JP2017041459A - 有機el表示装置 - Google Patents
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Abstract
Description
本実施形態の有機半導体素子は、マトリクス状に配置された画素PXを含むアクティブエリアACTと、アレイ基板ARと、対向基板CTと、駆動回路DRVと、フレキシブル基板FRCと、を備えている。
図3は、本実施形態の有機半導体素子の製造方法の一例を説明するフローチャートでる。
ここで、有機EL発光素子等の有機半導体素子は水分に弱く、水分が有機層に浸入した領域では特性劣化により発光しないダークスポットが生じる。そこで、有機EL発光素子上には水分を遮断するバリア層を配置している。
上記のように有機半導体素子を形成することにより、有機EL発光素子に水分が侵入することを回避することができ、ダークスポットの発生による不良を回避することができる。さらに、有機EL発光素子上に配置するバリア層を厚くすることなく水分の侵入を回避することができるため、有機層13が発光した光の透過率が低下することもない。すなわち、本実施形態によれば、信頼性の高い有機半導体素子および有機半導体素子の製造方法を提供することができる。
[付記]
なお、上記実施形態の有機半導体素子及び有機半導体素子の製造方法は、次のように記載することができる。
(1) 支持基板と、
前記支持基板上に画素毎に形成された複数の有機EL発光素子と、
複数の前記画素にわたって前記有機EL発光素子上を覆う第1バリア層と、
前記第1バリア層上において、前記第1バリア層表面の段差部分の傾斜を緩やかにするように断続的に配置された平坦化層と、
前記平坦化層上において複数の前記画素に渡って配置された第2バリア層と、を含むアレイ基板を備え、
前記第1バリア層および前記第2バリア層は、水分透過を妨げる材料により形成されいる有機半導体素子。
(2) 複数の前記画素がマトリクス状に配列したアクティブエリアを囲む領域において、前記第1バリア層の下地層は凹部を有し、前記平坦化層は前記凹部による段差部分の傾斜を緩やかにするように断続的に配置している(1)に記載の有機半導体素子。
(3) 前記凹部の深さは、1乃至10μmである(2)に記載の有機半導体素子。
(4) 前記アクティブエリアを囲むように配置されたシール剤により前記アレイ基板と対向して固定された対向基板をさらに備え、
前記凹部は、前記アクティブエリアと前記シール剤との間に配置している(2)又は(3)に記載の有機半導体素子。
(5) 前記アクティブエリアを囲むように配置されたシール剤により前記アレイ基板と対向して固定された対向基板をさらに備え、
前記凹部は、前記シール剤と対向する位置に配置している(2)又は(3)に記載の有機半導体素子。
(6) 前記アクティブエリアを囲むように配置されたシール剤により前記アレイ基板と対向して固定された対向基板をさらに備え、
前記凹部は、前記シール剤よりも外側に配置している(2)又は(3)に記載の有機半導体素子。
(7) 複数の前記画素がマトリクス状に配列したアクティブエリアを囲む領域において、前記第1バリア層の下地層は凸部を有し、前記平坦化層は前記凸部による段差部分の傾斜を緩やかにするように断続的に配置している(1)又は(2)に記載の有機半導体素子。
(8) 前記凸部の高さは、1乃至10μmである(7)に記載の有機半導体素子。
(9) 前記アクティブエリアを囲むように配置されたシール剤により前記アレイ基板と対向して固定された対向基板をさらに備え、
前記凸部は、前記アクティブエリアと前記シール剤との間に配置している(7)又は(8)に記載の有機半導体素子。
(10) 前記アクティブエリアを囲むように配置されたシール剤により前記アレイ基板と対向して固定された対向基板をさらに備え、
前記凸部は、前記シール剤と対向する位置に配置している(7)又は(8)に記載の有機半導体素子。
(11) 前記アクティブエリアを囲むように配置されたシール剤により前記アレイ基板と対向して固定された対向基板をさらに備え、
前記凸部は、前記シール剤よりも外側に配置している(7)又は(8)に記載の有機半導体素子。
(12) 前記第1バリア層及び前記第2バリア層の少なくとも1層は、窒化シリコンにより形成されている(1)乃至(11)のいずれか1項記載の有機半導体素子。
(13) 前記第1バリア層及び前記第2バリア層の少なくとも1層は、酸化シリコンにより形成されている(1)乃至(11)のいずれか1項記載の有機半導体素子。
(14) 前記第1バリア層及び前記第2バリア層の少なくとも1層は、酸窒化シリコンにより形成されている(1)乃至(11)のいずれか1項記載の有機半導体素子。
(15) 前記平坦化層は、重合反応による硬化する高分子有機膜を含む(1)乃至(14)のいずれか1項記載の有機半導体素子。
(16) 前記平坦化層は、アクリル樹脂層を含む(1)乃至(14)のいずれか1項記載の有半導体素子。
(17) 前記平坦化層は、エポキシ樹脂層を含む(1)乃至(14)のいずれか1項記載の有機半導体素子。
(18) 前記平坦化層は、ポリイミド樹脂層を含む(1)乃至(14)のいずれか1項記載の有機半導体素子。
(19) 支持基板上に陽極および発光層を含む有機層を画素毎に形成する工程と、
前記有機層上に複数の前記画素に渡る陰極を形成する工程と、
複数の前記画素に渡って、前記陰極上に水分透過を妨げる材料により第1バリア層を形成する工程と、
前記第1バリア層上に断続的な平坦化層を形成する工程と、
前記平坦化層上に水分透過を妨げる材料により第2バリア層を形成する工程と、を備え、
前記平坦化層を形成する工程は、ポリマー樹脂と重合開始剤とを混合した溶剤を真空環境下において基板に霧状噴霧する工程と、噴霧した溶剤に紫外光を照射する工程と、エッチングによりポリマー樹脂層の薄膜部分を除去する工程と、を備える有機半導体素子の製造方法。
Claims (19)
- 支持基板と、
前記支持基板上に画素毎に形成された複数の有機EL発光素子と、
前記複数の有機EL発光素子が位置するアクティブエリアと、
前記アクティブエリアを囲む領域とを有し、
前記支持基板上に形成された第1のバリア層と、
前記第1のバリア層上に形成された第2のバリア層と、を有し、
前記アクティブエリアを囲む領域において、
前記第1のバリア層は傾斜面および平坦面を有し、
前記第1のバリア層の前記傾斜面と前記平坦面と、前記第2のバリア層の間には、前記傾斜面と前記平坦面の境界部分に平坦化層が形成されている、
有機EL表示装置。 - 前記支持基板上には、前記複数の有機EL発光素子を区画するリブ層が形成され、
前記第1のバリア層は、前記リブ層上に形成されている、
請求項1記載の有機EL表示装置。 - 前記第1のバリア層の前記傾斜面は、前記リブ層の形状に起因して構成されている、
請求項2記載の有機EL表示装置。 - 前記リブ層は凸形状を有している、
請求項3記載の有機EL表示装置。 - 前記第1のバリア層と前記第2のバリア層は前記平坦化層が形成された部分の周囲で接触している、
請求項1乃至請求項4の何れか一項に記載の有機EL表示装置。 - 前記平坦化層は有機膜で形成される、
請求項1乃至請求項5の何れか一項に記載の有機EL表示装置。 - 支持基板と、
前記支持基板上に画素毎に形成された複数の有機EL発光素子と、
前記複数の有機EL発光素子が位置するアクティブエリアと、
前記アクティブエリアを囲む領域とを有し、
前記支持基板上に形成された第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層上に形成された第2の絶縁層と、を有し、
前記アクティブエリアを囲む領域において、
前記第1の絶縁層は傾斜面および平坦面を有し、
前記第1の絶縁層の前記傾斜面と前記平坦面と、前記第2の絶縁層の間には、前記傾斜面と前記平坦面の境界部分に有機層が形成されている、
有機EL表示装置。 - 前記支持基板上には、前記複数の有機EL発光素子を区画する第3の絶縁層が形成され、前記第1の絶縁層は、前記第3の絶縁層上に形成されている、
請求項7記載の有機EL表示装置。 - 前記第1の絶縁層の前記傾斜面は、前記第3の絶縁層の形状に起因して構成されている、
請求項8記載の有機EL表示装置。 - 前記第3の絶縁層は凸形状を有している、
請求項9記載の有機EL表示装置。 - 前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層は前記有機層が形成された部分の周囲で接触している、
請求項7乃至請求項10の何れか一項に記載の有機EL表示装置。 - 前記第1の絶縁層は、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコンのうち少なくとも一つを含むか、
または前記第2の絶縁層は、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコンのうち少なくとも一つを含む、
請求項7乃至請求項第11の何れか一項に記載の有機EL表示装置。 - 支持基板と、
前記支持基板上に画素毎に形成された複数の有機EL発光素子と、
前記複数の有機EL発光素子が位置するアクティブエリアと、
前記アクティブエリアを囲む領域とを有し、
前記支持基板上に形成された第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層上に形成された有機層と、
前記有機層上に形成された第2の絶縁層を有し、
前記有機層は前記アクティブエリアから外側に向かう方向において非連続である領域が存在する、有機EL表示装置。 - 前記アクティブエリアを囲む領域において、
前記第1の絶縁層上の前記有機層は、断続的に形成されている、
請求項13記載の有機EL表示装置。 - 前記基板上には、前記複数の有機EL発光素子を区画する第3の絶縁層が形成され、前記第1の絶縁層は、前記第3の絶縁層上に形成されている、
請求項13又は請求項14項に記載の有機EL表示装置。 - 前記第1の絶縁層の前記傾斜面は、前記第3の絶縁層の形状に起因して構成されている、
請求項15記載の有機EL表示装置。 - 前記第3の絶縁層は凸形状を有している、
請求項16記載の有機EL表示装置。 - 前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層は前記有機層が形成された部分の周囲で接触している、
請求項13乃至請求項17の何れか一項に記載の有機EL表示装置。 - 前記第1の絶縁層は、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコンのうち少なくとも一つを含むか、
または前記第2の絶縁層は、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコンのうち少なくとも一つを含む、
請求項13乃至請求項18の何れか一項に記載の有機EL表示装置。
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