CN113661580A - 微型led元件基板以及显示装置 - Google Patents
微型led元件基板以及显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113661580A CN113661580A CN202080027828.XA CN202080027828A CN113661580A CN 113661580 A CN113661580 A CN 113661580A CN 202080027828 A CN202080027828 A CN 202080027828A CN 113661580 A CN113661580 A CN 113661580A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- micro led
- led element
- substrate
- light
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 165
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 9
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 claims description 7
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 211
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 9
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 7
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 6
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 6
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 6
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 6
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 6
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 4
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002932 luster Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 2
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 239000005337 ground glass Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- -1 or the like Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
微型LED元件基板是在基板(1)上从基板(1)侧起依次配置布线(60)、第1绝缘层(52)和微型LED元件(14R)，并且微型LED元件(14R)与布线(60)重叠的微型LED元件基板，在第1绝缘层(52)与微型LED元件(14R)之间的部位，横穿位于微型LED元件(14R)的正下方的布线(60)的至少一部分的遮光层(61R)位于不与正电极(14Ra)以及负电极(14Rb)重叠的位置。
Description
技术领域
本公开涉及具备微型LED(Light Emitting Diode，发光二极管)元件的微型LED元件基板以及使用该微型LED元件基板的显示装置。
背景技术
在专利文献1中公开了现有技术的一个例子。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：再公表专利WO2015/114721号公报
发明内容
本公开的微型LED元件基板是如下的结构，即，是一种在基板上从所述基板侧起依次配置布线、绝缘层和微型LED元件、并且所述微型LED元件与所述布线重叠的微型LED元件基板，所述微型LED元件具有在俯视观察下隔开的正电极以及负电极，在所述绝缘层与所述微型LED元件之间的部位，横穿位于所述微型LED元件的正下方的所述布线的至少一部分的遮光层位于不与所述正电极以及所述负电极重叠的位置。
本公开的显示装置是如下的结构，即，是一种具备上述本公开的微型LED元件基板的显示装置，所述基板具有：配置包含所述微型LED元件的像素部的配置面、与所述配置面相反的一侧的相反面、以及侧面，所述微型LED元件基板具有：配置于所述侧面的侧面布线、以及配置于所述相反面侧的驱动部，所述像素部中的多个像素部被配置为矩阵状，所述微型LED元件经由所述侧面布线而与所述驱动部连接。
附图说明
本公开的目的、特点以及优点，会通过下述的详细说明和附图而变得更加明确。
图1A是关于本公开的微型LED元件基板，示出实施方式的一个例子的图，是具备三原色的微型LED元件的一个像素部的俯视图。
图1B是关于本公开的微型LED元件基板，示出实施方式的一个例子的图，是图1A的C1-C2线处的从向视方向观察的剖视图。
图2A是关于本公开的微型LED元件基板，示出实施方式的其他例子的图，是在微型LED元件的正下方具有拥有光散射性或光反射性的遮光层的结构的激光照射时的剖视图。
图2B是关于本公开的微型LED元件基板，示出实施方式的其他例子的图，是在微型LED元件的正下方具有拥有光散射性或光反射性的遮光层的结构的驱动时的剖视图。
图3是关于本公开的微型LED元件基板，示出实施方式的其他例子的图，是在微型LED元件的正下方具有遮光层的结构的剖视图。
图4A是关于本公开的微型LED元件基板，示出实施方式的其他例子的图，是在微型LED元件的正下方具有遮光层以及热扩散层的结构的剖视图。
图4B是关于本公开的微型LED元件基板，示出实施方式的其他例子的图，是与图4A同样的结构且在遮光层与热扩散层之间具有绝缘层的结构的剖视图。
图5是关于本公开的显示装置，示出实施方式的一个例子的图，是微型LED元件基板的相反面侧的俯视图。
图6A是示出本公开的显示装置作为基础的结构的显示装置的一个例子的图，是显示装置的基本结构的电路框图。
图6B是示出本公开的显示装置作为基础的结构的显示装置的一个例子的图，是图6A的A1-A2线处的剖视图。
图7A是图6A、图6B的显示装置中的一个像素部的放大俯视图。
图7B是与图7A同样的结构的像素部并且是具备三原色的微型LED元件的像素部的电路图。
图8A是本公开的显示装置作为基础的结构的其他结构的显示装置中的一个像素部的放大俯视图。
图8B是与图8A同样的结构的像素部并且是具备三原色的微型LED元件的像素部的电路图。
图9A是示出图8B的结构的像素部的具体的结构的图，是像素部的俯视图。
图9B是示出图8B的结构的像素部的具体的结构的图，是图9A的B1-B2线处的从向视方向观察的剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图对本公开的微型LED元件基板以及显示装置的实施方式进行说明。但是，以下参照的各图示出了本实施方式的微型LED元件基板以及显示装置的主要的结构构件等。因此，本实施方式的微型LED元件基板以及显示装置也可以具备未在图中示出的电路基板、布线导体、控制IC、LSI等公知的结构构件。
首先，参考图6A～图9B，对本公开的显示装置作为基础的结构的显示装置进行说明。
作为本公开的显示装置作为基础的结构的显示装置，已知有具备微型LED元件的微型LED元件基板、以及使用了该微型LED元件基板的、不需要背光装置的自发光型的显示装置。在图6A示出这样的显示装置的基本结构的电路框图。此外，在图6B示出图6A的A1-A2线处的剖视图。显示装置是如下的结构，即，具有：玻璃基板等基板1；扫描信号线2，配置于基板1上的给定的方向(例如，行方向)上；发光控制信号线3，使其与扫描信号线2交叉地配置于与给定的方向交叉的方向(例如，列方向)上；有效区域(像素区域)11，包含多个由扫描信号线2和发光控制信号线3划分的像素部(Pmn)15；以及多个发光元件14，配置于绝缘层上。为了减小有效区域11的周边的边框部1g(图6所示)，存在设为如下的结构的情况，即，扫描信号线2以及发光控制信号线3经由配置于基板1侧面的侧面布线30(图6A所示)与位于基板1的背面的背面布线9连接，背面布线9与设置于基板1的背面的IC、LSI等驱动元件等的驱动部6连接。在该情况下，显示装置的显示由位于基板1的背面的驱动部6驱动控制。驱动部6例如通过COG(Chip On Glass，玻璃覆晶)方式等方法，搭载在基板1的背面侧。
在各个像素部(Pmn)15配置有用于控制位于发光区域(Lmn)的微型LED元件(LDmn)14的发光、非发光、发光强度等的发光控制部22。发光控制部22包含作为用于将发光信号输入到各个微型LED元件14的开关元件的薄膜晶体管(Thin Film Transistor：TFT)12(图7A所示)和作为用于根据与发光控制信号(在发光控制信号线3中传递的信号)的电平(电压)对应的正电压(阳极电压：3～5V左右)与负电压(阴极电压：-3V～0V左右)的电位差(发光信号)对微型LED元件14进行电流驱动的驱动元件的TFT13(图7A所示)。在连接TFT13的栅极电极和源极电极的连接线上配置有电容元件，电容元件作为将输入到TFT13的栅极电极的发光控制信号的电压保持到下一重写为止的期间(一帧的期间)的保持电容而发挥功能。
微型LED元件14经由贯通配设于有效区域11的绝缘层31(图6B所示)的通孔等贯通导体23a、23b(图7A所示)，与发光控制部22、正电压输入线16、以及负电压输入线17电连接。即，微型LED元件14的正电极经由配置于基板1上的正电极焊盘、贯通导体23a以及发光控制部22与正电压输入线16连接，微型LED元件14的负电极经由配置于基板1上的负电极焊盘、贯通导体23b与负电压输入线17连接。
此外，显示装置在俯视观察下，在有效区域11与基板1的端部之间具有对显示没有贡献的边框部1g(图6A所示)，存在在该边框部1g配置发光控制信号线驱动电路、扫描信号线驱动电路等的情况。
此外，如图7B所示，一个像素部(PRGB11)15a包含发出红色光的红色的微型LED元件(LDR11)14R、发出绿色光的绿色的微型LED元件(LDG11)14G和发出蓝色光的蓝色的微型LED元件(LDB11)14B，通过将多个像素部15a配置为矩阵状，能够构成能够进行彩色显示的显示装置。在该情况下，为了使像素部15a尽可能小而成为高精细、高分辨率的显示装置，存在设为如下结构的情况，即，在红色的微型LED元件14R、绿色的微型LED元件14G和蓝色的微型LED元件14B的下方，隔着绝缘层配置发光控制部22r、22g、22b。进而，存在设为如下结构的情况，即，在红色的微型LED元件14R等的下方，隔着绝缘层配置有正电压输入线16以及负电压输入线17，并且正电压输入线16以及负电压输入线17中的至少一者在俯视观察下与红色的微型LED元件14R等重叠。在图7B的情况下，负电压输入线17在俯视观察下与红色的微型LED元件14R和蓝色的微型LED元件14B重叠，但是根据布线构造，还存在构成发光控制部22r、22g、22b的布线、连接红色的微型LED元件14R等和发光控制部22r等的布线与红色的微型LED元件14R等重叠的情况。
另外，在图7B中，红色的微型LED元件14R的发光强度由发光控制信号线3R控制，绿色的微型LED元件14G的发光强度由发光控制信号线3G控制，蓝色的微型LED元件14B的发光强度由发光控制信号线3B控制。红色的微型LED元件14R经由贯通导体23ar、23br而与发光控制部22r、正电压输入线16、负电压输入线17电连接。绿色的微型LED元件14G经由贯通导体23ag、23bg而与发光控制部22g、正电压输入线16、负电压输入线17电连接。蓝色的微型LED元件14B经由贯通导体23ab、23bb而与发光控制部22b、正电压输入线16、负电压输入线17电连接。
图8A以及图8B示出发光控制部22(22r、22g、22b)配置在比微型LED元件14(14R、14G、14B)更靠基板1上的中央侧的结构。如图8B所示，一个像素部(PRGBI1)15b包含红色的微型LED元件14R、绿色的微型LED元件14G和蓝色的微型LED元件14B，通过将多个像素部15b被配置为矩阵状，能够构成能够进行彩色显示的显示装置。在该情况下，出于与图7B的情况同样的目的，存在设为如下结构的情况，即，在红色的微型LED元件14R等的下方，隔着绝缘层配置发光控制单元22r等。进而，存在设为如下结构的情况，即，在红色的微型LED元件14R等的下方，隔着绝缘层配置有正电压输入线16以及负电压输入线17，并且正电压输入线16以及负电压输入线17中的至少一者在俯视观察下与红色的微型LED元件14R等重叠。在图8B的情况下，正电压输入线16在俯视观察下与红色的微型LED元件14R和蓝色的微型LED元件14B重叠，但是根据布线构造，还存在构成发光控制部22r等的布线、连接红色的微型LED元件14R等和发光控制部22r等的布线与红色的微型LED元件14R等重叠的情况。
图9A以及图9B是示出图8B的具体的结构的图，图9A是像素部15b的俯视图，图9B是图9A的B1-B2线处的剖视图。如图9A所示，红色的微型LED元件14R的正电极经由焊料、ACF(Anisotropic Conductive Film，各向异性导电膜)等导电性连接构件与配置于基板1上的正电极焊盘40ar连接，红色的微型LED元件14R的负电极经由导电性连接构件与配置于基板1上的负电极焊盘40br连接。由此，红色的微型LED元件14R被搭载在基板1上。此外，在基板1上的与红色的微型LED元件14R相邻的部位，配置有用于在红色的微型LED元件14R成为不良的情况下搭载替代的红色的微型LED元件14Rr的正电极焊盘41ar以及负电极焊盘41br。绿色的微型LED元件14G的正电极经由导电性连接构件与配置于基板1上的正电极焊盘40ag连接，绿色的微型LED元件14G的负电极经由导电性连接构件与配置于基板1上的负电极焊盘40bg连接。由此，绿色的微型LED元件14G被搭载在基板1上。此外，在基板1上的与绿色的微型LED元件14G相邻的部位，配置有用于在绿色的微型LED元件14G成为不良的情况下搭载替代的绿色的微型LED元件14Gr的正电极焊盘41ag以及负电极焊盘41bg。蓝色的微型LED元件14B的正电极经由导电性连接构件与配置于基板1上的正电极焊盘40ab连接，蓝色的微型LED元件14B的负电极经由导电性连接构件与配置于基板1上的负电极焊盘40bb连接。由此，蓝色的微型LED元件14B被搭载在基板1上。此外，在基板1上的与蓝色的微型LED元件14B相邻的部位，配置有用于在蓝色的微型LED元件14B成为不良的情况下搭载替代的蓝色的微型LED元件14Br的正电极焊盘41ab以及负电极焊盘41bb。
如图9B所示，在基板1上从基板1侧起依次层叠了绝缘层51、正电压输入线16、绝缘层52、53。绝缘层51～53包含氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)等的无机绝缘层、丙烯酸系树脂、聚碳酸酯等的有机绝缘层。在设置于绝缘层53的开口中的露出绝缘层52的部位(开口的底面的部位)，配置有正电极焊盘40ar以及负电极焊盘40br。正电极焊盘40ar以及负电极焊盘40br分别包含例如包含Mo层/Al层/Mo层(表示在Mo层上依次层叠了Al层、Mo层的层叠构造)等的金属层和覆盖各个金属层的ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)等透明导电层。红色的微型LED元件14R的正电极14Ra与正电极焊盘40ar连接，负电极14Rb与负电极焊盘40br连接。
此外，作为本公开的显示装置作为基础的其他结构，提出了如下的图像显示装置，所述图像显示装置具备：第1像素电路，具有形成于基板上的栅极电极、在栅极电极上夹着绝缘层形成的半导体层、和包含形成于半导体层上的一对源极-漏极电极并且对配置于像素的有机EL元件进行驱动的驱动晶体管；第2像素电路，与第1像素电路相邻；像素电极，形成在第2像素电路的上方，与第1像素电路的驱动晶体管的一对源极-漏极电极中的任一个电连接；以及顶部金属电极，与一对源极-漏极电极中的任一个电连接，设置在像素电极的下方，形成为从上方覆盖半导体层的至少沟道区域的全部区域(例如，参照专利文献1)。
图1A～图5是示出本实施方式的微型LED元件基板的图。如图1A以及图1B所示，微型LED元件基板是如下的结构，即，是一种在基板1上从基板1侧起依次配置布线60、作为绝缘层的第1绝缘层52和微型LED元件14R、并且微型LED元件14R与布线60重叠的微型LED元件基板，在第1绝缘层52与微型LED元件14R之间的部位，横穿位于微型LED元件14R的正下方的布线60的至少一部分的遮光层61(61R)位于不与正电极14Ra以及负电极14Rb重叠的位置。通过上述的结构，发挥以下效果。在微型LED元件14R因是产生连接不良的缺陷品等原因而成为得不到要求的发光强度、不能点亮这样的不良的状态的情况下，在通过激光LR切断与微型LED元件14R的正电极14Ra连接的连接布线40al(例如，图1B的用符号D表示的贯通导体23ar与正电极焊盘40ar之间的部位)和/或与负电极14Rb连接的连接布线40b1(例如，图1B的用符号E表示的贯通导体23br与负电极焊盘40br之间的部位)时，能够防止产生激光LR到达布线60而错误地损坏布线60、错误地切断布线60这样的事态。此外，能够防止产生因激光LR的热而在布线60与第1绝缘层52的界面产生剥离而其结果基板1的最表面的平坦性劣化这样的事态。
布线60是与正电压输入线16、负电压输入线17或者微型LED元件14R电连接的驱动布线等。
在本实施方式的微型LED元件基板中，基板1可以是玻璃基板、塑料基板等透光性基板，或者也可以是陶瓷基板、非透光性塑料基板、金属基板等非透光性基板。进而，还可以是层叠了玻璃基板和塑料基板的复合基板、层叠了玻璃基板和陶瓷基板的复合基板、层叠了玻璃基板和金属基板的复合基板、其他层叠了多个上述的各种基板中不同的材质的基板的复合基板。此外，在基板1中，在容易形成布线这一点上，作为电绝缘性的基板的玻璃基板、塑料基板、陶瓷基板等为宜。此外，基板1的俯视观察形状可以是矩形形状、圆形形状、椭圆形形状、梯形形状等各种形状。
本实施方式的微型LED元件基板所使用的微型LED元件14R是不需要背光的自发光型的元件，发光效率高且寿命长。而且，如图1B所示，微型LED元件14R是正电极14Ra以及负电极14Rb在俯视观察下相互隔开而配置在基板1侧的横型的元件。横型的微型LED元件14R在俯视观察下在正电极14Ra与负电极14Rb之间的中央部具有发光部14RL。正电极14Ra经由焊料等导电性连接构件与配置于基板1上的正电极焊盘40ar连接，负电极14Rb经由导电性连接构件与配置于基板1上的负电极焊盘40br连接。
此外，微型LED元件14R也可以是在基板1的配置面1a(图6B所示)上在纵向方向(与配置面1a垂直的方向)上搭载的纵型的元件。在该情况下，例如具有从配置面1a侧起层叠了正电极、发光层、负电极的构造。
微型LED元件14R的尺寸在俯视观察形状为矩形形状的情况下，一边的长度为1μm左右以上且100μm左右以下，更具体地为3μm左右以上且10μm左右以下，但是并不限于这些尺寸。
如图1A所示，在一个像素部(PRGB11)15b也可以配置有发光色不同的微型LED元件14R、14G、14B。例如能够将微型LED元件14R的发光色设为红色、橙色、橙红色、紫红色、紫色，将微型LED元件14G的发光色设为绿色、黄绿色，将微型LED元件14B的发光色设为蓝色。由此，使用微型LED元件基板来制作能够进行彩色显示的显示装置变得容易。此外，在一个像素部15b存在三个以上微型LED元件14(以下，在对微型LED元件14R等进行总称的情况下，称为微型LED元件14)的情况下，也可以包含多个发光色相同的元件。
与微型LED元件14R相邻地配置在微型LED元件14R成为发光不良、不能发光的情况下作为替代用的微型LED元件14Rr。关于微型LED元件14Rr，其正电极与正电极焊盘41ar连接，负电极与负电极焊盘41br连接。同样地，与微型LED元件14G相邻地配置在微型LED元件14G成为发光不良、不能发光的情况下作为替代用的微型LED元件14Gr。关于微型LED元件14Gr，其正电极与正电极焊盘41ag连接，负电极与负电极焊盘41bg连接。同样地，与微型LED元件14B相邻地配置在微型LED元件14B成为发光不良、不能发光的情况下作为替代用的微型LED元件14Br。关于微型LED元件14Br，其正电极与正电极焊盘41ab连接，负电极与负电极焊盘41bb连接。
布线60、正电极14Ra以及负电极14Rb例如包含钽(Ta)、钨(W)、钛(Ti)、钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、银(Ag)、铜(Cu)等的导体层。此外，布线60、正电极14Ra以及负电极14Rb也可以包含具有Mo层/Al层/Mo层(表示在Mo层上依次层叠了A1层、Mo层的层叠构造)等的金属层，进而，还可以包含Al层、Al层/Ti层、Ti层/Al层/Ti层、Mo层、Mo层/Al层/Mo层、Ti层/Al层/Mo层、Mo层/Al层/Ti层、Cu层、Cr层、Ni层、Ag层等金属层。
正电极焊盘40ar以及负电极焊盘40br也能够设为与布线60、正电极14Ra以及负电极14Rb同样的结构。此外，正电极焊盘40ar以及负电极焊盘40br也可以由包含铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、添加了氧化硅的铟锡氧化物(ITSO)、氧化锌(ZnO)、包含磷、硼的硅(Si)等导电性材料且具有透明性的材料的透明导电层覆盖。
像素部15b包含发光色不同的多个微型LED元件14R、14G、14B，它们作为显示单位发挥功能。例如，在彩色显示的显示装置的情况下，通过发光色为红色的微型LED元件14R、发光色为绿色的微型LED元件14G和发光色为蓝色的微型LED元件14B，构成能够进行彩色的灰度显示的一个像素部。
一个像素部15b包含的多个微型LED元件14R、14G、14B被设为在俯视观察时不排列在一个直线上的配置为宜。在该情况下，像素部15b的俯视观察下的尺寸变小，此外，能够使像素部15b的俯视观察下的形状为小型(compact)的正方形形状等。其结果是，在显示装置等中，像素密度提高，也不易产生像素不均，因此能够进行高画质的图像显示。
在像素部15b中，也可以配置有用于控制微型LED元件14R、14G、14B的发光、非发光、发光强度等的、包含作为开关元件、控制元件的TFT的发光控制部。在该情况下，发光控制部也可以隔着绝缘层配置在微型LED元件14R、14G、14B的下方。在该情况下，像素部15b的俯视观察下的尺寸变小，此外，能够使像素部15b的俯视观察下的形状为小型的正方形形状等。其结果是，在显示装置等中，像素密度提高，也不易产生像素不均，因此能够进行高画质的图像显示。
本实施方式的微型LED元件基板中，遮光层61R覆盖位于微型LED元件14R的正下方的布线60的整体为宜。在该情况下，通过宽面积的遮光层61R，能够更有效地防止产生激光LR到达布线60而错误地损坏布线60、错误地切断布线60这样的事态。此外，能够更有效地防止产生因激光LR的热而在布线60与第1绝缘层52的界面产生剥离而其结果基板1的最表面的平坦性劣化这样的事态。
此外，如图1A所示，遮光层61R在俯视观察下覆盖微型LED元件14R为宜，换言之，在俯视观察下包含微型LED元件14R为宜。在该情况下，通过更宽面积的遮光层61R，能够更有效地防止产生激光LR到达布线60而错误地损坏布线60、错误地切断布线60这样的事态。此外，能够更有效地防止产生因激光LR的热而在布线60与第1绝缘层52的界面产生剥离而其结果基板1的最表面的平坦性劣化这样的事态。
另外，也可以在微型LED元件14G的下方配置有遮光层61G，在微型LED元件14B的下方配置有遮光层61B。遮光层61G、61B能够设为与遮光层61R同样的各种实施方式。
此外，在本实施方式的微型LED元件基板中，遮光层61R也可以呈现黑色、黑褐色、深蓝色等暗色系的颜色。在该情况下，遮光层61R能够通过使其在包含丙烯酸系树脂、聚碳酸酯等有机树脂的树脂层中混入暗色系的颜色的颜料、染料、陶瓷粒子、塑料粒子、金属粒子等的方法等形成。特别是，在对YAG激光等高输出激光的耐力方面，包含50体积％以上的颜料、陶瓷粒子、金属粒子的树脂层为宜。此外，遮光层61R也可以使其在SiO2、Si3N4等无机的绝缘层中包含50体积％以上的颜料、陶瓷粒子、金属粒子。
此外，遮光层61R通过将其至少表面层设为铬(Cr)层、碳层、包含碳的层等，从而也能够形成呈现暗色系的颜色的遮光层。例如，也可以通过钽(Ta)、钨(W)、钛(Ti)、钼(Mo)、铝(Al)、银(Ag)、铜(Cu)等的具有金属光泽的导体层来形成遮光层61R的基底层，并作为基底层上的表面层而形成铬(Cr)层、碳层、包含碳的层。
此外，遮光层61R可以是包含钽(Ta)、钨(W)、钛(Ti)、钼(Mo)、铝(A1)、银(Ag)、铜(Cu)等的金属层等。此外，遮光层61R也可以是层叠了多层包含这些材料的层的复合层。例如，遮光层61R可以是Mo层/Al层/Mo层。
此外，在遮光层61R为上述的金属层等导体层的情况下，也可以与正电压输入线16、负电压输入线17的电源线等连接。在遮光层61R与电源线连接的情况下，电源线的面积增大，因此发挥电源电压稳定化这样的效果。进而，在遮光层61R为上述的金属层等导体层的情况下，还可以与正电压输入线16、负电压输入线17之中作为接地电位的线(例如，负电压输入线17)连接。在该情况下，接地电位稳定化，结果是发挥电源电压更稳定化这样的效果。此外，遮光层61R也可以不与电源线等连接，而是电浮动状态。
为了有效地抑制激光LR对布线60的损坏等直接的影响、热的影响等间接的影响，遮光层61R的厚度为100nm～1000nm(1μm)左右为宜。更适当地，遮光层61R的厚度为300nm～1000nm左右为宜。而且，遮光层61R的厚度比布线60的厚度(50～200nm左右)厚为宜。在该情况下，遮光层61R能够更有效地抑制激光LR对布线60的损坏等直接的影响、热的影响等间接的影响。
此外，如图2A以及图2B所示，在本实施方式的微型LED元件基板中，遮光层61R具有光散射性或光反射性为宜。在该情况下，如图2A那样，能够通过遮光层61R使激光LR向微型LED元件14R侧散射或反射，因此成为遮光性更高的遮光层61R。此外，如图2B所示，在具备微型LED元件基板的显示装置中，在驱动微型LED元件14R时，能够通过遮光层61R使从微型LED元件14R的发光部14RL辐射的光LE向微型LED元件14R侧散射或反射，因此还发挥显示图像的亮度提高、对比度提高这样的效果。
具有光散射性的遮光层61R例如能够通过使钽(Ta)、钨(W)、钛(Ti)、钼(Mo)、铝(Al)、银(Ag)、铜(Cu)等的具有金属光泽的导体层的表面粗糙面化而形成。在该情况下，遮光层61R的表面的算术平均粗糙度为50μm以下为宜，更适当地，为1μm以上且10μm以下为宜。作为使遮光层61R的表面粗糙面化的方法，能够采用对遮光层61R的表面实施干式蚀刻法等蚀刻处理的方法、在通过CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)法等薄膜形成方法来形成遮光层61R时，通过控制成膜时间、成膜温度等，从而使遮光层61R中生成巨大单晶粒子、巨大多晶粒子等的粒子化构造的方法等。
此外，在本实施方式的微型LED元件基板中，遮光层61R具有光反射性为宜。在该情况下，能够使激光LR向微型LED元件14R侧反射，因此成为遮光性更高的遮光层61R。此外，在具备微型LED元件基板的显示装置中，在驱动微型LED元件14R时，还发挥显示图像的亮度提高、对比度提高这样的效果。
具有光反射性的遮光层61R能够通过使钽(Ta)、钨(W)、钛(Ti)、钼(Mo)、铝(A1)、银(Ag)、铜(Cu)等的具有金属光泽的导体层的表面平滑面而形成。为此，遮光层61R的表面的算术平均粗糙度为1μm以下为宜，更适当地，为0.1μm以下为宜。
此外，在本实施方式的微型LED元件基板中，如图3所示，作为其他绝缘层的第2绝缘层54介于遮光层61R与微型LED元件14R之间，并且第1绝缘层52的厚度d1比第2绝缘层的厚度d2厚为宜。即，遮光层61R位于比布线60侧更靠近微型LED元件14R侧的情况为宜。在该情况下，能够抑制因激光LR的照射而产生的热对布线60的影响。其结果是，能够更有效地防止产生因激光LR的热而在布线60与第1绝缘层52的界面产生剥离，并且基板1的最表面的平坦性劣化这样的事态。此外，位于比遮光层61R更靠近微型LED元件14R的位置的第2绝缘层54也可以具有稍微的遮光性、吸光性。例如，第2绝缘层54也可以呈现灰色、褐色、藏蓝色等稍微暗色系的颜色。在该情况下，遮光层61R能够通过使其在包含丙烯酸系树脂、聚碳酸酯等有机树脂的树脂层中混入暗色系的颜色的颜料、染料、陶瓷粒子、塑料粒子、金属粒子等的方法等形成。特别是，在对YAG激光等高输出激光的耐力方面，包含颜料、陶瓷粒子、金属粒子的树脂层为宜。此外，遮光层61R也可以使其在SiO2、Si3N4等无机的绝缘层中包含颜料、陶瓷粒子、金属粒子。
另外，第1绝缘层52可以层叠多层绝缘层，第2绝缘层54也可以层叠多层绝缘层。
此外，在本实施方式的微型LED元件基板中，如图4A以及图4B所示，热扩散层62介于第1绝缘层52与遮光层61R之间为宜。在该情况下，能够进一步提高遮光层61R的遮光性，并且进一步抑制因激光LR的照射而产生的热对布线60的影响。热扩散层62包含与遮光层61R同样的材料的钽(Ta)、钨(W)、钛(Ti)、钼(Mo)、铝(Al)、银(Ag)、铜(Cu)等材料，并且包含具有与遮光层61R同等以上的导热率的材料为宜。
此外，如图4B所示，第3绝缘层56介于遮光层61R与热扩散层62之间为宜。在该情况下，能够更加抑制因激光LR的照射而产生的热对布线60的影响。
第1绝缘层52、第2绝缘层54、第3绝缘层56包含氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)等的无机绝缘层、丙烯酸系树脂、聚碳酸酯等的有机绝缘层。在对激光LR的耐力方面，第1绝缘层52、第2绝缘层54、第3绝缘层56包含氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)等的无机绝缘层为宜。
如图5所示，本实施方式的显示装置是如下的结构，即，是一种具备上述本实施方式的微型LED元件基板的显示装置，基板1具有：配置包含微型LED元件14R的像素部15b的配置面1a(图6B所示)；与配置面1a相反的一侧的相反面1b(图6B所示)；以及侧面1s(图6B所示)，微型LED元件基板具有：配置于侧面1s的侧面布线30；以及配置于相反面1b侧的驱动部6，像素部15b中的多个被配置为矩阵状，微型LED元件14R经由侧面布线30与驱动部6连接。通过该结构，发挥以下效果。即使微型LED元件14R产生不良，也能够在不损伤布线60等的情况下，通过激光LR进行修复处理，因此成为寿命长的显示装置。此外，由于将驱动部6配置在基板1的相反面1b侧，所以能够减小边框部1g(图6A以及图6B所示)。其结果是，在将多个显示装置平铺(tiling)而构成多显示器(multi-display)时，显示装置间的接缝变得不易显眼，显示品质变高。
驱动部6可以是将IC、LSI等驱动元件以玻璃覆晶(Chip on Glass：COG)方式、薄膜覆晶(Chip on Film：COF)方式安装的结构，但是也可以是搭载有驱动元件的电路基板。此外，驱动部6也可以是在包含玻璃基板的基板1的相反面1b上具备具有通过CVD法等薄膜形成方法直接形成的包含LTPS(Low Temperature Poly Silicon，低温多晶硅)的半导体层的TFT等的薄膜电路。
侧面布线30能够通过用加热法、紫外线等光照射来使包含银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、不锈钢等导电性粒子、未固化的树脂成分、醇溶剂以及水等的导电性膏固化的光固化法、加热光固化法等方法形成。此外，侧面布线30也能够通过镀敷法、蒸镀法、CVD法等薄膜形成方法形成。此外，也可以在配置侧面布线30的基板1侧面1s的部位具有槽。在该情况下，导电性膏容易配置在侧面1s的要求的部位即槽中。
此外，本实施方式的显示装置也能够构成为发光装置。发光装置能够用作在图像形成装置等中使用的打印机头、照明装置、招牌装置、公告装置、信号装置等。
在对本实施方式的微型LED元件基板进行修复的情况下，能够采用以下的方法等。如图1A所示，准备如下的微型LED元件基板，即，在基板1上从基板1侧起依次配置布线60、第1绝缘层52和第1微型LED元件14R，并且布线60与第1微型LED元件14R重叠，第1微型LED元件14R具有在俯视观察下隔开的正电极14Ra以及负电极14Rb，在第1绝缘层52与第1微型LED元件14R之间的部位，横穿位于第1微型LED元件14R的正下方的布线60的至少一部分的遮光层61R位于不与正电极14Ra以及负电极14Rb重叠的位置，接着，在第1微型LED元件14R成为不良的情况下，从基板1上拆卸第1微型LED元件14R，在通过激光LR切断与第1微型LED元件14R的正电极14Ra连接的连接布线40al和/或与负极14Rb连接的连接布线40bl时，在照射位置与遮光层61R重叠的位置进行切断，接着，将第2微型LED元件14Rr配置在基板1上。由此，即使第1微型LED元件14R产生不良，也能够在不损伤布线60等的情况下，通过激光LR进行修复处理，因此能够制作寿命长的显示装置等。
在上述的修复方法中，第1微型LED元件14R在基板1侧具有在俯视观察下相互隔开的正电极14Ra以及负电极14Rb，在通过激光LR切断与第1微型LED元件14R的正电极14Ra连接的连接布线40al和/或与负极14Rb连接的连接布线40bl时，切断正电极14Ra与负电极14Rb之间的部位为宜。即，当在基板1上的俯视观察下在第1微型LED元件14R以外的部位存在用于将背景色设为黑色等暗色来提高对比度的黑矩阵(black matrix)层等暗色层的情况下，暗色层成为障碍而存在难以通过激光LR切断连接布线40al、40bl的担忧。因此，在通过激光LR切断连接布线40al、40bl时，在切断正电极14Ra与负电极14Rb之间的部位的情况下，由于上述的暗色层不会成为障碍，所以能够容易切断。
另外，本公开的微型LED元件基板、显示装置以及微型LED元件基板的修复方法并不限定于上述实施方式，也可以包含适当的设计变更、改良。例如，在基板1为非透光性的基板的情况下，基板1也可以是被着色为黑色、灰色等颜色的玻璃基板、包含磨砂玻璃的玻璃基板。
本公开可以是下一实施方式。
本公开的微型LED元件基板是如下的结构，即，是一种在基板上从所述基板侧起依次配置布线、绝缘层和微型LED元件，并且所述微型LED元件与所述布线重叠的微型LED元件基板，所述微型LED元件具有在俯视观察下隔开的正电极以及负电极，在所述绝缘层与所述微型LED元件之间的部位，横穿位于所述微型LED元件的正下方的所述布线的至少一部分的遮光层位于不与所述正电极以及所述负电极重叠的位置。
本公开的微型LED元件基板也可以是，所述遮光层覆盖位于所述微型LED元件的正下方的所述布线的整体。
此外，本公开的微型LED元件基板也可以是，所述遮光层具有光散射性。
此外，本公开的微型LED元件基板也可以是，所述遮光层具有光反射性。
此外，本公开的微型LED元件基板也可以是，其他绝缘层介于所述遮光层与所述微型LED元件之间，所述绝缘层的厚度比所述其他绝缘层的厚度厚。
本公开的显示装置是如下的结构，即，是一种具备上述本公开的微型LED元件基板的显示装置，所述基板具有：配置包含所述微型LED元件的像素部的配置面；与所述配置面相反的一侧的相反面；以及侧面，所述微型LED元件基板具有：配置于所述侧面的侧面布线；以及配置于所述相反面侧的驱动部，所述像素部中的多个像素部被配置为矩阵状，所述微型LED元件经由所述侧面布线而与所述驱动部连接。
本公开的微型LED元件基板是如下的结构，即，是一种在基板上从所述基板侧起依次配置布线、绝缘层和微型LED元件、并且所述微型LED元件与所述布线重叠的微型LED元件基板，所述微型LED元件具有在俯视观察下隔开的正电极以及负电极，在所述绝缘层与所述微型LED元件之间的部位，横穿位于所述微型LED元件的正下方的所述布线的至少一部分的遮光层位于不与所述正电极以及所述负电极重叠的位置，因此发挥以下效果。在微型LED元件因是产生连接不良的缺陷品等原因而成为得不到要求的发光强度、不能点亮这样的不良的状态的情况下，在通过激光切断与微型LED元件的正电极连接的连接布线和/或与负电极连接的连接布线时，能够防止产生激光到达布线而错误地损坏布线、错误地切断布线这样的事态。此外，能够防止产生因激光的热而在布线与绝缘层的界面产生剥离而其结果基板上的最表面的平坦性劣化这样的事态。
在本公开的微型LED元件基板中，在所述遮光层覆盖位于所述微型LED元件的正下方的所述布线的整体的情况下，通过宽面积的遮光层，能够更有效地防止产生激光到达布线而错误地损坏布线、错误地切断布线这样的事态。此外，能够更有效地防止产生因激光的热而在布线与第1绝缘层的界面产生剥离而其结果基板上的最表面的平坦性劣化这样的事态。
此外，在本公开的微型LED元件基板中，在所述遮光层具有光散射性的情况下，能够使激光向微型LED元件侧散射，因此成为遮光性更高的遮光层。此外，在具备微型LED元件基板的显示装置中，在驱动微型LED元件时，还发挥显示图像的亮度提高、对比度提高这样的效果。
此外，在本公开的微型LED元件基板中，在所述遮光层具有光反射性的情况下，能够使激光向微型LED元件侧反射，因此成为遮光性更高的遮光层。此外，在具备微型LED元件基板的显示装置中，在驱动微型LED元件时，还发挥显示图像的亮度提高、对比度提高这样的效果。
此外，在本公开的微型LED元件基板中，在其他绝缘层介于所述遮光层与所述微型LED元件之间，并且所述其他绝缘层的厚度比所述绝缘层的厚度厚的情况下，能够抑制因激光的照射而产生的热对布线的影响。其结果是，能够更有效地防止产生因激光的热而在布线与绝缘层的界面产生剥离，并且基板上的最表面的平坦性劣化这样的事态。
本公开的显示装置是如下的结构，即，是一种具备上述本公开的微型LED元件基板的显示装置，所述基板具有：配置包含所述微型LED元件的像素部的配置面；与所述配置面相反的一侧的相反面；以及侧面，所述微型LED元件基板具有：配置于所述侧面的侧面布线；以及配置于所述相反面侧的驱动部，所述像素部中的多个被配置为矩阵状，所述微型LED元件经由所述侧面布线与所述驱动部连接，因此发挥以下效果。即使微型LED元件产生不良，也能够在不损伤布线等的情况下，通过激光进行修复处理，因此成为寿命长的显示装置。此外，由于将驱动部配置在基板的相反面侧，所以能够减小边框部。其结果是，在将多个显示装置平铺而构成多显示器时，显示装置间的接缝变得不易显眼，显示品质变高。
产业上的可利用性
本公开的显示装置能够应用于各种电子设备。作为该电子设备，有复合型且大型的显示装置(多显示器)、汽车路径引导系统(汽车导航系统)、船舶路径引导系统、飞机路径引导系统、智能手机终端、便携式电话、平板终端、个人数字助理(PDA)、摄像机、数码相机、电子笔记本、电子书、电子词典、个人计算机、复印机、游戏设备的终端装置、电视机、商品显示标签、价格显示标签、产业用的可编程显示装置、汽车音响、数字音频播放器、传真机、打印机、现金自动存取机(ATM)、自动售货机、头戴式显示器(HMD)、数字显示式手表、智能手表等。
本公开能够在不脱离其精神或主要特征的情况下以其他各种方式实施。因此，前述的实施方式在所有的方面只不过仅仅是例示，本公开的范围是权利要求书所示的范围，丝毫不约束于说明书正文。进而，属于权利要求书的变形、变更全部在本公开的范围内。
符号说明
1：基板；
1a：配置面；
1b：相反面；
1s：侧面；
6：驱动部；
14B、14G：微型LED元件；
14R：微型LED元件(第1微型LED元件)；
14Ra：正电极；
14Rb：负电极；
14RL：发光部；
14Rr：第2微型LED元件；
15a、15b：像素部；
30：侧面布线；
40al、40b1：连接布线；
40ar：正电极焊盘；
40br：负电极焊盘；
52：绝缘层(第1绝缘层)；
54：其他绝缘层(第2绝缘层)；
60：布线；
61、61B、61G、61R：遮光层。
Claims (6)
1.一种微型LED元件基板，在基板上从所述基板侧起依次配置布线、绝缘层和微型LED元件，并且所述微型LED元件与所述布线重叠，
所述微型LED元件具有在俯视观察下隔开的正电极以及负电极，
在所述绝缘层与所述微型LED元件之间的部位，横穿位于所述微型LED元件的正下方的所述布线的至少一部分的遮光层位于不与所述正电极以及所述负电极重叠的位置。
2.根据权利要求1所述的微型LED元件基板，其中，
所述遮光层覆盖位于所述微型LED元件的正下方的所述布线的整体。
3.根据权利要求1或2所述的微型LED元件基板，其中，
所述遮光层具有光散射性。
4.根据权利要求1或2所述的微型LED元件基板，其中，
所述遮光层具有光反射性。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的微型LED元件基板，其中，
其他绝缘层介于所述遮光层与所述微型LED元件之间，
所述绝缘层的厚度比所述其他绝缘层的厚度厚。
6.一种显示装置，具备权利要求1～5中任一项所述的微型LED元件基板，
所述基板具有：配置包含所述微型LED元件的像素部的配置面、与所述配置面相反的一侧的相反面、以及侧面，
所述微型LED元件基板具有：配置于所述侧面的侧面布线、以及配置于所述相反面侧的驱动部，
所述像素部中的多个像素部被配置为矩阵状，
所述微型LED元件经由所述侧面布线而与所述驱动部连接。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019-081690 | 2019-04-23 | ||
| JP2019081690 | 2019-04-23 | ||
| PCT/JP2020/015562 WO2020217959A1 (ja) | 2019-04-23 | 2020-04-06 | マイクロｌｅｄ素子基板および表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113661580A true CN113661580A (zh) | 2021-11-16 |
Family
ID=72942273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202080027828.XA Pending CN113661580A (zh) | 2019-04-23 | 2020-04-06 | 微型led元件基板以及显示装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20220199879A1 (zh) |
| JP (1) | JP7449280B2 (zh) |
| CN (1) | CN113661580A (zh) |
| WO (1) | WO2020217959A1 (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20220083127A (ko) * | 2020-12-11 | 2022-06-20 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 및 전자부품 패키지 |
| CN117716409A (zh) * | 2021-07-30 | 2024-03-15 | 京瓷株式会社 | 像素构造体以及显示装置 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012227514A (ja) * | 2011-04-08 | 2012-11-15 | Sony Corp | 画素チップ、表示パネル、照明パネル、表示装置および照明装置 |
| US20150241718A1 (en) * | 2014-02-24 | 2015-08-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Display substrate and method of repairing the same |
| JP2017049568A (ja) * | 2015-08-31 | 2017-03-09 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 半導体装置、表示装置、表示装置の製造方法および電子機器 |
| US20170141349A1 (en) * | 2015-11-16 | 2017-05-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus |
| JP2018125485A (ja) * | 2017-02-03 | 2018-08-09 | 大日本印刷株式会社 | 配線基板及び配線基板の製造方法、並びに配線基板を含む電子モジュール |
| JP2019028284A (ja) * | 2017-07-31 | 2019-02-21 | 京セラ株式会社 | 表示装置 |
| JP2019046931A (ja) * | 2017-08-31 | 2019-03-22 | 京セラ株式会社 | 半導体装置、発光装置および半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1138444A (ja) * | 1997-07-18 | 1999-02-12 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
| JP3904807B2 (ja) | 1999-06-04 | 2007-04-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| JP4167519B2 (ja) | 2003-01-09 | 2008-10-15 | 京セラ株式会社 | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 |
| JP2005252228A (ja) * | 2004-02-05 | 2005-09-15 | Sharp Corp | 表示装置及びその製造方法 |
| DE102013102667A1 (de) | 2013-03-15 | 2014-10-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Anzeigevorrichtung |
| JP6277376B2 (ja) | 2014-01-29 | 2018-02-14 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 画像表示装置 |
| JP6495754B2 (ja) | 2015-06-12 | 2019-04-03 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| CN112639937B (zh) * | 2018-09-05 | 2023-06-23 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置、显示模块、电子设备及显示装置的制造方法 |
| KR102649146B1 (ko) * | 2018-10-26 | 2024-03-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 컬러 필터 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
-
2020
- 2020-04-06 CN CN202080027828.XA patent/CN113661580A/zh active Pending
- 2020-04-06 WO PCT/JP2020/015562 patent/WO2020217959A1/ja active Application Filing
- 2020-04-06 JP JP2021515954A patent/JP7449280B2/ja active Active
- 2020-04-06 US US17/603,554 patent/US20220199879A1/en active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012227514A (ja) * | 2011-04-08 | 2012-11-15 | Sony Corp | 画素チップ、表示パネル、照明パネル、表示装置および照明装置 |
| US20150241718A1 (en) * | 2014-02-24 | 2015-08-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Display substrate and method of repairing the same |
| JP2017049568A (ja) * | 2015-08-31 | 2017-03-09 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 半導体装置、表示装置、表示装置の製造方法および電子機器 |
| US20170141349A1 (en) * | 2015-11-16 | 2017-05-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus |
| JP2018125485A (ja) * | 2017-02-03 | 2018-08-09 | 大日本印刷株式会社 | 配線基板及び配線基板の製造方法、並びに配線基板を含む電子モジュール |
| JP2019028284A (ja) * | 2017-07-31 | 2019-02-21 | 京セラ株式会社 | 表示装置 |
| JP2019046931A (ja) * | 2017-08-31 | 2019-03-22 | 京セラ株式会社 | 半導体装置、発光装置および半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP7449280B2 (ja) | 2024-03-13 |
| US20220199879A1 (en) | 2022-06-23 |
| JPWO2020217959A1 (zh) | 2020-10-29 |
| WO2020217959A1 (ja) | 2020-10-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10008555B2 (en) | Display device and method of manufacturing the same | |
| JP6456903B2 (ja) | 有機発光表示装置 | |
| JP4367346B2 (ja) | 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 | |
| JP6856472B2 (ja) | 表示装置 | |
| JP7449280B2 (ja) | マイクロｌｅｄ素子基板および表示装置 | |
| JP6798952B2 (ja) | 半導体装置、発光装置および半導体装置の製造方法 | |
| WO2020250667A1 (ja) | 発光素子基板および表示装置 | |
| JP2021089356A (ja) | 表示装置 | |
| CN114664895A (zh) | 透明显示装置 | |
| JP4791827B2 (ja) | 有機ｅｌ表示装置 | |
| JP7326470B2 (ja) | 表示装置 | |
| CN113097405B (zh) | 发光显示面板 | |
| JP2022038445A (ja) | 遮光層積層型基板 | |
| CN115605935A (zh) | 显示装置以及复合型显示装置 | |
| JP7105362B2 (ja) | マイクロｌｅｄ素子搭載基板およびそれを用いた表示装置 | |
| WO2023008243A1 (ja) | 画素構造体および表示装置 | |
| JP7453418B2 (ja) | 表示装置および複合型表示装置 | |
| US20230209874A1 (en) | Top emission type electroluminescence display having micro-cavity structure | |
| US11950478B2 (en) | Display apparatus | |
| US20230209953A1 (en) | Transparent display apparatus | |
| US20240224563A1 (en) | Light emitting display | |
| KR102355594B1 (ko) | 투명 표시장치 | |
| KR20240040138A (ko) | 표시 장치 | |
| CN118076200A (zh) | 发光显示装置 | |
| KR20220078266A (ko) | 전계 발광 표시장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |