JP2020184426A - 有機ｅｌ表示パネルおよびその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】狭小な周辺領域において有機ＥＬ発光素子アレイを被覆する樹脂材料の流れ出しを防止し封止効果を高める。【解決手段】基板１０１の上方に配された下部樹脂絶縁層１０２と、平面方向に延在して配された配線層２０３と、配線層２０３を覆う樹脂絶縁層２１４と、有機ＥＬ素子アレイ１００ａｒを囲繞して配された周堤２０４と、樹脂絶縁層２１４の外縁近傍まで連続して配された下部無機封止層１０８１と、下部無機封止層１０８１の上面に配され、外縁が周堤により規定されている樹脂封止層１０８２と、周堤より内方では樹脂封止層の上面に配され、周堤より外方では下部無機封止層の上面において、下部無機封止層の外縁近傍まで連続して配された上部無機封止層１０８３とを備え、周堤は樹脂封止層の基板の外方の端部に位置し、下部樹脂絶縁層には周堤を囲繞するように周溝１０２２が形成されている。【選択図】図３

Description

本開示は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子を複数含む有機ＥＬ表示パネルおよびその製造方法に関し、特に、外部環境に存在する水分の浸入を抑制するための封止技術に関する。
従来、有機ＥＬ素子を複数含む有機ＥＬ表示パネルが知られている。有機ＥＬ素子は、各種材料の薄膜を積層した多層構造を有し、平坦化絶縁層に覆われたＴＦＴ（薄膜トランジスタ：Thin Film Transistor）基板上に、少なくとも、画素電極と、対向電極と、これらに挟まれた有機発光層とを備える。
画素電極と有機発光層の間、または、対向電極と有機発光層の間には、必要に応じて、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層などが設けられる。これらの層は、水分と反応すると発光特性が劣化する材料を含むことがある。有機ＥＬ表示パネルの表示品質の経時的な劣化を抑制するために、外部環境に存在する水分の浸入を抑制するための封止技術が重要となる。そこで、有機ＥＬ表示パネルの表示品質の経時的な劣化を抑制するために、外部環境に存在する水分の浸入を抑制するための封止構造が提案されている（例えば、特許文献１〜５）。
この封止構造の実現において、有機材料を用いて封止層を形成する場合、一般に、未硬化の樹脂材料を、例えば、ディスペンス法、スクリーン印刷法、インクジェット法等のウエットプロセスを利用して塗布した後、硬化処理を施す工程と採る。未硬化の状態の塗布材料は粘度が低く、塗布直後に樹脂材料の流れ出しが発生する場合がある。その場合、流出した樹脂材料の外縁がその後に形成する無機封止層による被覆の障害となり、十分な封止効果が得られないという課題があった。
これに対し、例えば、特許文献６では、基板上の周辺領域に樹脂絶縁層により平坦部を設けて、下地の配線パターンによる凹凸に沿った樹脂材料の流れ出しを防止する構造が提案されている。
米国特許公開２０１６／３６５３９８号公報 米国特許公開２０１６／２０４３７３号公報 特開２０１８−３７３９０号公報 米国特許公開２０１５／００６０８０６号公報 米国特許公開２０１７／０２７９０５７号公報 特開２０１９−３８１９号公報
ところで、近年では、有機ＥＬ表示パネルは多様な分野での利用が期待され、画像表示領域の周辺領域を狭小化する狭額縁化が求められている。そのため、例えば、特許文献６に記載の技術では、狭小化された周辺領域の中に、下地の配線パターンに沿った樹脂材料の流れ出しを防止する絶縁層による平坦部を設けることが難しく、十分な封止性を確保することが困難であった。
本開示は、上記課題に鑑みてなされたものであり、狭額縁化した有機ＥＬ表示パネルにおいて、狭小な周辺領域において有機ＥＬ発光素子アレイを被覆する樹脂材料の塗布直後の流れ出しを防止し、十分な封止性を有する有機ＥＬ表示パネル及びその製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、基板と、前記基板の上方に配された下部樹脂絶縁層と、前記下部樹脂絶縁層の上方において、平面方向に延在して配された配線層と、前記基板の上方において、前記配線層を覆う樹脂絶縁層と、前記基板の上方に配された有機ＥＬ素子を複数含む有機ＥＬ素子アレイと、前記樹脂絶縁層上面において、前記有機ＥＬ素子アレイを囲繞して配された周堤と、前記有機ＥＬ素子アレイ上方において、平面視において前記樹脂絶縁層の外縁近傍まで連続して配された下部無機封止層と、前記下部無機封止層の上面に配され、外縁が前記周堤により規定されている樹脂封止層と、前記周堤より内方では前記樹脂封止層の上面に、前記周堤より外方では前記下部無機封止層の上面において、平面視において前記下部無機封止層の外縁近傍まで連続して配された上部無機封止層とを備え、前記周堤は前記樹脂封止層の前記基板の外方の端部に位置し、前記下部樹脂絶縁層には、前記周堤を囲繞するように周溝が形成されており、当該周溝によって、前記下部樹脂絶縁層が内側下部樹脂絶縁層部と外側下部樹脂絶縁層部に分離されており、前記下部無機封止層が前記溝の内側面および底部および前記外側下部樹脂絶縁層部の表面の少なくとも一部を覆っていることを特徴とする。
また、本開示の別の態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、基板を準備する工程と、前記基板の上方に下部樹脂絶縁層を形成する工程と、前記下部樹脂絶縁層の上方において、平面方向に延在して配線層を形成する工程と、前記基板の上方において、前記配線層を覆う樹脂絶縁層を形成する工程と、前記基板の上方に有機ＥＬ素子を複数含む有機ＥＬ素子アレイを形成する工程と、前記樹脂絶縁層上面において、前記有機ＥＬ素子アレイを囲繞して周堤を形成する工程と、前記有機ＥＬ素子アレイ上方において、平面視において前記樹脂絶縁層の外縁近傍まで連続して下部無機封止層を形成する工程と、前記下部無機封止層の上面における、前記周堤により内方に所定距離だけ離れた位置よりも内方に樹脂材料を塗布した後、前記周堤まで濡れ広がった状態で硬化させることにより、外縁が前記周堤により規定されている樹脂封止層を形成する工程と、前記周堤より内方では前記樹脂封止層の上面に、前記周堤より外方では前記下部無機封止層の上面において、平面視において前記下部無機封止層の外縁近傍まで連続して配された上部無機封止層を形成する工程とを有し、前記周堤を形成する工程では、前記周堤を前記樹脂封止層の前記基板の外方の端部に形成し、前記下部樹脂絶縁層を形成する工程では、前記周堤を囲繞するように周溝を形成し、当該周溝によって、前記下部樹脂絶縁層を内側下部樹脂絶縁層部と外側下部樹脂絶縁層部に分離し、前記下部無機封止層が前記溝の内側面および底部および前記外側下部樹脂絶縁層部の表面の少なくとも一部を覆うことを特徴とする。
本開示の態様に係る有機ＥＬ表示パネルおよびその製造方法によれば、狭小な周辺領域において有機ＥＬ発光素子アレイを被覆する樹脂材料の塗布直後の流れ出しを防止し、封止効果を高めることができる。
実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１００の平面図である。 図１におけるＡ部の模式平面図である。 図２におけるＸ１−Ｘ１で切断した模式断面図である。 有機ＥＬ表示パネル１００の製造工程のフローチャートである。 （ａ）〜（ｅ）は、有機ＥＬ表示パネル１００の製造における各工程での状態を示す図２におけるＸ１−Ｘ１と同じ位置で切断した模式断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、有機ＥＬ表示パネル１００の製造における各工程での状態を示す図２におけるＸ１−Ｘ１と同じ位置で切断した模式断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、有機ＥＬ表示パネル１００の製造における各工程での状態を示す図２におけるＸ１−Ｘ１と同じ位置で切断した模式断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、有機ＥＬ表示パネル１００の製造における各工程での状態を示す図２におけるＸ１−Ｘ１と同じ位置で切断した模式断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、それぞれ比較例１、２、３に係る有機ＥＬ表示パネル１００Ｓ１、１００Ｓ２、１００Ｓ３を図１のＸ１−Ｘ１と同じ位置で切断した模式平面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、樹脂封止層１０８２を形成する工程での樹脂材料の塗布直後における、比較例１〜３に係る有機ＥＬ表示パネルの周辺領域を平面視した写真である。 （ａ）は、図１０（ａ）におけるＣ部の拡大図、（ｂ）は、図１０（ｂ）におけるＢ部の拡大模式図である。 （ａ）〜（ｂ）は、それぞれ比較例２、実施例に係る有機ＥＬ表示パネル１００Ｓ４、１００を図１のＸ１−Ｘ１と同じ位置で切断した模式平面図である。 （ａ）は、図１２（ａ）におけるＤ部の拡大図、（ｂ）は、図１２（ｂ）におけるＥ部の拡大図である。 従来の有機ＥＬ表示パネルの積層構造の一例を示す概略断面図である。
≪本開示の一態様に至った経緯≫
図１４は、特許文献６に記載された従来の有機ＥＬ表示パネルの構成の一例を示す概略断面図である。同図に示すように、有機ＥＬ表示パネルは、基板５０１、平坦化絶縁層５０２、画素電極５０３、列バンク５０４、発光層５０５、電子輸送層５０６、対向電極５０７、封止層５０８、配線層５１２を備える。
基板５０１は、基材５０１ａ上にＴＦＴ層５０１ｂを形成してなる。
封止層５０８は、窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる第１封止層５０８１と、樹脂からなる第２封止層５０８２と、窒化シリコンからなる第３封止層５０８３を積層した３層構造としており、これにより封止層５０８の耐久性と防水性が向上する。
平坦化絶縁層５０２には、その外縁近くに周溝５０２２が形成されて、平坦化絶縁層５０２が内側絶縁層部５０２３と外側絶縁層部５０２１に分離され、平坦化絶縁層５０２を介した水分の侵入を遮断する。
この有機ＥＬ表示パネルでは、図１４に示すように、第２封止層５０８２は、平面視においてその外縁５０８２ｃが外側絶縁層部５０２１に位置するように塗布される。
この構成により、外側絶縁層部５０２１は下地凹凸の平坦化層であるため、第２封止層５０８２をウエットプロセスで形成する際、塗布時点で流動性がある樹脂材料が配線層５１２のパターンに沿って流れ出すことを防止でき、さらに第３封止層５０８３で被覆することにより封止性を確保できることが、特許文献６に記載されている。
ところが、上述のとおり、近年では、有機ＥＬ表示パネルでは、画像表示領域の周辺領域を狭小化する狭額縁化が求められている。そのため、特許文献６に記載の技術では、狭小化された周辺領域の中に、内側絶縁層部５０２３、周溝５０２２、外側絶縁層部５０２１といった構成要素を確保することが必要となる。そのため、それぞれの範囲は狭くなり、狭小化された外側絶縁層部５０２１の範囲内において、下地の配線パターンに沿った樹脂材料の流れ出しを防止するための平坦部を設けることが難しい。そのため、十分な封止性を確保する封止構造を実現することが困難であった。
そこで、発明者本開示は、狭小な周辺領域において、有機ＥＬ発光素子アレイを被覆する樹脂材料の流れ出しを防止するとともに、異物等による膜欠陥の発生を抑止できる封止構造について鋭意検討し、本開示に係る有機ＥＬ表示パネル及びその製造方法に至ったものである。
≪開示の態様≫
本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、基板と、前記基板の上方に配された下部樹脂絶縁層と、前記下部樹脂絶縁層の上方において、平面方向に延在して配された配線層と、前記基板の上方において、前記配線層を覆う樹脂絶縁層と、前記基板の上方に配された有機ＥＬ素子を複数含む有機ＥＬ素子アレイと、前記樹脂絶縁層上面において、前記有機ＥＬ素子アレイを囲繞して配された周堤と、前記有機ＥＬ素子アレイ上方において、平面視において前記樹脂絶縁層の外縁近傍まで連続して配された下部無機封止層と、前記下部無機封止層の上面に配され、外縁が前記周堤により規定されている樹脂封止層と、前記周堤より内方では前記樹脂封止層の上面に、前記周堤より外方では前記下部無機封止層の上面において、平面視において前記下部無機封止層の外縁近傍まで連続して配された上部無機封止層とを備え、前記周堤は前記樹脂封止層の前記基板の外方の端部に位置し、前記下部樹脂絶縁層には、前記周堤を囲繞するように周溝が形成されており、当該周溝によって、前記下部樹脂絶縁層が内側下部樹脂絶縁層部と外側下部樹脂絶縁層部に分離されており、前記下部無機封止層が前記溝の内側面および底部および前記外側下部樹脂絶縁層部の表面の少なくとも一部を覆っていることを特徴とする。
係る構成により、狭小な周辺領域において有機ＥＬ発光素子アレイを被覆する樹脂材料の塗布直後の流れ出しを防止し、封止効果を高めることができる。
また、仮に、表示パネルの製造工程において配線層の上面に異物が載設され、異物に起因して下部無機封止層及び上部無機封止層を連通するシーム等の膜欠陥が生じた場合でも、水分が画像表示領域に浸入することを抑止できる。すなわち、この場合にも、水分は外側絶縁層部内に浸入するので、侵入した水分は周溝および下部無機封止層により遮断されて、内側絶縁層部まで浸入することを抑止できる。
また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記上部無機封止層は、前記周溝内、及び前記下部樹脂絶縁層の前記外側下部樹脂絶縁層部の上面の一部又は全部において前記下部無機封止層と接触している構成としてもよい。
係る構成により、樹脂封止層を挟んでその外方で下部無機封止層と上部無機封止層とを接合することにより、樹脂封止層を無機層により袋状に閉じることができる。これにより、有機層である樹脂封止層に水分が浸入することを防止できる。
また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記下部無機封止層の外縁、及び前記上部無機封止層の外縁は、前記下部樹脂絶縁層の前記外側下部樹脂絶縁層部に存在する構成としてもよい。
係る構成により、周辺領域の狭小化が図れ有機ＥＬ表示パネルの狭額縁化を実現できる。
本開示に一態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、基板を準備する工程と、前記基板の上方に下部樹脂絶縁層を形成する工程と、前記下部樹脂絶縁層の上方において、平面方向に延在して配線層を形成する工程と、前記基板の上方において、前記配線層を覆う樹脂絶縁層を形成する工程と、前記基板の上方に有機ＥＬ素子を複数含む有機ＥＬ素子アレイを形成する工程と、前記樹脂絶縁層上面において、前記有機ＥＬ素子アレイを囲繞して周堤を形成する工程と、前記有機ＥＬ素子アレイ上方において、平面視において前記樹脂絶縁層の外縁近傍まで連続して下部無機封止層を形成する工程と、前記下部無機封止層の上面における、前記周堤により内方に所定距離だけ離れた位置よりも内方に樹脂材料を塗布した後、前記周堤まで濡れ広がった状態で硬化させることにより、外縁が前記周堤により規定されている樹脂封止層を形成する工程と、前記周堤より内方では前記樹脂封止層の上面に、前記周堤より外方では前記下部無機封止層の上面において、平面視において前記下部無機封止層の外縁近傍まで連続して配された上部無機封止層を形成する工程とを有し、前記周堤を形成する工程では、前記周堤を前記樹脂封止層の前記基板の外方の端部に形成し、前記下部樹脂絶縁層を形成する工程では、前記周堤を囲繞するように周溝を形成し、当該周溝によって、前記下部樹脂絶縁層を内側下部樹脂絶縁層部と外側下部樹脂絶縁層部に分離し、前記下部無機封止層が前記溝の内側面および底部および前記外側下部樹脂絶縁層部の表面の少なくとも一部を覆うことを特徴とする。
係る構成により、狭小な周辺領域において有機ＥＬ発光素子アレイを被覆する樹脂材料の塗布直後の流れ出しを防止し、封止効果を高めることができる有機ＥＬ表示パネルを製造できる。
また、仮に、表示パネルの製造工程において配線層の上面に異物が載設され、異物に起因して下部無機封止層及び上部無機封止層を連通するシーム等の膜欠陥が生じた場合でも、水分は外側絶縁層部内に浸入するので、侵入した水分は周溝および下部無機封止層により遮断されて、内側絶縁層部まで浸入することを抑止できる有機ＥＬ表示パネルを製造できる。
≪実施の形態≫
以下、本開示に係る有機ＥＬ表示パネル（以下、「表示パネル」とする）の実施の形態の一態様として、フレキシブル性を有するトップエミッション型の表示パネル１００を例にして説明する。
＜表示パネル１００の構成概要＞
図１は、実施の形態に係る表示パネル１００の平面図である。
同図に示すように表示パネル１００は、基板１０１にシート基材１１０が積層された構成からなり、平面視したとき、画像表示領域１０と、画像表示領域１０を囲繞する周辺領域２０とを有する。
表示パネル１００の画像表示領域１０には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）が形成された基板１０１（ＴＦＴ基板）に、各々が画素を構成する複数の有機ＥＬ素子が行列状に配され、上面より光を発するトップエミッション型の構成を有する。ここで、本明細書では、図１におけるＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を、それぞれ表示パネル１００における、行方向、列方向、厚み方向とする。
周辺領域２０には、外部のドライブ回路に電気的に接続するための複数の端子（不図示）が配設される。
図２は、図１におけるＡ部の模式平面図であって、後述する、封止補強層１２０を取り除いた状態を示した図である。図３は、図２におけるＸ１−Ｘ１で切断した模式断面図である。
図２に示すように、画像表示領域１０には、複数の単位画素１ｅがマトリクス状に配列されている。図２に示すように、表示パネル１００の画像表示領域１０には、それぞれが画素電極１０３を有し、発光色Ｒ、Ｇ、Ｂの副画素１ｓｅを備えた単位画素１ｅが行列状に配され有機ＥＬ素子アレイ１００ａｒを構成している。画素電極１０３は、平面視において矩形形状であり光反射材料から構成される。
表示パネル１００では、副画素１ｓｅを区画するバンクの形状は、いわゆるライン状のバンク形式を採用し、行方向に隣接する２つの画素電極１０３の間には、各条が列方向（図２のＹ方向）に延伸する列バンク１０４が複数行方向に並設されている。
一方、列方向に隣接する２つの画素電極１０３の間には、各条が行方向（図２のＸ方向）に延伸する行バンク１１４が複数列方向に並設されており、行バンク１１４が形成される領域は、発光層において有機電界発光が生じないために非自己発光領域となる。非自己発光領域には、画素電極１０３とＴＦＴのソースとを接続する接続凹部（コンタクトホール、不図示）が設けられている。
表示パネル１００には、基板１０１上の画像表示領域１０から下部樹脂絶縁層１０２にわたって、下部樹脂絶縁層１０２上が敷設されており、周辺領域２０において下部樹脂絶縁層１０２には画像表示領域１０を囲繞するように周溝１０２２が開設されている。すなわち、下部樹脂絶縁層１０２は、周溝１０２２によって、基板１０１内方に位置する内側下部樹脂絶縁層部１０２３（以後、「内側絶縁層部」とする）と、基板１０１外方に位置する外側下部樹脂絶縁層部１０２１（以後、「外側絶縁層部」とする）とに分割されている。
表示パネル１００の周辺領域２０には、下部樹脂絶縁層１０２上において、平面視において有機ＥＬ素子アレイ１００ａｒが存在する画像表示領域１０の外方に延在する配線層２０３が配されている。配線層２０３は対向電極１０７の表示パネル１００内の電気抵抗を低減するための配線である。配線層２０３は周辺領域２０の外縁付近まで連続して配され給電部（不図示）に接続される。
また、図２において、電子輸送層１０６は画像表示領域１０の外縁付近まで、対向電極１０７は画像表示領域１０から周辺領域２０における配線層２０３と重なる位置まで、それぞれ連続して形成される。
配線層２０３には、電子輸送層１０６及び対向電極１０７に被覆されない範囲に、複数の開口（スリット）２０３ａ（以後、「開口」とする）が開設され、配線層２０３の開口２０３ａからは下部樹脂絶縁層１０２が露出している。これより、バンク及び発光層１０５の成膜後の焼成時に、下部樹脂絶縁層１０２から除去される水分が配線層２０３の開口２０３ａを通って上方に排出される。
＜表示パネル１００の積層構造＞
図３は、表示パネル１００の概略構成を示す、図２におけるＸ１−Ｘ１で切断した模式断面図である。
同図に示すように、表示パネル１００は、画像表示領域１０では、基板１０１、下部樹脂絶縁層１０２、画素電極１０３、行バンク１１４、列バンク１０４、発光層１０５、電子輸送層１０６、対向電極１０７、封止層１０８、封止補強層１２０を備える。また、周辺領域２０では、基板１０１、接続配線層１１１、下部樹脂絶縁層１０２、配線層２０３、樹脂絶縁層２１４、対向電極１０７、周堤２０４、封止層１０８、封止補強層１２０を備える。本実施の形態では、画素電極１０３と配線層２０３、行バンク１１４と樹脂絶縁層２１４、列バンク１０４と周堤２０４は、それぞれ、同一材料により同一レイヤーに形成されている。
（基板１０１）
基板１０１は、絶縁材料である基材１０１ａと、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）層１０１ｂとを含む。ＴＦＴ層１０１ｂには、ＴＦＴからなる公知の駆動回路が画素ごとに形成されてなる。
基材１０１ａは、本実施の形態ではフレキシブル性を確保するため、絶縁性の樹脂材料からなることが望ましい。当該樹脂材料として、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリイミド（ＰＩ）、ポリカーボネート、アクリル系樹脂、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリアセタール、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル、シリコン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうち１種、または２種以上を積層した積層体を用いることができる。
基板１０１は、周辺領域２０において、ＴＦＴ層１０１ｂに替えて配線層１１２を有する。配線層１１２は、ＴＦＴ層１０１ｂから引き出された複数の配線を含む。各配線は、互いに間隔を置いて形成され、例えば、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）などの金属や、合金（例えば、ＭｏＷ、ＭｏＣｒ、ＮｉＣｒ）等の導電材料からなる。
また、基板１０１は、ＴＦＴ層１０１ｂ又は配線層１１２とを覆う絶縁性の保護膜であり、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）等で形成されるパッシベーション膜（不図示）を有する。周辺領域２０において配線層１１２から引き出された接続端子１１２１がパッシベーション膜から露出しており、外部のドライブ回路（不図示）に接続される。
（下部樹脂絶縁層１０２）
下部樹脂絶縁層１０２は、基板１０１の上方に形成されている。下部樹脂絶縁層１０２は、絶縁性の樹脂材料からなり、ＴＦＴ層１０１ｂ上又は配線層１１２上に形成されるパッシベーション膜の上面の段差を平坦化するものである。樹脂材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂が挙げられる。
なお、上述のとおり、下部樹脂絶縁層１０２の周辺領域２０には、当該下部樹脂絶縁層１０２の外周縁に沿うようにして溝（以下、「周溝」という。）１０２２が形成され（図１参照）、これにより下部樹脂絶縁層１０２が内側絶縁層部１０２３と外側絶縁層部１０２１に完全に分離されており、周溝１０２２の底部にはパッシベーション膜が露出している。
下部樹脂絶縁層１０２が除去された周溝１０２２の間隙幅は、２０μｍ以上５００μｍ以下であることが好ましく、３０μｍ以上２００μｍ以下であることがより好ましい。本実施の形態では、約１００μｍ以下とした。
上述のとおり、下部樹脂絶縁層１０２は、ポリイミド系樹脂またはアクリル系樹脂等の絶縁材料からなり、水分を透過しやすい性質を有する。しかしながら、周溝１０２２を設けることにより、仮に、周溝１０２２の外側の外側絶縁層部１０２１に基板の外縁方向から水分が浸入した場合でも、画像表示領域１０への水分の浸入を抑制できる。
（画素電極１０３）
画素電極１０３は、光反射性の金属材料からなる金属層を含み、下部樹脂絶縁層１０２上に形成されている。画素電極１０３は、画素ごとに設けられ、コンタクトホール内の接続電極１０３ａを介してＴＦＴ層１０１ｂと電気的に接続されている。
本実施の形態においては、画素電極１０３は、陽極として機能する。
光反射性を具備する金属材料の具体例としては、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）、アルミニウム合金、Ｍｏ（モリブデン）、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＭｏＷ（モリブデンとタングステンの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）などが挙げられる。
画素電極１０３は、金属層単独で構成してもよいが、金属層の上に、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）やＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）のような金属酸化物からなる層を積層した積層構造としてもよい。
（配線層２０３）
表示パネル１００の周辺領域２０には、下部樹脂絶縁層１０２上において、平面視において画像表示領域１０の外方に延在する配線層２０３が配されている。配線層２０３は対向電極１０７と一部で積層されて接触することにより、対向電極１０７のバス配線として機能し、表示パネル１００内の電気抵抗を低減する。本実施の形態では、配線層２０３は画素電極１０３と同一材料により同一レイヤーに形成されている。
（行バンク１１４、列バンク１０４）
行バンク１１４及び列バンク１０４は、画素電極１０３の上面の一部を露出させ、その周辺の領域を被覆した状態で形成されている。
画素電極１０３上面において行バンク１１４又は列バンク１０４で被覆されていない領域（以下、「開口部」という）は、副画素に対応している。
行バンク１１４及び列バンク１０４は、例えば、絶縁性の有機材料（例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック樹脂、フェノール樹脂等）からなる。列バンク１０４は、発光層１０５を塗布法で形成する場合には塗布されたインクがあふれ出ないようにするための構造物として機能し、発光層１０５を蒸着法で形成する場合には蒸着マスクを載置するための構造物として機能する。
（樹脂絶縁層２１４）
樹脂絶縁層２１４は、周辺領域２０における下部樹脂絶縁層１０２の内側絶縁層部１０２３に配され、配線層２０３を覆い、配線層２０３の配線パターンによる凹凸を平坦化するための樹脂絶縁層である。樹脂絶縁層２１４を設けることにより、封止層１０８の樹脂封止層１０８２をウエットプロセスで形成する際、流動性がある塗布直後の樹脂材料が、配線パターンによる凹凸に沿って濡れ広がることを防止する。これより、樹脂封止層１０８２の外縁がいびつな形状となり、その上に積層形成される上部無機封止層１０８３に膜欠陥が生じることを防止できる。ここで、樹脂絶縁層２１４の厚みは、０．３μｍ以上１μｍ以下としてもよい。あるいは、０．４μｍ以上０．７μｍ以下としてもよい。実施の形態では、約０．５μｍとした。また、樹脂絶縁層２１４の周溝１０２２に垂直な方向の幅は、例えば、１２０μｍ以上としてもよい。
上述のとおり、実施の形態では、樹脂絶縁層２１４は行バンク１１４と同一材料により同一レイヤーに形成される。
（周堤２０４）
周堤２０４（周状バンク）は、下部樹脂絶縁層１０２上面において、有機ＥＬ素子アレイ１００ａｒを囲繞して配され、樹脂封止層１０８２の平面視における外縁１０８２ｃを規定するための障壁である。実施の形態では、周堤２０４は周溝１０２２の基板１０１の内方に隣接して設けられており、周溝１０２２が周堤２０４を囲繞する位置関係にある。
ここで、封止層１０８の樹脂封止層１０８２をウエットプロセスで形成する際、その材料である樹脂は塗布時点で流動性があるため、外縁の一部が樹脂絶縁層１０２上面を濡れ広がり周溝１０２２内に浸入して、樹脂封止層１０８２の外縁がいびつな形状となるおそれがある。その場合、積層形成される上部無機封止層１０８３に膜欠陥が生じるおそれがある。このように周堤２０４を設けることにより、周堤２０４が「ダム」の役目を果たすので、樹脂封止層１０８２の形成のため塗布した樹脂材料の濡れ広がり規制し、樹脂封止層１０８２の外縁の位置を周堤２０４の内縁の位置に規定することができる。その結果、膜欠陥の要因を取り除くことができる。ここで、周堤２０４の厚みは、０．６μｍ以上１．５μｍ以下としてもよい。あるいは、０．８μｍ以上１．２μｍ以下としてもよい。実施の形態では、約１μｍとした。また、周堤２０４の幅は、例えば、３０μｍ以上としてもよい。
上述のとおり、実施の形態では、周堤２０４は列バンク１０４と同一材料により同一レイヤーに形成される。
（発光層１０５）
発光層１０５は、列バンク１０４の開口部内に形成されており、正孔と電子の再結合により、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色の光を出射する機能を有する。
発光層１０５の材料としては、公知の材料を利用することができる。具体的には、例えば、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。
（電子輸送層１０６）
電子輸送層１０６は、対向電極１０７からの電子を発光層１０５へ輸送する機能を有する。電子輸送層１０６は、例えば、電子輸送性が高い有機材料からなり、具体的には、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などのπ電子系低分子有機材料からなる。電子輸送層１０６は、アルカリ金属、または、アルカリ土類金属から選択されるドープ金属がドープされていてもよい。または、例えば、電子輸送層１０６は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属から選択される金属の単体またはフッ化物から形成されてもよい。
（対向電極１０７）
対向電極１０７は、透光性の導電性材料からなり、電子輸送層１０６上に形成されている。対向電極１０７は、陰極として機能する。
対向電極１０７の材料としては、例えば、ＩＴＯやＩＺＯなどを用いることができる。あるいは、対向電極１０７の材料として、銀、銀合金、アルミニウム、アルミニウム合金等の金属の薄膜を用いてもよい。
（封止層１０８）
封止層１０８は、発光層１０５、電子輸送層１０６などの有機層が水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有する。
封止層１０８は、それぞれ透光性を有する下部無機封止層１０８１、樹脂封止層１０８２、上部無機封止層１０８３の３層からなる。
下部無機封止層１０８１は、窒化シリコン（ＳｉＮ）の薄膜であって、対向電極１０７の上面を被覆し、平面視において下部樹脂絶縁層１０２の外側絶縁層部１０２１の外縁近傍まで連続して配されている。ここで、「外側絶縁層部１０２１の外縁近傍」とは、外側絶縁層部１０２１の外縁から外側絶縁層部１０２１の幅に相当する距離だけ内方の位置から、外縁から同じ距離だけ外方の位置までの範囲を指す。
樹脂封止層１０８２は、樹脂からなり、外縁１０８２ｃが周堤２０４により規定され、下部無機封止層１０８１の上面をその周縁部を除いて被覆する。樹脂封止層１０８２を形成する樹脂材料として、例えば、フッ素系やアクリル系、エポキシ系、シリコン系等の樹脂が使用される。
上部無機封止層１０８３も、下部無機封止層１０８１と同様な窒化シリコンの薄膜であって、樹脂封止層１０８２の上面を被覆している。具体的には、上部無機封止層１０８３は、周堤２０４より内方では樹脂封止層１０８２の上面に、周堤２０４より外方では下部無機封止層１０８１の上面において、平面視において下部無機封止層１０８１の外縁近傍まで連続して配されている。ここで、「下部無機封止層１０８１の外縁近傍」とは、下部無機封止層１０８１の外縁から外側絶縁層部１０２１の幅に相当する距離だけ内方の位置から、外縁から同じ距離だけ外方の位置までの範囲を指す。
下部無機封止層１０８１は、周辺領域２０では、平面視において樹脂材料からなる外側絶縁層部１０２１の内周縁の位置（Ｐ１）より外方であって、接続端子１１２１の位置（Ｐ３）まで至らない位置Ｐ２まで延在し、周辺領域２０に存する外側絶縁層部１０２１の内側までを皮膜する。なお、位置Ｐ２とＰ３の距離は、封止補強層１２０の形成時に接着層１０９が多少染み出しても接続端子１１２１に至らないような距離に設定するのが望ましい（実施の形態では約６００μｍとしている）。
樹脂封止層１０８２は、樹脂材料を下部無機封止層１０８１上に塗布して形成されるが、上記したように周堤２０４により濡れ広がりが阻止されるため、その外縁は、周堤２０４の頂面上の画像表示領域１０寄りに位置する。
上部無機封止層１０８３は、外側絶縁層部１０２１まで延在しており、その外縁が下部無機封止層１０８１の外縁と一致する。そのため、下部無機封止層１０８１、上部無機封止層１０８３の外縁部は、樹脂封止層１０８２を介せずに直接密着する。
これにより、基板外方から下部樹脂絶縁層１０２および樹脂封止層１０８２へ水分が直接浸入するのを防ぐことができ、封止層１０８の封止性を高めることができる。
（封止補強層１２０）
封止補強層１２０は、上記封止層１０８の表示パネル１００の封止性を補強するものであり、実施の形態では、シート状の基材１１０（以下、「シート基材」という。）と、シート基材１１０を封止層１０８上に貼着するための接着層１０９とからなる。
シート基材１１０は、表示パネル１００がトップエミッション型であるため、例えば、透明樹脂フィルムなどの光透過性材料が用いられる。シート基材１１０の下側主面には予め接着層１０９が形成されており、製造工程において上記封止層１０８上に位置合わせして貼着される。
接着層１０９の材料として、例えば、光透過性を有するアクリル系樹脂が使用される。
＜表示パネルの製造方法＞
表示パネル１００の製造方法について、図面を用いて説明する。
図４は、表示パネル１００の製造工程を示すフローチャートである。
（基板１０１の形成）
まず、基材１０１ａ上に、ＴＦＴ層１０１ｂおよび配線層１１２を形成して基板１０１を形成する（ステップＳ１、図５（ａ））。ＴＦＴ層１０１ｂおよび配線層１１２は、公知のＴＦＴの製造方法により成膜することができる。
さらに、ＴＦＴ層１０１ｂ上にパッシベーション膜を形成する。このパッシベーション膜は、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）等で形成されており、下部樹脂絶縁層１０２や列バンク１０４に含まれる不純物によりＴＦＴ層１０１ｂや配線層１１２を保護する。パッシベーション膜は、たとえばプラズマＣＶＤ法もしくはスパッタリング法などにより形成される。
次に、パッシベーション膜上に、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法を用いて接続配線層１１１を形成する（ステップＳ２、図５（ｂ））。
次に、パッシベーション膜上に下部樹脂絶縁層１０２を形成する（ステップＳ３、図５（ｃ））。下部樹脂絶縁層１０２は、例えば、樹脂材料をダイコート法やスピンコート法などを用いて塗布したのちに焼成して形成することができる。
次に、下部樹脂絶縁層１０２における、ＴＦＴ層１０１ｂのソース電極上の個所にドライエッチング法を行い、コンタクトホール１０２ｃを形成する（ステップＳ４、図５（ｄ））。コンタクトホール１０２ｃは、その底部に例えばＴＦＴのソース電極の表面が露出するように形成される。
また、同様にドライエッチング法により下部樹脂絶縁層１０２の周縁部に周溝１０２２を形成して、下部樹脂絶縁層１０２を外側絶縁層部１０２１と内側絶縁層部１０２３に分離する（ステップＳ４、図５（ｄ））。周溝１０２２の底には下部樹脂絶縁層１０２はなく、パッシベーション膜の上面が露出するまでドライエッチングされる。
次に、コンタクトホール１０２ｃの内壁に沿って接続電極１０３ａを形成する（図５（ｅ））。接続電極の上部は、その一部が下部樹脂絶縁層１０２、パッシベーション膜上に配される。接続電極の形成は、例えば、スパッタリング法を用いることができ、金属膜を成膜した後、フォトリソグラフィ法およびウェットエッチング法を用いパターニングすることでなされる。
接続端子１１２１も、上記と同様な方法により形成されてもよい。すなわち、パッシベーション膜の周辺領域２０における所定箇所にドライエッチングにより開口を形成し、スパッタリング等により金属膜を成膜した後、フォトリソグラフィ法およびウェットエッチング法を用いパターニングすることで、下層の配線層１１２における配線と接続された接続端子１１２１をパッシベーション膜表面に形成することができる。
なお、下部樹脂絶縁層１０２は、公知のフォトレジスト法により形成しても構わない。
（画素電極１０３、配線層２０３の形成）
次に、下部樹脂絶縁層１０２上に画素電極材料層を形成する。画素電極材料層は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法を用いて形成することができる。
次に、画素電極材料層をエッチングによりパターニングして、画像表示領域１０にサブピクセルごとに区画された複数の画素電極１０３と、周辺領域２０に配線層２０３を形成する（ステップＳ５、図５（ｅ））。
（行バンク１１４、樹脂絶縁層２１４の形成）
次に、画素電極１０３および下部樹脂絶縁層１０２上に、行バンク１１４、樹脂絶縁層２１４の材料である行バンク用樹脂を塗布し、上部樹脂絶縁層材料層を形成する。
上部樹脂絶縁層材料層は、行バンク用樹脂であるフェノール樹脂を溶媒（例えば、乳酸エチルとＧＢＬの混合溶媒）に溶解させた溶液を画素電極１０３上および下部樹脂絶縁層１０２上にスピンコート法などを用いて一様に塗布することにより形成される。そして、隔壁材料層にパターン露光と現像を行うことで行バンク１１４、樹脂絶縁層２１４を形成し、焼成する（ステップＳ６、図６（ａ））。焼成は、例えば、１５０℃以上２１０℃以下の温度で６０分間行う。
（列バンク１０４、周堤２０４の形成）
次に、画素電極１０３および下部樹脂絶縁層１０２上に、列バンク１０４、周堤２０４の材料である列バンク用樹脂を塗布し、周堤材料層を形成する（図６（ｂ））。
周堤材料層は、列バンク用樹脂であるフェノール樹脂を溶媒（例えば、乳酸エチルとＧＢＬの混合溶媒）に溶解させた溶液を画素電極１０３上および下部樹脂絶縁層１０２上にスピンコート法などを用いて一様に塗布することにより形成される。そして、隔壁材料層にパターン露光と現像を行うことで列バンク１０４、周堤２０４を形成し、焼成する（ステップＳ７、図６（ｃ））。これにより、発光層１０５の形成領域となる開口部が規定される。焼成は、例えば、１５０℃以上２１０℃以下の温度で６０分間行う。
また、列バンク１０４の形成工程においては、さらに、列バンク１０４の表面を所定のアルカリ性溶液や水、有機溶媒等によって表面処理するか、プラズマ処理を施すこととしてもよい。これは、開口部に塗布するインク（溶液）に対する列バンク１０４の接触角を調節する目的で、もしくは、表面に撥水性を付与する目的で行われる。
（発光層１０５の形成）
次に、行バンク１１４及び列バンク１０４が規定する開口部に対し、発光層１０５の構成材料を含むインクを、インクジェット装置を用いて塗布し、乾燥（焼成）を行って発光層１０５を形成する（ステップＳ８、図７（ａ））。その他の塗布方法として、ディスペンス法、スクリーン印刷法などがある。
（電子輸送層１０６の形成）
次に、発光層１０５および列バンク１０４上に、電子輸送層１０６を成膜する（ステップＳ９、図７（ｂ））。電子輸送層１０６は、例えば、蒸着法により各サブピクセルに共通して成膜することにより、画像表示領域１０内に連続して形成される。
（対向電極１０７の形成）
次に、電子輸送層１０６上に、対向電極１０７を成膜する（ステップＳ１０、図７（ｂ）。対向電極１０７は、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、銀、アルミニウム等を、スパッタリング法、真空蒸着法により成膜することにより形成される。このとき、対向電極１０７は、周辺領域２０において、外縁付近の一部が配線層２０３に積層されて、配線層２０３と電気的に接続する構成となる。
（封止層１０８の形成）
対向電極１０７上に、封止層１０８を形成する。
まず、ＳｉＮからなる下部無機封止層１０８１を、例えばプラズマＣＶＤ法により成膜することにより形成する（ステップＳ１１、図７（ｃ））。原料ガスとしては、例えば、シラン（ＳｉＨ4）とアンモニア（ＮＨ3）が用いられ、さらに、窒素（Ｎ2）を用いてもよい。
下部無機封止層１０８１の外縁は、周辺領域２０における外側絶縁層部１０２１上の位置Ｐ２まで延在するように形成される。このとき、下部無機封止層１０８１は、周溝１０２２の底の部分および外側絶縁層部１０２１の外方部分において、パッシベーション膜に直接接触している。
次に、樹脂封止層１０８２を、樹脂材料を下部無機封止層１０８１上にインクジェット装置のヘッド部２００のノズル２０１０から吐出することにより塗布し硬化させて形成する（ステップＳ１２、図８（ａ））。
このとき、図８（ａ）に示すように、樹脂材料は、外縁１０８２ａが下部無機封止層１０８１上であって周堤２０４からは所定距離だけ離間するように塗布される。封止層１０８の樹脂封止層１０８２をウエットプロセスで形成する際、流動性がある塗布直後の樹脂材料が、下部無機封止層１０８１上面を濡れ広がり周堤２０４の内縁に到達し、樹脂材料の外縁１０８２ｃは周堤２０４により規定される。ここで、樹脂材料の外縁１０８２ａから周堤２０４の内縁までの距離は、例えば、２００μｍ程度としてもよい。樹脂材料の濡れ広がり約１００μｍと、インクジェットによる塗布位置のばらつき約１００μｍの合計値程度であることが好ましいからである。
樹脂材料の硬化では、例えば、これらの樹脂材料が熱硬化性を有すれば加熱し、これらの樹脂材料が紫外線硬化性を有すれば紫外線を照射することにより硬化させることができる。これより、樹脂封止層１０８２は、外縁１０８２ｃが周堤２０４により規定され、下部無機封止層１０８１の上面をその周縁部を除いて被覆する構成となる。
なお、樹脂材料を塗布する方法としては、上記のインクジェット法以外にスクリーン印刷法やディスペンス法などを用いることができる。
上部無機封止層１０８３が、下部無機封止層１０８１と同一の成膜条件により、樹脂封止層１０８２上に形成される（ステップＳ１３、図８（ｂ））。このとき、上部無機封止層１０８３の外縁は、周辺領域２０における外側絶縁層部１０２１上の位置Ｐ２まで延在するように形成される。
上述の通り、周堤２０４による堰き止め作用により、樹脂封止層１０８２の外縁は、内側絶縁層部１０２３の上方に位置しており、下部無機封止層１０８１と上部無機封止層１０８３は、平面視において内側絶縁層部１０２３の外方まで延在するため、下部無機封止層１０８１と上部無機封止層１０８３はその外縁部において樹脂封止層１０８２を介さずに直接積層される。樹脂封止層１０８２の樹脂が外部に露出するおそれがないので、大気中の水分などが、樹脂封止層１０８２内に浸入しにくい。
（シート基材１１０の貼着（封止補強層１２０の形成））
実施の形態では、シート基材１１０は、透明な樹脂フィルムを予め設計されたサイズに裁断してなり、その一方の主面に粘着剤が一面に塗布されて接着層１０９が形成されている。
このシート基材１１０を接着層１０９の塗布された面を下にして、封止層１０８上に位置決めして載置し、例えば、真空圧着法により圧着する（ステップＳ１４。図８（ｃ））。
このとき、真空圧着と並行して、あるいは、真空圧着の後に、接着層１０９を硬化させるための処理を実施する。例えば、これらの材料が熱硬化性を有すれば加熱し、これらの材料が紫外線硬化性を有すれば紫外線を照射する。これにより封止補強層１２０が形成される。
最後に、周辺領域２０上にある封止層１０８の周縁部における接着層１０９より外側の部分を、反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ）により除去する（ステップＳ１０）。
以上の工程を経て、表示パネル１００が完成する。
＜評価試験＞
以下、表示パネル１００の封止構造について試験により評価を行った。以下、その結果について説明する。
発明者は、比較例１、２、３に係る表示パネル１００Ｓ１、１００Ｓ２、１００Ｓ３を作成し、実施例に係る表示パネル１００との比較を行った。
（塗布直後の樹脂材料の流れ出しについて）
図９（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ比較例１、２、３に係る表示パネル１００Ｓ１、１００Ｓ２、１００Ｓ３を図１のＸ１−Ｘ１と同じ位置で切断した模式平面図である。
先ず、実施例に係る表示パネル１００では、上記した構成の表示パネル１００において、樹脂封止層１０８２を形成する工程では、下部無機封止層１０８１の上面における、周堤２０４により内方に所定距離だけ離れた位置に樹脂材料の外縁が位置するように樹脂材料を塗布した後、周堤まで濡れ広がった状態で硬化させることにより、周堤２０４により外縁が規定される樹脂封止層１０８２を形成する構成を採る（図３参照）。
これに対し、比較例１に係る表示パネル１００Ｓ１は、図９（ａ）に示すように、樹脂絶縁層２１４と周堤２０４を備えない点で相違する。さらに、樹脂封止層１０８２ｘを形成する工程において、内側下部樹脂絶縁層部１０２３の外縁の位置に樹脂材料の外縁１０８２ａが位置するように樹脂材料を塗布した後、硬化させることにより樹脂封止層を形成する点で、表示パネル１００と相違する。
比較例２に係る表示パネル１００Ｓ２は、図９（ｂ）に示すように、樹脂絶縁層２１４と周堤２０４を備えない点で相違する。さらに、樹脂封止層１０８２ｘを形成する工程において、内側下部樹脂絶縁層部１０２３の外縁より内方に所定距離だけ離れた位置に樹脂材料の外縁１０８２ａが位置するように樹脂材料を塗布した後、硬化させることにより樹脂封止層を形成する点で、表示パネル１００と相違する。塗布された樹脂材料の一部分は外縁１０８２ｂまで濡れ広がった状態で樹脂材料が硬化するが、塗布された樹脂材料の他の部分は濡れ広がらない状態で樹脂材料が硬化する。
比較例３に係る表示パネル１００Ｓ３は、図９（ｃ）に示すように、樹脂封止層１０８２ｘを形成する工程において、樹脂絶縁層２１４上に敷設された下部無機封止層１０８１の上面における、周堤２０４より内方に実施例より距離が長い所定距離だけ離れた位置に樹脂材料の外縁１０８２ａが位置するように樹脂材料を塗布した後、塗布された樹脂材料は周堤２０４まで濡れ広がらない状態で樹脂材料が硬化する点で表示パネル１００と相違する。比較例３による実験は、樹脂絶縁層２１４がある状態において樹脂材料の外縁における濡れ広がりの状態を確認するために行った実験である。
比較例に係る表示パネル１００Ｓ１、１００Ｓ２、１００Ｓ３は、それぞれ他の構成については表示パネル１００の各構成と同じである。
（評価結果）
先ず、樹脂封止層１０８２を形成する工程における、樹脂材料の塗布直後の流れ出しの様子を観察した。
図１０（ａ）〜（ｃ）は、樹脂封止層１０８２ｘを形成する工程での樹脂材料の塗布直後における、比較例１〜３に係る表示パネルの周辺領域を平面視した写真である。図１１（ａ）は、図１０（ａ）におけるＣ部の拡大図、（ｂ）は、図１０（ｂ）におけるＢ部の拡大模式図である。
比較例１に係る表示パネル１００Ｓ１では、図１０（ａ）、図１１（ａ）に示すように、樹脂材料の流れ出しが生じ流れ出した部分１０８２ｂが周溝１０２２内に浸入していることが確認できた。封止層１０８の樹脂封止層１０８２をウエットプロセスで形成する際、インクジェットによる塗布位置のばらつきにより、樹脂材料１０８２ｘが内側下部樹脂絶縁層部１０２３の外縁の位置よりも基板外方に塗布され、あるいは、樹脂材料１０８２ｘの流れ出しが生じ、樹脂材料１０８２ｘが周溝１０２２内に浸入したと考えられる。
次に、比較例２に係る表示パネル１００Ｓ２では、図１０（ｂ）、図１１（ｂ）に示すように、樹脂材料の流れ出しが生じ流れ出した部分１０８２ｂが、塗布直後の樹脂材料の外縁１０８２ａの位置から内側下部樹脂絶縁層部１０２３の外縁方向に移動していることが確認できた。塗布した樹脂材料の一部分が流れ出すことにより、樹脂材料が存在しない部分（未濡れ部）が発生し、異物に対する封止性が悪化する。
一方、比較例３に係る表示パネル１００Ｓ３では、図１０（ｃ）、図１１（ｃ）に示すように、樹脂材料の流れ出しが生じず、樹脂材料の外縁の位置が、塗布直後の外縁１０８２ａの位置から変化していないことが確認できた。樹脂絶縁層２１４は平坦化層として機能するため、配線層２０３のパターンに起因して表面に現れる凹部は平坦化され樹脂材料１０８２ｘが硬化処理を施すまでに凹部のパターンに沿った流れ出しは生じない。
（異物に対する封止性の確保について）
次に、表示パネルの製造工程において異物が膜表面に付着した場合の封止性の確保について、比較例２及び実施例をもとに考察した。
図１２（ａ）〜（ｂ）は、それぞれ比較例２、実施例に係る表示パネル１００Ｓ２、１００を図１のＸ１−Ｘ１と同じ位置で切断した模式平面図である。図１３（ａ）は、図１２（ａ）におけるＤ部の拡大図、（ｂ）は、図１２（ｂ）におけるＥ部の拡大図である。
比較例２に係る表示パネル１００Ｓ２では、図１２（ａ）に示すように、表示パネルの製造工程において配線層２０３の上面に異物Ｆ０が載設された場合、異物Ｆ０を被覆するように下部無機封止層１０８１、上部無機封止層１０８３が順次成膜される。このとき、図１３（ａ）に示すように、異物Ｆ０の下部周辺に成膜された下部無機封止層１０８１は異物Ｆ０の下部の近傍においてシームＳＭ１や空洞といった膜欠陥を伴い、いびつな膜形状となる。そして、その上方に成膜された上部無機封止層１０８３にも、下地層の膜欠陥に起因して同じ箇所に膜欠陥が発生し、異物Ｆ０の下部の近傍においてシームＳＭ２や空洞といった膜欠陥を伴う。同じ位置に生じたシームＳＭ１、２、外部からの水分侵入を許容する。仮に、水分が侵入した場合には、水分は内側下部樹脂絶縁層部１０２３を介して有機ＥＬ素子アレイ１００ａｒに到達する。このように、下部無機封止層１０８１及び上部無機封止層１０８３は有機ＥＬ素子アレイ１００ａｒを外部の水分やガス等から保護するための主なバリアであるが、これらの膜欠陥は封止層１０８の気密性を低下させる。
これに対し、実施例に係る表示パネル１００では、上述のとおり、図１２（ｂ）に示すように、樹脂封止層１０８２を形成する工程において、下部無機封止層１０８１の上面における、周堤２０４により内方に所定距離だけ離れた位置に樹脂材料の外縁が位置するように樹脂材料を塗布し、周堤２０４まで濡れ広がった後、硬化させることにより、周堤２０４により外縁が規定される樹脂封止層１０８２を形成されている。
そのため、表示パネルの製造工程において配線層２０３の上面に異物Ｆ０が載設された場合、異物Ｆ０を被覆するように下部無機封止層１０８１、樹脂封止層１０８２、上部無機封止層１０８３が順次積層される。このとき、図１３（ｂ）に示すように、異物Ｆ０の下部周辺に成膜された下部無機封止層１０８１は異物Ｆ０の下部の近傍においてシームＳＭ３や空洞といった膜欠陥を伴い、いびつな膜形状となる。しかしながら、その上面に積層される樹脂封止層１０８２は柔軟性を有する有機材料から構成され、かつ、所定の厚みを有することから異物Ｆ０を被覆して異物Ｆ０による凸形状を吸収する。そのため、形成された樹脂封止層１０８２の上面は平坦な形状となる。
そして、その上方に成膜された上部無機封止層１０８３に、下地層の膜欠陥に起因して同じ箇所に膜欠陥が発生することが抑止され、封止性の高い上部無機封止層１０８３が成膜され、外部からの水分等の侵入を遮断することができる。すなわち、下部無機封止層１０８１、樹脂封止層１０８２、及び上部無機封止層１０８３は有機ＥＬ素子アレイ１００ａｒを外部の水分やガス等から保護するためのバリアとして機能する。
＜まとめ＞
以上のとおり、実施の形態に係る表示パネル１００は、基板１０１の上方に配された下部樹脂絶縁層１０２と、下部樹脂絶縁層１０２の上方において、平面方向に延在して配された配線層２０３と、基板１０１の上方において、配線層２０３を覆う樹脂絶縁層２１４と、樹脂絶縁層２１４上面において、有機ＥＬ素子アレイ１００ａｒを囲繞して配された周堤２０４と、有機ＥＬ素子アレイ１００ａｒ上方において、平面視において樹脂絶縁層２１４の外縁近傍まで連続して配された下部無機封止層１０８１と、下部無機封止層１０８１の上面に配され、外縁が周堤２０４により規定されている樹脂封止層１０８２と、周堤より内方では樹脂封止層１０８２の上面に、周堤２０４より外方では下部無機封止層１０８１の上面において、平面視において下部無機封止層１０８１の外縁近傍まで連続して配された上部無機封止層１０８３と、基板の上方、かつ、配線層２０３の下方において、下部樹脂絶縁層１０２を備え、周堤２０４は樹脂絶縁層２１４の基板１０１の外方の端部に位置し、下部樹脂絶縁層１０２には、周堤２０４を囲繞するように周溝１０２２が形成されており、当該周溝１０２２によって、下部樹脂絶縁層１０２が内側下部樹脂絶縁層部１０２３と外側下部樹脂絶縁層部１０２１に分離されており、下部無機封止層１０８１が周溝１０２２の内側面および底部および外側下部樹脂絶縁層部１０２１の表面の一部を覆っている構成を採る。
そして、表示パネル１００を製造するために、樹脂封止層１０８２を形成する工程において、下部無機封止層１０８１の上面における、周堤２０４により内方に所定距離だけ離れた位置よりも内方に樹脂材料１０８２ｘを塗布した後、周堤２０４まで濡れ広がった状態で硬化させることにより、外縁１０８２ａが周堤２０４により規定されている樹脂封止層１０８２を形成し、上部無機封止層１０８３を形成する工程では、周堤２０４より内方では樹脂封止層１０８２の上面に、周堤２０４より外方では下部無機封止層１０８１の上面において、平面視において下部無機封止層１０８１の外縁近傍まで連続して配することを特徴とする。
係る構成により、実施の形態に係る表示パネル１００は、以下の効果を奏する。
（１）封止層１０８の樹脂封止層１０８２をウエットプロセスで形成する際、インクジェットによる塗布位置のばらつきにより、樹脂材料１０８２が周堤２０４よりも基板外方に塗布されることを防止し、周堤２０４を超えて塗布された樹脂材料１０８２が周溝１０２２内に浸入することを防止できる。
（２）流動性がある塗布直後の樹脂材料１０８２の一部分が、硬化処理を施すまでの間に下部無機封止層１０８１の表面の凹凸のパターンに沿って濡れ広がり、樹脂材料が存在しない箇所が発生し、封止性が悪くなることを防止できる。
（３）表示パネル１００では、樹脂封止層１０８２を形成する工程において、下部無機封止層１０８１の上面における、周堤２０４により内方に所定距離だけ離れた位置に樹脂材料の外縁が位置するように樹脂材料を塗布し、周堤２０４まで濡れ広がった状態で硬化させることにより、周堤２０４により外縁が規定される。樹脂絶縁層２１４は下地の配線層２０３の凹凸を吸収する平坦化層として機能するため、その上に積層される下部無機封止層１０８１の表面は平坦化され、下部無機封止層１０８１の現れる下地の凹凸は平滑化される。そのため、流動性がある塗布直後の樹脂材料１０８２が、硬化処理を施すまでの間に下部無機封止層１０８１の平坦な表面に沿って周堤２０４まで濡れ広がり、樹脂封止層１０８２の外縁は内側下部樹脂絶縁層部１０２３の外縁方向に移動し周堤２０４により位置規制される。これより、樹脂封止層１０８２の外縁は周堤２０４により規定され、樹脂封止層１０８２の外縁がいびつな形状となることを防止できる。これより、樹脂材料が存在しない箇所が発生し、封止性が悪くなることを防止できる。
（４）表示パネルの製造工程において配線層２０３の上面に異物Ｆ０が載設された場合、異物Ｆ０を被覆する下部無機封止層１０８１の上面に積層される樹脂封止層１０８２は柔軟性を有する有機材料から構成され、かつ、所定の厚みを有することから異物Ｆ０を被覆して異物Ｆ０による凸形状を吸収し、樹脂封止層１０８２の上面は平坦化する。そして、積層された上部無機封止層１０８３に、異物に起因して膜欠陥が発生することが抑止される。その結果、封止性の高い上部無機封止層１０８３が成膜され、外部からの水分等の侵入を遮断する。これより、下部無機封止層１０８１、樹脂封止層１０８２、及び上部無機封止層１０８３は有機ＥＬ素子アレイ１００ａｒを外部の水分やガス等から保護するためのバリアとして機能する。
（５）下部樹脂絶縁層１０２が周溝１０２２により外側絶縁層部１０２１と内側絶縁層部１０２３に完全に分離されており、周溝１０２２の内側面および底部が下部無機封止層１０８１により皮膜されているため、たとえ、外側絶縁層部１０２１内に水分が浸入したとしても、周溝１０２２および下部無機封止層１０８１により遮断されて、内側絶縁層部１０２３まで浸入しにくい。そのため、水分が画像表示領域１０に浸入することを抑止できる。
（６）表示パネル１００では樹脂封止層１０８２を挟んでその外方で下部無機封止層１０８１と上部無機封止層１０８３とを接合することにより、樹脂封止層１０８２を無機層により袋状に閉じることができる。これにより、有機層である樹脂封止層１０８２に水分が浸入することを防止できる。
以上のとおり、本開示の態様に係る表示パネルおよびその製造方法によれば、狭小な周辺領域において有機ＥＬ発光素子アレイを被覆する樹脂材料の塗布直後の流れ出しを防止し、封止効果を高めることができる。
≪変形例≫
実施の形態に係る表示パネルを説明したが、本開示は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以上の実施の形態に何ら限定を受けるものではない。例えば、実施の形態に対して当業者が各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本開示に含まれる。以下では、そのような形態の一例として、表示パネルの変形例を説明する。
（１）上記実施の形態では、発光層の形成方法としては、スクリーン印刷法、スピンコート法、インクジェット法などの湿式成膜プロセスを用いる構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、気相成長法等の乾式成膜プロセスを用いることもできる。さらに、各構成部位の材料には、公知の材料を適宜採用することができる。
また、上記実施の形態では、発光層１０５は、行バンク上を列方向に連続して延伸している構成としている。しかしながら、上記構成において、発光層１０５は、行バンク上において画素ごとに断続している構成としてもよい。
（２）上記実施の形態では、下部無機封止層１０８１の成膜条件および組成と上部無機封止層１０８３の成膜条件および組成は同一であるとしたが、必ずしも完全に一致する必要はなく、当業者により適宜変更されてよい。
また、一般的に無機材料は樹脂よりも水分を吸収しにくい特性を有するので、下部無機封止層１０８１、上部無機封止層１０８３の材料として、上述の窒化シリコン（ＳｉＮ）のほかに、他の適当な無機材料（例えば、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、炭化シリコン（ＳｉＣ）等）を使用してもよい。
（３）上記実施の形態では、封止層１０８の上に透明な樹脂フィルムからなるシート基材１１０を貼着することにより、封止性をより向上させていたが、シート基材１１０として樹脂材料からなる公知の偏光板フィルムを用いてもよい（例えば、特開平７−１４２１７０号公報、特開２００１−４８３７号公報など参照）。
上記偏光板フィルムは、外部から入射して表示パネル１００内部（特に、画素電極１０３）で反射した光を外部に透過させにくくするので、屋外などにおける表示パネル１００の視認性を増すことができる。
また、上記実施の形態では、発光層１０５としてＲ、Ｇ、Ｂの個別の発光色を有する有機材料を用いたが、白色のみ発光する有機材料を使用し、シート基材１１０としてＲ、Ｇ、Ｂのフィルターを配列した公知のカラーフィルタ基板を用いてもよい。
（４）上記実施の形態のように、基材１０１ａが樹脂からなるフレキシブル基板である場合には、基材１０１ａとＴＦＴ層１０１ｂとの間に、実施の形態に係る下部無機封止層１０８１や上部無機封止層１０８３と同様な封止膜を備える構成としてもよい。本構成により、基板側からの水分の侵入を抑止することができる。
（５）上記実施の形態では、各有機ＥＬ素子が、画素電極、発光層、電子輸送層、対向電極からなる構成であるとしたが、例えば、画素電極と発光層との間に正孔注入層や正孔輸送層を含む構成であってもよいし、電子輸送層と対向電極との間に電子注入層を含む構成であってもよい。
また、上記実施の形態では、画素電極が反射型電極、対向電極が透過型電極であるトップエミッション型であるとしたが、画素電極が透過型電極、対向電極が反射型電極であるボトムエミッション型であるとしてもよい。その場合には、各構成について、適宜の変更が可能である。また、コロイド状量子ドット（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｄｏｔ）を用いた量子ドットディスプレイ装置などに適用することもできる。
（６）上記実施の形態では、図３に示すように下部無機封止層１０８１と上部無機封止層１０８３のいずれの端縁が位置Ｐ２まで延びて、双方で外側絶縁層部１０２１の頂部および外側の側面を覆うように構成したが、下部無機封止層１０８１と上部無機封止層１０８３のうち少なくとも一方の封止層が、外側絶縁層部１０２１の頂部および外側の側面を覆うようにすれば、外側絶縁層部１０２１内に外部から容易に水分が浸入しないようにすることができる。
（７）また、下部無機封止層１０８１、上部無機封止層１０８３の端縁を位置Ｐ２に完全に一致させる必要はなく、その位置が多少異なっていてもよい。位置が多少異なっていても、下部無機封止層１０８１と上部無機封止層１０８３が直接接触している部分があれば、下部無機封止層１０８１と上部無機封止層１０８３の界面から水分の侵入を抑制することができるからである。
≪補足≫
以上で説明した実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、工程の順序などは一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない工程については、より好ましい形態を構成する任意の構成要素として説明される。
また、上記の工程が実行される順序は、本発明を具体的に説明するために例示するためのものであり、上記以外の順序であってもよい。また、上記工程の一部が、他の工程と同時（並列）に実行されてもよい。
また、発明の理解の容易のため、上記各実施の形態で挙げた各図の構成要素の縮尺は実際のものと異なる場合がある。また本発明は上記各実施の形態の記載によって限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。
また、各実施の形態及びその変形例の機能のうち少なくとも一部を組み合わせてもよい。
本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネル、及び有機ＥＬ表示装置は、テレビジョンセット、パーソナルコンピュータ、携帯電話などの装置、又はその他表示パネルを有する様々な電子機器に広く利用することができる。
１０ 表示領域
２０ 周辺領域
１００ 有機ＥＬ表示パネル
１０１ 基板
１０１ａ 基材
１０１ｂ ＴＦＴ層
１０２ 下部樹脂絶縁層（層間絶縁層）
１０２１ 外側下部樹脂絶縁層部
１０２２ 周溝
１０２３ 内側下部樹脂絶縁層部
１０３ 画素電極
２０３ 配線層
１１４ 行バンク
２１４ 樹脂絶縁層
１０４ 列バンク
２０４ 周堤
１０５ 発光層
１０６ 電子輸送層
１０７ 対向電極
１０８ 封止層
１０８１ 下部無機封止層
１０８２ 樹脂封止層
１０８３ 上部無機封止層
１０９ 接着層
１１０ シート基材
１１１ 接続配線層
１１２ 配線層
１１２１ 接続端子
１２０ 封止補強層

Claims (4)

  1. 基板と、
    前記基板の上方に配された下部樹脂絶縁層と、
    前記下部樹脂絶縁層の上方において、平面方向に延在して配された配線層と、
    前記基板の上方において、前記配線層を覆う樹脂絶縁層と、
    前記基板の上方に配された有機ＥＬ素子を複数含む有機ＥＬ素子アレイと、
    前記樹脂絶縁層上面において、前記有機ＥＬ素子アレイを囲繞して配された周堤と、
    前記有機ＥＬ素子アレイ上方において、平面視において前記樹脂絶縁層の外縁近傍まで連続して配された下部無機封止層と、
    前記下部無機封止層の上面に配され、外縁が前記周堤により規定されている樹脂封止層と、
    前記周堤より内方では前記樹脂封止層の上面に、前記周堤より外方では前記下部無機封止層の上面において、平面視において前記下部無機封止層の外縁近傍まで連続して配された上部無機封止層とを備え、
    前記周堤は前記樹脂封止層の前記基板の外方の端部に位置し、
    前記下部樹脂絶縁層には、前記周堤を囲繞するように周溝が形成されており、当該周溝によって、前記下部樹脂絶縁層が内側下部樹脂絶縁層部と外側下部樹脂絶縁層部に分離されており、前記下部無機封止層が前記溝の内側面および底部および前記外側下部樹脂絶縁層部の表面の少なくとも一部を覆っている
    有機ＥＬ表示パネル。
  2. 前記上部無機封止層は、前記周溝内、及び前記下部樹脂絶縁層の前記外側下部樹脂絶縁層部の上面の一部又は全部において前記下部無機封止層と接触している
    請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  3. 前記下部無機封止層の外縁、及び前記上部無機封止層の外縁は、前記下部樹脂絶縁層の前記外側下部樹脂絶縁層部に存在する
    請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  4. 基板を準備する工程と、
    前記基板の上方に下部樹脂絶縁層を形成する工程と、
    前記下部樹脂絶縁層の上方において、平面方向に延在して配線層を形成する工程と、
    前記基板の上方において、前記配線層を覆う樹脂絶縁層を形成する工程と、
    前記基板の上方に有機ＥＬ素子を複数含む有機ＥＬ素子アレイを形成する工程と、
    前記樹脂絶縁層上面において、前記有機ＥＬ素子アレイを囲繞して周堤を形成する工程と、
    前記有機ＥＬ素子アレイ上方において、平面視において前記樹脂絶縁層の外縁近傍まで連続して下部無機封止層を形成する工程と、
    前記下部無機封止層の上面における、前記周堤により内方に所定距離だけ離れた位置よりも内方に樹脂材料を塗布した後、前記周堤まで濡れ広がった状態で硬化させることにより、外縁が前記周堤により規定されている樹脂封止層を形成する工程と、
    前記周堤より内方では前記樹脂封止層の上面に、前記周堤より外方では前記下部無機封止層の上面において、平面視において前記下部無機封止層の外縁近傍まで連続して配された上部無機封止層を形成する工程とを有し、
    前記周堤を形成する工程では、前記周堤を前記樹脂封止層の前記基板の外方の端部に形成し、
    前記下部樹脂絶縁層を形成する工程では、前記周堤を囲繞するように周溝を形成し、当該周溝によって、前記下部樹脂絶縁層を内側下部樹脂絶縁層部と外側下部樹脂絶縁層部に分離し、前記下部無機封止層が前記周溝の内側面および底部および前記外側下部樹脂絶縁層部の表面の少なくとも一部を覆う
    有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008165251A (ja) * 2002-01-15 2008-07-17 Seiko Epson Corp 表示装置及び電子機器
JP2009164107A (ja) * 2007-12-14 2009-07-23 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置
CN105742322A (zh) * 2014-12-30 2016-07-06 三星显示有限公司 显示装置
JP2018113104A (ja) * 2017-01-06 2018-07-19 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示装置の製造方法
US20180342564A1 (en) * 2017-05-26 2018-11-29 Japan Display Inc. Display device
KR20190030951A (ko) * 2017-09-15 2019-03-25 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
JP2020113421A (ja) * 2019-01-10 2020-07-27 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008165251A (ja) * 2002-01-15 2008-07-17 Seiko Epson Corp 表示装置及び電子機器
CN101257096A (zh) * 2002-01-15 2008-09-03 精工爱普生株式会社 电子元件、显示装置、密封结构及制作电子元件的方法
JP2009164107A (ja) * 2007-12-14 2009-07-23 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置
CN105742322A (zh) * 2014-12-30 2016-07-06 三星显示有限公司 显示装置
JP2018113104A (ja) * 2017-01-06 2018-07-19 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示装置の製造方法
US20180342564A1 (en) * 2017-05-26 2018-11-29 Japan Display Inc. Display device
JP2018200787A (ja) * 2017-05-26 2018-12-20 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR20190030951A (ko) * 2017-09-15 2019-03-25 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
JP2020113421A (ja) * 2019-01-10 2020-07-27 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置

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