JP2011501866A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011501866A5 JP2011501866A5 JP2010530166A JP2010530166A JP2011501866A5 JP 2011501866 A5 JP2011501866 A5 JP 2011501866A5 JP 2010530166 A JP2010530166 A JP 2010530166A JP 2010530166 A JP2010530166 A JP 2010530166A JP 2011501866 A5 JP2011501866 A5 JP 2011501866A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thick film
- conductive
- composition
- flux
- film composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 12
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 11
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 4
- 229910013391 LizN Inorganic materials 0.000 claims 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 1
Claims (7)
- ａ）導電性銀と；
ｂ）鉛フリーの１つまたは複数のフラックス材料と；
ｃ）有機媒体と
を含み、前記フラックス材料は、ＺｎＦ 2 、ＡｇＢｉ（ＰＯ 3 ） 4 、ＡｇＺｎＦ 3 −ＡｇＦ、ＬｉＺｎ（ＰＯ 3 ） 3 、およびＣｕ 3 Ｂ 2 Ｏ 6 からなる群から選択される１つまたは複数の成分を含み、前記導電性銀および前記１つまたは複数のフラックス材料は、前記有機媒体中に分散されていることを特徴とする伝導性組成物。 - 前記伝導性組成物の重量を基準にして０．５〜１３重量％のフラックス材料を含む請求項１に記載の伝導性組成物。
- １つまたは複数の亜鉛含有添加剤をさらに含む請求項１に記載の伝導性組成物。
- １つまたは複数のガラスフリットをさらに含み、前記１つまたは複数のガラスフリットが、全伝導性組成物の０．５〜４重量％である請求項１に記載の伝導性組成物。
- （ｉ）厚膜組成物であって、
ａ）導電性銀と；
ｂ）鉛フリーの１つまたは複数のフラックス材料とを；
ｃ）有機媒体
を含み、前記フラックス材料は、ＺｎＦ 2 、ＡｇＢｉ（ＰＯ 3 ） 4 、ＡｇＺｎＦ 3 −ＡｇＦ、ＬｉＺｎ（ＰＯ 3 ） 3 、およびＣｕ 3 Ｂ 2 Ｏ 6 からなる群から選択される１つまたは複数の成分を含み、前記導電性銀および前記１つまたは複数のフラックス材料は、前記有機ビヒクル中に分散されている厚膜組成物と；
（ii）１つまたは複数の絶縁膜と
（iii）１つまたは複数の半導体基材と
を含む構造物であって；
前記厚膜組成物が、前記１つまたは複数の絶縁膜上に形成され、焼成の際に、前記有機媒体が除去される構造物。 - 太陽電池である請求項５に記載の構造物。
- 半導体デバイスの製造方法であって、
（１）１つまたは複数の半導体基材、１つまたは複数の絶縁膜、および厚膜組成物を提供するステップであって、前記厚膜組成物が、ｉ）導電性銀と、ii）鉛フリーの１つまたは複数のフラックス材料と、iii）有機媒体とを含み、前記フラックス材料は、ＺｎＦ 2 、ＡｇＢｉ（ＰＯ 3 ） 4 、ＡｇＺｎＦ 3 −ＡｇＦ、ＬｉＺｎ（ＰＯ 3 ） 3 、およびＣｕ 3 Ｂ 2 Ｏ 6 からなる群から選択される１つまたは複数の成分を含み、前記導電性銀および前記１つまたは複数のフラックス材料は、前記有機ビヒクル中に分散されているステップと、
（２）前記半導体基材上に前記絶縁膜を適用するステップと、
（３）前記半導体基材の前記絶縁膜上に前記厚膜組成物を適用するステップと、
（４）前記半導体、絶縁膜および厚膜組成物を焼成するステップとを含み、
焼成の際、前記有機ビヒクルが除去され、前記銀とフラックス材料とが焼結される方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US98094407P | 2007-10-18 | 2007-10-18 | |
| PCT/US2008/080409 WO2009052460A1 (en) | 2007-10-18 | 2008-10-20 | Lead-free conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices: flux materials |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011501866A JP2011501866A (ja) | 2011-01-13 |
| JP2011501866A5 true JP2011501866A5 (ja) | 2011-11-17 |
Family
ID=40280849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010530166A Withdrawn JP2011501866A (ja) | 2007-10-18 | 2008-10-20 | 鉛フリーの伝導性組成物、および半導体デバイスの製造における使用方法：フラックス材料 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8226856B2 (ja) |
| EP (1) | EP2203921A1 (ja) |
| JP (1) | JP2011501866A (ja) |
| KR (1) | KR101207693B1 (ja) |
| CN (1) | CN101821816A (ja) |
| TW (1) | TW200933653A (ja) |
| WO (1) | WO2009052460A1 (ja) |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101384756B (zh) * | 2006-03-01 | 2011-11-23 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 采用液相生长法的ZnO单晶的制造方法 |
| EP2193526A1 (en) * | 2007-10-18 | 2010-06-09 | E. I. du Pont de Nemours and Company | Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices: mg-containing additive |
| WO2009052271A1 (en) * | 2007-10-18 | 2009-04-23 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Lead-free conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices: mg-containing additive |
| JP5493468B2 (ja) * | 2009-05-26 | 2014-05-14 | 三菱マテリアル株式会社 | スーパーストレート型薄膜太陽電池用の導電性反射膜及びその製造方法 |
| JP5493469B2 (ja) * | 2009-05-26 | 2014-05-14 | 三菱マテリアル株式会社 | スーパーストレート型薄膜太陽電池用の複合膜及びその製造方法 |
| KR101139459B1 (ko) | 2009-08-27 | 2012-04-30 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 및 그 제조방법 |
| KR101181190B1 (ko) | 2010-07-30 | 2012-09-18 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양 전지 및 이의 후면 전극용 페이스트 조성물 |
| WO2012054245A1 (en) * | 2010-10-19 | 2012-04-26 | Air Products And Chemicals, Inc. | A conductive composition and method for making conductive features on thin film pv cells |
| WO2012054244A1 (en) | 2010-10-19 | 2012-04-26 | Air Products And Chemicals, Inc. | A conductive composition and conductive feature formed at low temperatures |
| CN102157219B (zh) * | 2011-01-12 | 2012-06-27 | 西安银泰新能源材料科技有限公司 | 晶体硅太阳能电池正面电极银浆及其制备方法 |
| JP2012209148A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Sony Corp | 導電性粒子、導電性ペースト、及び、回路基板 |
| JP5856178B2 (ja) * | 2011-09-29 | 2016-02-09 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 太陽電池用無鉛導電性ペースト組成物 |
| CN102751000B (zh) * | 2012-06-16 | 2015-05-06 | 合肥圣达电子科技实业公司 | 一种压电陶瓷用无铅无镉电极银浆料及其制备方法 |
| US10069021B2 (en) * | 2012-10-12 | 2018-09-04 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Electro-conductive pastes with salts with an anion consisting of halogen and oxygen in solar cell applications |
| US10158032B2 (en) | 2012-10-12 | 2018-12-18 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Solar cells produced from high Ohmic wafers and halogen containing paste |
| US20160204303A1 (en) * | 2013-08-21 | 2016-07-14 | Gtat Corporation | Using an active solder to couple a metallic article to a photovoltaic cell |
| CN103951263A (zh) * | 2014-04-22 | 2014-07-30 | 江苏太阳新材料科技有限公司 | 一种太阳能电池正面银电极用玻璃粉及其制备方法 |
| US10056508B2 (en) * | 2015-03-27 | 2018-08-21 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Electro-conductive pastes comprising a metal compound |
| US10636540B2 (en) | 2015-03-27 | 2020-04-28 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Electro-conductive pastes comprising an oxide additive |
| GB201507148D0 (en) * | 2015-04-27 | 2015-06-10 | Johnson Matthey Plc | Conductive paste, electrode and solar cell |
| KR101859017B1 (ko) | 2015-12-02 | 2018-05-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전극 형성 방법, 이로부터 제조된 전극 및 태양 전지 |
| JP6947119B2 (ja) * | 2018-05-14 | 2021-10-13 | トヨタ自動車株式会社 | 正極活物質およびフッ化物イオン電池 |
| CN114334214A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-04-12 | 深圳先进电子材料国际创新研究院 | 一种导电银浆及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4625848B1 (ja) | 1966-04-15 | 1971-07-26 | ||
| JP2001118425A (ja) * | 1999-10-21 | 2001-04-27 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性ペースト |
| US7435361B2 (en) | 2005-04-14 | 2008-10-14 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices |
| US7556748B2 (en) | 2005-04-14 | 2009-07-07 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method of manufacture of semiconductor device and conductive compositions used therein |
| JP4807063B2 (ja) | 2005-12-20 | 2011-11-02 | ソニー株式会社 | 復号装置、制御方法、およびプログラム |
-
2008
- 2008-10-20 JP JP2010530166A patent/JP2011501866A/ja not_active Withdrawn
- 2008-10-20 CN CN200880112323A patent/CN101821816A/zh active Pending
- 2008-10-20 KR KR1020107010785A patent/KR101207693B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2008-10-20 EP EP20080840591 patent/EP2203921A1/en not_active Withdrawn
- 2008-10-20 US US12/254,297 patent/US8226856B2/en active Active
- 2008-10-20 TW TW97140248A patent/TW200933653A/zh unknown
- 2008-10-20 WO PCT/US2008/080409 patent/WO2009052460A1/en active Application Filing
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2011501866A5 (ja) | ||
| JP2011519112A5 (ja) | ||
| JP2011502330A5 (ja) | ||
| JP2011503772A5 (ja) | ||
| EP1713092A3 (en) | Conductive compositions and processes for their use in the manufacture of semiconductor devices | |
| KR102581899B1 (ko) | 투명 전극 및 이를 포함하는 소자 | |
| EP1713091A3 (en) | Method of manufacture of semiconductor device and conductive compositions used therein | |
| JP2006302891A5 (ja) | ||
| TWI618756B (zh) | 光學堆疊 | |
| TW200939485A (en) | Electrode substrate for photoelectric conversion element | |
| JP2013521180A5 (ja) | ||
| JP2013521207A5 (ja) | ||
| JP2007235082A5 (ja) | ||
| JP2010283340A5 (ja) | ||
| JP2011514397A5 (ja) | ||
| JP2011096747A5 (ja) | ||
| JP2009104842A5 (ja) | ||
| JP2018535557A (ja) | 集積回路に使用するための焼成多層スタック及び太陽電池 | |
| JP2010524257A5 (ja) | ||
| JP2011529121A5 (ja) | ||
| JP2006344939A5 (ja) | ||
| JP2009231284A (ja) | 染料感応太陽電池及びその製造方法 | |
| JP2011502345A5 (ja) | ||
| EP2290705A3 (en) | Solar cell and fabricating method thereof | |
| JP2012502434A5 (ja) |