JP2009164107A - 有機ｅｌ表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 外部から表示領域への水分の浸入を防止し、有機ＥＬ表示装置の信頼性を向上する。
【解決手段】 樹脂保護膜と無機保護膜とからなる保護膜で封止された有機ＥＬ表示装置において、樹脂保護膜の端部を平坦化膜の分断領域の外周よりも表示領域側に設ける。
【選択図】 図１
【解決手段】 樹脂保護膜と無機保護膜とからなる保護膜で封止された有機ＥＬ表示装置において、樹脂保護膜の端部を平坦化膜の分断領域の外周よりも表示領域側に設ける。
【選択図】 図１
Description
本発明は、有機エレクトロスミネッセンス（以下、有機ＥＬと記述する。）素子を用いた表示装置に係るものであり、詳しくは封止構造に関するものである。
近年、フラットパネルディスプレイとして、自発光型デバイスである有機ＥＬ表示装置が注目されている。有機ＥＬ表示装置の表示領域には、第一電極と第二電極とに挟まれた有機化合物層を備える有機ＥＬ素子が複数配置されており、前記有機ＥＬ素子が画素として発光し、画像を表示する。有機ＥＬ素子は水分や酸素に極めて弱く、外部から水分や酸素が浸入すると劣化し、ダークスポットと呼ばれる非発光部を発生してしまう。
外部から有機ＥＬ素子への水分や酸素の浸入を防ぐ構成として、図６に示すように、樹脂保護膜１０９と無機保護膜１１０とからなる保護膜で有機ＥＬ素子を覆う構成が特許文献１に開示されている。特許文献１によると、樹脂保護膜１０９は有機ＥＬ素子及びその周囲の基板の表面を覆い、無機保護膜１１０は樹脂保護膜１０９とその縁部及びその周囲の基板表面を覆う。このような構成により、水分の浸入経路となる樹脂保護膜１０９が外部にさらされないため水分が浸入することがなく、有機ＥＬ素子の劣化を防ぐことができる。
外部から有機ＥＬ素子への水分の浸入を防ぐ別の構成として、特許文献２に表示領域の外周に沿って平坦化膜に分断領域を設け、ガラス基板で封止する構成が開示されている。断面図を図７に示す。
トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置には、有機ＥＬ素子と基板との間に設けられた画素回路１０２の凹凸を平坦化し、積層する膜が凹凸部で不連続となるのを防止するために、樹脂材料からなる平坦化膜１０４が形成される。また、平坦化膜１０４は、画素回路１０２や周辺回路１０３を保護する機能も有するため、有機ＥＬ素子が形成されない周辺回路１０３の上にも表示領域から連続して平坦化膜が形成される。このような構成の有機ＥＬ表示装置を、ガラス基板７０１と接着剤７０２とで封止すると、外部から平坦化膜１０４を介して水分が表示領域内へ浸入し、有機ＥＬ素子が劣化するという問題が発生する。特許文献２はこの問題を解決するため、図７に示すように、表示領域の外周に沿って平坦化膜１０４が分断された領域Ｂを形成し、水分の浸入を防いでいる。
特開２００３−２８２２４０号公報
特開２００５−１６４８１８号公報
外部から有機ＥＬ素子への水分の浸入を防ぐために、樹脂保護膜と無機保護膜とを積層して有機ＥＬ素子を保護する構成は、コストや工程を削減できるため量産に適している。ところが、基板のほぼ全面に平坦化膜を有するトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置にこのような保護膜を適用した場合、特許文献１の構成では、平坦化膜を介して外部から有機ＥＬ素子へ水分が浸入してしまう。
特許文献２のように平坦化膜に分断領域を設けたとしても、図８のように樹脂保護膜の端部を分断領域Ｂよりも外側の平坦化膜上に形成してしまうと、平坦化膜から浸入した水分が樹脂保護膜１０９を介して表示領域に浸入してしまう。
したがって、上記いずれの場合も、有機ＥＬ素子の発光特性について充分な信頼性が得られないという問題が発生する。
上記課題を解決する手段として、請求項１に記載した発明は、
基板と、該基板上に設けられた駆動回路と、該駆動回路を覆う樹脂材料からなる平坦化膜と、該平坦化膜の上に配置され、第一電極と第二電極とに挟まれた有機化合物層を有する複数の有機ＥＬ素子と、少なくとも該複数の有機ＥＬ素子を覆う樹脂保護膜と、少なくとも該樹脂保護膜を覆う無機保護膜と、を備える有機ＥＬ表示装置であって、前記平坦化膜を前記有機ＥＬ素子が配置された表示領域を含む領域とその周辺領域とに分断する分断領域があり、前記樹脂保護膜の端部は、前記分断領域あるいは前記表示領域を含む領域に、前記周辺領域の平坦化膜とは離間して設けられており、前記無機保護膜は、前記樹脂保護膜の端部を覆い、さらに前記分断領域まで達していることを特徴とする。
基板と、該基板上に設けられた駆動回路と、該駆動回路を覆う樹脂材料からなる平坦化膜と、該平坦化膜の上に配置され、第一電極と第二電極とに挟まれた有機化合物層を有する複数の有機ＥＬ素子と、少なくとも該複数の有機ＥＬ素子を覆う樹脂保護膜と、少なくとも該樹脂保護膜を覆う無機保護膜と、を備える有機ＥＬ表示装置であって、前記平坦化膜を前記有機ＥＬ素子が配置された表示領域を含む領域とその周辺領域とに分断する分断領域があり、前記樹脂保護膜の端部は、前記分断領域あるいは前記表示領域を含む領域に、前記周辺領域の平坦化膜とは離間して設けられており、前記無機保護膜は、前記樹脂保護膜の端部を覆い、さらに前記分断領域まで達していることを特徴とする。
本発明の有機ＥＬ表示装置によれば、樹脂保護膜の端部が平坦化膜の分断領域、あるいは表示領域を含む平坦化膜上に、周辺領域の平坦化膜とは離間して設けられるため、水分の浸入経路となる樹脂材料を分断することができる。その結果、平坦化膜および樹脂保護膜を介して外部から表示領域へ水分が浸入するのを防止することができ、水分による有機ＥＬ素子の劣化が低減された、信頼性の高い有機ＥＬ表示装置を作製することができる。
以下に、本発明の実施形態を図１を用いて構成要素ごとに説明した後、その製造方法について説明する。
本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を示す平面図を図１（ａ）、図１（ａ）のＤ−Ｄ´線の断面図を図１（ｂ）に示す。有機ＥＬ表示装置は、表示領域Ａを有している。
（基板）
ガラス等の絶縁性基板１０１上に駆動回路を形成し、基板として用いる。ここで、駆動回路は、有機ＥＬ素子を駆動するための画素回路１０２、画素回路１０２を駆動するための周辺回路１０３の両方もしくはどちらか一方を意味している。画素回路１０２と周辺回路１０３とが基板に形成される場合、前記両方の回路は配線（不図示）で電気的に繋がっている。駆動回路には、多結晶シリコン（以下ｐ−Ｓｉ）、或いは非晶質シリコン（以下ａ―Ｓｉ）等からなるＴＦＴを備えるアクティブマトリクス回路を好適に用いることができる。
ガラス等の絶縁性基板１０１上に駆動回路を形成し、基板として用いる。ここで、駆動回路は、有機ＥＬ素子を駆動するための画素回路１０２、画素回路１０２を駆動するための周辺回路１０３の両方もしくはどちらか一方を意味している。画素回路１０２と周辺回路１０３とが基板に形成される場合、前記両方の回路は配線（不図示）で電気的に繋がっている。駆動回路には、多結晶シリコン（以下ｐ−Ｓｉ）、或いは非晶質シリコン（以下ａ―Ｓｉ）等からなるＴＦＴを備えるアクティブマトリクス回路を好適に用いることができる。
（平坦化膜）
前記駆動回路の表面にはアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の樹脂材料からなる平坦化膜１０４が形成される。表示領域Ａにおいて、平坦化膜１０４は主に画素回路１０２による基板表面の凹凸を平坦化して、その上に積層する有機化合物層が凹凸により不連続となるのを防止する役割を担っている。周辺領域においては、電極等のエッチング工程から周辺回路を保護する役割を担っている。平坦化膜１０４を分断する分断領域Ｂは、表示領域Ａの周辺であって、かつ駆動回路の設けられていない領域に形成される。これにより、平坦化膜は、表示領域を含む領域とその周辺領域とに分断される。分断領域Ｂは、平坦化膜１０４を介して外部から表示領域Ａへ水分が浸入するのを防ぎ、有機ＥＬ素子の劣化を防止する。
前記駆動回路の表面にはアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の樹脂材料からなる平坦化膜１０４が形成される。表示領域Ａにおいて、平坦化膜１０４は主に画素回路１０２による基板表面の凹凸を平坦化して、その上に積層する有機化合物層が凹凸により不連続となるのを防止する役割を担っている。周辺領域においては、電極等のエッチング工程から周辺回路を保護する役割を担っている。平坦化膜１０４を分断する分断領域Ｂは、表示領域Ａの周辺であって、かつ駆動回路の設けられていない領域に形成される。これにより、平坦化膜は、表示領域を含む領域とその周辺領域とに分断される。分断領域Ｂは、平坦化膜１０４を介して外部から表示領域Ａへ水分が浸入するのを防ぎ、有機ＥＬ素子の劣化を防止する。
例えば画素回路１０２と、周辺回路１０３との間に分断領域Ｂを形成すると良い。このとき、画素回路１０２と周辺回路１０３の一部とを、表示領域を含む領域の平坦化膜で覆い、残りの周辺回路を周辺領域の平坦化膜で覆う配置であっても良い。
周辺回路が、表示領域の全周ではなく周囲の一部に配置されている場合は、周辺領域の平坦化膜も表示領域の全周に設ける必要はなく、周辺回路が配置された部分にだけ設けてもよい。つまり、表示領域を含む領域の平坦化膜の周囲の一部に周辺領域の平坦化膜が形成されている場合は、分断領域も表示領域の周囲の一部分に形成されることになる。
表示領域を含む領域の平坦化膜１０４には、後に形成する第一電極１０５と画素回路１０２を電気的に接続するためのコンタクトホール１１２が、画素回路ごとに形成される。
（第一電極）
コンタクトホール１１２を介して画素回路１０２に接続する第一電極１０５が、平坦化膜上に有機ＥＬ素子ごとに形成される。第一電極１０５には、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ等、有機ＥＬ素子の電極として公知の材料を用いることができる。
コンタクトホール１１２を介して画素回路１０２に接続する第一電極１０５が、平坦化膜上に有機ＥＬ素子ごとに形成される。第一電極１０５には、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ等、有機ＥＬ素子の電極として公知の材料を用いることができる。
必要に応じて、有機ＥＬ素子間に素子分離膜１０６を形成してもよい。素子分離膜１０６は、後に堆積する有機化合物層が第１電極の膜厚による段差部で途切れないようにするとともに、有機ＥＬ素子の発光領域を規定するものである。素子分離膜１０６の材料には絶縁材料が好適に用いられ、具体的には、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂などの樹脂材料が好適に用いられる。
（有機化合物層）
第一電極１０５上には発光層を備える有機化合物層１０７が形成される。有機化合物層１０７は前記発光層の他に、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層等の機能を持つ層を有していてもよい。有機化合物層１０７の各層には、公知の材料を用いることができる。
第一電極１０５上には発光層を備える有機化合物層１０７が形成される。有機化合物層１０７は前記発光層の他に、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層等の機能を持つ層を有していてもよい。有機化合物層１０７の各層には、公知の材料を用いることができる。
（第二電極）
有機化合物層１０７上に第二電極１０８が形成され、一対の電極に挟まれた有機化合物層１０７を備える有機ＥＬ素子が形成される。第二電極１０８には第一電極１０５と同様の材料を用いることが出来る。ただし、有機ＥＬ素子で発光した光を取り出すため、第一電極１０５と第二電極１０８の少なくとも一方を透明にしておかなければならない。光取り出し側に形成する電極には、透明導電膜や薄膜金属からなる半透過導電膜、あるいはそれらを積層した膜を用いる。
有機化合物層１０７上に第二電極１０８が形成され、一対の電極に挟まれた有機化合物層１０７を備える有機ＥＬ素子が形成される。第二電極１０８には第一電極１０５と同様の材料を用いることが出来る。ただし、有機ＥＬ素子で発光した光を取り出すため、第一電極１０５と第二電極１０８の少なくとも一方を透明にしておかなければならない。光取り出し側に形成する電極には、透明導電膜や薄膜金属からなる半透過導電膜、あるいはそれらを積層した膜を用いる。
（保護膜）
第二電極１０８上には、樹脂保護膜１０９と無機保護膜１１０からなる保護膜が形成される。
第二電極１０８上には、樹脂保護膜１０９と無機保護膜１１０からなる保護膜が形成される。
有機ＥＬ表示装置は、複数回のフォトリソグラフィ等によるパターン形成工程や真空成膜工程を経て作製される。これらの工程によるエッチング残渣や、真空装置の内壁から剥がれた膜が付着するなどにより、有機ＥＬ素子が設けられている表示領域の表面には凹凸ができてしまう。凹凸の段差は、製造方法や真空装置等に依存するが、５μｍ以下のものが多い。このような表示領域の表面を無機保護膜のみで保護しようとすると、膜厚が薄い場合は、凹凸を覆いきれずに無機保護膜に欠陥ができて水分が浸入してしまう。凹凸を充分に覆うために凹凸段差以上の厚い無機保護膜を形成すると、膜応力が大きくなって亀裂が入り易くなり、さらに製造のタクト及びコストも増大してしまう。
そこで本発明では、無機保護膜形成前に樹脂保護膜１０９で少なくとも有機ＥＬ素子の表面を覆い、表面の凹凸を平坦化しておく。樹脂保護膜１０９は、製造工程によって発生する凹凸の段差と同等以上の膜厚に形成する。一般的な製造工程による凹凸の段差と製造コストとを考慮すると、５〜３０μｍの膜厚が好ましい。
樹脂保護膜１０９の端部は、平坦化膜１０４の分断領域、あるいは表示領域を含む領域の平坦化膜上に、周辺領域の平坦化膜とは離間するように設ける。樹脂保護膜１０９の端部が周辺領域の平坦化膜と接したり、周辺領域の平坦膜の上に設けられたりすると、平坦化膜１０４を伝って外部から浸入した水分が樹脂保護膜１０９を介して表示領域Ａに浸入し、有機ＥＬ素子の劣化を引き起こしてしまうからである。
また、周辺回路の配置に応じて、周辺領域の平坦化膜が表示領域の周囲の一部にしか設けられていない場合において、周辺領域の平坦化膜のない部分では、樹脂保護膜が基板の端まで広がらないように制御しなければならない。樹脂保護膜表面を確実に無機保護膜で覆い、樹脂保護膜を介して水分が浸入を防止するためである。
樹脂保護膜１０９の表面は凹凸が小さく滑らかであることが好ましいため、液状で基板上に塗布でき、その後硬化して固体にできる材料が好適に用いられる。具体的には、ポリオレフィン系樹脂、ポリエーテル樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂等が挙げられる。
次に、少なくとも樹脂保護膜１０９の表面を無機保護膜１１０で覆い、有機ＥＬ素子へ水分が浸入するのを防止する。樹脂保護膜１０９の表面は滑らかで平坦であるため、無機保護膜１１０は０．５〜３μｍ程度の膜厚でその表面を覆うことができ、水分の浸入を防ぐことができる。無機保護膜１１０には、水分透過率の低い、窒化珪素、酸化珪素、その混合物等が用いられる。
ここで図４に示すように、樹脂保護膜１０９形成前に、表示領域Ａの第二電極１０８上に機械的強度の高い材料からなる無機下地膜４０２を形成しておいてもよい。無機下地膜を形成しておけば、樹脂保護膜１０９材料が硬化する際の硬化収縮や硬化後の膜応力が無機下地膜４０２より下に積層されている層に伝わるのを防ぎ、膜剥がれを防止することができる。さらに無機下地膜４０２を設けない場合に比べて許容できる樹脂保護膜材料の硬化収縮率や膜応力の幅が広がり、樹脂保護膜として用いることのできる樹脂材料の選択肢を増やすことができる。
無機下地膜４０２には、酸化アルミニウム、窒化珪素、酸化珪素等を用いることができる。また、無機下地膜４０２には水分を遮断する機能は必要でないため、膜厚は０．１〜１μｍで良い。
（製造方法）
本発明の実施形態である有機ＥＬ表示装置の製造方法について述べる。
本発明の実施形態である有機ＥＬ表示装置の製造方法について述べる。
ＴＦＴや駆動回路は、従来の方法でガラス等の絶縁性基板上に形成することができる。
駆動回路を形成した側の基板全面に、大気中で感光性アクリル樹脂をスピンコーターで塗布した後に加熱硬化し、平坦化膜１０４とする。続いてフォトリソグラフィを用い、表示領域Ａの周囲の平坦化膜１０４を除去して分断領域Ｂを形成する。この時、画素ごとにコンタクトホール１１２を同時に形成する。
第一電極１０５の形成にはスパッタリング法を用い、例えばＡｌとＩＴＯの積層膜を形成し、フォトリソグラフィにて有機ＥＬ素子に対応するパターンに形成する。それぞれ第一電極１０５は、平坦化膜１０４に形成したコンタクトホールを通じて対応する画素回路１０２に電気的に接続される。
素子分離膜１０６は、平坦化膜１０４と同様に、スピンコーターで基板全体に形成した後、フォトリソグラフィにてパターニングされ、脱水のためアニールされる。平坦化膜１０４や素子分離膜１０６に含まれる水分を十分に脱水することにより、後に形成する有機ＥＬ素子に水分が浸入するのを防ぐことができる。
有機化合物層１０７は従来の材料を用いて、蒸着法、レーザー転写法、インクジェット等を用いた塗布法などを用いて形成することが出来る。蒸着法にて、有機化合物層１０７を有機ＥＬ素子ごとに膜厚や材料を変えて形成する場合は、メタルマスクを用いるとよい。有機化合物層１０７を形成した後、無機保護膜１１０を形成するまでは、露点管理した雰囲気中で工程を行い、工程中に水分が有機ＥＬ素子へ浸入するのを防止する。
樹脂保護膜１０９は、端部が分断領域、あるいは表示領域を含む領域の平坦化膜上に、周辺領域の平坦化膜とは離間するように形成する。樹脂保護膜１０９の端部を所定の位置に形成する手段として、あらかじめ塗布手段の塗布精度より広い幅に分断領域Ｂを形成しておき、描画可能なディスペンサーやスクリーン印刷法等を用いる方法が挙げられる。分断領域Ｂの幅が広くなると、その分出来上がった有機ＥＬ表示装置の額縁が広くなってしまうため、塗布精度の高い塗布手段を採用し、分断領域Ｂの幅を２０〜２００μｍとするのが好ましい。
樹脂保護膜１０９の端部位置を決める別の手段として、樹脂保護膜の端部位置決め構造を設けても良い。端部位置決め構造は、塗布後の樹脂保護膜材料が塗布面を伝って広がる際の抵抗となり、所定の位置で広がりを止めることができる。端部位置決め構造は、樹脂保護膜１０９を形成する領域の外周に、溝や土手、若しくはそれらを組み合わせて形成することができる。端部位置決め構造を採用すれば、ディスペンサーによる描画や印刷だけでは塗布後に材料が広がり、端部位置を決めることのできない、粘度の低い樹脂材料を好適に用いることが可能となる。樹脂保護膜材料の粘度に応じて、端部位置決め構造を複数設けても良い。
分断領域のない部分において樹脂保護膜の端部の位置を決めるためにも、分断領域と同様の端部位置決め構造を用いることができる。
端部位置決め構造は、平坦化膜や素子分離膜など、表示領域をを構成する材料を利用して、それらをパターニングする際に同時に形成しておくと、工程や材料を追加することなく好ましい。
端部位置を決め構造を樹脂材料で形成したときは、樹脂保護膜の表面を覆うとともに端部位置決め構造の表面を覆い、分断領域に達するまで無機保護膜を形成して外部から水分が浸入しないようにしておく必要がある。
塗布した樹脂保護膜材料は、加熱、或いはＵＶ照射により硬化する。
無機保護膜１１０や図４に示した無機下地膜４０１の形成方法には、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法等の真空成膜法を好適に用いることができる。
以下に、本発明の実施例について詳細に説明する。
〈実施例１〉
図１（ａ）は、本実施例にかかる有機ＥＬ表示装置の平面図、図１（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ´断面図である。
図１（ａ）は、本実施例にかかる有機ＥＬ表示装置の平面図、図１（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ´断面図である。
まず、縦１００ｍｍ、横１００ｍｍ、厚さ０．５ｍｍのガラス基板上に、ｐ−ＳｉからなるＴＦＴを備える駆動回路を形成した。表示領域Ａには複数の画素回路１０２を形成し、周辺部には画素回路１０２を駆動するための周辺回路１０３を、表示領域Ａを囲むように形成した。次に、駆動回路上に平坦化膜材料のフォトレジタイプの紫外線硬化性アクリル樹脂をスピンコーターを用いて塗布し、コンタクトホール１１２と分断領域Ｂのパターンを有するフォトマスクを載せて、１８００ｍＷの照度で露光した。さらに現像液で現像し、２００℃でポストベークして、コンタクトホール１１２と分断領域Ｂを有する膜厚２μｍの平坦化膜１０４を形成した。分断領域Ｂは、表示領域Ａの外周より３５０μｍ外側の位置から幅２００μｍで平坦化膜を除去して形成した。これにより、平坦化膜は、表示領域を含む領域と周辺領域とに分断された。
次に、膜厚１００ｎｍのＡｌ上に膜厚５０ｎｍのＩＺＯをスパッタリング法により積層し、第一電極１０５とした。第一電極１０５は、基板上の積層体全面に形成した後フォトリソグラフィにてパターニングし、画素回路１０２に対応する位置に形成した。第一電極１０５は前記コンタクトホール１１２を通してそれぞれ画素回路１０２に電気的に接続された。
平坦化膜１０４および第一電極１０５の上に、スピンコーターでポリイミド樹脂を厚さ１．６μｍに塗布した後、各画素の発光領域と、表示領域Ａより外側の領域とに形成されたポリイミド樹脂をフォトリソグラフィ法にて除去し、素子分離膜１０６とした。
素子分離膜１０６等が形成された基板を、圧力１０−２Ｐａ、１５０℃雰囲気下で１０分加熱した後、表示領域Ａの第一電極１０５上に有機化合物層１０７を形成した。有機化合物層１０７には、公知の有機材料からなるホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を、抵抗加熱蒸着法を用いて順次積層した。
続いて、分断領域Ｂの外周よりも表示領域側の全面に、ＩＺＯからなる第二電極１０８を、スパッタリング法により５０ｎｍの膜厚で形成した。
次に、露点温度−６０℃の窒素雰囲気下で、粘度３０００ｍＰａ・ｓの熱硬化性のエポキシ樹脂を精密描画が可能なディスペンサー（武蔵エンジニアリング社製ＳＨＯＴ ＭＩＮＩ ＳＬ）を用い、有機ＥＬ素子を覆うように塗布した。ディスペンサー吐出口が描く軌跡の外周が、分断領域Ｂの幅方向の中心線をなぞるようにして塗布したところ、エポキシ樹脂の端部を幅２００μｍの平坦化膜の分断領域Ｂ内に周辺領域の平坦化膜とは離間して配置することができた。塗布後のエポキシ樹脂は、真空環境下で１００℃の温度で１５分間加熱して硬化させ、膜厚３０μｍの樹脂保護膜１０９とした。
さらに、窒化珪素からなる無機保護膜１１０を、ＳｉＨ４ガス、Ｎ２ガス、Ｈ２ガスを用いたプラズマＣＶＤ法で成膜した。無機保護膜の膜厚は１μｍとし、有機ＥＬ素子が形成された基板表面全体を覆うように形成した。
以上のようにして形成された有機ＥＬ表示装置の表示領域Ａ、平坦化膜１０４、分断領域Ｂ、樹脂保護膜１０９との位置関係を、図１（ｂ）に示しておく。
作製した有機ＥＬ表示装置について、温度６０℃、湿度９０％環境下での保存試験を行ったところ、１０００時間の保存試験の結果においても、ダークスポットは発生しなかった。
〈実施例２〉
本実施例の有機ＥＬ表示装置の断面を図２に示す。
本実施例の有機ＥＬ表示装置の断面を図２に示す。
本実施例は、樹脂保護膜１０９の端部を表示領域を含む領域の平坦化膜上に設け、素子分離膜材料からなる、樹脂保護膜の端部位置を決めるための構造２０１を形成し、粘度の低い樹脂保護膜材料を用いた点が実施例１とは異なっている。図１と共通の番号を付した構成は、実施例１と同様に形成した。
樹脂保護膜の端部位置を決めるための構造２０１は、素子分離膜１０６パターンを形成する際、表示領域Ａと分断領域Ｂの内周との間に表示領域Ａを囲むように幅５０μｍの素子分離膜材料を残したものである。表示領域Ａより外側の素子分離膜１０６を除去する部分Ｃには第一電極材料を残しておいた。部分Ｃの第一電極材料は、素子分離膜材料のパターンを形成する際に平坦化膜１０４がオーバーエッチングされるのを防ぐエッチングストップ膜２０２として機能する。
樹脂保護膜材料として、粘度１５００ｍＰａ・ｓの熱硬化性のエポキシ樹脂を、樹脂保護膜の端部位置を決めるための構造２０１から１ｍｍ表示領域側に入った位置まで塗布した。塗布したエポキシ樹脂は粘度が低いため塗布面を伝って広がるが、端部位置決め構造２０１を超えて広がる事はなく、表示領域を含む領域の平坦化膜上に樹脂保護膜の端部を配置することができた。また、粘度が低いため実施例１に比べて２０μｍの薄い樹脂保護膜を形成することができた。
出来上がった有機ＥＬ表示装置を、温度６０℃、湿度９０％環境下での保存試験を行ったところ、１０００時間の保存試験の結果においても、ダークスポットは発生しなかった。
〈実施例３〉
本実施例の有機ＥＬ表示装置の断面を図３に示す。
本実施例の有機ＥＬ表示装置の断面を図３に示す。
本実施例は、平坦化膜の分断領域を二重に形成し、表示領域側の分断領域Ｂ３１を樹脂保護膜の端部位置を決めるための構造として利用した点が実施例２と異なっている。図２と共通の番号を付した構成は、実施例２と同様に形成した。
平坦化膜の分断領域Ｂ３１およびＢ３２は、幅１００μｍで７０μｍの間隔をおいて二重に形成した。塗布した樹脂保護膜材料は、表示領域側に形成された分断領域Ｂ３１で止まり、分断領域Ｂ３２にまで広がることは無かった。
出来上がった有機ＥＬ表示装置を、温度６０℃、湿度９０％環境下での保存試験を行ったところ、１０００時間の保存試験の結果においても、ダークスポットは発生しなかった。
〈実施例４〉
本実施例の有機ＥＬ表示装置の断面を図４に示す。
本実施例の有機ＥＬ表示装置の断面を図４に示す。
本実施例は、平坦化膜の分断領域を幅方向に分割するように素子分離膜材料で仕切り４０１を形成し、表示領域側の分断領域Ｂ４１を樹脂保護膜の端部位置決め構造として利用した点、および表示領域に無機下地膜４０２を形成した点が実施例３と異なっている。
無機下地膜４０２を形成しておくことで、樹脂保護膜１０９材料が硬化する際の収縮せん断力や硬化後の膜応力が、無機下地膜４０２より下に積層した層に伝わらず、膜剥がれを防止することができる。図１と共通の番号を付した構成は、実施例２と同様に形成した。
仕切り４０１は、表示領域Ａを囲んで平坦化膜の分断領域Ｂ４２を分割するように、素子分離膜材料にて幅５０μｍで形成した。
無機下地膜４０２として、第二電極１０８を形成した表示領域上に、ＳｉＨ４ガス、Ｎ２ガス、Ｈ２ガスを用いたプラズマＣＶＤ法にて、窒化珪素を０．２μｍの膜厚で形成した。
出来上がった有機ＥＬ表示装置を、温度６０℃、湿度９０％環境下での保存試験を行ったところ、１０００時間の保存試験の結果においても、ダークスポットは発生しなかった。
〈実施例５〉
本実施例の有機ＥＬ表示装置の平面図を図５に示す。
本実施例の有機ＥＬ表示装置の平面図を図５に示す。
本実施例は、周辺回路を表示領域Ａの周囲の一部にのみ形成した点が、実施例１と異なる。そのため、平坦化膜１０４は表示領域Ａを含む領域、およびそのの周囲の一部に設けられている。図１と共通の番号を付した構成は、実施例１と同様に形成した。
表示領域Ａを含む領域の周辺に平坦化膜１０４が設けられている部分では、ディスペンサー吐出口の描く軌跡の外周が分断領域Ｂの幅方向の中心線をたどるように塗布した。結果、幅２００μｍの平坦化膜の分断領域Ｂ内に樹脂保護膜の端部を配置することができた。表示領域Ａを含む領域の周辺に平坦化膜１０４が形成されていない部分では、表示領域Ａを含む平坦化膜の端から５００μｍ離れた位置をディスペンサー吐出口が軌跡を描くように樹脂保護膜材料を塗布した。その結果、基板の端部より内側（表示領域側）５００μｍの位置に樹脂保護膜の端部を配置することができた。
出来上がった有機ＥＬ表示装置を、温度６０℃、湿度９０％環境下での保存試験を行ったところ、１０００時間の保存試験の結果においても、ダークスポットは発生しなかった。
〈比較例〉
図８に示すように、樹脂保護膜１０９の端部を分断領域Ｂより外側にある周辺領域の平坦化膜上に形成した以外は実施例１と同様にして有機ＥＬ表示装置を作製し、温度６０℃、湿度９０％環境下で１０００時間の保存試験を行った。保存試験の結果、約２０ヶ所でダークスポットの拡大が確認された。
図８に示すように、樹脂保護膜１０９の端部を分断領域Ｂより外側にある周辺領域の平坦化膜上に形成した以外は実施例１と同様にして有機ＥＬ表示装置を作製し、温度６０℃、湿度９０％環境下で１０００時間の保存試験を行った。保存試験の結果、約２０ヶ所でダークスポットの拡大が確認された。
１０１ 基板
１０２ 駆動回路
１０３ 周辺回路
１０４ 平坦化膜
１０５ 第一電極
１０６ 分離膜
１０７ 有機化合物層
１０８ 第二電極
１０９ 樹脂保護膜
１１０ 無機保護膜
４０１ 仕切り
４０２ 無機下地膜
２０１ 樹脂保護膜の端部位置決め構造
２０２ エッチングストップ層
Ａ 表示領域
Ｂ 分断領域
Ｂ３１ 表示領域側分断領域（樹脂保護膜の端部位置決め構造）
Ｂ３２ 外側分断領域
Ｂ４１ 表示領域側分断領域（樹脂保護膜端部位置決め構造）
Ｂ４２ 外側分断領域
７０１ ガラス基板
７０２ 接着剤
１０２ 駆動回路
１０３ 周辺回路
１０４ 平坦化膜
１０５ 第一電極
１０６ 分離膜
１０７ 有機化合物層
１０８ 第二電極
１０９ 樹脂保護膜
１１０ 無機保護膜
４０１ 仕切り
４０２ 無機下地膜
２０１ 樹脂保護膜の端部位置決め構造
２０２ エッチングストップ層
Ａ 表示領域
Ｂ 分断領域
Ｂ３１ 表示領域側分断領域（樹脂保護膜の端部位置決め構造）
Ｂ３２ 外側分断領域
Ｂ４１ 表示領域側分断領域（樹脂保護膜端部位置決め構造）
Ｂ４２ 外側分断領域
７０１ ガラス基板
７０２ 接着剤
Claims (4)
- 基板と、該基板上に設けられた駆動回路と、該駆動回路を覆う樹脂材料からなる平坦化膜と、該平坦化膜の上に配置され、第一電極と第二電極とに挟まれた有機化合物層
を有する複数の有機ＥＬ素子と、少なくとも該複数の有機ＥＬ素子を覆う樹脂保護膜と、少なくとも該樹脂保護膜を覆う無機保護膜と、を備える有機ＥＬ表示装置であって、前記平坦化膜を前記有機ＥＬ素子が配置された表示領域を含む領域とその周辺領域とに分断する分断領域があり、前記樹脂保護膜の端部は、前記分断領域あるいは前記表示領域を含む領域に、前記周辺領域の平坦化膜とは離間して設けられており、前記無機保護膜は、前記樹脂保護膜の端部を覆い、更に前記分断領域まで達していることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。 - 樹脂保護膜の端部位置を決めるための構造を有することを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
- 樹脂保護膜の端部位置を決めるための構造が、前記表示領域を構成する材料のいずれかからなることを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
- 前記表示領域の前記第二電極と前記樹脂保護膜との間に、無機下地膜が配置されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
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Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011138748A (ja) * | 2010-01-04 | 2011-07-14 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光表示装置 |
| JP2013524473A (ja) * | 2010-04-12 | 2013-06-17 | コミサリア ア レネルジー アトミック エ オ ゼネルジー アルテルナティブ | 有機オプトエレクトロニックデバイス及びそれをカプセル化する方法 |
| WO2013136697A1 (ja) * | 2012-03-12 | 2013-09-19 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2014154450A (ja) * | 2013-02-12 | 2014-08-25 | Japan Display Inc | 有機半導体素子および有機半導体素子の製造方法 |
| JP2014222617A (ja) * | 2013-05-14 | 2014-11-27 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 |
| JP2015069857A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
| JP2017041459A (ja) * | 2016-12-01 | 2017-02-23 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機ｅｌ表示装置 |
| KR20170038326A (ko) * | 2015-09-30 | 2017-04-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
| US9634080B2 (en) | 2013-01-23 | 2017-04-25 | Japan Display Inc. | Display device |
| JP2017126529A (ja) * | 2016-01-15 | 2017-07-20 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機ｅｌ表示装置 |
| US9991326B2 (en) | 2015-01-14 | 2018-06-05 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting device comprising flexible substrate and light-emitting element |
| WO2018123510A1 (ja) * | 2016-12-28 | 2018-07-05 | コニカミノルタ株式会社 | 電子デバイス |
| JP2018200787A (ja) * | 2017-05-26 | 2018-12-20 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| JP2019003819A (ja) * | 2017-06-14 | 2019-01-10 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 有機ｅｌ表示パネル |
| WO2019054387A1 (ja) * | 2017-09-12 | 2019-03-21 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
| CN110265473A (zh) * | 2015-09-23 | 2019-09-20 | 乐金显示有限公司 | 有机发光二极管显示装置及其有机发光二极管 |
| JP2019200849A (ja) * | 2018-05-14 | 2019-11-21 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| JP2019537040A (ja) * | 2016-12-01 | 2019-12-19 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Ｂｏｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｇｒｏｕｐ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 表示装置 |
| US10593747B2 (en) | 2013-04-12 | 2020-03-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus and manufacturing method thereof |
| WO2020053923A1 (ja) * | 2018-09-10 | 2020-03-19 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
| JP2020522863A (ja) * | 2017-11-24 | 2020-07-30 | クンシャン ゴー−ビシオノクス オプト−エレクトロニクス カンパニー リミテッドＫｕｎｓｈａｎ Ｇｏ−Ｖｉｓｉｏｎｏｘ Ｏｐｔｏ−Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． | 表示部品 |
| JP2020184426A (ja) * | 2019-04-26 | 2020-11-12 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 有機ｅｌ表示パネルおよびその製造方法 |
| WO2022106949A1 (ja) * | 2020-11-17 | 2022-05-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示パネル、情報処理装置、表示パネルの製造方法 |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5424738B2 (ja) * | 2009-06-23 | 2014-02-26 | キヤノン株式会社 | 表示装置 |
| JP5409315B2 (ja) * | 2009-12-11 | 2014-02-05 | キヤノン株式会社 | 表示装置 |
| JP2012059692A (ja) * | 2010-08-09 | 2012-03-22 | Canon Inc | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
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| KR102317393B1 (ko) * | 2014-10-17 | 2021-10-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
| KR102225848B1 (ko) * | 2014-11-07 | 2021-03-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
| KR102396296B1 (ko) * | 2015-03-06 | 2022-05-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
| KR102314470B1 (ko) | 2015-03-09 | 2021-10-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
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| KR102509079B1 (ko) * | 2015-11-30 | 2023-03-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102541448B1 (ko) * | 2016-03-08 | 2023-06-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| KR102524535B1 (ko) * | 2016-03-29 | 2023-04-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| KR102571085B1 (ko) | 2016-04-04 | 2023-08-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| KR102632616B1 (ko) * | 2016-06-27 | 2024-02-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| KR102328679B1 (ko) | 2016-11-23 | 2021-11-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| CN108448010B (zh) * | 2018-05-11 | 2021-04-23 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板及显示终端 |
| CN109727920B (zh) * | 2018-12-18 | 2020-10-30 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Tft基板的制作方法及tft基板 |
| CN113394152B (zh) * | 2021-06-15 | 2022-09-20 | 深圳市创一智能装备有限公司 | 一种载板的定位装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003271075A (ja) | 2002-03-13 | 2003-09-25 | Toshiba Corp | 表示装置 |
| JP4518747B2 (ja) * | 2003-05-08 | 2010-08-04 | 三洋電機株式会社 | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP4479381B2 (ja) * | 2003-09-24 | 2010-06-09 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 |
-
2008
- 2008-10-15 JP JP2008266528A patent/JP4458379B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-12-12 KR KR1020080126203A patent/KR101014674B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2008-12-12 CN CN2008101855285A patent/CN101459193B/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011138748A (ja) * | 2010-01-04 | 2011-07-14 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光表示装置 |
| US8735936B2 (en) | 2010-01-04 | 2014-05-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
| JP2013524473A (ja) * | 2010-04-12 | 2013-06-17 | コミサリア ア レネルジー アトミック エ オ ゼネルジー アルテルナティブ | 有機オプトエレクトロニックデバイス及びそれをカプセル化する方法 |
| WO2013136697A1 (ja) * | 2012-03-12 | 2013-09-19 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US9871092B2 (en) | 2013-01-23 | 2018-01-16 | Japan Display Inc. | Display device with reduced frame size |
| US9634080B2 (en) | 2013-01-23 | 2017-04-25 | Japan Display Inc. | Display device |
| US10319947B2 (en) | 2013-02-12 | 2019-06-11 | Japan Display Inc. | OLED with a flattening layer between two barrier layers |
| US10629849B2 (en) | 2013-02-12 | 2020-04-21 | Japan Display Inc. | OLED with a flattening layer between two barrier layers |
| US9812669B2 (en) | 2013-02-12 | 2017-11-07 | Japan Display Inc. | OLED with a flattening layer between two barrier layers |
| US9466813B2 (en) | 2013-02-12 | 2016-10-11 | Japan Display Inc. | OLED with a flattening layer between two barrier layers |
| US11600801B2 (en) | 2013-02-12 | 2023-03-07 | Japan Display Inc. | OLED with a flattening layer between two barrier layers |
| JP2014154450A (ja) * | 2013-02-12 | 2014-08-25 | Japan Display Inc | 有機半導体素子および有機半導体素子の製造方法 |
| US9728748B2 (en) | 2013-02-12 | 2017-08-08 | Japan Display Inc. | OLED with a flattening layer between two barrier layers |
| US9728747B2 (en) | 2013-02-12 | 2017-08-08 | Japan Display Inc. | OLED with a flattening layer between two barrier layers |
| US10593747B2 (en) | 2013-04-12 | 2020-03-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus and manufacturing method thereof |
| US9601713B2 (en) | 2013-05-14 | 2017-03-21 | Seiko Epson Corporation | Electro-optic device, method of manufacturing electro-optic device, and electronic apparatus |
| JP2014222617A (ja) * | 2013-05-14 | 2014-11-27 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 |
| JP2015069857A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
| US9991326B2 (en) | 2015-01-14 | 2018-06-05 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting device comprising flexible substrate and light-emitting element |
| US10615243B2 (en) | 2015-01-14 | 2020-04-07 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting device comprising flexible substrate and light-emitting element |
| CN110265473A (zh) * | 2015-09-23 | 2019-09-20 | 乐金显示有限公司 | 有机发光二极管显示装置及其有机发光二极管 |
| CN110265473B (zh) * | 2015-09-23 | 2022-11-15 | 乐金显示有限公司 | 有机发光二极管显示装置及其有机发光二极管 |
| KR20170038326A (ko) * | 2015-09-30 | 2017-04-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
| KR102450961B1 (ko) * | 2015-09-30 | 2022-10-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
| JP2017126529A (ja) * | 2016-01-15 | 2017-07-20 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP2019537040A (ja) * | 2016-12-01 | 2019-12-19 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Ｂｏｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｇｒｏｕｐ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 表示装置 |
| JP2017041459A (ja) * | 2016-12-01 | 2017-02-23 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機ｅｌ表示装置 |
| JPWO2018123510A1 (ja) * | 2016-12-28 | 2019-10-31 | コニカミノルタ株式会社 | 電子デバイス |
| WO2018123510A1 (ja) * | 2016-12-28 | 2018-07-05 | コニカミノルタ株式会社 | 電子デバイス |
| JP2018200787A (ja) * | 2017-05-26 | 2018-12-20 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| JP2019003819A (ja) * | 2017-06-14 | 2019-01-10 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 有機ｅｌ表示パネル |
| WO2019054387A1 (ja) * | 2017-09-12 | 2019-03-21 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
| US11289676B2 (en) | 2017-11-24 | 2022-03-29 | Kunshan Go-Visionox Opto-Electronics Co., Ltd. | Display device having a closed circular groove planarization layer |
| JP2020522863A (ja) * | 2017-11-24 | 2020-07-30 | クンシャン ゴー−ビシオノクス オプト−エレクトロニクス カンパニー リミテッドＫｕｎｓｈａｎ Ｇｏ−Ｖｉｓｉｏｎｏｘ Ｏｐｔｏ−Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． | 表示部品 |
| JP2019200849A (ja) * | 2018-05-14 | 2019-11-21 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| US11751427B2 (en) | 2018-05-14 | 2023-09-05 | Japan Display Inc. | Electronic device |
| WO2020053923A1 (ja) * | 2018-09-10 | 2020-03-19 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
| JP2020184426A (ja) * | 2019-04-26 | 2020-11-12 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 有機ｅｌ表示パネルおよびその製造方法 |
| WO2022106949A1 (ja) * | 2020-11-17 | 2022-05-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示パネル、情報処理装置、表示パネルの製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
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