KR101084230B1 - 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents
유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101084230B1 KR101084230B1 KR1020090110476A KR20090110476A KR101084230B1 KR 101084230 B1 KR101084230 B1 KR 101084230B1 KR 1020090110476 A KR1020090110476 A KR 1020090110476A KR 20090110476 A KR20090110476 A KR 20090110476A KR 101084230 B1 KR101084230 B1 KR 101084230B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- organic light
- flexible substrate
- film
- conductive layer
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 97
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 62
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 42
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 15
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 52
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 12
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 11
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/87—Arrangements for heating or cooling
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8794—Arrangements for heating and cooling
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
Abstract
유기 발광 표시 장치는 가요성 기판, 가요성 기판 상에 위치하는 유기 발광 소자, 유기 발광 소자를 사이에 두고 가요성 기판 상에 위치하며, 유기 발광 소자를 봉지하는 봉지 박막, 가요성 기판을 사이에 두고 유기 발광 소자와 대향하며, 가요성 기판과 접하는 열 전도층, 봉지 박막에 부착되어 있는 제1 필름 및 열 전도층에 부착되어 있는 제2 필름을 포함한다.
가요성 기판, 봉지 박막, 열 전도층
Description
본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 유기 발광 소자를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
표시 장치는 이미지를 표시하는 장치로서, 최근 유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display)가 주목 받고 있다.
유기 발광 표시 장치는 자체 발광 특성을 가지며, 액정 표시 장치(liquid crystal display device)와 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 두께와 무게를 줄일 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 높은 반응 속도 등의 고품위 특성을 나타낸다.
최근, 플라스틱 기판 상에 빛을 발광하는 유기 발광 소자를 형성한 후, 박막으로 유기 발광 소자를 봉지하는 가요성(flexible) 유기 발광 표시 장치가 개발되었다.
이러한, 가요성 유기 발광 표시 장치는 전체적인 두께가 매우 얇기 때문에, 가요성 유기 발광 표시 장치의 기계적 강도를 높이기 위해 가요성 유기 발광 표시 장치의 상면 및 하면에 가요성 유기 발광 표시 장치 대비 두꺼운 두께를 가지는 필름을 부착하는데, 이 두꺼운 두께를 가지는 필름에 의해 유기 발광 소자에서 발생되는 열이 외부로 방출되기 어려운 문제점이 있었다.
유기 발광 소자로부터 발생된 열이 가요성 유기 발광 표시 장치 외부로 적절히 방출되지 않을 경우, 가요성 유기 발광 표시 장치 자체의 온도가 상승하여 유기 발광 소자에 불량이 발생하여 유기 발광 소자의 수명이 짧아지거나, 가요성 유기 발광 표시 장치에 오작동이 발생한다.
본 발명은 전술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 유기 발광 소자로부터 발생되는 열이 외부로 용이하게 방열되는 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 제1 측면은 가요성 기판, 가요성 기판 상에 위치하는 유기 발광 소자, 유기 발광 소자를 사이에 두고 가요성 기판 상에 위치하며, 유기 발광 소자를 봉지하는 봉지 박막, 가요성 기판을 사이에 두고 유기 발광 소자와 대향하며, 가요성 기판과 접하는 열 전도층, 봉지 박막에 부착되어 있는 제1 필름 및 열 전도층에 부착되어 있는 제2 필름을 포함하는 유기 발광 표시 장치를 제공한다.
열 전도층의 열전도 계수는 가요성 기판 및 제2 필름 각각의 열전도 계수보다 클 수 있다.
제1 필름 및 제2 필름 각각의 두께는 가요성 기판의 두께보다 두꺼울 수 있다.
열 전도층은 가요성 기판 판면 전체에 걸쳐서 대응할 수 있다.
열 전도층은 판 형태일 수 있다.
열 전도층은 그물망 형태일 수 있다.
제2 필름의 표면은 요철(凹凸) 형태일 수 있다.
가요성 기판이 플라스틱으로 형성된 유기 발광 표시 장치.
또한, 본 발명의 제2 측면은 유리 기판 상에 가요성 기판을 형성하는 단계, 가요성 기판 상에 유기 발광 소자를 형성하는 단계, 유기 발광 소자 상에 봉지 박막을 형성하여 유기 발광 소자를 봉지하는 단계, 가요성 기판으로부터 유리 기판을 분리하는 단계, 유리 기판이 분리된 가요성 기판의 판면에 가요성 기판과 접하는 열 전도층을 형성하는 단계, 봉지 박막에 제1 필름을 부착하는 단계 및 열 전도층에 제2 필름을 부착하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 제공한다.
열 전도층을 형성하는 단계는 열 전도층이 가요성 기판 판면 전체에 걸쳐서 대응하도록 수행할 수 있다.
열 전도층을 형성하는 단계는 증착 공정을 이용해 수행할 수 있다.
열 전도층을 형성하는 단계는 부착 공정을 이용해 수행할 수 있다.
열 전도층의 열전도 계수는 가요성 기판 및 제2 필름 각각의 열전도 계수보다 클 수 있다.
가요성 기판을 플라스틱 재질로 형성할 수 있다.
본 발명에 따르면, 방열 효율이 향상된 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법이 제공된다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
또한, 여러 실시예들에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적으로 제1 실시예에서 설명하고, 그 외의 실시예에서는 제1 실시예와 다른 구성에 대해서만 설명하기로 한다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 “상에” 있다고 할 때, 이는 다른 부분 “바로 상에” 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
또한, 첨부 도면에서는, 하나의 화소에 두개의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)와 하나의 축전 소자(capacitor)를 구비하는 2Tr-1Cap 구조의 능동 구동(active matrix, AM)형 유기 발광 표시 장치를 도시하고 있지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 유기 발광 표시 장치는 박막 트랜지스터의 개수, 축전 소자의 개수 및 배선의 개수가 한정되지 않는다. 한편, 화소는 이미지를 표시하는 최소 단위를 말하며, 유기 발광 표시 장치는 복수의 화소들을 통해 이미지를 표시한다.
이하, 도 1 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(101)를 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(101)는 가요성 기판(110), 구동 회로부(120), 유기 발광 소자(130), 봉지 박막(180), 열 전도층(190), 제1 필름(210) 및 제2 필름(220)을 포함한다.
가요성 기판(110)은 플라스틱 또는 수지 등으로 이루어진 가소성 기판을 포함한다. 가요성 기판(110) 상에는 구동 회로부(120) 및 유기 발광 소자(130)가 위치하고 있다.
구동 회로부(120)는 제1 및 제2 박막 트랜지스터(10, 20)(도 2에 도시)를 포함하며, 유기 발광 소자(130)를 구동한다. 유기 발광 소자(130)는 구동 회로부(120)로부터 전달받은 구동 신호에 따라 빛을 방출한다.
이하, 도 2 및 도 3을 참조하여, 유기 발광 표시 장치(101)의 내부 구조에 대해 상세히 설명한다.
이하에서 자세히 설명할 구동 회로부(120) 및 유기 발광 소자(130)의 구체적인 구조는 도 2 및 도 3에 나타나 있으나, 본 발명의 실시예가 도 2 및 도 3에 도시된 구조에 한정되는 것은 아니다. 구동 회로부(120) 및 유기 발광 소자(130)는 해당 기술 분야의 전문가가 용이하게 변형 실시할 수 있는 범위 내에서 다양한 구 조로 형성될 수 있다.
도 2은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소의 구조를 나타낸 배치도이다. 도 3는 도 2의 Ⅲ-Ⅲ 선을 따른 단면도이다.
도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 유기 발광 표시 장치(101)는 하나의 화소마다 각각 형성된 스위칭 박막 트랜지스터(10), 구동 박막 트랜지스터(20), 축전 소자(80), 그리고 유기 발광 소자(organic light emitting diode, OLED)(130)를 포함한다. 여기서, 스위칭 박막 트랜지스터(10), 구동 박막 트랜지스터(20) 및 축전 소자(80)를 포함하는 구성을 구동 회로부(120)라 한다. 그리고, 구동 회로부(120)는 가요성 기판(110)의 일 방향을 따라 배치되는 게이트 라인(151), 게이트 라인(151)과 절연 교차되는 데이터 라인(171) 및 공통 전원 라인(172)을 더 포함한다. 여기서, 하나의 화소는 게이트 라인(151), 데이터 라인(171) 및 공통 전원 라인(172)을 경계로 정의될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
유기 발광 소자(130)는 제1 전극(710)과, 제1 전극(710) 상에 형성된 유기 발광층(720)과, 유기 발광층(720) 상에 형성된 제2 전극(730)을 포함한다. 여기서, 제1 전극(710)은 정공 주입 전극인 양(+)극이며, 제2 전극(730)은 전자 주입 전극인 음(-)극이 된다. 그러나 본 발명의 제1 실시예가 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 표시 장치(101)의 구동 방법에 따라 제1 전극(710)이 음극이 되고, 제2 전극(730)이 양극이 될 수도 있다. 제1 전극(710) 및 제2 전극(730)으로부터 각각 정공과 전자가 유기 발광층(720) 내부로 주입되며, 유기 발광층(720) 내부로 주입된 정공과 전자가 결합한 엑시톤(exiton)이 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어질 때 유기 발광층(720)의 발광이 이루어진다.
또한, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(101)에서 유기 발광 소자(70)는 봉지 박막(180) 방향으로 빛을 방출한다. 즉, 유기 발광 소자(130)는 전면 발광형이다. 여기서, 유기 발광 소자(130)가 봉지 박막(180) 방향으로 빛을 방출하기 위해, 제1 전극(710)으로는 반사형 전극이 사용되고 제2 전극(730)으로는 투과형 또는 반투과형 전극이 사용된다. 그러나 본 발명의 제1 실시예에서, 유기 발광 표시 장치(101)가 전면 발광형에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 유기 발광 표시 장치(101)는 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수도 있다.
축전 소자(80)는 층간 절연막(161)을 사이에 두고 배치된 한 쌍의 축전판(158, 178)을 포함한다. 여기서, 층간 절연막(161)은 유전체가 되며, 축전 소자(80)에서 축전된 전하와 양 축전판(158, 178) 사이의 전압에 의해 축전 소자(80)의 축전 용량이 결정된다.
스위칭 박막 트랜지스터(10)는 스위칭 반도체층(131), 스위칭 게이트 전극(152), 스위칭 소스 전극(173) 및 스위칭 드레인 전극(174)을 포함한다. 구동 박막 트랜지스터(20)는 구동 반도체층(132), 구동 게이트 전극(155), 구동 소스 전극(176) 및 구동 드레인 전극(177)을 포함한다.
스위칭 박막 트랜지스터(10)는 발광시키고자 하는 화소를 선택하는 스위칭 소자로서 사용된다. 스위칭 게이트 전극(152)은 게이트 라인(151)에 연결된다. 스위칭 소스 전극(173)은 데이터 라인(171)에 연결된다. 스위칭 드레인 전극(174)은 스위칭 소스 전극(173)으로부터 이격 배치되며 어느 한 축전판(158)과 연결된 다.
구동 박막 트랜지스터(20)는 선택된 화소 내의 유기 발광 소자(130)의 유기 발광층(720)을 발광시키기 위한 구동 전원을 제1 전극(710)에 인가한다. 구동 게이트 전극(155)은 스위칭 드레인 전극(174)과 연결된 축전판(158)과 연결된다. 구동 소스 전극(176) 및 다른 한 축전판(178)은 각각 공통 전원 라인(172)과 연결된다. 구동 드레인 전극(177)은 컨택홀(contact hole)을 통해 유기 발광 소자(130)의 제1 전극(710)과 연결된다.
이와 같은 구조에 의하여, 스위칭 박막 트랜지스터(10)는 게이트 라인(151)에 인가되는 게이트 전압에 의해 작동하여 데이터 라인(171)에 인가되는 데이터 전압을 구동 박막 트랜지스터(20)로 전달하는 역할을 한다. 공통 전원 라인(172)으로부터 구동 박막 트랜지스터(20)에 인가되는 공통 전압과 스위칭 박막 트랜지스터(10)로부터 전달된 데이터 전압의 차에 해당하는 전압이 축전 소자(80)에 저장되고, 축전 소자(80)에 저장된 전압에 대응하는 전류가 구동 박막 트랜지스터(20)를 통해 유기 발광 소자(130)로 흘러 유기 발광 소자(130)가 발광하게 된다.
유기 발광 소자(130)를 사이에 두고 가요성 기판(110)과 대향하여 봉지 박막(180)이 위치하고 있다.
다시, 도 1을 참조하면, 봉지 박막(180)은 가요성 기판(110) 상에 위치하며, 봉지 박막(180)과 가요성 기판(110) 사이에는 구동 회로부(120) 및 유기 발광 소자(130)가 개재되어 있다. 봉지 박막(180)은 유기 발광 소자(130)를 봉지하며, 수지 또는 실리카 계열의 무기물로 이루어진다.
봉지 박막(180)과 대향하여 가요성 기판(110)을 사이에 두고 열 전도층(190)이 위치하고 있다.
열 전도층(190)은 가요성 기판(110)을 사이에 두고 유기 발광 소자(130)와 대향하며, 가요성 기판(110)의 판면과 접하고 있다. 열 전도층(190)은 가요성 기판(110)의 판면 전체에 걸쳐서 대응한다. 열 전도층(190)은 금(Au), 은(Ag), 구리(Ti), 몰리브덴(Mo) 또는 알루미늄(Al) 등과 같은 열전도 계수가 높은 금속으로 이루어진다. 열 전도층(190)은 가요성 기판(110), 제1 필름(210) 및 제2 필름(220) 대비 열전도 계수가 크며, 가요성 기판(110)과 제2 필름(220) 사이에서 가요성 기판(110)의 판면과 접하고 있어 가요성 기판(110) 상에 위치하는 유기 발광 소자(130)에서 발생된 열을 제2 필름(220) 방향으로 전도하는 것을 도와주는 역할을 한다. 열 전도층(190)에 의한 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(101)의 방열 효율에 대해서는 후술한다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 포함된 열 전도층의 일 예를 도시한 사시도이다. 열 전도층(190)은 도 4의 (a)에 도시된 바와 같은 판 형태이거나, 또는 도 4의 (b)에 도시된 바와 같은 그물망 형태일 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 제1 필름(210)은 봉지 박막(180)에 부착되어 있으며, 가요성 기판(110), 구동 회로부(120) 및 유기 발광 소자(130)를 합친 두께 대비 두꺼운 두께를 가지고 있다. 제1 필름(210)은 제2 필름(220)과 함께 가요성 기판(110), 구동 회로부(120) 및 유기 발광 소자(130)를 덮고 있으며, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(101)의 기계적 강도를 향상시키는 역할을 한 다. 제1 필름(210)은 수지 등으로 이루어진다.
제2 필름(220)은 열 전도층(190)에 부착되어 있으며, 가요성 기판(110), 구동 회로부(120) 및 유기 발광 소자(130)를 합친 두께 대비 두꺼운 두께를 가지고 있다. 제2 필름(220)은 제1 필름(210)과 함께 가요성 기판(110), 구동 회로부(120) 및 유기 발광 소자(130)를 덮고 있으며, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(101)의 기계적 강도를 향상시키는 역할을 한다. 제2 필름(220)은 수지 등으로 이루어진다.
이하, 도 5를 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(101)의 방열 효율에 대하여 자세히 설명한다.
도 5는 도 1의 A 부분의 확대도이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(101)는 전도, 복사 및 대류 현상을 이용하여 유기 발광 소자(130)로부터 발생된 열(H)을 외부로 방열한다.
우선, 전도 현상에 대하여 설명한다.
전도 현상은 고체에서 온도가 높은 쪽에서 낮은 쪽으로 열(H)이 전달되는 현상이다. 전도 현상은 다음의 수학식 1과 같이 표현된다.
[수학식 1]
여기서, q는 시간당 전도되는 열 에너지량, k는 열전도 계수, A는 고체의 접 촉 면적, dT는 고체에서 온도가 높은 표면의 온도로부터 온도가 낮은 표면의 온도를 마이너스한 온도, dx는 고체의 두께이다.
상기 수학식 1에서 보는 바와 같이, 전도 현상에 따라 시간당 전도되는 열 에너지량은 열전도 계수(k) 및 접촉 면적(A)에 비례한다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(101)의 열 전도층(190)은 접해있는 가요성 기판(110) 및 제2 필름(220) 대비 열전도 계수(k)가 높고, 가요성 기판(110)의 판면 전체에 걸쳐서 판 형태로 대응하여 가요성 기판(110)과 접해 있기 때문에, 가요성 기판(110)과 높은 접촉 면적(A)을 이루고 있다. 즉, 전도 현상에 의해, 유기 발광 소자(130)로부터 발생되어 가요성 기판(110)을 거쳐 열 전도층(190)으로 시간당 전도되는 열 에너지량(q)이 증가된다.
또한, 열 전도층(190)으로 전도된 열(H)은 열 전도층(190) 내 전체에 걸쳐서 골고루 분산되며, 이 분산된 열(H)은 열 전도층(190)에 부착된 제2 필름(220)으로 골고루 전달된다.
다음, 복사 현상에 대하여 설명한다.
복사 현상은 물체의 온도에 따라서 물체로부터 외부로 복사열이 발생하는 현상이다. 복사 현상은 다음의 수학식 2와 같이 표현된다.
[수학식 2]
여기서 P는 시간당 복사되는 열 에너지량, δ는 스테판 상수(Stefan’s Constant), B는 물체의 표면적, T는 물체의 온도이다.
상기 수학식 2에서 보는 바와 같이, 복사 현상은 물체의 표면적(B)에 비례한다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(101)는 유기 발광 소자(130)로부터 발생된 열(H)이 열 전도층(190)에 의해 제2 필름(220) 전체에 걸쳐서 골고루 전달되기 때문에, 제2 필름(220)의 국부적 표면이 아닌 전체 표면에서 복사 현상이 수행된다. 즉, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(101)는 높은 표면적(B)으로부터 복사 현상이 수행됨으로써, 제2 필름(220)으로부터 외부로 시간당 복사되는 열 에너지량(P)이 증가된다.
요컨대, 유기 발광 소자(130)로부터 국부적으로 발생된 열(H)은 가요성 기판(110)을 거쳐 열 전도층(190)으로 전도된 후, 가요성 기판(110) 전체에 대응하는 열 전도층(190) 전체에 걸쳐서 전도되어 다시 제2 필름(220) 전체에 걸쳐서 전도됨으로써, 제2 필름(220)의 전체 표면에서 복사 현상이 수행되어 제2 필름(220)으로부터 외부로 시간당 복사되는 열 에너지량(P)이 증가된다.
다음, 대류 현상에 대하여 설명한다.
대류 현상은 액체나 기체에서 발생하는 현상으로서 뜨거운 부분은 위로 올라가고 차가운 부분은 아래로 내려가는 현상이다. 즉, 가열된 공기나 유체가 움직이면서 열(H)이 전달되는 현상을 대류 현상이라 한다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(101)에서 복사 현상에 의해 유기 발광 표시 장치(101)로부터 외부와 인접한 공간으로 복사된 열(H)은 대류 현상에 의해 외부로부터 떨어진 공간으로 이동함으로써, 유기 발광 소자(130)에 대한 유기 발광 표시 장치(101)의 방열이 수행된다.
이상과 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(101)는 가요성 기판(110)과 제2 필름(220) 사이에 위치하는 열 전도층(190)을 포함함으로써, 유기 발광 표시 장치(101) 자체 내의 전도 현상 및 복사 현상에 따라 이동하는 열 에너지량이 증가된다. 즉, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(101)는 열 전도층(190)을 포함함으로써, 유기 발광 소자(130)에 대한 방열 효율이 향상된다.
이하, 도 6를 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(101)에 대하여 설명한다.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(101)에서, 외부의 공기와 접하는 제2 필름(220)의 표면은 요철(凹凸) 형태이다.
상술한 수학식 2에서 보는 바와 같이, 복사 현상은 물체의 표면적(B)에 비례한다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(101)는 유기 발광 소자(130)로부터 발생된 열이 열 전도층(190)에 의해 제2 필름(220) 전체에 걸쳐서 골고루 전달되기 때문에, 제2 필름(220)의 국부적 표면이 아닌 전체 표면에서 복사 현상이 수행되는데, 제2 필름(220)의 표면이 요철 형태로 구성됨으로써, 제2 필름(220)의 표면 자체가 높은 표면적(B)을 가지게 되어 제2 필름(220)으로부터 외부로 시간당 복사되는 열 에너지량(P)이 증가된다.
이상과 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(101)는 제2 필름(220)의 표면이 요철 형태로 구성되어 제2 필름(220)의 표면적(B)이 증가됨으로써, 제2 필름(220)으로부터 외부로 시간당 복사되는 열 에너지량이 증가된다. 즉, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(101)는 유기 발광 소자(130)에 대한 방열 효율이 향상된다.
이하, 도 7 내지 도 11을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(101)의 제조 방법을 설명한다.
도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 순서도이다. 도 8 내지 도 11은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
우선, 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 유리 기판(GS) 상에 가요성 기판(110)을 형성한다(S110).
구체적으로, 스핀 코팅(spin coating) 등의 코팅 공정을 이용하여 유리 기판(GS) 상에 플라스틱 또는 수지 재질을 코팅하여 가요성 기판(110)을 형성한다.
다음, 가요성 기판(110) 상에 구동 회로부(120) 및 유기 발광 소자(130)를 형성한다(S120).
구체적으로, 포토리소그래피(photolithography) 공정 등의 멤 스(microelectromechanical systems) 기술을 이용하여 가요성 기판(110) 상에 구동 회로부(120) 및 유기 발광 소자(130)를 형성한다.
다음, 유기 발광 소자(130) 상에 봉지 박막(180)을 형성하여 유기 발광 소자(130)를 봉지한다(S130).
구체적으로, 유기 발광 소자(130) 상에 증착 공정, 부착 공정 또는 코팅 공정 등을 이용하여 유기 발광 소자(130)를 봉지하도록 봉지 박막(180)을 형성한다.
다음, 도 9에 도시된 바와 같이, 가요성 기판(110)으로부터 유리 기판(GS)을 분리한다(S140).
구체적으로, 가요성 기판(110)으로부터 유리 기판(GS)을 분리하는데, 유리 기판(GS)과 가요성 기판(110) 사이를 분리시켜 가요성 기판(110)으로부터 유리 기판(GS)을 분리하거나, 또는 유리 기판(GS)만을 선택적으로 식각할 수 있는 식각액을 이용하여 가요성 기판(110)으로부터 유리 기판(GS)을 분리한다.
다음, 도 10에 도시된 바와 같이, 가요성 기판(110)의 판면에 가요성 기판(110)과 접하는 열 전도층(190)을 형성한다(S150).
구체적으로, 유리 기판(GS)이 분리된 가요성 기판(110)의 판면에 가요성 기판(110)의 판면 전체에 걸쳐서 대응하는 동시에 가요성 기판(110)과 접하는 열 전도층(190)을 형성한다. 열 전도층(190)은 화학 기상 증착(chemical vapor deposition, CVD) 공정 등의 증착 공정을 이용하여 가요성 기판(110)의 판면에 증착되거나, 또는 부착 공정을 이용하여 가요성 기판(110)의 판면에 부착된다.
다음, 도 11에 도시된 바와 같이, 봉지 박막(180)에 제1 필름(210)을 부착한 다(S160).
구체적으로, 부착 공정을 이용하여 봉지 박막(180)과 접하는 제1 필름(210)을 봉지 박막(180)에 부착한다.
다음, 열 전도층(190)에 제2 필름(220)을 부착한다.
구체적으로, 부착 공정을 이용하여 열 전도층(190)과 접하는 제2 필름(220)을 열 전도층(190)에 부착한다.
이상과 같은 공정에 의해, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(101)가 제조된다.
본 발명을 앞서 기재한 바에 따라 바람직한 실시예를 통해 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 다음에 기재하는 특허청구범위의 개념과 범위를 벗어나지 않는 한, 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것을 본 발명이 속하는 기술 분야에 종사하는 자들은 쉽게 이해할 것이다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소의 구조를 나타낸 배치도이다.
도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ 선을 따른 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 포함된 열 전도층의 일 예를 도시한 사시도이다.
도 5는 도 1의 A 부분의 확대도이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 순서도이다.
도 8 내지 도 11은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
Claims (14)
- 가요성 기판;상기 가요성 기판 상에 위치하는 유기 발광 소자;상기 유기 발광 소자를 사이에 두고 상기 가요성 기판 상에 위치하며, 상기 유기 발광 소자를 봉지하는 봉지 박막;상기 가요성 기판을 사이에 두고 상기 유기 발광 소자와 대향하며, 상기 가요성 기판과 접하는 열 전도층;상기 봉지 박막에 부착되어 있는 제1 필름; 및상기 열 전도층에 부착되어 있는 제2 필름을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
- 제1항에서,상기 열 전도층의 열전도 계수는 상기 가요성 기판 및 상기 제2 필름 각각의 열전도 계수보다 큰 유기 발광 표시 장치.
- 제2항에서,상기 제1 필름 및 상기 제2 필름 각각의 두께는 상기 가요성 기판의 두께보다 두꺼운 유기 발광 표시 장치.
- 제3항에서,상기 열 전도층은 상기 가요성 기판 판면 전체에 걸쳐서 대응하는 유기 발광 표시 장치.
- 제4항에서,상기 열 전도층은 판 형태인 유기 발광 표시 장치.
- 제4항에서,상기 열 전도층은 그물망 형태인 유기 발광 표시 장치.
- 제1항에서,상기 제2 필름의 표면은 요철(凹凸) 형태인 유기 발광 표시 장치.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에서,상기 가요성 기판이 플라스틱으로 형성된 유기 발광 표시 장치.
- 유리 기판 상에 가요성 기판을 형성하는 단계;상기 가요성 기판 상에 유기 발광 소자를 형성하는 단계;상기 유기 발광 소자 상에 봉지 박막을 형성하여 상기 유기 발광 소자를 봉지하는 단계;상기 가요성 기판으로부터 상기 유리 기판을 분리하는 단계;상기 유리 기판이 분리된 상기 가요성 기판의 판면에 상기 가요성 기판과 접하는 열 전도층을 형성하는 단계;상기 봉지 박막에 제1 필름을 부착하는 단계; 및상기 열 전도층에 제2 필름을 부착하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
- 제9항에서,상기 열 전도층을 형성하는 단계는 상기 열 전도층이 상기 가요성 기판 판면 전체에 걸쳐서 대응하도록 수행하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
- 제10항에서,상기 열 전도층을 형성하는 단계는 증착 공정을 이용해 수행하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
- 제10항에서,상기 열 전도층을 형성하는 단계는 부착 공정을 이용해 수행하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
- 제9항에서,상기 열 전도층의 열전도 계수는 상기 가요성 기판 및 상기 제2 필름 각각의 열전도 계수보다 큰 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
- 제9항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,상기 가요성 기판을 플라스틱 재질로 형성하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090110476A KR101084230B1 (ko) | 2009-11-16 | 2009-11-16 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
US12/946,710 US8994063B2 (en) | 2009-11-16 | 2010-11-15 | Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090110476A KR101084230B1 (ko) | 2009-11-16 | 2009-11-16 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110053801A KR20110053801A (ko) | 2011-05-24 |
KR101084230B1 true KR101084230B1 (ko) | 2011-11-16 |
Family
ID=44010646
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090110476A KR101084230B1 (ko) | 2009-11-16 | 2009-11-16 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8994063B2 (ko) |
KR (1) | KR101084230B1 (ko) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20120042151A (ko) * | 2010-10-22 | 2012-05-03 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법 |
KR101830894B1 (ko) | 2011-09-09 | 2018-02-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR101991863B1 (ko) * | 2012-08-28 | 2019-06-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 봉지용 시트, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 유기 발광 디스플레이 장치 |
US20140061610A1 (en) * | 2012-08-31 | 2014-03-06 | Hyo-Young MUN | Organic light emitting device and manufacturing method thereof |
KR102062842B1 (ko) | 2013-06-03 | 2020-01-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
CN105990530A (zh) * | 2015-01-27 | 2016-10-05 | 上海和辉光电有限公司 | 具有散热功能oled模组的制造方法及散热结构 |
KR102437100B1 (ko) | 2015-10-13 | 2022-08-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 차량용 디스플레이 장치 및 이를 구비한 자동차 |
WO2018037113A1 (de) * | 2016-08-26 | 2018-03-01 | Osram Oled Gmbh | Verfahren zur herstellung eines bauelementmoduls und bauelementmodul |
KR20180046418A (ko) * | 2016-10-27 | 2018-05-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그 제조방법 |
CN108242424B (zh) * | 2016-12-26 | 2019-09-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性面板的制作方法、柔性面板及显示装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002063985A (ja) * | 2000-08-22 | 2002-02-28 | Nec Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
KR100796129B1 (ko) | 2007-01-30 | 2008-01-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (57)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5147821A (en) * | 1990-09-28 | 1992-09-15 | Motorola, Inc. | Method for making a thermally enhanced semiconductor device by holding a leadframe against a heatsink through vacuum suction in a molding operation |
WO1992010073A1 (en) * | 1990-11-30 | 1992-06-11 | Idemitsu Kosan Company Limited | Organic electroluminescence device |
US6326678B1 (en) * | 1993-09-03 | 2001-12-04 | Asat, Limited | Molded plastic package with heat sink and enhanced electrical performance |
WO1996008122A1 (fr) * | 1994-09-08 | 1996-03-14 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Procede d'enrobage d'un element electroluminescent organique et d'un autre element electroluminescent organique |
US5701951A (en) * | 1994-12-20 | 1997-12-30 | Jean; Amigo | Heat dissipation device for an integrated circuit |
US5811177A (en) * | 1995-11-30 | 1998-09-22 | Motorola, Inc. | Passivation of electroluminescent organic devices |
WO1998007173A1 (en) * | 1996-08-12 | 1998-02-19 | The Trustees Of Princeton University | Non-polymeric flexible organic light emitting device |
KR100249784B1 (ko) * | 1997-11-20 | 2000-04-01 | 정선종 | 고분자복합막을이용한유기물혹은고분자전기발광소자의패키징방법 |
KR20020011392A (ko) * | 1999-04-28 | 2002-02-08 | 메리 이. 보울러 | 산소 및 수분 열화에 대한 내성이 개선된 가요성 유기전자 장치 |
TW527735B (en) * | 1999-06-04 | 2003-04-11 | Semiconductor Energy Lab | Electro-optical device |
US6573652B1 (en) * | 1999-10-25 | 2003-06-03 | Battelle Memorial Institute | Encapsulated display devices |
US6110306A (en) * | 1999-11-18 | 2000-08-29 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Complexed liquid fuel compositions |
CN1157764C (zh) * | 1999-11-22 | 2004-07-14 | 索尼株式会社 | 功能器件及其制造方法 |
US6677709B1 (en) * | 2000-07-18 | 2004-01-13 | General Electric Company | Micro electromechanical system controlled organic led and pixel arrays and method of using and of manufacturing same |
TW548860B (en) * | 2001-06-20 | 2003-08-21 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
US7211828B2 (en) * | 2001-06-20 | 2007-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic apparatus |
TW546857B (en) * | 2001-07-03 | 2003-08-11 | Semiconductor Energy Lab | Light-emitting device, method of manufacturing a light-emitting device, and electronic equipment |
US6841857B2 (en) * | 2001-07-18 | 2005-01-11 | Infineon Technologies Ag | Electronic component having a semiconductor chip, system carrier, and methods for producing the electronic component and the semiconductor chip |
JP3818102B2 (ja) * | 2001-08-31 | 2006-09-06 | 住友電気工業株式会社 | 放熱基板とその製造方法及び半導体装置 |
JP4166455B2 (ja) * | 2001-10-01 | 2008-10-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 偏光フィルム及び発光装置 |
US6698500B2 (en) * | 2002-01-22 | 2004-03-02 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Heat sink with fins |
US6642092B1 (en) * | 2002-07-11 | 2003-11-04 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Thin-film transistors formed on a metal foil substrate |
TW560703U (en) * | 2002-10-25 | 2003-11-01 | Ritdisplay Corp | Organic light-emitting diode |
US6888172B2 (en) * | 2003-04-11 | 2005-05-03 | Eastman Kodak Company | Apparatus and method for encapsulating an OLED formed on a flexible substrate |
US7648925B2 (en) * | 2003-04-11 | 2010-01-19 | Vitex Systems, Inc. | Multilayer barrier stacks and methods of making multilayer barrier stacks |
AT500259B1 (de) * | 2003-09-09 | 2007-08-15 | Austria Tech & System Tech | Dünnschichtanordnung und verfahren zum herstellen einer solchen dünnschichtanordnung |
KR101176539B1 (ko) * | 2003-11-04 | 2012-08-24 | 삼성전자주식회사 | 폴리 실리콘막 형성 방법, 이 방법으로 형성된 폴리실리콘막을 구비하는 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
US7612498B2 (en) | 2003-11-27 | 2009-11-03 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Display element, optical device, and optical device manufacturing method |
WO2005064993A1 (en) * | 2003-12-30 | 2005-07-14 | Agency For Science, Technology And Research | Flexible electroluminescent devices |
KR20050073855A (ko) | 2004-01-12 | 2005-07-18 | 삼성전자주식회사 | 플렉셔블 디스플레이 및 그 제조 방법 |
US7087134B2 (en) * | 2004-03-31 | 2006-08-08 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | System and method for direct-bonding of substrates |
KR100601950B1 (ko) * | 2004-04-08 | 2006-07-14 | 삼성전자주식회사 | 전자소자 및 그 제조방법 |
US7205718B2 (en) * | 2004-06-24 | 2007-04-17 | Eastman Kodak Company | OLED display having thermally conductive adhesive |
TWI249232B (en) * | 2004-10-20 | 2006-02-11 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Heat dissipating package structure and method for fabricating the same |
US20090008792A1 (en) * | 2004-11-19 | 2009-01-08 | Industrial Technology Research Institute | Three-dimensional chip-stack package and active component on a substrate |
JP4556174B2 (ja) * | 2004-12-15 | 2010-10-06 | 日本電気株式会社 | 携帯端末機器及び放熱方法 |
US7368307B2 (en) * | 2005-06-07 | 2008-05-06 | Eastman Kodak Company | Method of manufacturing an OLED device with a curved light emitting surface |
KR100696851B1 (ko) | 2005-07-29 | 2007-03-19 | 엘지전자 주식회사 | 발광 소자 어레이용 구조 |
KR100795786B1 (ko) * | 2005-12-06 | 2008-01-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 모듈 |
KR100635514B1 (ko) * | 2006-01-23 | 2006-10-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
US20080080142A1 (en) * | 2006-09-28 | 2008-04-03 | Mediatek Inc. | Electronic devices with enhanced heat spreading |
US7977170B2 (en) * | 2006-10-03 | 2011-07-12 | Eastman Kodak Company | Flexible substrate with electronic devices and traces |
ES2935269T3 (es) * | 2006-11-06 | 2023-03-03 | Agency Science Tech & Res | Pila de barrera de encapsulación de nanopartículas |
US7968382B2 (en) * | 2007-02-02 | 2011-06-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
US7973473B2 (en) * | 2007-03-02 | 2011-07-05 | Global Oled Technology Llc | Flat panel OLED device having deformable substrate |
KR100841376B1 (ko) * | 2007-06-12 | 2008-06-26 | 삼성에스디아이 주식회사 | 접합방법 및 그를 이용한 유기전계발광표시장치의 제조방법 |
TW200902954A (en) * | 2007-07-13 | 2009-01-16 | Univ Nat Taiwan | Miniaturized surface plasmon resonance sensing chip |
KR100889625B1 (ko) * | 2007-07-19 | 2009-03-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 접합방법 및 그를 이용한 유기전계발광표시장치의 제조방법 |
DE602007011610D1 (de) * | 2007-09-14 | 2011-02-10 | Punch Graphix Int Nv | Lichtemittierendes Array zum Drucken oder Kopieren |
KR100943185B1 (ko) | 2008-04-24 | 2010-02-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR20080104324A (ko) | 2008-09-19 | 2008-12-02 | 에이전시 포 사이언스, 테크놀로지 앤드 리서치 | 가요성 전기발광 소자 |
KR101363022B1 (ko) * | 2008-12-23 | 2014-02-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
JP5146356B2 (ja) * | 2009-02-24 | 2013-02-20 | 豊田合成株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
KR101155907B1 (ko) * | 2009-06-04 | 2012-06-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP2011071481A (ja) * | 2009-08-28 | 2011-04-07 | Fujifilm Corp | 固体撮像装置,固体撮像装置の製造方法,デジタルスチルカメラ,デジタルビデオカメラ,携帯電話,内視鏡 |
JP5497417B2 (ja) * | 2009-12-10 | 2014-05-21 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びにその薄膜トランジスタを備えた装置 |
KR20120118335A (ko) * | 2011-04-18 | 2012-10-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 조명 장치 |
-
2009
- 2009-11-16 KR KR1020090110476A patent/KR101084230B1/ko active IP Right Grant
-
2010
- 2010-11-15 US US12/946,710 patent/US8994063B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002063985A (ja) * | 2000-08-22 | 2002-02-28 | Nec Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
KR100796129B1 (ko) | 2007-01-30 | 2008-01-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110114993A1 (en) | 2011-05-19 |
US8994063B2 (en) | 2015-03-31 |
KR20110053801A (ko) | 2011-05-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101084230B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 | |
WO2019105088A1 (zh) | 有机发光二极管显示基板及其制作方法、显示装置 | |
JP4555339B2 (ja) | 電極を有するoledディスプレイ | |
TW589915B (en) | Electroluminescence display device | |
KR102082407B1 (ko) | 플렉서블 기판, 플렉서블 표시 장치, 및 플렉서블 표시 장치의 제조 방법 | |
TWI360366B (en) | Oled display having thermally conductive backplate | |
JP6105911B2 (ja) | Oled表示パネル | |
US20070045616A1 (en) | Organic light emitting display | |
KR20120049021A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 | |
KR20130014111A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 | |
KR100959106B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
KR101593059B1 (ko) | 유기전계발광소자 | |
KR101197758B1 (ko) | 유기전계발광소자 | |
JP2006252839A (ja) | 発光装置、及びこれを備えた電子機器 | |
KR20110038514A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
KR20120088025A (ko) | 유기 발광 표시 패널의 제조 방법 | |
CN106098738B (zh) | 有机发光显示装置及其制备方法 | |
KR20150075184A (ko) | 표시장치 및 그 제조방법 | |
KR101564629B1 (ko) | 유기전계발광소자 | |
KR100680805B1 (ko) | 유기전계발광소자 | |
TWI227095B (en) | Organic light emitting diode (OLED) display and fabrication method thereof | |
KR100625460B1 (ko) | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 | |
KR20080108808A (ko) | 유기전계발광소자 | |
KR100658346B1 (ko) | 유기전계발광소자를 구비한 디스플레이패널 | |
KR100711877B1 (ko) | 발광표시장치 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141030 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151030 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171101 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181101 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191028 Year of fee payment: 9 |