一种阵列基板中第一钝化层上形成第一过孔和第二过孔后的截面示意图；
图6为本发明实施例提供的一种阵列基板中形成光电转换层后的截面示意图；
图7为本发明实施例提供的一种阵列基板中刻蚀掉光电转换层预设部分后的截面示意图；
图8为本发明实施例提供的一种阵列基板中形成第三过孔和第四过孔后的截面示意图；
图9为本发明实施例提供的一种阵列基板中形成第三过孔和第四过孔后的平面示意图；
图10为本发明实施例提供的另一种阵列基板的制作方法的流程图；
图11为本发明实施例提供的一种阵列基板中形成第一光刻胶和第二光刻胶后的截面示意图；
图12为本发明实施例提供的一种阵列基板中刻蚀掉光电转换层预设厚度后的截面示意图；
图13为本发明实施例提供的一种阵列基板中灰化掉第一光刻胶后的截面示意图；
图14为本发明实施例提供的一种阵列基板中形成第二数据线、遮光层和遮挡电极后的截面示意图；
图15为本发明实施例提供的一种阵列基板中形成第二导电层后的截面示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图2所示，本发明实施例提供一种X-ray探测器阵列基板的制作方法，包括：
101、在衬底基板上形成薄膜晶体管的栅极、栅极绝缘层、有源层、源极、漏极和第一数据线以及接收电极。
参见图3和图4，图3提供了一种X-ray探测器的阵列基板中形成薄膜晶体管后的截面示意图，图4提供了一种X-ray探测器的阵列基板中形成薄膜晶体管后的平面示意图，在衬底基板3上依次形成栅极4和栅极绝缘层5，并形成与栅极4连接的有源层6，然后分别形成与有源层6连接的源极7和漏极8，形成与源极7连接的接收电极9以及与漏极8连接的第一数据线10，完成TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)的生产工艺。其中，衬底基板3通常采用玻璃基板，有源层6的材料的主要成分可为非晶硅(a-Si)。
102、在衬底基板上形成覆盖薄膜晶体管和衬底基板的第一钝化层。
其中，第一钝化层可采用无机绝缘膜，如氮化硅等，或有机绝缘膜，如树脂材料等。
103、在第一钝化层上对应于数据线的区域形成第一过孔，对应于接收电极的区域形成第二过孔。
参见图5，图5提供了一种X-ray探测器的阵列基板中第一钝化层上形成第一过孔和第二过孔后的截面示意图，通过刻蚀工艺在第一钝化层11上同时形成第一过孔12和第二过孔13，第一过孔12贯穿至第一数据线10上，第二过孔13贯穿至接收电极9上。其中，由于第一过孔12和第二过孔13处的膜层相同，这两处的刻蚀速率相同，能够较好地控制刻蚀深度，从而避免过刻问题，进而避免损坏薄膜晶体管的第一数据线以及接收电极。
104、在第一钝化层上形成覆盖衬底基板的光电转换层，使得第一过孔和第二过孔内填充有光电转换层。
参加图6，图6提供了一种X-ray探测器的阵列基板中形成光电转换层后的截面示意图，第一钝化层11上形成光电转换层14，其中，光电转换层14覆盖于第一钝化层11，且填充到第一过孔和第二过孔内。
具体地，光电转换层14可包括依次设置的N型非晶硅141、I型非晶硅142和P型非晶硅143，具体形成步骤为：在第一钝化层11上依次形成N型非晶硅141、I型非晶硅142和P型非晶硅143，第一过孔和第二过孔内填充有N型非晶硅141。
105、对光电转换层进行刻蚀，保留第二过孔对应区域的光电转换层，保留第一过孔中的光电转换层中的部分膜层。
参见图7，图7提供了一种X-ray探测器的阵列基板中刻蚀掉光电转换层预设部分后的截面示意图，保留第二过孔所相对的光电转换层部分，即光电转换层14的全部膜层部分145，以及第一过孔内的光电转换层部分，即光电转换层14的部分膜层部分144，其余的光电转换层部分刻蚀掉。其中，光电转换层14的全部膜层部分145包括依次设置的N型非晶硅141、I型非晶硅142和P型非晶硅143，光电转换层14的部分膜层部分144为N型非晶硅。
106、在第二过孔对应区域的光电转换层上形成第一导电层。
其中，第一导电层为ITO(Indium Tin Oxides，氧化铟锡)，是一种半导体透明导电膜，其与光电转换层的全部膜层部分顶部的P型非晶硅连接。
107、在衬底基板上依次涂覆整个衬底基板的树脂层和第二钝化层。
在执行步骤106后的阵列基板结构上涂覆树脂层，其中，树脂层可通过树脂粘附层粘接在第一钝化层和第一导电层上，然后在树脂层上涂覆第二钝化层。其中，树脂层和第二钝化层相对于衬底基板的投影均覆盖整个衬底基板。
108、对树脂层和第二钝化层进行刻蚀，在第一过孔对应区域形成过孔露出第一过孔中的光电转换层中的部分膜层，在第一导电层上的树脂层和第二钝化层上形成过孔，露出第一导电层。
参见图8和图9，图8提供了一种X-ray探测器的阵列基板中形成第三过孔和第四过孔后的截面示意图，图9提供了一种X-ray探测器的阵列基板中形成第三过孔和第四过孔后的平面示意图，在光电转换层14的全部膜层部分的顶部形成第一导电层15后，依次涂覆树脂层16和第二钝化层17，其中树脂层16可通过树脂粘附层161粘附于第一钝化层11和第一导电层15上，树脂粘附层161能够保证树脂层16较坚固地涂覆，之后通过刻蚀工艺形成第三过孔18和第四过孔19，第三过孔18从第二钝化层17贯穿至光电转换层的部分膜层部分144上，第四过孔19从第二钝化层17贯穿至第一导电层15上，在刻蚀第三过孔18和第四过孔19时，由于第三过孔18和第四过孔19处的膜层相同，因此这两处的刻蚀速率相同，能够较好地控制刻蚀深度，由于第三过孔18贯穿至光电转换层的部分膜层部分144，光电转换层的部分膜层部分144能够有效避免过刻致使损坏第一数据线10，从而实现过孔刻蚀的均一化，并且光电转换层的部分膜层部分144能够避免第一数据线10在刻蚀过程中受到腐蚀，由于光电转换层的部分膜层部分144具有导电性，因此不会影响第一数据线10通过第三过孔18与其他线路的电连接。
本发明实施例提供的一种阵列基板的制作方法，通过在位于第一数据线上方的第一过孔内存留光电转换层的部分膜层部分，以使在刻蚀第三过孔和第四过孔时，光电转换层的部分膜层部分能够避免过刻致使损坏第一数据线以及在刻蚀过程中第一数据线受到腐蚀，实现过孔刻蚀的均一化，并且在刻蚀第一过孔和第二过孔，以及在刻蚀第三过孔和第四过孔时，均刻蚀相同的膜层，因此刻蚀速率相同，能够较好地控制刻蚀深度，相比现有技术中刻蚀膜层不同，刻蚀速率不同而导致第一数据线由于过刻形成倒角结构，使得通过过孔处的电连接会断线，本发明实施例有效实现了避免因过刻导致的上述倒角和连接问题。
如图10所示，本发明另一实施例提供一种阵列基板的制作方法，包括：
201、在衬底基板上形成薄膜晶体管的栅极、栅极绝缘层、有源层、源极、漏极和第一数据线以及接收电极。
202、在衬底基板上形成覆盖薄膜晶体管和衬底基板的第一钝化层。
203、在第一钝化层上对应于第一数据线的区域形成第一过孔，对应于接收电极的区域形成第二过孔。
204、在第一钝化层上形成覆盖衬底基板的光电转换层，使得第一过孔和第二过孔内填充有光电转换层。
步骤201至步骤204的具体描述可分别参考图1中的步骤101和步骤104中的相应描述，此处不再赘述。
205、在光电转换层上形成覆盖整个衬底基板的等厚度的光刻胶，通过半色调掩膜曝光工艺，在第一厚度的过孔对应区域形成部分光刻胶，在第二过孔对应区域形成第二厚度的光刻胶，第二厚度大于第一厚度，去除其他区域的光刻胶。
参见图11，图11提供了一种X-ray探测器的阵列基板中形成第一光刻胶和第二光刻胶后的截面示意图，利用半色调掩膜曝光(half-tone)工艺在光电转换层14上形成厚度不同的第一光刻胶20(第一厚度的光刻胶)和第二光刻胶21(第二厚度的光刻胶)，第一光刻胶20位于第一过孔上方相对的位置，且覆盖第一过孔，第二光刻胶21位于第二过孔上方相对的位置，且覆盖第二过孔，第一光刻胶20的厚度小于第二光刻胶21的厚度，之后进行刻蚀，在刻蚀过程中，第一光刻胶20和第二光刻胶21所覆盖的部分不会被刻蚀掉。其中，第一光刻胶20的厚度较薄，使得在之后步骤中灰化掉第一光刻胶20时，第二光刻胶21也会被灰化掉一部分厚度，此时第二光刻胶21会存留剩余部分，剩余的第二光刻胶21仍旧位于第二过孔上方且覆盖第二过孔，以保证后续的刻蚀。
206、以第一厚度的光刻胶和第二厚度的光刻胶形成的窗口为掩模，对光刻胶下方的光电转换层进行部分刻蚀，刻蚀预设厚度后停止刻蚀。
参见图12，图12提供了一种X-ray探测器的阵列基板中刻蚀掉光电转换层预设厚度后的截面示意图，以第一光刻胶20和第二光刻胶21形成的窗口为掩模，对光刻胶下方的光电转换层进行部分刻蚀，未设置第一光刻胶20和第二光刻胶21的光电转换层部分在刻蚀掉预设厚度后，使得第一过孔上方的光电转换层的厚度大于未设置第一光刻胶20和第二光刻胶21的光电转换层部分，以保证在后期刻蚀时第一过孔内存留光电转换层的部分膜层部分144。
具体地，预设厚度为光电转换层厚度的1/3。光电转换层14可包括依次设置的N型非晶硅141、I型非晶硅142和P型非晶硅143，刻蚀掉光电转换层厚度的1/3，也就是说，将未设置第一光刻胶20和第二光刻胶21的P型非晶硅143和I型非晶硅142的部分刻蚀掉。
207、通过灰化方式去除第一厚度的光刻胶，保留第二厚度的光刻胶。
参见图13，图13提供了一种X-ray探测器的阵列基板中灰化掉第一光刻胶后的截面示意图，在灰化掉第一光刻胶时，第二光刻胶21也会被灰化掉一部分，由于第二光刻胶21厚于第一光刻胶，因此，灰化掉第一光刻胶后，第二光刻胶21还存留一部分，以便在后续刻蚀时，第二光刻胶21下方覆盖的光电转换层部分不会被刻蚀掉。
208、以相同的刻蚀速率对第二过孔区域之外的光电转换层进行刻蚀，完全刻蚀掉薄膜晶体管上的光电转换层，保留第一过孔内的光电转换层的部分膜层。
在执行步骤207后，以相同的刻蚀速率对未设置第二光刻胶的部分进行过孔刻蚀，完全刻蚀掉薄膜晶体管上的光电转换层，且保留第一过孔内的光电转换层的部分膜层，第二过孔与第二光刻胶之间存留光电转换层的全部膜层部分。
209、将剩余的光刻胶剥离掉。
执行步骤208后，参见图13，第二光刻胶21还有残留，然后执行步骤209，将剩余的光刻胶剥离掉，使得阵列基板形成如图7所示的截面示意图。其中，可采用湿法刻蚀将剩余的光刻胶刻掉。
210、在第二过孔对应区域的光电转换层上形成第一导电层。
211、在衬底基板上依次涂覆整个衬底基板的树脂层和第二钝化层。
212、对树脂层和第二钝化层进行刻蚀，在第一过孔对应区域形成过孔露出第一过孔中的光电转换层中的部分膜层，在第一导电层上的树脂层和第二钝化层上形成过孔，露出第一导电层。
步骤210至步骤212的具体描述可分别参考图1中的步骤106和步骤108中的相应描述，具体结构如图8和图9所示，此处不再赘述。
213、在第二钝化层上形成第二数据线、遮光层和遮挡电极，第二数据线通过第三过孔与光电转换层的部分膜层部分连接，遮光层与薄膜晶体管的有源层相对，遮挡电极通过第四过孔与第一导电层连接。
参见图14，图14提供了一种X-ray探测器的阵列基板中形成第二数据线、遮光层和遮挡电极后的截面示意图，第二数据线22通过第三过孔与光电转换层的部分膜层部分144连接，遮光层23位于薄膜晶体管的有源层上方所相对的位置，且遮光层23覆盖有源层，遮挡电极24通过第四过孔与第一导电层15连接。
214、形成第三钝化层，使第三钝化层相对于衬底基板的投影覆盖衬底基板。
其中，第三钝化层可以采用无机绝缘膜，如氮化硅等，或有机绝缘膜，如树脂材料等。
215、通过过孔刻蚀在第三钝化层上形成第五过孔，第五过孔贯穿至遮挡电极。
在刻蚀第五过孔过程中，刻蚀的膜层相同，因此刻蚀速率相同，能够较好地控制刻蚀深度，从而避免过刻损伤遮挡电极。
216、形成第二导电层，第二导电层通过第五过孔与遮挡电极连接。
参见图15，图15提供了一种X-ray探测器的阵列基板中形成第二导电层后的截面示意图，在形成第二数据线22、遮光层23和遮挡电极24之后，形成第三钝化层25，然后通过过孔刻蚀在第三钝化层25上形成第五过孔26，之后形成第二导电层27，第二导电层27通过第五过孔26与遮挡电极24连接，第二导电层27为ITO，其与遮挡电极24连接。
本发明实施例提供的阵列基板的制作方法，通过半色调掩膜曝光技术形成第一光刻胶和第二光刻胶，第一光刻胶的厚度小于第二光刻胶的厚度，第一光刻胶覆盖在第一数据线的上方相对的位置，通过刻蚀光电转换层的预设厚度，使第一数据线上的光电转换层厚于其余需要被刻蚀的部分，灰化掉第一光刻胶后进行刻蚀，使第一过孔内存留光电转换层的部分膜层部分，从而保证在刻蚀第三过孔和第四过孔时，光电转换层的部分膜层部分能够避免过刻致使损坏第一数据线以及在刻蚀过程中第一数据线受到腐蚀，实现过孔刻蚀的均一化，并且在刻蚀第一过孔和第二过孔，以及在刻蚀第三过孔和第四过孔时，均刻蚀相同的膜层，因此刻蚀速率相同，能够较好地控制刻蚀深度，相比现有技术中刻蚀膜层不同，刻蚀速率不同而导致第一数据线由于过刻形成倒角结构，使得通过过孔处的电连接会断线，本发明实施例有效实现了避免因过刻导致的上述倒角和连接问题。
如图3至图9所示，本发明实施例提供一种X-ray探测器阵列基板，包括：衬底基板3以及设置于衬底基板3上的薄膜晶体管和接收电极9，薄膜晶体管包括栅极4、栅极绝缘层5、有源层6、源极7、漏极8和第一数据线10；第一钝化层11，设置于衬底基板3上，且覆盖于薄膜晶体管和衬底基板3，第一钝化层11上设置有第一过孔12和第二过孔13，第一过孔12对应于第一数据线10的区域，第二过孔13对应于接收电极9的区域；光电转换层的全部膜层部分145和光电转换层的部分膜层部分144，光电转换层的部分膜层部分144设置于第一过孔12内，光电转换层的全部膜层部分145设置于第二过孔13内；第一导电层15，设置于光电转换层14的全部膜层部分145远离接收电极9的一侧；树脂层16和第二钝化层17，树脂层16设置于第一钝化层11和第一导电层15上，第二钝化层17设置于树脂层16上，第二钝化层17上设置有第三过孔18和第四过孔19，第三过孔18和第四过孔19分别从第二钝化层17贯穿至光电转换层的部分膜层部分144和第一导电层15。
在衬底基板3上依次形成栅极4和栅极绝缘层5，并形成与栅极4连接的有源层6，然后分别形成与有源层6连接的源极7和漏极8，形成与源极7连接的接收电极9以及与漏极8连接的第一数据线10，从而完成TFT的生产工艺。其中，衬底基板3通常采用玻璃基板，有源层6的材料的主要成分可为非晶硅。第一钝化层11可采用无机绝缘膜，如氮化硅等，或有机绝缘膜，如树脂材料等。
在刻蚀第一过孔12和第二过孔13时，由于第一过孔12和第二过孔13处的膜层相同，这两处的刻蚀速率相同，能够较好地控制刻蚀深度，从而避免过刻问题，进而避免损坏第一数据线和接收电极。
第一导电层15为ITO，是一种半导体透明导电膜，其与光电转换层的全部膜层部分145连接。
在刻蚀第三过孔18和第四过孔19时，由于第三过孔18和第四过孔19处的膜层相同，因此这两处的刻蚀速率相同，能够较好地控制刻蚀深度，由于第三过孔18贯穿至光电转换层的部分膜层部分144，光电转换层的部分膜层部分144能够有效避免过刻致使损坏第一数据线10，从而实现过孔刻蚀的均一化，并且光电转换层的部分膜层部分144能够避免第一数据线10在刻蚀过程中受到腐蚀，由于光电转换层14具有导电性，因此不会影响第一数据线10通过第三过孔18与其他线路的电连接。
本发明实施例提供的一种阵列基板，通过在位于第一数据线上方的第一过孔内存留光电转换层的部分膜层部分，以使在刻蚀第三过孔和第四过孔时，光电转换层的部分膜层部分能够避免过刻致使损坏第一数据线以及在刻蚀过程中第一数据线受到腐蚀，实现过孔刻蚀的均一化，并且在刻蚀第一过孔和第二过孔，以及在刻蚀第三过孔和第四过孔时，均刻蚀相同的膜层，因此刻蚀速率相同，能够较好地控制刻蚀深度，相比现有技术中刻蚀膜层不同，刻蚀速率不同而导致第一数据线由于过刻形成倒角结构，使得通过过孔处的电连接会断线，本发明实施例有效实现了避免因过刻导致的上述倒角和连接问题。
进一步地，如图15所示，上述的阵列基板还包括：设置于第二钝化层17上的第二数据线22、遮光层23和遮挡电极24，第二数据线22通过第三过孔18与光电转换层14的部分膜层部分144连接，遮光层23与薄膜晶体管的有源层6相对，遮挡电极24通过第四过孔19与第一导电层15连接；第三钝化层25，第三钝化层25相对于衬底基板3的投影覆盖于衬底基板3，第三钝化层25上设置有第五过孔26；第二导电层27，第二导电层27通过第五过孔26与遮挡电极24连接。第三钝化层25可以采用无机绝缘膜，如氮化硅等，或有机绝缘膜，如树脂材料等；第二导电层27为ITO，其与遮挡电极24连接。在刻蚀第五过孔26过程中，刻蚀的膜层相同，因此刻蚀速率相同，能够较好地控制刻蚀深度，从而避免过刻损伤遮挡电极。
具体地，光电转换层14的全部膜层部分145包括依次设置的N型非晶硅141、I型非晶硅142和P型非晶硅143；光电转换层14的部分膜层部分144为N型非晶硅。
具体地，树脂层16通过树脂粘附层161粘附于第一钝化层11和第一导电层15上。其中，树脂粘附层161能保证树脂层16较坚固地涂覆在第一钝化层11和第一导电层15上。
本发明实施例提供的阵列基板，通过在位于第一数据线上方的第一过孔内存留光电转换层的部分膜层部分，以使在刻蚀第三过孔和第四过孔时，光电转换层的部分膜层部分能够避免过刻致使损坏第一数据线以及在刻蚀过程中第一数据线受到腐蚀，实现过孔刻蚀的均一化，并且在刻蚀第一过孔和第二过孔，以及在刻蚀第三过孔和第四过孔时，均刻蚀相同的膜层，因此刻蚀速率相同，能够较好地控制刻蚀深度，相比现有技术中刻蚀膜层不同，刻蚀速率不同而导致第一数据线由于过刻形成倒角结构，使得通过过孔处的电连接会断线，本发明实施例有效实现了避免因过刻导致的上述倒角和连接问题。
本发明实施例还提供一种X-ray探测器，包括：上述的X-ray探测器阵列基板。
本发明实施例还提供一种X-ray探测器，采用上述的X-ray探测器阵列基板的制作方法。
其中，X-ray探测器阵列基板的结构以及制作工艺均与上述实施例相同，此处不再赘述。
本发明实施例提供的一种X-ray探测器，其阵列基板中通过在位于第一数据线上方的第一过孔内存留光电转换层的部分膜层部分，以使在刻蚀第三过孔和第四过孔时，光电转换层的部分膜层部分能够避免过刻致使损坏第一数据线以及在刻蚀过程中第一数据线受到腐蚀，实现过孔刻蚀的均一化，并且在刻蚀第一过孔和第二过孔，以及在刻蚀第三过孔和第四过孔时，均刻蚀相同的膜层，因此刻蚀速率相同，能够较好地控制刻蚀深度，相比现有技术中刻蚀膜层不同，刻蚀速率不同而导致第一数据线由于过刻形成倒角结构，使得通过过孔处的电连接会断线，本发明实施例有效实现了避免因过刻导致的上述倒角和连接问题。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (11)

1.一种X-ray探测器阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上形成薄膜晶体管的栅极、栅极绝缘层、有源层、源极、漏极和第一数据线以及接收电极；
在所述衬底基板上形成覆盖所述薄膜晶体管和所述衬底基板的第一钝化层；
在所述第一钝化层上对应于所述第一数据线的区域形成第一过孔，对应于所述接收电极的区域形成第二过孔；
在所述第一钝化层上形成覆盖所述衬底基板的光电转换层，使得所述第一过孔和所述第二过孔内填充有所述光电转换层；
对所述光电转换层进行刻蚀，保留所述第二过孔对应区域的光电转换层，保留所述第一过孔中的光电转换层中的部分膜层；
在所述第二过孔对应区域的光电转换层上形成第一导电层；
在所述衬底基板上依次涂覆整个所述衬底基板的树脂层和第二钝化层；
对所述树脂层和所述第二钝化层进行刻蚀，在所述第一过孔对应区域形成过孔露出所述第一过孔中的光电转换层中的部分膜层，在所述第一导电层上的树脂层和第二钝化层上形成过孔，露出所述第一导电层。
2.根据权利要求1所述的X-ray探测器阵列基板的制作方法，其特征在于，
对所述光电转换层进行刻蚀，保留所述第二过孔对应区域的光电转换层，保留所述第一过孔中的光电转换层中的部分膜层，包括：
在所述光电转换层上形成覆盖整个所述衬底基板的等厚度的光刻胶，通过半色调掩膜曝光工艺，在所述第一过孔对应区域形成第一厚度的光刻胶，在所述第二过孔对应区域形成第二厚度的光刻胶，所述第二厚度大于所述第一厚度，去除其他区域的光刻胶；
以所述第一厚度的光刻胶和所述第二厚度的光刻胶形成的窗口为掩模，对所述光刻胶下方的光电转换层进行部分刻蚀，刻蚀预设厚度后停止刻蚀；
通过灰化方式去除所述第一厚度的光刻胶，保留所述第二厚度的光刻胶；
以相同的刻蚀速率对所述第二过孔区域之外的光电转换层进行刻蚀，完全刻蚀掉所述薄膜晶体管上的光电转换层，保留所述第一过孔内的光电转换层的部分膜层。
3.根据权利要求2所述的X-ray探测器阵列基板的制作方法，其特征在于，所述预设厚度为所述光电转换层厚度的1/3。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的X-ray探测器阵列基板的制作方法，其特征在于，还包括：
在所述第二钝化层上形成第二数据线、遮光层和遮挡电极，所述第二数据线通过第三过孔与所述光电转换层的部分膜层部分连接，所述遮光层与所述薄膜晶体管的有源层相对，所述遮挡电极通过第四过孔与所述第一导电层连接；
形成第三钝化层，使所述第三钝化层相对于所述衬底基板的投影覆盖所述衬底基板；
通过过孔刻蚀在所述第三钝化层上形成第五过孔，所述第五过孔贯穿至所述遮挡电极；
形成第二导电层，所述第二导电层通过所述第五过孔与所述遮挡电极连接。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的X-ray探测器阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述第一钝化层上形成光电转换层，所述第一过孔和所述第二过孔内填充有所述光电转换层，具体为：
在所述第一钝化层上依次形成N型非晶硅、I型非晶硅和P型非晶硅，所述第一过孔和所述第二过孔内填充有所述N型非晶硅。
6.一种X-ray探测器阵列基板，其特征在于，包括：
衬底基板以及设置于所述衬底基板上的薄膜晶体管和接收电极，所述薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、有源层、源极、漏极和第一数据线；
第一钝化层，设置于所述衬底基板上，且覆盖于所述薄膜晶体管和所述衬底基板，所述第一钝化层上设置有第一过孔和第二过孔，所述第一过孔对应于所述第一数据线的区域，所述第二过孔对应于所述接收电极的区域；
光电转换层的全部膜层部分和光电转换层的部分膜层部分，所述光电转换层的部分膜层部分设置于所述第一过孔内，所述光电转换层的全部膜层部分设置于所述第二过孔内；
第一导电层，设置于所述光电转换层的全部膜层部分远离所述接收电极的一侧；
树脂层和第二钝化层，所述树脂层设置于所述第一钝化层和所述第一导电层上，所述第二钝化层设置于所述树脂层上，所述第二钝化层上设置有第三过孔和第四过孔，所述第三过孔和所述第四过孔分别从所述第二钝化层贯穿至所述光电转换层的部分膜层部分和所述第一导电层。
7.根据权利要求6所述的X-ray探测器阵列基板，其特征在于，还包括：
设置于所述第二钝化层上的第二数据线、遮光层和遮挡电极，所述第二数据线通过所述第三过孔与所述光电转换层的部分膜层部分连接，所述遮光层与所述薄膜晶体管的有源层相对，所述遮挡电极通过所述第四过孔与所述第一导电层连接；
第三钝化层，所述第三钝化层相对于所述衬底基板的投影覆盖于所述衬底基板，所述第三钝化层上设置有第五过孔；
第二导电层，所述第二导电层通过所述第五过孔与所述遮挡电极连接。
8.根据权利要求6或7所述的X-ray探测器阵列基板，其特征在于，
所述光电转换层的全部膜层部分包括依次设置的N型非晶硅、I型非晶硅和P型非晶硅；
所述光电转换层的部分膜层部分为N型非晶硅。
9.根据权利要求6所述的X-ray探测器阵列基板，其特征在于，
所述树脂层通过树脂粘附层粘附于所述第一钝化层和所述第一导电层上。
10.一种X-ray探测器，其特征在于，包括：如权利要求6至9中任一项所述的X-ray探测器阵列基板。
11.一种X-ray探测器，其特征在于，采用如权利要求1至5中任一项所述的方法制作而成。
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