JP6654466B2 - 半導体装置、表示装置、表示装置の製造方法および電子機器 - Google Patents
半導体装置、表示装置、表示装置の製造方法および電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6654466B2 JP6654466B2 JP2016033836A JP2016033836A JP6654466B2 JP 6654466 B2 JP6654466 B2 JP 6654466B2 JP 2016033836 A JP2016033836 A JP 2016033836A JP 2016033836 A JP2016033836 A JP 2016033836A JP 6654466 B2 JP6654466 B2 JP 6654466B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- electric field
- field shielding
- insulating film
- shielding layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 198
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 355
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 213
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 166
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 157
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 11
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 claims description 2
- 241001089723 Metaphycus omega Species 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 40
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 description 37
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 17
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 17
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 12
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 10
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 9
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 8
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 7
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 3
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- NQBRDZOHGALQCB-UHFFFAOYSA-N oxoindium Chemical compound [O].[In] NQBRDZOHGALQCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
1.第1の実施の形態(基板上に電界遮蔽層を介して薄膜トランジスタを有する半導体装置および表示装置の例)
2.第2の実施の形態(基板に埋め込まれた導電層を介して電界遮蔽層が接地される場合の例)
3.表示装置の機能構成例
4.撮像装置の例
5.電子機器の例
[構成]
図1は、本開示の第1の実施の形態に係る表示装置(表示装置1)の断面構成を模式的に表したものである。表示装置1は、例えば有機電界発光(EL:Electro-Luminescence)装置であり、半導体装置10上に表示素子層15を備えたものである。半導体装置10は、基板11を有し、基板11上に、例えば電界遮蔽層12、絶縁膜13およびTFT層14をこの順に有している。基板11の裏面(電界遮蔽層12が形成されている面と反対側の面)には、金属薄膜16が形成されている。
図3は、表示装置1の配線構成(バックプレーンの構成)を説明するための平面模式図である。図4は、図3に示した領域A1に相当する部分の構成を電界遮蔽層12と共に表す平面図である。図5Aおよび図5Bは、図3に示した領域A2に相当する部分の構成を電界遮蔽層12と共に表す平面図である。
上記のような表示装置1は、例えば次のようにして製造することができる。図6A〜図10は、表示装置1の製造プロセスを工程順に表したものである。
本実施の形態の表示装置1では、外部から入力される映像信号に基づいて、表示素子層15の各画素が表示駆動され、映像表示がなされる。このとき、半導体装置10のTFT層14では、例えば画素毎にTFT10aが電圧駆動される。具体的には、ある画素のTFT10aのゲート電極143に閾値電圧以上の電圧が供給されると、半導体層141が活性化され(チャネルを形成し)、これにより、一対のソース・ドレイン電極145間に電流が流れる。
[構成]
図15は、本開示の第2の実施の形態に係る表示装置(表示装置4)の断面構成を模式的に表したものである。表示装置4は、上記第1の実施の形態の表示装置1と同様、例えば有機電界発光装置であり、バックプレーンとしての半導体装置20上に表示素子層15を備えたものである。半導体装置20は、上記第1の実施の形態の半導体装置10と同様、基板11上(基板11の面S1上)に、例えば電界遮蔽層12、絶縁膜13およびTFT層14をこの順に有している。基板11の面S2(電界遮蔽層12側の面S1に対向する面)には、金属薄膜16(第2の導電層)が接着層44を介して設けられている。表示素子層15の上には、例えば封止層41、絶縁膜42および基板43がこの順に設けられている。絶縁膜13上の端部には、配線層(端子部)46aが設けられ、ケーブル46を通じて、例えばフレキシブルプリント配線板(FPC:Flexible Printed Circuits)等の配線基板と接続される。
上記のような表示装置4は、例えば次のようにして製造することができる。図16A〜図23は、表示装置4の製造プロセスを表したものである。
本実施の形態の表示装置4においても、上記第1の実施の形態の表示装置1と同様、外部から入力される映像信号に基づいて、表示素子層15の各画素が表示駆動され、映像表示がなされる。また、半導体装置20のTFT層14には、画素駆動のために電圧が供給される。
図25は、上記実施の形態において説明した表示装置1,4(以下では、代表して表示装置1とする)の機能ブロック構成を表すものである。
上記実施の形態では、半導体装置10,20(以下では、代表して半導体装置10とする)の適用例として表示装置1を例に挙げて説明したが、上述した半導体装置10は、表示装置1の他にも、図26に示したような撮像装置(撮像装置2)に用いられてもよい。
上記実施の形態等において説明した半導体装置10を含む表示装置1(または撮像装置2)は、様々なタイプの電子機器に用いることができる。図27に、電子機器3の機能ブロック構成を示す。電子機器3としては、例えばテレビジョン装置、パーソナルコンピュータ(PC)、スマートフォン、タブレット型PC、携帯電話機、デジタルスチルカメラおよびデジタルビデオカメラ等が挙げられる。
(1)
基板と、
前記基板上に形成された電界遮蔽層と、
前記電界遮蔽層上に絶縁膜を介して形成されると共に、電極を有する半導体素子と
を備えた
半導体装置。
(2)
前記半導体素子は、前記基板上の選択的な領域に形成された半導体層を有し、
前記電界遮蔽層は、前記半導体層と平面視的に重なる形状を有する
上記(1)に記載の半導体装置。
(3)
前記半導体素子は、前記基板上に前記半導体層を有する薄膜トランジスタであり、
前記電界遮蔽層は、
前記薄膜トランジスタの前記半導体層と平面視的に重なる島状部分と、
前記島状部分と電気的に接続された配線部分と
を有する
上記(2)に記載の半導体装置。
(4)
前記電界遮蔽層は、固定電位に保持されている
上記(1)〜(3)のいずれか1つに記載の半導体装置。
(5)
前記基板は、前記電界遮蔽層側の第1面と前記第1面に対向する第2面とを有すると共に、前記第1面から前記第2面までを貫通する1または複数の開口を有し、
前記1または複数の開口の内部に形成された第1の導電層を更に備えた
上記(4)に記載の半導体装置。
(6)
前記基板の前記第2面に導電性接着層を介して固定された第2の導電層を更に備えた
上記(5)に記載の半導体装置。
(7)
前記第2の導電層は、接地された筐体に接続されている
上記(6)に記載の半導体装置。
(8)
前記絶縁膜上に配線層を更に備え、
前記第1の導電層は、前記絶縁膜上に設けられた配線層とは電気的に分離して設けられている
上記(5)〜(7)のいずれか1つに記載の半導体装置。
(9)
前記絶縁膜は、少なくとも前記第1の導電層に正対する領域において連続的に形成されている
上記(5)〜(8)のいずれか1つに記載の半導体装置。
(10)
前記電界遮蔽層は、前記基板上の全面にわたって連続的に形成されている
上記(1)〜(9)のいずれか1つに記載の半導体装置。
(11)
前記電界遮蔽層は、透明導電膜を含んで構成されている
上記(1)〜(10)のいずれか1つに記載の半導体装置。
(12)
前記基板は可撓性基板である
上記(1)〜(11)のいずれか1つに記載の半導体装置。
(13)
前記基板は樹脂を含む
上記(12)に記載の半導体装置。
(14)
基板と、
前記基板上に形成された電界遮蔽層と、
前記電界遮蔽層上に絶縁膜を介して形成されると共に、電極を有する半導体素子と、 前記半導体素子上に形成され、複数の画素を含む表示素子層と
を備えた表示装置。
(15)
前記電界遮蔽層は、固定電位に保持されている
(14)に記載の表示装置。
(16)
前記表示素子層は、各々が画素毎に配置された複数の第1電極上に、表示機能層と、固定電位が供給される第2電極とを有し、
前記基板上の端部に、前記第2電極に固定電位を供給するための第1の端子部が配置され、
前記電界遮蔽層は、前記第1の端子部に電気的に接続されている
上記(15)に記載の表示装置。
(17)
前記表示素子層は、各々が画素毎に配置された複数の第1電極上に、表示機能層と、固定電位に保持される第2電極とを有し、
前記基板上の端部に、前記第2電極に固定電位を供給するための第1の端子部と、前記第1の端子部とは異なる固定電位供給用の第2の端子部とが配置され、
前記電界遮蔽層は、前記第2の端子部に電気的に接続されている
上記(15)に記載の表示装置。
(18)
前記基板は、前記電界遮蔽層側の第1面と前記第1面に対向する第2面とを有すると共に、前記第1面から前記第2面までを貫通する1または複数の開口を有し、
前記1または複数の開口の内部に形成された第1の導電層を更に備えた
上記(15)に記載の表示装置。
(19)
基板上に電界遮蔽層を形成し、
前記電界遮蔽層上に絶縁膜を介して、電極を有する半導体素子を形成し、
前記半導体素子上に、複数の画素を含む表示素子層を形成する
表示装置の製造方法。
(20)
基板と、
前記基板上に形成された電界遮蔽層と、
前記電界遮蔽層上に絶縁膜を介して形成されると共に、電極を有する半導体素子と、
前記半導体素子上に形成され、複数の画素を含む表示素子層と
を備えた
表示装置を有する電子機器。
Claims (17)
- 基板と、
前記基板上に形成された電界遮蔽層と、
前記電界遮蔽層上に、半導体層および電極をこの順に有する半導体素子と、
前記電界遮蔽層と前記半導体層との間に設けられ、前記電界遮蔽層側から有機絶縁膜および無機絶縁膜を含む絶縁膜と
を備え、
前記半導体層は、前記基板上の選択的な領域に形成され、
前記電界遮蔽層は、前記半導体層と平面視的に重なる形状を有し、
前記半導体素子は、前記基板上に前記半導体層を有する薄膜トランジスタであり、
前記電界遮蔽層は、
前記薄膜トランジスタの前記半導体層と平面視的に重なる島状部分と、
前記島状部分と電気的に接続された配線部分と
を有し、
前記有機絶縁膜は、前記島状部分および前記配線部分を覆う平坦化膜であり、
前記無機絶縁膜は、前記有機絶縁膜上に積層された膜であり、前記半導体層の下面に接して形成されている
半導体装置。 - 前記電界遮蔽層は、固定電位に保持されている
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記基板は、前記電界遮蔽層側の第1面と前記第1面に対向する第2面とを有すると共に、前記第1面から前記第2面までを貫通する1または複数の開口を有し、
更に、
前記1または複数の開口の内部に形成されるとともに、前記電界遮蔽層に電気的に接続された第1の導電層と、
前記基板の前記第2面に導電性接着層を介して固定されるとともに、前記第1の導電層を介して前記電界遮蔽層に電気的に接続された第2の導電層とを含む
請求項2に記載の半導体装置。 - 前記第2の導電層は、接地された筐体に接続されている
請求項3に記載の半導体装置。 - 前記絶縁膜上に配線層を更に備え、
前記第1の導電層は、前記絶縁膜上に設けられた配線層とは電気的に分離して設けられている
請求項3または請求項4に記載の半導体装置。 - 前記絶縁膜は、少なくとも前記第1の導電層に正対する領域において連続的に形成されている
請求項3ないし請求項5のうちいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記電界遮蔽層のシート抵抗は、1kΩ/cm2以上1MΩ/cm2以下である
請求項1ないし請求項6のうちいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記電界遮蔽層は、透明導電膜を含んで構成されている
請求項1ないし請求項7のうちいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記基板は可撓性基板である
請求項1ないし請求項8のうちいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記基板は樹脂を含む
請求項9に記載の半導体装置。 - 基板と、
前記基板上に形成された電界遮蔽層と、
前記電界遮蔽層上に、半導体層および電極をこの順に有する半導体素子と、
前記電界遮蔽層と前記半導体層との間に設けられ、前記電界遮蔽層側から有機絶縁膜および無機絶縁膜を含む絶縁膜と、
前記半導体素子上に形成され、複数の画素を含む表示素子層と
を備え、
前記半導体層は、前記基板上の選択的な領域に形成され、
前記電界遮蔽層は、前記半導体層と平面視的に重なる形状を有し、
前記半導体素子は、前記基板上に前記半導体層を有する薄膜トランジスタであり、
前記電界遮蔽層は、
前記薄膜トランジスタの前記半導体層と平面視的に重なる島状部分と、
前記島状部分と電気的に接続された配線部分と
を有し、
前記有機絶縁膜は、前記島状部分および前記配線部分を覆う平坦化膜であり、
前記無機絶縁膜は、前記有機絶縁膜上に積層された膜であり、前記半導体層の下面に接して形成されている
表示装置。 - 前記電界遮蔽層は、固定電位に保持されている
請求項11に記載の表示装置。 - 前記表示素子層は、各々が画素毎に配置された複数の第1電極上に、表示機能層と、固定電位が供給される第2電極とを有し、
前記基板上の端部に、前記第2電極に固定電位を供給するための第1の端子部が配置され、
前記電界遮蔽層は、前記第1の端子部に電気的に接続されている
請求項12に記載の表示装置。 - 前記表示素子層は、各々が画素毎に配置された複数の第1電極上に、表示機能層と、固定電位に保持される第2電極とを有し、
前記基板上の端部に、前記第2電極に固定電位を供給するための第1の端子部と、前記第1の端子部とは異なる固定電位供給用の第2の端子部とが配置され、
前記電界遮蔽層は、前記第2の端子部に電気的に接続されている
請求項12に記載の表示装置。 - 前記基板は、前記電界遮蔽層側の第1面と前記第1面に対向する第2面とを有すると共に、前記第1面から前記第2面までを貫通する1または複数の開口を有し、
更に、
前記1または複数の開口の内部に形成されるとともに、前記電界遮蔽層に電気的に接続された第1の導電層と、
前記基板の前記第2面に導電性接着層を介して固定されるとともに、前記第1の導電層を介して前記電界遮蔽層に電気的に接続された第2の導電層とを含む
請求項12に記載の表示装置。 - 基板上に電界遮蔽層を形成し、
前記電界遮蔽層上に、有機絶縁膜および無機絶縁膜をこの順に有する絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に、半導体層および電極をこの順に有する半導体素子を形成し、
前記半導体素子上に、複数の画素を含む表示素子層を形成し、
前記半導体層は、前記基板上の選択的な領域に形成され、
前記電界遮蔽層は、前記半導体層と平面視的に重なる形状を有し、
前記半導体素子は、前記基板上に前記半導体層を有する薄膜トランジスタであり、
前記電界遮蔽層は、
前記薄膜トランジスタの前記半導体層と平面視的に重なる島状部分と、
前記島状部分と電気的に接続された配線部分と
を有し、
前記有機絶縁膜は、前記島状部分および前記配線部分を覆う平坦化膜であり、
前記無機絶縁膜は、前記有機絶縁膜上に積層された膜であり、前記半導体層の下面に接して形成されている
表示装置の製造方法。 - 基板と、
前記基板上に形成された電界遮蔽層と、
前記電界遮蔽層上に、半導体層および電極をこの順に有する半導体素子と、
前記電界遮蔽層と前記半導体層との間に設けられ、前記電界遮蔽層側から有機絶縁膜および無機絶縁膜を含む絶縁膜と、
前記半導体素子上に形成され、複数の画素を含む表示素子層と
を備え、
前記半導体層は、前記基板上の選択的な領域に形成され、
前記電界遮蔽層は、前記半導体層と平面視的に重なる形状を有し、
前記半導体素子は、前記基板上に前記半導体層を有する薄膜トランジスタであり、
前記電界遮蔽層は、
前記薄膜トランジスタの前記半導体層と平面視的に重なる島状部分と、
前記島状部分と電気的に接続された配線部分と
を有し、
前記有機絶縁膜は、前記島状部分および前記配線部分を覆う平坦化膜であり、
前記無機絶縁膜は、前記有機絶縁膜上に積層された膜であり、前記半導体層の下面に接して形成されている
表示装置を有する電子機器。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15/207,047 US9935165B2 (en) | 2015-08-31 | 2016-07-11 | Semiconductor device, display unit, method of manufacturing display unit, and electronic apparatus |
US15/880,990 US10283579B2 (en) | 2015-08-31 | 2018-01-26 | Semiconductor device, display unit, method of manufacturing display unit, and electronic apparatus |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015170699 | 2015-08-31 | ||
JP2015170699 | 2015-08-31 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017049568A JP2017049568A (ja) | 2017-03-09 |
JP2017049568A5 JP2017049568A5 (ja) | 2018-04-26 |
JP6654466B2 true JP6654466B2 (ja) | 2020-02-26 |
Family
ID=58278443
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016033836A Active JP6654466B2 (ja) | 2015-08-31 | 2016-02-25 | 半導体装置、表示装置、表示装置の製造方法および電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6654466B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6853770B2 (ja) | 2017-11-30 | 2021-03-31 | 株式会社Joled | 半導体装置および表示装置 |
JP7086582B2 (ja) * | 2017-12-11 | 2022-06-20 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP2019121734A (ja) | 2018-01-10 | 2019-07-22 | 株式会社Joled | 半導体装置および表示装置 |
JP2019152772A (ja) * | 2018-03-05 | 2019-09-12 | 株式会社Joled | 半導体装置および表示装置 |
CN113661580A (zh) * | 2019-04-23 | 2021-11-16 | 京瓷株式会社 | 微型led元件基板以及显示装置 |
JP7499089B2 (ja) | 2019-12-26 | 2024-06-13 | Tianma Japan株式会社 | 表示装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01143257A (ja) * | 1987-11-28 | 1989-06-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 静電遮蔽膜 |
JP3468003B2 (ja) * | 1996-12-20 | 2003-11-17 | ソニー株式会社 | 表示用薄膜半導体装置 |
JPH10268342A (ja) * | 1997-03-21 | 1998-10-09 | Canon Inc | アクティブマトリックス液晶表示装置 |
JP5230145B2 (ja) * | 2006-08-29 | 2013-07-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
US7968382B2 (en) * | 2007-02-02 | 2011-06-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
JP5429776B2 (ja) * | 2008-12-10 | 2014-02-26 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示パネル |
JP5581599B2 (ja) * | 2009-03-05 | 2014-09-03 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜装置、およびその製造方法、並びに電気光学装置 |
JP2011009704A (ja) * | 2009-05-26 | 2011-01-13 | Seiko Epson Corp | 薄膜装置、薄膜装置を備えた可撓性回路基板、及び薄膜装置の製造方法 |
JP5691167B2 (ja) * | 2009-12-24 | 2015-04-01 | カシオ計算機株式会社 | 発光装置の製造方法 |
WO2012049824A1 (ja) * | 2010-10-13 | 2012-04-19 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタ基板及びそれを用いた表示装置 |
KR102004305B1 (ko) * | 2011-02-11 | 2019-07-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 그 제작 방법, 그리고 조명 장치 및 표시 장치 |
CN104521323B (zh) * | 2012-09-04 | 2016-12-07 | 夏普株式会社 | 有机电致发光显示装置及其制造方法 |
JPWO2014196329A1 (ja) * | 2013-06-06 | 2017-02-23 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US9337247B2 (en) * | 2014-01-21 | 2016-05-10 | Apple Inc. | Organic light-emitting diode display with bottom shields |
-
2016
- 2016-02-25 JP JP2016033836A patent/JP6654466B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017049568A (ja) | 2017-03-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10283579B2 (en) | Semiconductor device, display unit, method of manufacturing display unit, and electronic apparatus | |
JP6654466B2 (ja) | 半導体装置、表示装置、表示装置の製造方法および電子機器 | |
US10038046B2 (en) | Organic light emitting diode display | |
JP6698486B2 (ja) | 表示装置 | |
JP7085352B2 (ja) | 表示装置 | |
US20170346027A1 (en) | Electronic device, display unit, and electronic apparatus | |
KR20180004488A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
KR20150075687A (ko) | 어레이 기판 | |
TW201930983A (zh) | 顯示背板及其製作方法、顯示面板和顯示裝置 | |
KR102244310B1 (ko) | 표시장치 및 그 제조방법 | |
KR20170078075A (ko) | 유기 발광 다이오드 표시 장치 | |
KR102640114B1 (ko) | 유기발광 표시장치 | |
KR20160017276A (ko) | 표시장치 및 그 제조방법 | |
JP2018010829A (ja) | 表示装置 | |
KR20170080242A (ko) | 유기발광소자 표시장치 | |
KR20120108900A (ko) | 표시 장치 | |
JP6983084B2 (ja) | 有機el表示装置 | |
JP6853770B2 (ja) | 半導体装置および表示装置 | |
KR102650513B1 (ko) | 유기발광 표시장치 | |
KR20210086247A (ko) | 표시 장치 | |
US20170345942A1 (en) | Thin-film transistor, display unit, and electronic apparatus | |
TWI476934B (zh) | 薄膜電晶體基板、其顯示器及其製造方法 | |
JP2018064033A (ja) | 半導体装置、表示装置および電子機器 | |
KR102585982B1 (ko) | 유기발광 표시장치 및 제조방법 | |
JP2018006671A (ja) | 半導体装置用基板、半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180312 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180312 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20181226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190108 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190215 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190813 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190911 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200107 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200130 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6654466 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S303 | Written request for registration of pledge or change of pledge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316303 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S803 | Written request for registration of cancellation of provisional registration |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316803 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |