CN104617049B - 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，用以改善屏幕发绿，减少公共电极的腐蚀。所述方法包括：在钝化层上沉积透明导电层，通过构图工艺制作若干过孔；在完成上述步骤的衬底基板上沉积金属层，在金属层上涂覆光刻胶，使用掩膜板对光刻胶曝光、显影，形成光刻胶完全去除区、光刻胶部分保留区以及光刻胶完全保留区；光刻胶部分保留区对应阵列基板显示区中需要形成公共电极的区域，光刻胶完全保留区对应阵列基板外围引线区；对光刻胶完全去除区、光刻胶部分保留区以及光刻胶完全保留区进行刻蚀，形成阵列基板显示区的公共电极和阵列基板外围引线区中的公共电极和金属线，金属线通过过孔将阵列基板外围引线区中需要电连接的引线连接。

Description

一种阵列基板及其制作方法、显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)是目前常用的平板显示器，TFT-LCD显示器以其低电压、低功耗、适宜于电路集成、轻巧便携等优点而受到广泛的研究与应用。

屏幕发绿(Greenish)是一种严重影响TFT-LCD屏显示特性的不良。目前常用的改善Greenish不良的方法是降低阵列基板公共电压线的电阻，并提高均一性。具体地，如图1所示，现有技术设计的改善Greenish不良的阵列基板包括：衬底基板10，依次设置在衬底基板10上的栅极11、栅极绝缘层12、半导体有源层13、像素电极14、源极15和漏极16、钝化层17、金属线18和公共电极19，具体地，金属线18的材料为钼(Mo)，像素电极14和公共电极19的材料均为氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)。其中，在衬底基板10上依次制作栅极11、栅极绝缘层12、半导体有源层13、像素电极14、源极15和漏极16以及钝化层17的方法为现有技术通常采用的制作方法，这里不进行详细的介绍，在制作钝化层17后的制作方法如图2所示，该方法包括过孔的制作、金属线18的制作和公共电极19的制作。即现有技术在制作钝化层之后，并在制作公共电极之前，通过制作一金属线18来降低公共电压线的电阻，进而改善Greenish不良。当然，现有技术设计的改善Greenish不良的阵列基板还可以包括：衬底基板，依次设置在衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、半导体有源层、源漏极、像素电极、钝化层、金属线和公共电极，该阵列基板的结构及制作方法与图1所示的阵列基板的结构及制作方法类似，这里不进行详细描述。

综上所述，现有技术采用的改善Greenish不良的方法需要增加一道金属层掩膜板的工艺，严重影响产能。另外，现有技术阵列基板外围引线区中的公共电极容易被腐蚀，造成显示不良。

发明内容

本发明实施例提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，用以减少阵列基板外围引线区中的公共电极的腐蚀，并在改善屏幕发绿时减少掩膜板的数量。

本发明实施例提供的一种阵列基板的制作方法，该方法包括在衬底基板上制作栅极、栅极绝缘层、半导体有源层、像素电极、源极、漏极和钝化层，其中，所述方法还包括：

在钝化层上沉积一层透明导电层，通过构图工艺制作若干过孔，所述过孔暴露出阵列基板外围引线区中需要电连接的引线；

在完成上述步骤的衬底基板上沉积一层金属层，在所述金属层上涂覆光刻胶，使用掩膜板对所述光刻胶曝光、显影，形成光刻胶完全去除区、光刻胶部分保留区以及光刻胶完全保留区；所述光刻胶部分保留区对应阵列基板显示区中需要形成公共电极的区域，所述光刻胶完全保留区对应阵列基板外围引线区；

对光刻胶完全去除区、光刻胶部分保留区以及光刻胶完全保留区进行刻蚀，形成阵列基板显示区的公共电极和阵列基板外围引线区中的公共电极和金属线，所述金属线通过所述过孔将阵列基板外围引线区中需要电连接的引线进行连接。

由本发明实施例提供的阵列基板的制作方法，由于该方法中首先沉积一层透明导电层，之后再沉积一层金属层，因此制作得到的阵列基板外围引线区中的公共电极被制作形成的金属线覆盖，这样能够防止阵列基板外围引线区中的公共电极的腐蚀；由于该方法中在沉积一层透明导电层后，通过构图工艺制作出若干过孔，阵列基板外围引线区中的金属线通过制作的过孔将阵列基板外围引线区中需要电连接的引线进行连接，由于阵列基板外围引线区中需要电连接的引线是通过金属线进行连接的，与现有技术通过ITO进行连接的方法相比，本发明实施例能够改善连接线的电阻，进而改善屏幕发绿；由于该方法包括：在金属层上涂覆光刻胶，使用掩膜板对所述光刻胶曝光、显影，形成光刻胶完全去除区、光刻胶部分保留区以及光刻胶完全保留区；所述光刻胶部分保留区对应阵列基板显示区中需要形成公共电极的区域，所述光刻胶完全保留区对应阵列基板外围引线区；对光刻胶完全去除区、光刻胶部分保留区以及光刻胶完全保留区进行刻蚀，形成阵列基板显示区的公共电极和阵列基板外围引线区中的公共电极和金属线，即本发明实施例采用一道掩膜板即可形成阵列基板显示区的公共电极和阵列基板外围引线区中的公共电极和金属线，与现有技术在形成阵列基板显示区的公共电极和阵列基板外围引线区中的公共电极和金属线时需要采用两道掩膜板相比，本发明实施例能够减少掩膜板数量。

较佳地，所述掩膜板为半色调掩模板或灰色调掩模板。

较佳地，所述对光刻胶完全去除区、光刻胶部分保留区以及光刻胶完全保留区进行刻蚀，形成阵列基板显示区的公共电极和阵列基板外围引线区中的公共电极和金属线，具体包括：

通过第一次刻蚀，去除光刻胶完全去除区的透明导电层和金属层；

去除光刻胶部分保留区的光刻胶；

通过第二次刻蚀，去除光刻胶部分保留区的金属层，形成阵列基板显示区的公共电极；

去除光刻胶完全保留区的光刻胶，形成阵列基板外围引线区中的公共电极和金属线。

较佳地，通过灰化处理的方法去除光刻胶部分保留区的光刻胶。

较佳地，通过剥离的方法去除光刻胶完全保留区的光刻胶。

较佳地，所述透明导电层的材料为氧化铟锡或氧化铟锌的单层膜，或为氧化铟锡和氧化铟锌的复合膜。

较佳地，所述金属层的材料为钼。

较佳地，所述在衬底基板上制作栅极、栅极绝缘层、半导体有源层、像素电极、源极、漏极和钝化层，具体包括：

在衬底基板上通过构图工艺制作栅极；

在所述栅极上制作栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上通过构图工艺制作半导体有源层；

在所述半导体有源层上通过构图工艺制作像素电极；

在所述像素电极上通过构图工艺制作源极和漏极；

在所述源极和漏极上通过构图工艺制作钝化层。

本发明实施例还提供了一种阵列基板，所述阵列基板为采用上述方法制作得到的阵列基板。

本发明实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述的阵列基板。

附图说明

图1为现有技术阵列基板的截面结构示意图；

图2为现有技术制作钝化层后的方法示意图；

图3为本发明实施例提供的一种阵列基板的制作方法流程图；

图4-图9分别为本发明实施例提供的制作阵列基板时不同的制作过程的截面结构示意图；

图10为本发明实施例提供的制作钝化层后的方法示意图。

具体实施方式

本发明实施例提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，用以减少阵列基板外围引线区中的公共电极的腐蚀，并在改善屏幕发绿时减少掩膜板的数量。

为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

下面结合附图详细介绍本发明具体实施例提供的阵列基板及其制作方法。

如图3所示，本发明具体实施例提供了一种阵列基板的制作方法，该方法包括在衬底基板上制作栅极、栅极绝缘层、半导体有源层、像素电极、源极、漏极和钝化层，其中，所述方法还包括：

S301、在钝化层上沉积一层透明导电层，通过构图工艺制作若干过孔，所述过孔暴露出阵列基板外围引线区中需要电连接的引线；

S302、在完成上述步骤的衬底基板上沉积一层金属层，在所述金属层上涂覆光刻胶，使用掩膜板对所述光刻胶曝光、显影，形成光刻胶完全去除区、光刻胶部分保留区以及光刻胶完全保留区；所述光刻胶部分保留区对应阵列基板显示区中需要形成公共电极的区域，所述光刻胶完全保留区对应阵列基板外围引线区；

S303、对光刻胶完全去除区、光刻胶部分保留区以及光刻胶完全保留区进行刻蚀，形成阵列基板显示区的公共电极和阵列基板外围引线区中的公共电极和金属线，所述金属线通过所述过孔将阵列基板外围引线区中需要电连接的引线进行连接。

下面结合附图详细介绍本发明具体实施例提供的阵列基板的制作过程。

如图4所示，首先，在衬底基板10上通过构图工艺制作栅极11，本发明具体实施例中的衬底基板10为玻璃基板，在实际生产过程中，衬底基板10还可以为陶瓷基板等其它类型的基板，本发明具体实施例中的构图工艺包括光刻胶的涂覆、曝光、显影、刻蚀、光刻胶的去除等过程，本发明具体实施例中在衬底基板10上通过构图工艺制作栅极11的具体过程与现有技术相同，这里不再赘述。

接着，在栅极11上制作栅极绝缘层12，优选地，本发明具体实施例中栅极绝缘层12为氧化硅或氮化硅，栅极绝缘层12的具体制作过程与现有技术相同，这里不再赘述。接着，在栅极绝缘层12上通过构图工艺制作半导体有源层13，半导体有源层13的具体制作过程与现有技术相同，这里不再赘述。接着，在半导体有源层13上通过构图工艺制作像素电极14，像素电极14的具体制作过程与现有技术相同，这里不再赘述。接着，在像素电极14上通过构图工艺制作源极15和漏极16，源极15和漏极16的具体制作过程与现有技术相同，这里不再赘述。接着，在源极15和漏极16上通过构图工艺制作钝化层17，钝化层17的具体制作过程与现有技术相同，这里不再赘述。接着，在钝化层17上沉积一层透明导电层50，优选地，本发明具体实施例中透明导电层50的材料为氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的单层膜，或为ITO和IZO的复合膜。

如图5所示，本发明具体实施例通过构图工艺制作若干过孔，如制作出过孔60和61，所述过孔的位置处暴露出阵列基板外围引线区62中需要电连接的引线，如引线63和64。具体地，本发明具体实施例在透明导电层50上涂覆光刻胶65，对涂覆的光刻胶65进行曝光、显影，去除需要刻蚀过孔位置处的光刻胶，接着对没有被光刻胶覆盖区域的透明导电层、钝化层以及栅极绝缘层进行刻蚀，形成贯穿透明导电层、钝化层和栅极绝缘层的过孔60和61，过孔60和61的位置处暴露出阵列基板外围引线区62中需要电连接的引线63和64，之后去除覆盖在透明导电层上的光刻胶。

如图6所示，在完成上述步骤的衬底基板上沉积一层金属层70，优选地，本发明具体实施例中金属层70的材料为钼(Mo)，当然，本发明具体实施例中金属层70的材料还可以选择其它导电性好并抗氧化的材料。在金属层70上涂覆光刻胶71，使用掩膜板对光刻胶71进行曝光、显影，形成光刻胶完全去除区、光刻胶部分保留区以及光刻胶完全保留区；其中，光刻胶部分保留区对应阵列基板显示区中需要形成公共电极的区域，光刻胶完全保留区对应阵列基板外围引线区62。优选地，本发明具体实施例中的掩膜板为半色调掩模板或灰色调掩模板。之后，对光刻胶完全去除区、光刻胶部分保留区以及光刻胶完全保留区进行刻蚀，形成阵列基板显示区的公共电极和阵列基板外围引线区中的公共电极和金属线，所述金属线通过过孔将阵列基板外围引线区中需要电连接的引线进行连接。

具体地，如图7所示，首先通过第一次刻蚀，去除光刻胶完全去除区的透明导电层和金属层，在具体实施过程中可以通过湿法刻蚀对透明导电层和金属层进行刻蚀，具体的湿法刻蚀过程中，通过选择不同的刻蚀液分别对透明导电层和金属层进行刻蚀。

接着，去除光刻胶部分保留区的光刻胶，如图8所示，优选地，本发明具体实施例中通过灰化处理的方法去除光刻胶部分保留区的光刻胶，裸露出需要被刻蚀掉的金属层。

接着，如图9所示，通过第二次刻蚀，去除光刻胶部分保留区的金属层，形成阵列基板显示区的公共电极19。在具体实施过程中，同样可以通过湿法刻蚀对裸露出的金属层进行刻蚀。最后，去除光刻胶完全保留区的光刻胶，形成阵列基板外围引线区62中的公共电极19和金属线18，金属线18通过过孔将阵列基板外围引线区62中需要电连接的引线进行连接，如：本发明具体实施例中金属线18通过过孔60和61将阵列基板外围引线区62中需要电连接的引线63和64进行连接。优选地，本发明具体实施例中通过剥离的方法去除光刻胶完全保留区的光刻胶。

本发明具体实施例在制作钝化层17后的制作方法如图10所示，该方法包括过孔的制作、金属线18和公共电极19的制作。与现有技术在制作钝化层17后的制作方法相比，本发明具体实施例在制作金属线18和公共电极19时只需采用一道掩膜板即可，而现有技术需要采用两道掩膜板，故本发明具体实施例能够减少掩膜板的使用，进而降低生产成本。

综上所述，本发明具体实施例提供了一种阵列基板及其制作方法，该方法包括：在钝化层上沉积一层透明导电层，通过构图工艺制作若干过孔，所述过孔暴露出阵列基板外围引线区中需要电连接的引线；在完成上述步骤的衬底基板上沉积一层金属层，在所述金属层上涂覆光刻胶，使用掩膜板对所述光刻胶曝光、显影，形成光刻胶完全去除区、光刻胶部分保留区以及光刻胶完全保留区；所述光刻胶部分保留区对应阵列基板显示区中需要形成公共电极的区域，所述光刻胶完全保留区对应阵列基板外围引线区；对光刻胶完全去除区、光刻胶部分保留区以及光刻胶完全保留区进行刻蚀，形成阵列基板显示区的公共电极和阵列基板外围引线区中的公共电极和金属线，所述金属线通过所述过孔将阵列基板外围引线区中需要电连接的引线进行连接。由于该方法在制作阵列基板时首先沉积一层透明导电层，然后再沉积一层金属层，因此制作得到的阵列基板外围引线区中的公共电极被制作形成的金属线覆盖，这样能够减少阵列基板外围引线区中的公共电极的腐蚀。由于本发明具体实施例沉积透明导电层后通过构图工艺制作出若干过孔，本发明具体实施例制作得到的阵列基板外围引线区中的金属线通过所述过孔将阵列基板外围引线区中需要电连接的引线进行连接，由于本发明具体实施例中阵列基板外围引线区中需要电连接的引线是通过金属线进行连接的，与现有技术通过ITO进行连接的方法相比，本发明具体实施例能够改善连接线的电阻，进而改善屏幕发绿。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种阵列基板的制作方法，该方法包括在衬底基板上制作栅极、栅极绝缘层、半导体有源层、像素电极、源极、漏极和钝化层，其特征在于，所述方法还包括：

在钝化层上沉积一层透明导电层，通过构图工艺制作若干过孔，所述过孔暴露出阵列基板外围引线区中需要电连接的引线；

在完成上述步骤的衬底基板上沉积一层金属层，在所述金属层上涂覆光刻胶，使用掩膜板对所述光刻胶曝光、显影，形成光刻胶完全去除区、光刻胶部分保留区以及光刻胶完全保留区；所述光刻胶部分保留区对应阵列基板显示区中需要形成公共电极的区域，所述光刻胶完全保留区对应阵列基板外围引线区；

对光刻胶完全去除区、光刻胶部分保留区以及光刻胶完全保留区进行刻蚀，形成阵列基板显示区的公共电极和阵列基板外围引线区中的公共电极和金属线，所述金属线通过所述过孔将阵列基板外围引线区中需要电连接的引线进行连接。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜板为半色调掩模板或灰色调掩模板。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对光刻胶完全去除区、光刻胶部分保留区以及光刻胶完全保留区进行刻蚀，形成阵列基板显示区的公共电极和阵列基板外围引线区中的公共电极和金属线，具体包括：

通过第一次刻蚀，去除光刻胶完全去除区的透明导电层和金属层；

去除光刻胶部分保留区的光刻胶；

通过第二次刻蚀，去除光刻胶部分保留区的金属层，形成阵列基板显示区的公共电极；

去除光刻胶完全保留区的光刻胶，形成阵列基板外围引线区中的公共电极和金属线。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，通过灰化处理的方法去除光刻胶部分保留区的光刻胶。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，通过剥离的方法去除光刻胶完全保留区的光刻胶。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述透明导电层的材料为氧化铟锡或氧化铟锌的单层膜，或为氧化铟锡和氧化铟锌的复合膜。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属层的材料为钼。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在衬底基板上制作栅极、栅极绝缘层、半导体有源层、像素电极、源极、漏极和钝化层，具体包括：

在衬底基板上通过构图工艺制作栅极；

在所述栅极上制作栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上通过构图工艺制作半导体有源层；

在所述半导体有源层上通过构图工艺制作像素电极；

在所述像素电极上通过构图工艺制作源极和漏极；

在所述源极和漏极上通过构图工艺制作钝化层。

9.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板为采用权利要求1-8任一权项所述方法制作得到的阵列基板。

10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求9所述的阵列基板。