KR102177169B1 - 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명의 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법은 무기 보호막을 포함하는 봉지수단을 적용한 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 포토리소그래피 방법을 이용한 포토레지스트의 리프트-오프(lift off)를 통해 봉지수단의 무기 보호막을 패터닝함으로써 기존의 메탈 마스크 사용으로 인한 불량 발생을 방지하기 위한 것으로, 표시영역과 패드영역으로 구분되는 TFT 기판을 제공하는 단계; 상기 TFT 기판의 패드영역에 포토레지스트패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트패턴이 형성된 TFT 기판의 표시영역에 유기발광다이오드를 형성하는 단계; 상기 유기발광다이오드가 형성된 TFT 기판의 전면에 무기 보호막을 증착하는 단계; 상기 무기 보호막이 증착된 TFT 기판의 표시영역에 점착제를 통해 메탈 시트를 부착하는 단계; 및 리프트-오프를 통해 상기 포토레지스트패턴과 함께 상기 포토레지스트패턴 위에 증착된 무기 보호막을 제거하는 단계를 포함한다.

Description

플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법{METHOD OF FABRICATING FLEXIBLE ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY DEVICE}

본 발명은 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 페이스 실(face seal) 봉지구조를 적용한 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법에 관한 것이다.

최근 정보 디스플레이에 관한 관심이 고조되고 휴대가 가능한 정보매체를 이용하려는 요구가 높아지면서 기존의 표시소자인 브라운관(Cathode Ray Tube; CRT)을 대체하는 경량 박형 평판표시소자(Flat Panel Display; FPD)에 대한 연구 및 상업화가 중점적으로 이루어지고 있다.

이러한 평판표시소자 분야에서, 지금까지는 가볍고 전력소모가 적은 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device; LCD)가 가장 주목받는 디스플레이 장치였지만, 다양한 요구에 따라 새로운 디스플레이 장치에 대한 개발이 활발하게 전개되고 있다.

새로운 디스플레이 장치 중 하나인 유기발광다이오드 표시장치는 자체발광형이기 때문에 상기 액정표시장치에 비해 시야각과 명암비 등이 우수하며 백라이트(backlight)가 필요하지 않기 때문에 경량 박형이 가능하고, 소비전력 측면에서도 유리하다. 그리고, 직류 저전압 구동이 가능하고 응답속도가 빠르다는 장점이 있으며, 특히 제조비용 측면에서도 유리한 장점을 가지고 있다.

이하, 상기 유기발광다이오드 표시장치의 기본적인 구조 및 동작 특성에 대해서 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

도 1은 유기발광다이오드의 발광원리를 설명하는 다이어그램이다.

일반적인 유기발광다이오드 표시장치는 상기 도 1과 같이, 유기발광다이오드를 구비한다. 상기 유기발광다이오드는 화소전극인 양극(anode)(18)과 공통전극인 음극(cathode)(28) 사이에 형성된 다수의 유기 화합물층(29a, 29b, 29c, 29d, 29e)을 구비한다.

이때, 상기 유기 화합물층(29a, 29b, 29c, 29d, 29e)은 정공주입층(hole injection layer)(29a), 정공수송층(hole transport layer)(29b), 발광층(emission layer)(29c), 전자수송층(electron transport layer)(29d) 및 전자주입층(electron injection layer)(29e)을 포함한다.

상기 양극(18)과 음극(28)에 구동전압이 인가되면 상기 정공수송층(29b)을 통과한 정공과 상기 전자수송층(29d)을 통과한 전자가 발광층(29c)으로 이동되어 여기자를 형성하고, 그 결과 발광층(29c)이 가시광선을 발산하게 된다.

유기발광다이오드 표시장치는 전술한 구조의 유기발광다이오드를 가지는 화소를 매트릭스 형태로 배열하고 그 화소들을 데이터전압과 스캔전압으로 선택적으로 제어함으로써 화상을 표시한다.

상기 유기발광다이오드 표시장치는 수동 매트릭스(passive matrix) 방식 또는 스위칭소자로써 TFT를 이용하는 능동 매트릭스 방식의 표시장치로 나뉘어진다. 이 중에서, 상기 능동 매트릭스 방식은 능동소자인 TFT를 선택적으로 턴-온(turn on)시켜 화소를 선택하고 스토리지 커패시터(storage capacitor)에 유지되는 전압으로 화소의 발광을 유지한다.

상기 능동 매트릭스 방식의 유기발광다이오드 표시장치의 화소는 유기발광다이오드, 서로 교차하는 데이터라인과 게이트라인, 스위칭 TFT, 구동 TFT 및 스토리지 커패시터를 구비한다.

상기 스위칭 TFT는 게이트라인으로부터의 스캔펄스에 응답하여 턴-온됨으로써 자신의 소오스전극과 드레인전극 사이의 전류패스를 도통시킨다. 상기 스위칭 TFT의 온-타임기간 동안 데이터라인으로부터의 데이터전압은 스위칭 TFT의 소오스전극과 드레인전극을 경유하여 구동 TFT의 게이트전극과 스토리지 커패시터에 인가된다.

상기 구동 TFT는 자신의 게이트전극에 인가되는 데이터전압에 따라 상기 유기발광다이오드에 흐르는 전류를 제어한다. 그리고, 스토리지 커패시터는 데이터전압과 저전위 전원전압 사이의 전압을 저장한 후, 한 프레임기간동안 일정하게 유지시킨다.

도 2a 및 도 2b는 일반적인 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 무기 보호막을 포함하는 봉지수단을 형성하는 과정을 설명하기 위한 단면도이다.

상기 도 2a 및 도 2b를 참조하면, 일반적인 유기발광다이오드 표시장치는 다수의 TFT(미도시)와 유기발광다이오드(30)가 형성된 TFT 기판(10)과 상기 TFT 기판(10) 위에 형성되는 봉지층(encapsulation layer)(20)으로 이루어진다.

이때, 상기 TFT 기판(10)의 기판으로 폴리이미드와 같이 휘거나 굽힐 수 있는 플렉서블 기판을 적용할 수 있으며, 이 경우 표시영역의 곡면 형성이 가능하므로 디스플레이 응용 영역이 다양하게 될 뿐만 아니라 기존의 유리기판 기반의 표시장치로 적용이 제한적이거나 불가능했던 이형 표시장치의 실현을 가능하게 한다.

이와 같은 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 특성상 봉지구조는 투과율이 좋고 투명한 물질들을 이용한 적층 구조를 가져야 한다. 이때, 페이스 실(face seal) 봉지구조를 적용한 경우 상기 봉지층(20)을 구체적으로 설명하면, 음극(미도시)이 형성된 TFT 기판(10) 위에는 봉지수단으로 무기 보호막(23)이 형성된다.

그리고, 상기 무기 보호막(23)이 형성된 TFT 기판(10) 전면에는 최종적인 봉지를 위한 메탈 시트(metal sheet)(25)가 대향하여 위치하게 되며, 상기 TFT 기판(10)과 메탈 시트(25) 사이에는 투명하며 접착 특성을 갖는 점착제(adhesive)(24)가 개재되어 있다. 즉, 상기 TFT 기판(10)의 표시영역에 상기 무기 보호막(23)이 형성되고 나면, 점착제(24)가 라미네이팅(laminating)된 상기 메탈 시트(25)를 상기 TFT 기판(10)과 정렬시킨 후 합착하게 된다.

이와 같이 일반적인 유기발광다이오드 표시장치는 외부에서 유입되는 공기나 수분을 차단하여 TFT와 유기발광다이오드(30)를 보호하기 위해 봉지층(20)을 구비하는데, 현재의 페이스 실 봉지구조에서는 투습 방지의 핵심 역할을 하는 상기 무기 보호막(23)의 증착을 위해 화학기상증착(Chemical Vapour Deposition; CVD) 방식을 사용한다.

이때, TFT 기판(10)의 패드영역에 상기 무기 보호막(23)이 증착되는 것을 방지하기 위해 소정의 메탈 마스크(metal mask)(50)를 사용하게 된다. 이 경우 상기 메탈 마스크(50)의 그림자(shadowing) 영역으로 인해 마진(margin)이 증가하게 되며, 이에 따라 내로우 베젤(narrow bezel)을 구현하는데 한계가 되는 한편, 상기 메탈 마스크(50)의 들뜸이나 오정렬로 인해 불량이 발생할 수도 있다.

본 발명은 상기한 문제를 해결하기 위한 것으로, 페이스 실(face seal) 봉지구조를 적용한 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 봉지수단의 무기 보호막 증착 시 발생하는 각종 불량을 방지하는 한편, 내로우 베젤의 구현을 가능하게 한 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.

기타, 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 후술되는 발명의 구성 및 특허청구범위에서 설명될 것이다.

상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법은 표시영역과 패드영역으로 구분되는 TFT 기판을 제공하는 단계; 상기 TFT 기판의 패드영역에 포토레지스트패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트패턴이 형성된 TFT 기판의 표시영역에 유기발광다이오드를 형성하는 단계; 상기 유기발광다이오드가 형성된 TFT 기판의 전면에 무기 보호막을 증착하는 단계; 상기 무기 보호막이 증착된 TFT 기판의 표시영역에 점착제를 통해 메탈 시트를 부착하는 단계; 및 리프트-오프(lift off)를 통해 상기 포토레지스트패턴과 함께 상기 포토레지스트패턴 위에 증착된 무기 보호막을 제거하는 단계를 포함한다.

이때, 상기 TFT 기판의 패드영역에 포토레지스트패턴을 형성하는 단계는 상기 TFT 기판의 표시영역과 패드영역 전면에 포토레지스트를 소정 두께로 도포하는 단계; 마스크를 통해 상기 포토레지스트에 빛을 조사하여 노광하는 단계; 및 상기 노광된 포토레지스트를 현상하여 상기 TFT 기판의 패드영역에 포토레지스트패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

상기 포토레지스트는 상기 무기 보호막의 두께보다 두꺼운 두께로 도포할 수 있다.

상기 포토레지스트는 폴리이미드로 이루어질 수 있다.

상기 현상공정 후에 상기 포토레지스트패턴을 70℃ ~ 80℃의 온도에서 노광 후 베이크(post exposure bake)공정을 진행하는 단계를 추가로 포함할 수 있다.

본 발명의 다른 일 실시예에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법은 표시영역과 패드영역으로 구분되는 TFT 기판을 제공하는 단계; 상기 TFT 기판의 패드영역에 포토레지스트패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트패턴이 형성된 TFT 기판의 표시영역에 유기발광다이오드를 형성하는 단계; 상기 유기발광다이오드가 형성된 TFT 기판의 전면에 무기 보호막을 증착하는 단계; 리프트-오프를 통해 상기 포토레지스트패턴과 함께 상기 포토레지스트패턴 위에 증착된 무기 보호막을 제거하는 단계; 및 상기 무기 보호막이 남아있는 TFT 기판의 표시영역에 점착제를 통해 메탈 시트를 부착하는 단계를 포함한다.

이때, 상기 TFT 기판의 패드영역에 포토레지스트패턴을 형성하는 단계는 상기 TFT 기판의 표시영역과 패드영역 전면에 포토레지스트를 소정 두께로 도포하는 단계; 마스크를 통해 상기 포토레지스트에 빛을 조사하여 노광하는 단계; 및 상기 노광된 포토레지스트를 현상하여 상기 TFT 기판의 패드영역에 포토레지스트패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

상기 포토레지스트는 상기 무기 보호막의 두께보다는 두꺼운 두께로 도포할 수 있다.

상기 포토레지스트는 폴리이미드로 이루어질 수 있다.

상기 현상공정 후에 상기 포토레지스트패턴을 70℃ ~ 80℃의 온도에서 노광 후 베이크공정을 진행하는 단계를 추가로 포함할 수 있다.

상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법은 포토리소그래피 방법을 이용한 포토레지스트의 리프트-오프(lift off)를 통해 봉지수단의 무기 보호막을 패터닝함으로써 기존의 메탈 마스크 사용으로 인한 불량 발생을 방지할 수 있게 된다. 특히, 시장 요구에 부합할 수 있는 내로우 베젤의 구현에 유리하며, 얼라인 시스템 장비의 제작 및 유지가 불필요하여 비용을 절감하는 동시에 공정을 단순화할 수 있는 효과를 제공한다.

도 1은 유기발광다이오드의 발광원리를 설명하는 다이어그램.
도 2a 및 도 2b는 일반적인 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 무기 보호막을 포함하는 봉지수단을 형성하는 과정을 설명하기 위한 단면도.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 구조를 예시적으로 나타내는 사시도.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 구조를 예시적으로 나타내는 단면도.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 표시영역의 일부를 개략적으로 나타내는 단면도.
도 6a 내지 도 6h는 본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 제조공정을 순차적으로 나타내는 단면도.
도 7은 무기 보호막을 형성하기 위한 포토레지스트패턴에 대한 노광 후 베이크공정의 온도에 따른 테이퍼 각 및 두께를 나타내는 그래프.
도 8은 무기 보호막을 형성하기 위한 포토레지스트패턴에 대한 노광 후 베이크공정의 온도에 따른 스텝 커버리지 정도를 나타내는 그래프.
도 9a 내지 도 9d는 무기 보호막을 형성하기 위한 포토레지스트패턴에 대한 노광 후 베이크공정의 온도에 따른 포토레지스트패턴의 단면 상태를 나타내는 주사 전자 현미경 사진.
도 10a 내지 도 10h는 본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 다른 제조공정을 순차적으로 나타내는 단면도.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법의 바람직한 실시예를 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다. 도면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장될 수 있다.

소자(element) 또는 층이 다른 소자 또는 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않는 것을 나타낸다.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below, beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며, 따라서 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 구조를 예시적으로 나타내는 사시도로써, 패드영역에 연성 회로기판이 체결된 상태의 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치를 예를 들어 나타내고 있다.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 구조를 예시적으로 나타내는 단면도이다.

그리고, 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 표시영역의 일부를 개략적으로 나타내는 단면도이다.

이때, 상기 도 5는 코플라나 구조의 TFT를 이용한 상면발광(top emission) 방식의 유기발광다이오드 표시장치의 TFT부 및 커패시터 형성부를 포함하는 하나의 부화소를 예를 들어 나타내고 있다. 다만, 본 발명이 상기 TFT의 구조 및 발광 방식에 한정되는 것은 아니다.

상기 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치는 크게 영상을 표시하는 패널 어셈블리(100)와 상기 패널 어셈블리(100)에 연결되는 연성 회로기판(140)을 포함한다.

상기 패널 어셈블리(100)는 표시영역(active area)(AA)과 패드영역이 정의되는 TFT 기판(110)과 상기 표시영역(AA)을 덮으면서 상기 TFT 기판(110) 위에 형성되는 봉지층(encapsulation layer)(120)을 포함한다.

이때, 상기 패드영역은 상기 봉지층(120)에 의해 덮이지 않고 노출될 수 있다.

TFT가 형성된 상기 TFT 기판(110)은 베이스가 되는 기판(미도시)으로 폴리이미드 기판을 적용할 수 있으며, 이때 그 배면에는 백 플레이트(back plate)(105)가 부착될 수 있다.

그리고, 상기 봉지층(120) 위에는 외부로부터 입사된 광의 반사를 막기 위한 편광판(미도시)이 부착될 수 있다.

이때, 도시하지 않았지만, 상기 TFT 기판(110)의 표시영역(AA)에는 부화소(sub pixel)들이 매트릭스 형태로 배치되며, 상기 표시영역(AA)의 외측에는 부화소들을 구동시키기 위한 스캔 드라이버와 데이터 드라이버 등의 구동소자 및 기타 부품들이 위치한다.

이러한 TFT 기판(110)의 표시영역(AA)을 상기 도 4 및 도 5를 참조하여 구체적으로 설명하면, 투명한 유리 또는 플라스틱 등의 절연물질로 이루어진 기판(110) 위에 버퍼층(111)이 형성되고, 그 위에 액티브층(114)이 형성되어 있다.

그리고, 상기 액티브층(114) 위에는 실리콘질화막(SiNx) 또는 실리콘산화막(SiO₂) 등으로 이루어진 게이트절연막(115a)이 형성되어 있으며, 그 위에 게이트전극(112)을 포함하는 게이트라인(미도시) 및 제 1 유지전극(116)이 형성되어 있다.

상기 게이트전극(112)을 포함하는 게이트라인 및 제 1 유지전극(116)이 형성된 기판(101) 위에는 실리콘질화막 또는 실리콘산화막 등으로 이루어진 층간절연막(inter insulation layer)(115b)이 형성되어 있으며, 그 위에 데이터라인(미도시), 구동 전압라인(미도시), 소오스/드레인전극(113a, 113b) 및 제 2 유지전극(117)이 형성되어 있다.

이때, 상기 제 2 유지전극(117)은 상기 층간절연막(115b)을 사이에 두고 그 하부의 제 1 유지전극(116)의 일부와 중첩하여 스토리지 커패시터를 형성하게 된다.

상기 소오스/드레인전극(113a, 113b)은 콘택홀을 통해 상기 액티브층(114)의 소오스/드레인영역에 전기적으로 접속하게 된다.

상기 데이터라인, 구동 전압라인, 소오스/드레인전극(113a, 113b) 및 제 2 유지전극(117)이 형성된 기판(101) 위에는 실리콘질화막 또는 실리콘산화막 등으로 이루어진 보호막(115c)이 형성되어 있다.

이와 같이 구성된 TFT 기판(110) 위에는 화소전극(118)이 형성되어 있다.

이때, 양극인 상기 화소전극(118)은 콘택홀을 통해 상기 드레인전극(113b)과 전기적으로 접속하게 된다.

상기 화소전극(118)이 형성된 기판(101) 위에는 격벽(partition)(115e)이 형성되어 있다. 이때, 상기 격벽(115e)은 화소전극(118) 가장자리 주변을 둑(bank)처럼 둘러싸서 개구부(opening)를 정의하며 유기 절연물질 또는 무기 절연물질로 만들어진다. 상기 격벽(115e)은 또한 검정색 안료를 포함하는 감광제로 만들어질 수 있는데, 이 경우 격벽(115e)은 차광부재의 역할을 하게 된다.

상기 격벽(115e)이 형성된 기판(101) 위에는 유기 화합물층(129)이 형성되어 있다.

이때, 상기 유기 화합물층(129)은 빛을 내는 발광층 외에 발광층의 발광 효율을 향상하기 위한 부대층(auxiliary layer)을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 상기 부대층에는 전자와 정공의 균형을 맞추기 위한 전자수송층 및 정공수송층과 전자와 정공의 주입을 강화하기 위한 전자주입층 및 정공주입층 등이 있다.

상기 유기 화합물층(129) 위에는 음극인 공통전극(common electrode)(128)이 형성되어 있다.

그리고, 상기 TFT 기판(110)의 패드영역에는 스캔 드라이버와 데이터 드라이버로 전기 신호를 전달하기 위한 패드전극들이 위치한다.

상기 봉지층(120)은 TFT 기판(110)에 형성된 TFT와 유기발광다이오드(130) 위에 형성되어 TFT와 유기발광다이오드(130)를 외부로부터 밀봉하여 보호한다.

이러한 봉지층(110)을 구체적으로 설명하면, 일 예로 음극(128)이 형성된 TFT 기판(110) 위에 봉지수단으로 무기 보호막(123)이 형성되어 있다.

그리고, 상기 무기 보호막(123)이 형성된 TFT 기판(110) 전면에는 최종적인 봉지를 위한 메탈 시트(125)가 대향하여 위치하게 되며, 상기 TFT 기판(110)과 메탈 시트(125) 사이에는 투명하며 접착 특성을 갖는 점착제(124)가 개재되어 있다. 즉, 상기 TFT 기판(110)의 표시영역에 상기 무기 보호막(123)이 형성되고 나면, 점착제(124)가 라미네이팅(laminating)된 상기 메탈 시트(125)를 상기 TFT 기판(110)과 정렬시킨 후 합착하게 된다

상기 무기 보호막(123)의 경우 무기절연막으로 이루어져 있어 하부 TFT 단차에 의해 스텝 커버리지(step coverage)가 좋지 않으나, 그 상부에 위치하는 점착제(124)가 평탄화 역할을 하기 때문에 메탈 시트(125)는 하부 막에 의한 단차에 영향을 받지 않게 된다. 또한, 폴리머로 이루어진 상기 점착제(124)의 두께가 충분히 두껍기 때문에 이물에 의한 크랙(crack)도 보완해 줄 수 있다.

이렇게 구성된 패널 어셈블리(100)의 패드영역에는 칩 온 글라스(chip on glass) 방식으로 집적회로 칩(미도시)이 실장될 수 있다.

상기 연성 회로기판(140)에는 구동 신호를 처리하기 위한 전자 소자(미도시)들이 칩 온 필름(chip on film) 방식으로 실장되고, 외부 신호를 연성 회로기판(140)으로 전송하기 위한 커넥터(미도시)가 설치될 수 있다.

이러한 연성 회로기판(140)은 패널 어셈블리(100)의 뒤쪽으로 접혀 연성 회로기판(140)이 패널 어셈블리(100)의 배면과 마주하도록 한다. 즉, TFT 기판(110)에 봉지층(120)이 합착되어 패널 어셈블리(100)를 구성하는 상태에서 벤딩부를 가진 연성 회로기판(140)이 접착층(미도시)을 통해 유기발광다이오드 표시장치의 배면에 부착되게 된다.

한편, 전술한 바와 같이 현재의 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 봉지에는 무기 보호막(123)의 증착영역을 정의하기 위해 소정의 메탈 마스크를 사용하게 된다. 이때, 상기 메탈 마스크의 그림자 영역으로 인해 마진이 증가하게 되며, 이에 따라 내로우 베젤을 구현하는데 한계가 되는 한편, 상기 메탈 마스크의 들뜸이나 오정렬로 인해 불량이 발생할 수도 있다.

이에 본 발명은 포토리소그래피 방법을 이용한 포토레지스트의 리프트-오프(lift off)를 통해 봉지수단의 무기 보호막(123)을 패터닝함으로써 기존의 메탈 마스크 사용으로 인한 불량 발생을 방지할 수 있게 되는데, 이를 다음의 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 제조공정을 통해 상세히 설명한다.

도 6a 내지 도 6h는 본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 제조공정을 순차적으로 나타내는 단면도이다.

유기발광다이오드 패널은 소정의 기판 위에 다수의 TFT 및 유기발광다이오드들을 구비하며, 상기 유기발광다이오드는 다수의 적층구조를 갖는데, 이를 위해 폴리이미드 기판으로 이루어진 기판을 준비한다.

이후, 도 6a에 도시된 바와 같이, 상기 기판 위에 소정의 TFT 공정을 진행하여 다수의 TFT가 형성된 TFT 기판(110)을 제작하는데, 우선 버퍼층이 형성된 상기 기판 위에 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon), 다결정 규소(polycrystalline silicon) 또는 산화물 반도체(oxide semiconductor)로 이루어진 액티브층이 형성될 수 있다.

상기 액티브층을 포함하는 기판 위에는 실리콘질화막 또는 실리콘산화막 등으로 이루어진 게이트절연막이 형성되어 있으며, 그 위에 게이트전극, 게이트라인 및 유지전극(storage electrode)이 형성될 수 있다.

상기 게이트전극, 게이트라인 및 유지전극이 형성된 기판 위에는 실리콘질화막 또는 실리콘산화막 등으로 이루어진 층간절연막이 형성되어 있으며, 그 위에 데이터라인과 구동 전압라인 및 소오스/드레인전극이 형성될 수 있다.

상기 데이터라인, 구동 전압라인 및 소오스/드레인전극이 형성된 기판 위에는 실리콘질화막 또는 실리콘산화막 등으로 이루어진 보호막이 형성될 수 있다.

그리고, 상기 보호막 위에는 화소전극(pixel electrode)이 형성될 수 있다. 상기 화소전극은 인듐-틴-옥사이드(Indium Tin Oxide; ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(Indium Zinc Oxide; IZO) 등의 투명한 도전물질이나 알루미늄, 은 또는 그 합금 등의 반사성 도전물질로 이루어질 수 있다.

상기 화소전극이 형성된 기판 위에는 격벽(partition)이 형성될 수 있다.

이때, 상기 격벽은 화소전극 가장자리 주변을 둑(bank)처럼 둘러싸서 개구부(opening)를 정의하며 유기 절연물질 또는 무기 절연물질로 만들어진다. 상기 격벽은 또한 검정색 안료를 포함하는 감광제로 만들어질 수 있는데, 이 경우 격벽은 차광부재의 역할을 하게 된다.

이후, 도 6b에 도시된 바와 같이, 상기 격벽이 형성된 TFT 기판(110)의 표시영역과 패드영역 전면에 포토레지스트(photoresist)(160)를 소정 두께로 도포한다.

포토레지스트 도포공정은 원하는 패턴을 형성하기 위해 포토레지스트(160)를 TFT 기판(110) 위에 균일한 두께로 형성하는 공정으로, 일 예로 포토레지스트(160)를 도포할 TFT 기판(110) 표면에 습기를 제거하여 상기 포토레지스트(160)와 TFT 기판(110)과의 밀착성을 좋게 하는 건조 단계와 원심력을 이용하여 상기 TFT 기판(110) 위에 일정한 두께로 포토레지스트(160)를 입히는 코팅 단계 및 상기 TFT 기판(110) 위에 입혀진 포토레지스트(160)에 남아있는 솔벤트(solvent)를 증발시켜 포토레지스트(160)를 경화시키는 노광 전 베이크(pre exposure bake) 단계로 이루어질 수 있다.

이때, 상기 포토레지스트(160)는 후술할 리프트-오프(lift off)를 통해 상기 패드영역의 무기 보호막을 제거하기 위해 상기 무기 보호막의 두께보다는 두꺼운 두께로 형성할 수 있다.

상기 리프트-오프용 포토레지스트(160)로 폴리이미드(polyimide)와 같이 유기발광다이오드 소자에 영향을 주는 아웃개싱(outgassing)이 없는 화학적으로 안정된 물질을 사용할 수 있으며, 약 150℃의 고온에서 테이퍼(taper)에 변화가 없는 열적으로 안정한 물질을 사용하게 된다.

이후, 도 6c에 도시된 바와 같이, 투과영역(I)과 차단영역(II)이 마련된 소정의 마스크(180)를 통해 상기 포토레지스트(160)에 일정 시간 동안 빛을 조사한다. 상기 노광공정에서 주로 사용되는 광원으로는 자외선(ultraviolet; UV)을 들 수 있다.

그리고, 빛을 받은 부분 또는 빛을 받지 않은 부분만을 선택적으로 용해시킬 수 있는 에칭용액(현상액)으로 상기 포토레지스트(160)를 에칭(현상)하게 되면, 도 6d에 도시된 바와 같이 상기 마스크에 있던 패턴 모양대로 포토레지스트패턴(160')이 형성되게 된다.

이때, 상기 포토레지스트패턴(160')은 무기 보호막이 증착되지 않아야 할 패드영역에만 패터닝되게 되며, 참고로 빛을 받은 부분이 에칭되는 것을 포지티브 레지스트(positive resist)라 하며, 빛을 받은 부분이 남겨지는 것을 네거티브 레지스트(negative resist)라고 한다.

이와 같이 현상공정에서는 현상액을 이용하여 자외선과 반응한 노광 영역(포지티브 레지스트의 경우)의 포토레지스트(160)를 선택적으로 제거하여 포토레지스트패턴(160')을 박막 위에 구현하게 된다. 상기 현상은 함유 성분의 하나인 반응억제재(inhibitor)에 의하여 반응이 억제된 포토레지스트(160)가 자외선 조사에 의한 반응으로 노광된 영역이 활성제로 변하여(포지티브 레지스트의 경우) 산성을 가지게 되면, 현상액에 의한 중화 반응으로 제거되는 원리이다.

최종적으로 남아있는 포토레지스트(160)에 의하여 형성되는 패턴, 즉 포토레지스트패턴(160')은 노광 시간과 노광량, 현상온도 및 시간, 노광 전 베이크 등의 공정 조건들 사이의 적절한 균형에 의존한다.

이러한 포토리소그래피 기술은 미세 패턴의 형성이 가능하다는 이점을 가지고 있다.

상기 현상공정 후에는 형성된 패턴의 접착력 강화를 위해 상기 포토레지스트패턴(160')을 70℃ ~ 80℃의 온도에서 노광 후 베이크(post exposure bake)공정을 진행하게 된다.

이때, 60℃ 이하의 온도에서 베이크를 진행하는 경우 패턴이 미 발생하게 되며, 90℃ 이상의 온도에서 베이크를 진행하는 경우 후술할 리프트-오프를 통해서 포토레지스트가 제거되지 않고 소량 잔류하는 것을 확인할 수 있었다.

다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 후에 형성될 무기 보호막의 재질 및 기타 공정조건에 따라 노광 후 베이크공정의 온도 조건이 변할 수도 있다.

도 7은 무기 보호막을 형성하기 위한 포토레지스트패턴에 대한 노광 후 베이크공정의 온도에 따른 테이퍼 각 및 두께를 나타내는 그래프이며, 도 8은 무기 보호막을 형성하기 위한 포토레지스트패턴에 대한 노광 후 베이크공정의 온도에 따른 스텝 커버리지 정도를 나타내는 그래프이다.

그리고, 도 9a 내지 도 9d는 무기 보호막을 형성하기 위한 포토레지스트패턴에 대한 노광 후 베이크공정의 온도에 따른 포토레지스트패턴의 단면 상태를 나타내는 주사 전자 현미경(Scanning Electron Microscopy; SEM) 사진이다.

이때, 상기 도 9a와 도 9b 및 도 9c는 노광 후 베이크공정의 온도가 각각 70℃와 80℃ 및 90℃인 경우의 무기 보호막이 증착된 포토레지스트패턴의 단면 상태를 나타내고 있다. 또한, 상기 도 9d는 처마 구조를 갖는 포토레지스트패턴의 단면 상태를 예를 들어 나타내고 있으며, 이 경우 증착된 무기 보호막이 처마 구조 아래에서 끊어져 있는 것을 알 수 있다.

상기 도 7 및 상기 도 9a 내지 도 9c를 참조하면, 노광 후 베이크공정의 온도가 70℃에서 90℃로 증가함에 따라 포토레지스트패턴의 테이퍼 각(taper angle)(θ)이 126°에서 91.5°로 감소하는 동시에 형성된 포토레지스트패턴의 두께가 3.4㎛에서 6㎛로 증가하는 것을 알 수 있다.

상기 도 8을 참조하면, 노광 후 베이크공정의 온도가 70℃에서 90℃로 증가함에 따라 포토레지스트패턴의 스텝 커버리지(step coverage)가 49.0%에서 61.3%로 증가하는 것을 알 수 있다.

이와 같이 노광 후 베이크공정의 온도가 증가할수록 테이퍼 각(θ)은 낮아지고 스텝 커버리지는 증가하는 것을 알 수 있으며, 80℃ 이하의 온도에서는 리프트-오프를 통한 포토레지스트 제거가 완전하게 이루어지나 90℃ 이상의 온도에서는 포토레지스트가 제거되지 않고 소량 잔류하는 것을 확인할 수 있다. 이는 노광 후 베이크공정이 가교 역할을 하는 것으로서 온도가 증가하면 잔막률이 증가하는 것을 알 수 있다.

다음으로, 도 6e에 도시된 바와 같이, 상기 포토레지스트패턴(160')이 남아있는 상태에서 증착 마스크를 이용하여 TFT 기판(110)의 표시영역에 유기 화합물층으로 이루어진 유기발광다이오드(130)를 형성한다.

이때, 상기 유기 화합물층은 빛을 내는 발광층 외에 발광층의 발광 효율을 향상하기 위한 부대층을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 상기 부대층에는 전자와 정공의 균형을 맞추기 위한 전자수송층 및 정공수송층과 전자와 정공의 주입을 강화하기 위한 전자주입층 및 정공주입층 등이 있다.

상기 유기 화합물층 위에는 캐소드인 공통전극(common electrode)이 형성될 수 있다. 이때, 상기 공통전극은 공통 전압을 인가 받으며, ITO, IZO 등의 투명한 도전물질로 이루어질 수 있다.

이후, 도 6f에 도시된 바와 같이, 상기 유기발광다이오드(130)가 형성된 TFT 기판(110) 전면에 봉지수단으로 실리콘질화막 또는 실리콘산화막 등의 무기절연막으로 이루어진 무기 보호막(123)을 증착한다.

이때, 상기 본 발명에 따른 무기 보호막(123)은 별다른 마스크를 사용하지 않고 상기 포토레지스트패턴(160')를 포함하는 TFT 기판(110) 전면에 증착하게 된다.

다음으로, 도 6g에 도시된 바와 같이, 상기 무기 보호막(123)이 증착된 TFT 기판(110) 전면에는 최종적인 봉지를 위한 메탈 시트(125)가 대향하여 위치하게 되며, 상기 TFT 기판(110)과 메탈 시트(125) 사이에는 투명하며 접착 특성을 갖는 점착제(124)가 개재되어 있다.

이후, 도 6h에 도시된 바와 같이, 리프트-오프를 통해 상기 패드영역의 포토레지스트패턴과 함께 상기 포토레지스트패턴 위에 증착된 무기 보호막을 제거한다.

다음으로, 상기 봉지층 위에는 외부로부터 입사된 광의 반사를 막기 위한 편광판이 부착될 수 있으며, 후공정인 조립공정 및 검사를 거쳐 유기발광다이오드 표시장치의 제조를 완료하게 된다.

이와 같이 본 발명은 포토리소그래피 방법을 이용한 포토레지스트의 리프트-오프를 통해 봉지수단의 무기 보호막을 패터닝함으로써 기존의 메탈 마스크 사용으로 인한 불량 발생을 방지할 수 있게 된다. 특히, 시장 요구에 부합할 수 있는 내로우 베젤의 구현에 유리하며, 얼라인 시스템 장비의 제작 및 유지가 불필요하여 비용을 절감하는 동시에 공정을 단순화할 수 있게 된다.

한편, 전술한 리프트-오프공정은 유기발광다이오드의 형성 후에 바로 진행할 수도 있으며, 이를 다음의 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

도 10a 내지 도 10h는 본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 다른 제조공정을 순차적으로 나타내는 단면도이다.

유기발광다이오드 패널은 소정의 기판 위에 다수의 TFT 및 유기발광다이오드들을 구비하며, 상기 유기발광다이오드는 다수의 적층구조를 갖는데, 이를 위해 폴리이미드 기판으로 이루어진 기판을 준비한다.

이후, 도 10a에 도시된 바와 같이, 상기 기판 위에 소정의 TFT 공정을 진행하여 다수의 TFT가 형성된 TFT 기판(210)을 제작하는데, 우선 버퍼층이 형성된 상기 기판 위에 수소화 비정질 규소, 다결정 규소 또는 산화물 반도체로 이루어진 액티브층이 형성될 수 있다.

상기 액티브층을 포함하는 기판 위에는 실리콘질화막 또는 실리콘산화막 등으로 이루어진 게이트절연막이 형성되어 있으며, 그 위에 게이트전극, 게이트라인 및 유지전극이 형성될 수 있다.

상기 게이트전극, 게이트라인 및 유지전극이 형성된 기판 위에는 실리콘질화막 또는 실리콘산화막 등으로 이루어진 층간절연막이 형성되어 있으며, 그 위에 데이터라인과 구동 전압라인 및 소오스/드레인전극이 형성될 수 있다.

상기 데이터라인, 구동 전압라인 및 소오스/드레인전극이 형성된 기판 위에는 실리콘질화막 또는 실리콘산화막 등으로 이루어진 보호막이 형성될 수 있다.

그리고, 상기 보호막 위에는 화소전극이 형성될 수 있다. 상기 화소전극은 인듐-틴-옥사이드 또는 인듐-징크-옥사이드 등의 투명한 도전물질이나 알루미늄, 은 또는 그 합금 등의 반사성 도전물질로 이루어질 수 있다.

상기 화소전극이 형성된 기판 위에는 격벽이 형성될 수 있다.

이후, 도 10b에 도시된 바와 같이, 상기 격벽이 형성된 TFT 기판(210)의 표시영역과 패드영역 전면에 포토레지스트(260)를 소정 두께로 도포한다.

이때, 상기 포토레지스트(260)는 후술할 리프트-오프를 통해 상기 패드영역의 무기 보호막을 제거하기 위해 상기 무기 보호막의 두께보다는 두꺼운 두께로 형성할 수 있다.

상기 리프트-오프용 포토레지스트(260)로 폴리이미드와 같이 유기발광다이오드 소자에 영향을 주는 아웃개싱이 없는 화학적으로 안정된 물질을 사용할 수 있으며, 약 150℃의 고온에서 테이퍼에 변화가 없는 열적으로 안정한 물질을 사용하게 된다.

이후, 도 10c에 도시된 바와 같이, 투과영역(I)과 차단영역(II)이 마련된 소정의 마스크(280)를 통해 상기 포토레지스트(260)에 일정 시간 동안 빛을 조사한다. 상기 노광공정에서 주로 사용되는 광원으로는 자외선을 들 수 있다.

그리고, 빛을 받은 부분 또는 빛을 받지 않은 부분만을 선택적으로 용해시킬 수 있는 에칭용액(현상액)으로 상기 포토레지스트(260)를 에칭(현상)하게 되면, 도 10d에 도시된 바와 같이 상기 마스크에 있던 패턴 모양대로 소정의 포토레지스트패턴(260')이 형성되게 된다.

이때, 상기 포토레지스트패턴(260')은 무기 보호막이 증착되지 않아야 할 패드영역에만 패터닝되게 되며, 참고로 빛을 받은 부분이 에칭되는 것을 포지티브 레지스트라 하며, 빛을 받은 부분이 남겨지는 것을 네거티브 레지스트라고 한다.

상기 현상공정 후에는 형성된 패턴의 접착력 강화를 위해 상기 포토레지스트패턴(260')을 70℃ ~ 80℃의 온도에서 노광 후 베이크공정을 진행하게 된다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 후에 형성될 무기 보호막의 재질 및 기타 공정조건에 따라 노광 후 베이크공정의 온도 조건이 변할 수도 있다.

다음으로, 도 10e에 도시된 바와 같이, 상기 포토레지스트패턴(260')이 남아있는 상태에서 증착 마스크를 이용하여 TFT 기판(210)의 표시영역에 유기 화합물층으로 이루어진 유기발광다이오드(230)를 형성한다.

이때, 상기 유기 화합물층은 빛을 내는 발광층 외에 발광층의 발광 효율을 향상하기 위한 부대층을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 상기 부대층에는 전자와 정공의 균형을 맞추기 위한 전자수송층 및 정공수송층과 전자와 정공의 주입을 강화하기 위한 전자주입층 및 정공주입층 등이 있다.

상기 유기 화합물층 위에는 캐소드인 공통전극이 형성될 수 있다. 이때, 상기 공통전극은 공통 전압을 인가 받으며, ITO, IZO 등의 투명한 도전물질로 이루어질 수 있다.

이후, 도 10f에 도시된 바와 같이, 상기 유기발광다이오드(230)가 형성된 TFT 기판(210) 전면에 봉지수단으로 실리콘질화막 또는 실리콘산화막 등의 무기절연막으로 이루어진 무기 보호막(223)을 증착한다.

이때, 상기 본 발명에 따른 무기 보호막(223)은 별다른 마스크를 사용하지 않고 상기 포토레지스트패턴(260')를 포함하는 TFT 기판(210) 전면에 증착하게 된다.

다음으로, 도 10g에 도시된 바와 같이, 리프트-오프를 통해 상기 패드영역의 포토레지스트패턴과 함께 상기 포토레지스트패턴 위에 증착된 무기 보호막을 제거한다.

이후, 도 10h에 도시된 바와 같이, 상기 TFT 기판(210)의 표시영역에만 무기 보호막(223)이 남아있는 상태에서 상기 TFT 기판(210) 전면에는 최종적인 봉지를 위한 메탈 시트(225)가 대향하여 위치하게 되며, 상기 TFT 기판(210)과 메탈 시트(225) 사이에는 투명하며 접착 특성을 갖는 점착제(224)가 개재되어 있다.

다음으로, 상기 봉지층 위에는 외부로부터 입사된 광의 반사를 막기 위한 편광판이 부착될 수 있으며, 후공정인 조립공정 및 검사를 거쳐 유기발광다이오드 표시장치의 제조를 완료하게 된다.

상기한 설명에 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나 이것은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 따라서 발명은 설명된 실시예에 의하여 정할 것이 아니고 특허청구범위와 특허청구범위에 균등한 것에 의하여 정하여져야 한다.

110,210 : TFT 기판 130,230 : 유기발광다이오드
123,223 : 무기 보호막 124,224 : 점착제
125,225 : 메탈 시트 160,260 : 포토레지스트
160',260' : 포토레지스트패턴

Claims (10)

1. 표시영역과 패드영역으로 구분되는 TFT 기판을 제공하는 단계;
   상기 TFT 기판의 표시영역과 패드영역 전면에 포토레지스트를 소정 두께로 도포하는 단계;
   마스크를 통해 상기 포토레지스트에 빛을 조사하여 노광하는 단계; 및
   상기 노광된 포토레지스트를 제거하는 단계;
   상기 포토레지스트를 70℃ ~ 80℃의 온도에서 노광한 후 베이크(post exposure bake)공정을 진행하여 상기 TFT 기판의 패드영역에 역테이퍼진 포토레지스트패턴을 형성하는 단계;
   상기 포토레지스트패턴이 형성된 TFT 기판의 표시영역에 유기발광다이오드를 형성하는 단계;
   상기 유기발광다이오드가 형성된 TFT 기판의 전면에 무기 보호막을 증착하는 단계;
   상기 무기 보호막이 증착된 TFT 기판의 표시영역에 점착제를 통해 메탈 시트를 부착하는 단계; 및
   리프트-오프(lift off)를 통해 상기 포토레지스트패턴과 함께 상기 포토레지스트패턴 위에 증착된 무기 보호막을 제거하는 단계를 포함하는 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
2. 삭제
3. 제 1 항에 있어서, 상기 포토레지스트는 상기 무기 보호막의 두께보다 두꺼운 두께로 도포하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
4. 제 1 항에 있어서, 상기 포토레지스트는 폴리이미드로 이루어진 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
5. 삭제
6. 표시영역과 패드영역으로 구분되는 TFT 기판을 제공하는 단계;
   상기 TFT 기판의 표시영역과 패드영역 전면에 포토레지스트를 소정 두께로 도포하는 단계;
   마스크를 통해 상기 포토레지스트에 빛을 조사하여 노광하는 단계; 및
   상기 노광된 포토레지스트를 제거하는 단계;
   상기 포토레지스트를 70℃ ~ 80℃의 온도에서 노광한 후 베이크(post exposure bake)공정을 진행하여 상기 TFT 기판의 패드영역에 역테이퍼진 포토레지스트패턴을 형성하는 단계;
   상기 포토레지스트패턴이 형성된 TFT 기판의 표시영역에 유기발광다이오드를 형성하는 단계;
   상기 유기발광다이오드가 형성된 TFT 기판의 전면에 무기 보호막을 증착하는 단계;
   리프트-오프를 통해 상기 포토레지스트패턴과 함께 상기 포토레지스트패턴 위에 증착된 무기 보호막을 제거하는 단계; 및
   상기 무기 보호막이 남아있는 TFT 기판의 표시영역에 점착제를 통해 메탈 시트를 부착하는 단계를 포함하는 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
7. 삭제
8. 제 6 항에 있어서, 상기 포토레지스트는 상기 무기 보호막의 두께보다는 두꺼운 두께로 도포하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
9. 제 6 항에 있어서, 상기 포토레지스트는 폴리이미드로 이루어진 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
10. 삭제

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